RU2620788C2 - Устройство для обработки подложки и соответствующий способ - Google Patents

Устройство для обработки подложки и соответствующий способ Download PDF

Info

Publication number
RU2620788C2
RU2620788C2 RU2012148429A RU2012148429A RU2620788C2 RU 2620788 C2 RU2620788 C2 RU 2620788C2 RU 2012148429 A RU2012148429 A RU 2012148429A RU 2012148429 A RU2012148429 A RU 2012148429A RU 2620788 C2 RU2620788 C2 RU 2620788C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
plate
venturi
rotary
rotational
Prior art date
Application number
RU2012148429A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2012148429A (ru
Inventor
Пирмин МУФЛЕР
Original Assignee
золар-земи ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by золар-земи ГмбХ filed Critical золар-земи ГмбХ
Publication of RU2012148429A publication Critical patent/RU2012148429A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2620788C2 publication Critical patent/RU2620788C2/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B44—DECORATIVE ARTS
    • B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
    • B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
    • B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
    • B44C1/227—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching by etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23B—TURNING; BORING
    • B23B31/00—Chucks; Expansion mandrels; Adaptations thereof for remote control
    • B23B31/02—Chucks
    • B23B31/24—Chucks characterised by features relating primarily to remote control of the gripping means
    • B23B31/30—Chucks characterised by features relating primarily to remote control of the gripping means using fluid-pressure means in the chuck
    • B23B31/307—Vacuum chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25B—TOOLS OR BENCH DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR, FOR FASTENING, CONNECTING, DISENGAGING OR HOLDING
    • B25B11/00—Work holders not covered by any preceding group in the subclass, e.g. magnetic work holders, vacuum work holders
    • B25B11/005—Vacuum work holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H01L21/30655—Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141—Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/11—Vacuum

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

В устройстве для обработки, в частности для травления и/или проявления подложек (17), в частности пластин, содержащем вращательную тарелку (1), вращательная тарелка (1) имеет зазор (3) Вентури. Устройство содержит источник среды под давлением и имеет по меньшей мере одно отверстие (13) для выпуска среды под давлением, причем указанное по меньшей мере одно отверстие расположено в средней области вращательной тарелки. Изобретение позволяет избежать повреждения и/или загрязнения задней стороны пластины. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 6 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Изобретение относится к устройству для обработки, в частности для травления и/или проявления, подложек, в частности пластин, согласно ограничительной части п. 1 формулы изобретения, а также к способу согласно ограничительной части п. 8 формулы изобретения.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Известны различные устройства для обработки подложек. В частности, в полупроводниковой технике известны вращательные или формующие лакировочные устройства для нанесения фотолака на подложки, которые называют также «установками для нанесения покрытий». В качестве подложек служат пластины, стеклянные диски или подобные элементы. Наряду с этими так называемыми установками для нанесения покрытий известны также устройства для обработки, в частности для травления и/или проявления, подложек.
В ЕР 1743220 А1 описано устройство для вращательного покрытия лаком подложек, содержащее установленную с возможностью вращения тарелку для горизонтального размещения на ней подложки. Путем вращения тарелки с подложкой распределяют обрабатывающую среду. Особая проблема состоит в том, что обрабатывающая среда проникает также на заднюю сторону обрабатываемой подложки и ее изменяет. Это приводит к повреждению задней стороны подложек, в особенности двухсторонних пластин.
ЗАДАЧА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей изобретения является создание устройства для обработки, в частности для травления и/или проявления подложек, в частности круглых пластин, позволяющее избежать повреждения и/или загрязнения задней стороны пластины, а также создание соответствующего способа.
Задача решена путем создания устройства и способа, описанных в пп. 1 и 7 формулы изобретения.
