JP2002031687A - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置Info
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- JP2002031687A JP2002031687A JP2000217445A JP2000217445A JP2002031687A JP 2002031687 A JP2002031687 A JP 2002031687A JP 2000217445 A JP2000217445 A JP 2000217445A JP 2000217445 A JP2000217445 A JP 2000217445A JP 2002031687 A JP2002031687 A JP 2002031687A
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- antireflection film
- cesium iodide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線センサーのシグナルＳとノイズＮの比Ｓ
／Ｎの劣化を抑え、高感度な放射線検出装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 基板上に光電変換素子とスイッチ素子に
よって形成されたＸ線センサーパネルにおいて、素子上
部に少なくとも一層の第一の保護層が形成され、第一の
保護層の上面に反射防止膜がパターン形成されており、
パターン形成された反射防止膜の上部に波長変換体が形
成されていることを特徴とする放射線検出装置。
／Ｎの劣化を抑え、高感度な放射線検出装置を提供する
ことにある。 【解決手段】 基板上に光電変換素子とスイッチ素子に
よって形成されたＸ線センサーパネルにおいて、素子上
部に少なくとも一層の第一の保護層が形成され、第一の
保護層の上面に反射防止膜がパターン形成されており、
パターン形成された反射防止膜の上部に波長変換体が形
成されていることを特徴とする放射線検出装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
詳しくはＸ線センサーに用いられる放射線検出装置に関
する。
詳しくはＸ線センサーに用いられる放射線検出装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レントゲン撮影のフィルムレス化
の流れの中、各社からＸ線エリアセンサーが発表されて
おり、その方式もダイレクト式（Ｘ線を直接電気信号に
変換して読み取るタイプ）とインダイレクト方式（Ｘ線
を一旦可視光に変換して可視光を電気信号に変換して読
み取るタイプ）の２つに大別される。
の流れの中、各社からＸ線エリアセンサーが発表されて
おり、その方式もダイレクト式（Ｘ線を直接電気信号に
変換して読み取るタイプ）とインダイレクト方式（Ｘ線
を一旦可視光に変換して可視光を電気信号に変換して読
み取るタイプ）の２つに大別される。
【０００３】図４は、実用化が間近なインダイレクト方
式の代表的なＸ線エリアセンサーの断面図を示したもの
である。図中、４０１はガラス基板、４０２はアモルフ
ァスシリコンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部、４０
３はＴＦＴスイッチ部、４１１はＳｉＮ：Ｈ等よりなる
保護層、４２１は沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）からな
るシンチレーター、４２２はアルミニウム等よりなる反
射膜である。
式の代表的なＸ線エリアセンサーの断面図を示したもの
である。図中、４０１はガラス基板、４０２はアモルフ
ァスシリコンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部、４０
３はＴＦＴスイッチ部、４１１はＳｉＮ：Ｈ等よりなる
保護層、４２１は沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）からな
るシンチレーター、４２２はアルミニウム等よりなる反
射膜である。
【０００４】図面上部から入射したＸ線が反射膜４２２
を透過し、シンチレーター中の沃化セシウムに吸収され
る。Ｘ線を吸収した沃化セシウムは、バルク中で可視光
を全方向に発光する。この時、沃化セシウムからなるシ
ンチレーター４２１は図示したように縦方向に柱状に結
晶成長しているため、バルク中で発光した光は結局、結
晶粒界で反射しながら柱状の方向に光ファイバーの原理
のように進むこととなり、ほとんどが図面下方の素子部
に集光されるため、この構造にしておくと、光感度と分