В типовых вариантах осуществления изобретения устройство для обработки, в частности для травления и/или проявления, подложек, в частности круглых пластин, содержит вращательную тарелку, имеющую зазор Вентури, через который предпочтительно пропускают сжатый воздух или другую рабочую среду. Благодаря этому достигается несколько преимуществ. Во-первых, подложка присасывается согласно принципу Вентури, так что она удерживается на тарелке и не сбрасывается с нее, несмотря на ее вращение. Во-вторых, задняя сторона подложки остается чистой, так как обрабатывающая среда не может проходить на заднюю сторону и загрязнять или повреждать ее. Это особенно важно для подложек, покрытых или обработанных с обеих сторон.
Целесообразно, чтобы зазор Вентури имел величину от 0,01 мм до 0,1 мм, предпочтительно 0,58 мм. Величина зазора зависит от толщины и размеров обрабатываемой подложки.
В типовых вариантах выполнения устройство содержит источник сжатого воздуха. Благодаря этому в зазор Вентури можно подавать сжатый воздух или среду под давлением. Особенно предпочтительно, чтобы источник среды под давлением создавал избыточное давление от 4 до 8 бар, предпочтительно 6 бар.
Устройство предпочтительно имеет определенные кромки, чтобы обеспечить определенное распределение давлений, в частности в зазоре Вентури. Особенно предпочтительно, чтобы кромки были расположены перед зазором Вентури.
В типовых вариантах выполнения устройство содержит по меньшей мере одно отверстие, расположенное предпочтительно в средней области вращательной тарелки, которая обращена к подложке. Предпочтительно в поверхности выполнено несколько отверстий. Благодаря этому между вращательной тарелкой и средней областью подложки не возникает пониженного давления или вакуума.
Это выгодно в том плане, что предотвращается прогиб подложки в средней области или ее деформирование другим образом.
В типовых вариантах выполнения вращательная тарелка имеет чашеобразную форму. Поэтому она является очень жесткой и может быть изготовлена просто и экономично.
В типовых вариантах выполнения устройство содержит диффузор. Диффузор предпочтительно вставлен во внутреннюю полость вращательной тарелки. Особенно предпочтительно, чтобы диффузор образовывал вместе с вращательной тарелкой зазор Вентури. Более предпочтительно, чтобы диффузор образовывал своей поверхностью, по меньшей мере частично, полость, в которой может создаваться вакуум между пластиной и поверхностью.
Особенно предпочтительно, чтобы нижняя сторона диффузора имела кромку, которая обеспечивает определенное распределение давления рабочей среды между поверхностью вращательной тарелки и нижней стороной диффузора.
Особенно предпочтительно, чтобы устройство, в частности вращательная тарелка, содержала множество штырей, предпочтительно три или четыре. Благодаря этому обеспечивается заранее определенное положение пластины между штырями. Если пластина будет опираться на один из штырей, то это зарегистрируют датчики и процесс обработки не будет запускаться.
В типовых вариантах выполнения устройство содержит вращательную тарелку, имеющую множество пазов, расположенных предпочтительно на ее периферийном крае. Пазы предпочтительно расположены так, что пластина или подложка, когда они лежат правильно, выступают за пазы.
В типовых вариантах выполнения устройство содержит захват, который предпочтительно имеет множество подъемных штырей. Подъемные штыри захвата предпочтительно расположены с такими же угловыми интервалами, как и пазы на вращательной тарелке. Подъемные штыри захвата предпочтительно расположены на окружности с диаметром, соответствующим диаметру окружности, на которой расположены пазы вращательной тарелки. Поэтому подъемные штыри захвата могут входить в пазы вращательной тарелки и пластина или подложка будет лежать на подъемных штырях захвата.
Кроме того, целесообразно, если захват можно также использовать для укладки пластины на тарелку, без повреждения захвата.
В типовых вариантах выполнения вращательная тарелка выполнена таким образом, что поток среды или воздуха, который выходит из зазора Вентури, направляется в область под поверхностью вращательной тарелки. Благодаря этому обеспечивается лучшее покрытие. Это возможно потому, что исключается или уменьшается поток по поверхности и, таким образом, по подложке. В результате уменьшения или отсутствия потока по подложке достигается лучшее нанесение покрытия. Прежде всего, при нанесении среда, образующая покрытие, меньше завихряется. Кроме того, на наносимое покрытие не воздействует поток, вследствие чего улучшается сушка. Наконец, благодаря исключению или уменьшению потока по поверхности тарелки или по поверхности подложки устраняется завихрение загрязнений и посторонних частиц, которые могли бы отложиться на свежее покрытие.
Для этого вращательная тарелка предпочтительно имеет фаску. Особенно предпочтительно, чтобы фаска была выполнена на верхнем периферийном крае вращательной тарелки, в частности в ее нижней части.
Фаска имеет ширину предпочтительно от 0,5 до 10 мм, в частности от 1 до 5 мм, предпочтительно 3 мм, и высоту предпочтительно от 0,5 до 10 мм, в частности от 1 до 5 мм, предпочтительно 3 мм.
Угол между осью поверхности вращательной тарелки и осью поверхности фаски составляет от 5 до 85°, предпочтительно от 20 до 50°, в частности 48°.
Также предложен способ обработки, в частности травления и/или проявления, подложек, в частности круглых пластин, включающий следующие операции: вращение вращательной тарелки, нанесение на нее обрабатывающей среды и снятие подложки.
Согласно типовым вариантам осуществления способа для укладки подложки позиционируют выдвижной элемент, на котором лежит подложка. Выдвижной элемент предпочтительно можно перемещать прямолинейно. Целесообразно перемещать выдвижной элемент таким образом, что подложка позиционируется над вращательной тарелкой. Затем под выдвижным элементом и подложкой помещают захват так, что подложка лежит на его трех подъемных штырях. Выдвижной элемент под подложкой удаляют, предпочтительно, путем линейного перемещения. На следующей операции подложку кладут на вращательную тарелку, в частности между ее штырями. Это осуществляют предпочтительно путем перемещения тарелки и захвата относительно друг друга вдоль оси вращения тарелки, причем подъемные штыри захвата проходят через пазы тарелки.
В типовых вариантах осуществления способа снятие подложки осуществляют аналогично. Для этого захват позиционируют под подложкой, находящейся на вращательной тарелке, так, что подъемные штыри захвата могут входить снизу в пазы вращательной тарелки.
Путем перемещения тарелки и захвата относительно друг друга вдоль оси вращения тарелки подъемные штыри захвата входят в пазы тарелки, подложка ложится на три точки захвата и, таким образом, приподнимается над тарелкой.
Особенно предпочтительно позиционировать под подложкой выдвижной элемент и удалять захват под подложкой. Затем подложку вместе с выдвижным элементом можно отвести от вращательной тарелки.
Под выражением «перемещение вращательной тарелки и захвата относительно друг друга имеется в виду, что можно перемещать вдоль оси вращения или захват в направлении к тарелке, или тарелку в направлении к захвату путем поступательного движения.
ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Другие преимущества и особенности изобретения вытекают из представленного ниже описания предпочтительных вариантов его осуществления, а также из чертежей, на которых:
фиг. 1 схематично изображает вращательную тарелку устройства согласно изобретению в аксонометрии,
фиг. 2 - вид сбоку в разрезе вращательной тарелки согласно фиг. 1,
фиг. 3 - следующий вариант выполнения вращательной тарелки устройства согласно изобретению вместе с пластиной,
фиг. 4 - захват устройства согласно изобретению,
фиг. 5 - вид сбоку следующего варианта выполнения вращательной тарелки устройства согласно изобретению и
фиг. 6 - вращательную тарелку согласно фиг. 5 в аксонометрии.
ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
На фиг. 1 показана вращательная тарелка 1 для устройства согласно изобретению. Вращательная тарелка 1 имеет поверхность 2 для размещения подложки, в частности пластины. Тарелка 1 имеет круглую форму и содержит зазор 3 Вентури, расположенный на ее поверхности 2.
Как видно из фиг. 2, вращательная тарелка 1 имеет чашеобразную нижнюю часть 4.