解能を向上することができる。
を透過し、シンチレーター中の沃化セシウムに吸収され
る。Ｘ線を吸収した沃化セシウムは、バルク中で可視光
を全方向に発光する。この時、沃化セシウムからなるシ
ンチレーター４２１は図示したように縦方向に柱状に結
晶成長しているため、バルク中で発光した光は結局、結
晶粒界で反射しながら柱状の方向に光ファイバーの原理
のように進むこととなり、ほとんどが図面下方の素子部
に集光されるため、この構造にしておくと、光感度と分
解能を向上することができる。
【０００５】センサーの感度は、シグナルＳとノイズＮ
の比Ｓ／Ｎで決まることは周知の事実だが、上述した方
法だと、沃化セシウムと保護層との屈折率の差が大きす
ぎた場合、反射率が大きくなってしまい、せっかく沃化
セシウムの特徴を生かして光をセンサー部に集光しても
保護層との間での光の反射が多くなり、シグナルＳが低
下してしまうという問題点が発生してしまう。例えば、
沃化セシウムの屈折率が１．８、保護層の屈折率を３．
０とした時の反射率は約６．３％となる。
の比Ｓ／Ｎで決まることは周知の事実だが、上述した方
法だと、沃化セシウムと保護層との屈折率の差が大きす
ぎた場合、反射率が大きくなってしまい、せっかく沃化
セシウムの特徴を生かして光をセンサー部に集光しても
保護層との間での光の反射が多くなり、シグナルＳが低
下してしまうという問題点が発生してしまう。例えば、
沃化セシウムの屈折率が１．８、保護層の屈折率を３．
０とした時の反射率は約６．３％となる。
【０００６】また、沃化セシウムがスイッチ部の上部に
も形成されているため、スイッチ部に入射した光によっ
てスイッチ部分の活性層でキャリアが発生し、スイッチ
のオフ電流を大きくすることとなるため、ノイズＮが上
昇するという問題点も発生してしまうのである。
も形成されているため、スイッチ部に入射した光によっ
てスイッチ部分の活性層でキャリアが発生し、スイッチ
のオフ電流を大きくすることとなるため、ノイズＮが上
昇するという問題点も発生してしまうのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、Ｘ線
センサーのシグナルＳとノイズＮの比Ｓ／Ｎの劣化を抑
え、高感度な放射線検出装置を提供することにある。
センサーのシグナルＳとノイズＮの比Ｓ／Ｎの劣化を抑
え、高感度な放射線検出装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以上の問題点を解決する
ため、本発明に従って、基板上に光電変換素子とスイッ
チ素子によって形成されたＸ線センサーパネルにおい
て、素子上部に少なくとも一層の第一の保護層が形成さ
れ、第一の保護層の上面に反射防止膜がパターン形成さ
れており、少なくとも光電変換部の上部に反射防止膜が
存在し、反射防止膜の上部に直接もしくは第二の保護層
を挟んで波長変換体を形成することによって、光電変換
素子への入射光量を積極的に高めた放射線検出装置が提
供される。
ため、本発明に従って、基板上に光電変換素子とスイッ
チ素子によって形成されたＸ線センサーパネルにおい
て、素子上部に少なくとも一層の第一の保護層が形成さ
れ、第一の保護層の上面に反射防止膜がパターン形成さ
れており、少なくとも光電変換部の上部に反射防止膜が
存在し、反射防止膜の上部に直接もしくは第二の保護層
を挟んで波長変換体を形成することによって、光電変換
素子への入射光量を積極的に高めた放射線検出装置が提
供される。
【０００９】そして、第一の保護層の屈折率をＮｐ１、
反射防止膜の屈折率をＮｒ、反射防止膜の上面に形成さ
れた層の屈折率をＮｐ２とした時、ＮｒがＮｐ１とＮｐ
２の間の膜により形成することによって、反射を最小限
に抑えるものである。
反射防止膜の屈折率をＮｒ、反射防止膜の上面に形成さ
れた層の屈折率をＮｐ２とした時、ＮｒがＮｐ１とＮｐ
２の間の膜により形成することによって、反射を最小限
に抑えるものである。
【００１０】
【実施例】以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００１１】（実施例１）図１は好適な実施例の断面を
示したものである。１０１はガラス基板、１０２はアモ
ルファスシリコンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部、
１０３はＴＦＴスイッチ部、１１１は屈折率２．４のＳ
ｉＮ：Ｈ等よりなる保護層、１２１は屈折率１．８の沃
化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）等からなるシンチレータ
ー、１２２はアルミニウム等よりなる反射膜である。そ
して、１１０は、屈折率２．２の塩化鉛（ＰｂＣｌ2）
からなる反射防止膜で、光電変換部上のみに存在する
が、ＴＦＴスイッチ部と配線のクロス部に存在しないよ
う、パターニングしてある。
示したものである。１０１はガラス基板、１０２はアモ
ルファスシリコンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部、
１０３はＴＦＴスイッチ部、１１１は屈折率２．４のＳ
ｉＮ：Ｈ等よりなる保護層、１２１は屈折率１．８の沃
化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）等からなるシンチレータ
ー、１２２はアルミニウム等よりなる反射膜である。そ
して、１１０は、屈折率２．２の塩化鉛（ＰｂＣｌ2）
からなる反射防止膜で、光電変換部上のみに存在する
が、ＴＦＴスイッチ部と配線のクロス部に存在しないよ
う、パターニングしてある。
【００１２】塩化鉛１１０の形成方法としては、一般的
な蒸着法等を用い、基板温度を素子の劣化を抑えられる
２００℃以内の範囲とし、フォトリソグラフィー工程を
経てパターニングする。本実施例では反射防止膜として
塩化鉛を用いているが、屈折率としては１．８〜２．４
の範囲のものでよく、例えば、硫化亜鉛（屈折率２．
３、ＺｎＳ）、酸化セシウム（屈折率２．２、Ｃｅ
Ｏ2）、酸化カドミウム（屈折率２．０７、ＣｄＯ）、
酸化アンチモン（屈折率１．８５、Ｓｂ2Ｏ3）、酸化タ
ングステン（屈折率２．０、ＷＯ3）等でもよい。
な蒸着法等を用い、基板温度を素子の劣化を抑えられる
２００℃以内の範囲とし、フォトリソグラフィー工程を
経てパターニングする。本実施例では反射防止膜として
塩化鉛を用いているが、屈折率としては１．８〜２．４
の範囲のものでよく、例えば、硫化亜鉛（屈折率２．
３、ＺｎＳ）、酸化セシウム（屈折率２．２、Ｃｅ
Ｏ2）、酸化カドミウム（屈折率２．０７、ＣｄＯ）、
酸化アンチモン（屈折率１．８５、Ｓｂ2Ｏ3）、酸化タ
ングステン（屈折率２．０、ＷＯ3）等でもよい。
【００１３】図中、１２１の沃化セシウムからなるシン
チレーターは、反射防止膜１１０上にも保護層１１１上
にも蒸着されるが、この場合、反射防止膜上への蒸着に
対して最適化しているため、柱状構造も反射防止膜１１
０上の方が適正に形成される。以上の構造になった時、
シンチレーター１２１中の沃化セシウムがＸ線を吸収す
ることによって発生する光は柱状構造の中を伝播し、反
射防止膜が形成された部分では反射率が低いが、反射防
止膜が形成されていない部分では反射率が高い。更に、
反射防止膜が存在しないＴＦＴスイッチ部１０３上は、
シンチレーター１２１中の柱状化した沃化セシウムの結
晶性が劣化している。そのため、沃化セシウム中で発生
した光の損失が大きくなり、結果的にＴＦＴスイッチ部
１０３上に到達する光の強度も弱くなってしまう。従っ
て、光電変換部１０２にはより多くの光を取り込むこと
と、ＴＦＴスイッチ部１０３への光量を抑えることが同
時に可能となったため、Ｘ線センサーのＳ／Ｎが向上す
る。
チレーターは、反射防止膜１１０上にも保護層１１１上
にも蒸着されるが、この場合、反射防止膜上への蒸着に
対して最適化しているため、柱状構造も反射防止膜１１
０上の方が適正に形成される。以上の構造になった時、
シンチレーター１２１中の沃化セシウムがＸ線を吸収す
ることによって発生する光は柱状構造の中を伝播し、反
射防止膜が形成された部分では反射率が低いが、反射防
止膜が形成されていない部分では反射率が高い。更に、
反射防止膜が存在しないＴＦＴスイッチ部１０３上は、
シンチレーター１２１中の柱状化した沃化セシウムの結
晶性が劣化している。そのため、沃化セシウム中で発生
した光の損失が大きくなり、結果的にＴＦＴスイッチ部
１０３上に到達する光の強度も弱くなってしまう。従っ
て、光電変換部１０２にはより多くの光を取り込むこと
と、ＴＦＴスイッチ部１０３への光量を抑えることが同
時に可能となったため、Ｘ線センサーのＳ／Ｎが向上す
る。
【００１４】（実施例２）図２は、好適な実施例を示し
たものでエリアセンサーパネルを平面方向に複数貼り合
わせた構造のものの断面である。
たものでエリアセンサーパネルを平面方向に複数貼り合
わせた構造のものの断面である。
【００１５】２０４は基台のガラス、２０５は基台とガ
ラス基板を貼り合わせるための接着層、２０１はガラス
基板、２０２はアモルファスシリコンを用いたＭＩＳ型
フォトセンサー部、２０３はＴＦＴスイッチ部、２１１
はＳｉＮ：Ｈ等よりなる第１の保護層、２１２は屈折率
１．７のポリイミド等からなる第２の保護層である。こ
のポリイミドは、複数の基板を貼り合わせた後の各基板
同士の段差を軽減するよう、平坦化を目的に塗布されて
いる。２２１は屈折率１．８の沃化セシウム（ＣｓＩ：
Ｔｉ）等からなるシンチレーター、２２２はアルミニウ
ム等よりなる反射膜である。そして、２１０は、屈折率