В чашеобразную нижнюю часть 4 тарелки 1 вставлен диффузор 5, поверхность 6 которого является частью поверхности 2.
Диффузор 5 образует своим периферийным краем 7 вместе с внутренним краем 8 чашеобразной нижней части 4 тарелки зазор 3 Вентури.
В данном варианте зазор Вентури имеет высоту 0,58 мм. Высота измеряется от поверхности 9 чашеобразной нижней части 4 до верхней кромки 10 диффузора 5.
Тарелка 1 имеет ось D вращения.
Диффузор 5 вставлен в чашеобразную нижнюю часть 4 вращательной тарелки 1 таким образом, что между ним и тарелкой 1 образован зазор 11, в который заходят определенные кромки 12, предназначенные для обеспечения определенного распределения давления рабочей среды, в частности сжатого воздуха, протекающего через канал 11 в зазор 3 Вентури. Кромки 12 выполнены на нижней стороне диффузора 5.
Кроме того, вращательная тарелка 1 имеет множество отверстий 13, выполненных в диффузоре 5.
Вращательная тарелка 1 содержит канал 14, к одному концу 15 которого подключен источник сжатого воздуха или среды под давлением (не показан).
Вращательная тарелка 1 содержит множество штырей 16 для позиционирования подложки или пластины. Благодаря тому, что подложка будет лежать лишь между штырями 16, достигается возможность точно определенного позиционирования ее между штырями. Кроме того, таким путем при помощи датчиков (не показаны) можно определить, лежит ли подложка или пластина в заранее определенном положении.
Вращательная тарелка, показанная на фиг. 1 и 2, работает следующим образом.
На тарелку 1 согласно фиг. 1 и 2 кладут подложку (не показана), в частности круглую пластину.
От источника сжатого воздуха, присоединенного к концу 15 канала 14, в тарелку 1 подают сжатый воздух. Воздух проходит по каналу 14 в зазор 11 и вытекает из зазора 3 Вентури между поверхностью 9 нижней части 4 тарелки и пластиной или подложкой. Благодаря этому в соответствии с принципом Вентури создается пониженное давление, которое удерживает на вращательной тарелке 1 пластину или подложку (не показана), несмотря на быстрое вращение тарелки 1 вокруг оси D вращения.
Кроме того, при этом предотвращается проникновение наносимой на поверхность подложки обрабатывающей среды, например средства для травления или проявления, на заднюю сторону подложки и ее повреждение или изменение.
Сжатый воздух из канала 14 проходит через отверстия 13 и течет между поверхностью 2 и подложкой или пластиной. Благодаря этому в области отверстий 13 предотвращается образование вакуума или пониженного давления, которое прогибает подложку вниз, деформирует и/или повреждает ее.
На фиг. 3 показан следующий вариант выполнения вращательной тарелки 26, на которой расположена подложка 17. По существу вращательная тарелка 26 выполнена аналогично вращательной тарелке 1.
Тарелка 26 содержит множество пазов 18, 19 и 20, которые выполнены на ее периферийном крае 25 и длина которых соответствует высоте тарелки.
Устройство согласно изобретению содержит также захват 21, который показан на фиг. 4. Захват 21 имеет три подъемных штыря 22, 23 и 24, расположенных на окружности диаметром d, по существу соответствующим диаметру тарелки 1 или 26.
Пазы 18, 19 и 20 расположены с такими же угловыми интервалами, как и подъемные штыри 22, 23 и 24. Пазы 18, 19 и 20 предпочтительно тоже расположены на окружности диаметром d.
Устройство согласно изобретению, содержащее вращательную тарелку 26, работает следующим образом.
Чтобы уложить пластинку 17 на вращательную тарелку 26, ее позиционируют при помощи выдвижного элемента (не показан) над тарелкой 26 на расстоянии, соответствующем по меньшей мере высоте выдвижного элемента.
Под пластину 17 помещают захват 21 так, что она ложится своими краями на три подъемных штыря 22, 23 и 24.