１．７８の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる反射
防止膜で、光電変換部２０２上のみに存在するが、ＴＦ
Ｔスイッチ部と配線のクロス部に存在しないよう、パタ
ーニングしてある。酸化アルミニウム２１０の形成方法
としては、一般的なスパッタ等を用い、基板温度を素子
の劣化を抑えられる２００℃以内の範囲とし、フォトリ
ソグラフィー工程を経てパターニングする。
ラス基板を貼り合わせるための接着層、２０１はガラス
基板、２０２はアモルファスシリコンを用いたＭＩＳ型
フォトセンサー部、２０３はＴＦＴスイッチ部、２１１
はＳｉＮ：Ｈ等よりなる第１の保護層、２１２は屈折率
１．７のポリイミド等からなる第２の保護層である。こ
のポリイミドは、複数の基板を貼り合わせた後の各基板
同士の段差を軽減するよう、平坦化を目的に塗布されて
いる。２２１は屈折率１．８の沃化セシウム（ＣｓＩ：
Ｔｉ）等からなるシンチレーター、２２２はアルミニウ
ム等よりなる反射膜である。そして、２１０は、屈折率
１．７８の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる反射
防止膜で、光電変換部２０２上のみに存在するが、ＴＦ
Ｔスイッチ部と配線のクロス部に存在しないよう、パタ
ーニングしてある。酸化アルミニウム２１０の形成方法
としては、一般的なスパッタ等を用い、基板温度を素子
の劣化を抑えられる２００℃以内の範囲とし、フォトリ
ソグラフィー工程を経てパターニングする。
【００１６】図中、２２１の沃化セシウムからなるシン
チレーターは、反射防止膜２１０上にも第２の保護層２
１２上にも蒸着されるが、この場合も、反射防止膜２１
０上への蒸着に対して、最適化しているため、反射防止
膜２１０上に堆積したものの方が適正な柱状構造となっ
ている。更に、沃化セシウムの蒸着条件によっては蒸着
面から上方に向けて柱の径が大きくなる、つまり図で示
したようなラッパ状の柱状構造を取る。
チレーターは、反射防止膜２１０上にも第２の保護層２
１２上にも蒸着されるが、この場合も、反射防止膜２１
０上への蒸着に対して、最適化しているため、反射防止
膜２１０上に堆積したものの方が適正な柱状構造となっ
ている。更に、沃化セシウムの蒸着条件によっては蒸着
面から上方に向けて柱の径が大きくなる、つまり図で示
したようなラッパ状の柱状構造を取る。
【００１７】以上の構造になった時の作用としては、シ
ンチレーター２２１中の沃化セシウムからの集光及び反
射の防止とＴＦＴスイッチ部２０３上への光強度の低減
については実施例１と同じであるが、沃化セシウムの蒸
着条件によっては図面に示したようなラッパ型の柱状構
造を取りうるので、光電変換部の上部以外に到達したＸ
線も有効利用することが可能となる。このような構造で
あれば、小さなセンサーパネルを複数貼り合わせ、第２
の保護層２１２に平坦化の役割を持たせながら、シンチ
レーター２２１となる沃化セシウムを均一に蒸着するこ
とが可能になると同時に、本発明の目的であるＳ／Ｎの
劣化を抑える、もしくは向上させることが可能となるも
のである。
ンチレーター２２１中の沃化セシウムからの集光及び反
射の防止とＴＦＴスイッチ部２０３上への光強度の低減
については実施例１と同じであるが、沃化セシウムの蒸
着条件によっては図面に示したようなラッパ型の柱状構
造を取りうるので、光電変換部の上部以外に到達したＸ
線も有効利用することが可能となる。このような構造で
あれば、小さなセンサーパネルを複数貼り合わせ、第２
の保護層２１２に平坦化の役割を持たせながら、シンチ
レーター２２１となる沃化セシウムを均一に蒸着するこ
とが可能になると同時に、本発明の目的であるＳ／Ｎの
劣化を抑える、もしくは向上させることが可能となるも
のである。
【００１８】（実施例３）図３は、好適な実施例を示し
たものでエリアセンサーパネルを平面方向に複数貼り合
わせた構造のものの断面である。
たものでエリアセンサーパネルを平面方向に複数貼り合
わせた構造のものの断面である。
【００１９】３０４は基台のガラス、３０５は基台とガ
ラス基板を貼り合わせるための接着層、３０１はガラス
基板、３０２はアモルファスシリコンを用いたＭＩＳ型
フォトセンサー部、３０３はＴＦＴスイッチ部、３１１
は屈折率２．４のＳｉＮ：Ｈ等よりなる第１の保護層、
３１２は屈折率１．７のポリイミド等からなる第２の保
護層である。このポリイミドも、複数の基板を貼り合わ
せた後の各基板同士の平坦化を目的に塗布されている。
３２１は屈折率１．８の沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）
等からなるシンチレーター、３２２はアルミニウム等よ
りなる反射膜である。そして、３１０は、屈折率２．０
の酸化タングステン（ＷＯ3）からなる反射防止膜で、
光電変換部３０２上のみに存在するが、ＴＦＴスイッチ
部３０３と配線のクロス部に存在しないよう、パターニ
ングしてある。酸化タングステン３１０の形成方法とし
ては、一般的なスパッタ等を用い、基板温度を素子の劣
化を抑えられる２００℃以内の範囲とし、フォトリソグ
ラフィー工程を経てパターニングする。
ラス基板を貼り合わせるための接着層、３０１はガラス
基板、３０２はアモルファスシリコンを用いたＭＩＳ型
フォトセンサー部、３０３はＴＦＴスイッチ部、３１１
は屈折率２．４のＳｉＮ：Ｈ等よりなる第１の保護層、
３１２は屈折率１．７のポリイミド等からなる第２の保
護層である。このポリイミドも、複数の基板を貼り合わ
せた後の各基板同士の平坦化を目的に塗布されている。
３２１は屈折率１．８の沃化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｉ）
等からなるシンチレーター、３２２はアルミニウム等よ
りなる反射膜である。そして、３１０は、屈折率２．０
の酸化タングステン（ＷＯ3）からなる反射防止膜で、
光電変換部３０２上のみに存在するが、ＴＦＴスイッチ
部３０３と配線のクロス部に存在しないよう、パターニ
ングしてある。酸化タングステン３１０の形成方法とし
ては、一般的なスパッタ等を用い、基板温度を素子の劣
化を抑えられる２００℃以内の範囲とし、フォトリソグ
ラフィー工程を経てパターニングする。
【００２０】図中、３２１の沃化セシウムからなるシン
チレーターは第２の保護層３１２上に蒸着される。以上
の構造になった時、沃化セシウム中から第２の保護層３
１２のポリイミドを通して進行してきた光は反射防止膜
３１０が形成された部分では反射率が低いが、反射防止
膜３１０が形成されてない部分では反射率が高い。従っ
て、光電変換部３０２へより多くの光を取り込むことが
可能となり、センサーのＳ／Ｎが向上する。このような
構造であれば、実施例２と同様、小さなセンサーパネル
を複数貼り合わせ、第２の保護層３１２で平坦化した上
で、沃化セシウムを均一に蒸着することを可能にすると
同時に、本発明の目的であるＳ／Ｎの劣化を抑える、も
しくは向上させることが可能となるものである。
チレーターは第２の保護層３１２上に蒸着される。以上
の構造になった時、沃化セシウム中から第２の保護層３
１２のポリイミドを通して進行してきた光は反射防止膜
３１０が形成された部分では反射率が低いが、反射防止
膜３１０が形成されてない部分では反射率が高い。従っ
て、光電変換部３０２へより多くの光を取り込むことが
可能となり、センサーのＳ／Ｎが向上する。このような
構造であれば、実施例２と同様、小さなセンサーパネル
を複数貼り合わせ、第２の保護層３１２で平坦化した上
で、沃化セシウムを均一に蒸着することを可能にすると
同時に、本発明の目的であるＳ／Ｎの劣化を抑える、も
しくは向上させることが可能となるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
沃化セシウムによって変換される光を有効に利用するこ
とが可能となると同時に、光を入射したくない部分への
入射光を抑えることが可能となるため、Ｘ線センサーの
Ｓ／Ｎ、すなわち、高感度な放射線検出装置を提供する
ことが可能となった。
沃化セシウムによって変換される光を有効に利用するこ
とが可能となると同時に、光を入射したくない部分への
入射光を抑えることが可能となるため、Ｘ線センサーの
Ｓ／Ｎ、すなわち、高感度な放射線検出装置を提供する
ことが可能となった。
【００２２】特に、沃化セシウムの使用は、より一層の
波長変換効率の向上を図ることができ、また、柱状結晶
状等の結晶化した場合は分離能も向上することができる
ため、より高性能の放射線検出装置を提供することが可
能になる。
波長変換効率の向上を図ることができ、また、柱状結晶
状等の結晶化した場合は分離能も向上することができる
ため、より高性能の放射線検出装置を提供することが可
能になる。
【図１】本発明である実施例１の放射線検出装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明である実施例２の放射線検出装置の断面
図である。
図である。
【図３】本発明である実施例３の放射線検出装置の断面
図である。
図である。
【図４】従来の放射線検出装置の断面図である。
１０１，２０１，３０１，４０１ ガラス基板 １０２，２０２，３０２，４０２ アモルファスシリコ
ンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部 １０３，２０３，３０３，４０３ ＴＦＴスイッチ部 １１０ 塩化鉛（ＰｂＣｌ2）等からなる反射防止膜 １１１，４１１ ＳｉＮ：Ｈ等よりなる保護層 １２１，２２１，３２１，４２１ 沃化セシウム（Ｃｓ
Ｉ：Ｔｉ）等からなるシンチレーター １２２，２２２，３２２，４２２ アルミニウム等より
なる反射膜 ２０４，３０４ 基台のガラス ２０５，３０５ 基台とガラス基板を貼り合わせるため
の接着層 ２１０ 酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる反射防
止膜 ２１１，３１１ ＳｉＮ：Ｈよりなる第１の保護層 ２１２，３１２ ポリイミド等の有機材料からなる第２
の保護層 ３１０ 酸化タングステン（ＷＯ3）からなる反射防止
膜
ンを用いたＭＩＳ型フォトセンサー部 １０３，２０３，３０３，４０３ ＴＦＴスイッチ部 １１０ 塩化鉛（ＰｂＣｌ2）等からなる反射防止膜 １１１，４１１ ＳｉＮ：Ｈ等よりなる保護層 １２１，２２１，３２１，４２１ 沃化セシウム（Ｃｓ
Ｉ：Ｔｉ）等からなるシンチレーター １２２，２２２，３２２，４２２ アルミニウム等より
なる反射膜 ２０４，３０４ 基台のガラス ２０５，３０５ 基台とガラス基板を貼り合わせるため
の接着層 ２１０ 酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる反射防
止膜 ２１１，３１１ ＳｉＮ：Ｈよりなる第１の保護層 ２１２，３１２ ポリイミド等の有機材料からなる第２
の保護層 ３１０ 酸化タングステン（ＷＯ3）からなる反射防止
膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に光電変換素子とスイッチ素子に
よって形成されたＸ線センサーパネルにおいて、素子上
部に少なくとも一層の第一の保護層が形成され、第一の
保護層の上面に反射防止膜がパターン形成されており、
パターン形成された反射防止膜の上部に波長変換体が形
成されていることを特徴とする放射線検出装置。 - 【請求項２】 パターン形成された反射防止膜が少なく
とも光電変換素子上部に存在する請求項１に記載の放射
線検出装置。 - 【請求項３】 パターン形成された反射防止膜の上面に
第二の保護層が形成されており、第二の保護層の上面に
波長変換体が形成されている請求項１又は２に記載の放
射線検出装置。 - 【請求項４】 第一の保護層の屈折率をＮｐ１、反射防
止膜の屈折率をＮｒ、反射防止膜の上面に形成された層
の屈折率をＮｐ２とした時、ＮｒがＮｐ１とＮｐ２の間
の膜により形成されている請求項１〜３のいずれかに記
載の放射線検出装置。 - 【請求項５】 波長変換体がアルカリハライド系蛍光体
である請求項１又は３に記載の放射線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000217445A JP2002031687A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004233343A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| JP2008294454A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-12-04 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイおよびその製造方法 |
| JP2009065200A (ja) * | 2008-11-18 | 2009-03-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| JP2009139373A (ja) * | 2008-11-19 | 2009-06-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器の製造方法 |
| US7727794B2 (en) | 2003-03-10 | 2010-06-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector |
| JP2011220774A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Canon Inc | 放射線検出素子の製造方法 |
| JPWO2011148700A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2013-07-25 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2014169956A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Canon Inc | シンチレータ結晶体 |
| JPWO2016063451A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2017-08-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| WO2020166224A1 (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレートの製造方法、シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000217445A patent/JP2002031687A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004233343A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線像変換パネル |
| US8389322B2 (en) | 2003-03-10 | 2013-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method of manufacturing the same, and radiation detector |
| US7727794B2 (en) | 2003-03-10 | 2010-06-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photodiode array, method for manufacturing same, and radiation detector |
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
| US7538330B2 (en) | 2006-03-02 | 2009-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and scintillator panel |
| US7893405B2 (en) | 2006-03-02 | 2011-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and scintillator panel |
| JP2008294454A (ja) * | 2008-06-13 | 2008-12-04 | Hamamatsu Photonics Kk | ホトダイオードアレイおよびその製造方法 |
| JP2009065200A (ja) * | 2008-11-18 | 2009-03-26 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
| JP2009139373A (ja) * | 2008-11-19 | 2009-06-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器の製造方法 |
| JP2011220774A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Canon Inc | 放射線検出素子の製造方法 |
| JPWO2011148700A1 (ja) * | 2010-05-26 | 2013-07-25 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2015108636A (ja) * | 2010-05-26 | 2015-06-11 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP5799953B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2015-10-28 | コニカミノルタ株式会社 | フラットパネルディテクタ |
| JP2014169956A (ja) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Canon Inc | シンチレータ結晶体 |
| JPWO2016063451A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2017-08-03 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置およびその製造方法 |
| WO2020166224A1 (ja) * | 2019-02-15 | 2020-08-20 | キヤノン株式会社 | シンチレータプレートの製造方法、シンチレータプレート、放射線検出装置および放射線検出システム |
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