Затем путем перемещения вращательной тарелки 26 и захвата 21 друг относительно друга, то есть либо путем опускания захвата 21 в направлении к тарелке 26, либо путем подъема тарелки 26 в направлении к захвату 21, пластину 17 кладут на поверхность тарелки 26, как показано на фиг. 3. При этом подъемные штыри 22, 23 и 24 проходят через пазы 18, 19 и 20 тарелки 26, показанной на фиг. 3
Захват 21 перемещают относительно вращательной тарелки 26 таким образом, что подъемные штыри 22, 23 и 24 выходят из пазов 18, 19 и 20 вниз, как показано стрелкой Р, после чего захват 21 отводят от тарелки 26.
Теперь пластину 17 можно обрабатывать, например, средством для травления или проявителем.
Чтобы снять пластину 17 с тарелки 26, выполняют действия, по существу аналогичные укладке, но в обратном порядке.
Захват 21 позиционируют под вращательной тарелкой 26 и перемещают в направлении, противоположном направлению стрелки Р, вставляя подъемные штыри 22, 23 и 24 в соответствующие пазы 18, 19 и 20. В результате пластина 17 ложится на верхние торцы подъемных штырей 22, 23 и 24 и при помощи захвата 21 ее отводят от тарелки 26.
Затем под пластину 17 помещают выдвижной элемент (не показан) и удаляют ее вместе с выдвижным элементом из области вращательной тарелки 26.
На фиг. 5 показан еще один вариант выполнения вращательной тарелки 27, которая выполнена по существу аналогично тарелке 1 или 26. Вращательная тарелка 27 имеет фаску 28, которая видна также на перспективном изображении тарелки 27 на фиг. 6.
За счет фаски 28 удалена верхняя кромка на периферии 29 тарелки 27.
Фаска 28 выполнена в нижней части 30 тарелки, которая аналогична нижней части 4.
Благодаря фаске 28 среда, в частности воздух, выдувается из зазора 31 Вентури и отводится в направлении стрелки К. Это целесообразно, так как среда, в частности воздух, направляется в область под вращательной тарелкой 27. Благодаря этому исключаются и/или уменьшаются нежелательные завихрения воздуха над поверхностью 32 тарелки 27, в результате чего получается лучшее покрытие подложки. Это возможно, так как при меньшем потоке по поверхности вращательной тарелки или подложки воздух по покрытию не протекает и на покрытие потоком воздуха может наноситься меньшее количество частиц.
Поток, выходящий из зазора 31 Вентури вращательной тарелки 27, отводится от ее поверхности 32 в направлении наклона фаски 28 или под более крутым углом в область ниже поверхности тарелки 27.
В данном варианте выполнения фаска 28 имеет ширину b от 0,5 мм до 10 мм, в частности от 1 мм до 5 мм, предпочтительно 3 мм. Высота h фаски 28 составляет предпочтительно от 0,5 мм до 10 мм, в частности от 1 мм до 5 мм, предпочтительно 3 мм.
СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
1 вращательная тарелка
2 поверхности
3 зазор Вентури
4 нижняя часть
5 диффузор
6 поверхность диффузора
7 край
8 внутренний край
9 поверхность нижней части
10 верхняя кромка
11 зазор
12 кромки
13 отверстие
14 канал
15 конец
16 штырь
17 подложка
18 паз
19 паз
20 паз
21 захват
22 подъемный штырь
23 подъемный штырь
24 подъемный штырь
25 наружный край
26 вращательная тарелка
27 вращательная тарелка
28 фаска
29 периферия
30 нижняя часть
31 зазор Вентури
32 поверхность
D ось вращения
d диаметр
Р стрелка
K стрелка
b ширина
h высот

Claims (39)

1. Устройство для обработки, в частности для травления и/или проявления подложек (17), в частности пластин, содержащее вращательную тарелку (1, 26, 27), отличающееся тем, что вращательная тарелка (1, 26, 27) имеет зазор (3) Вентури,
тем, что оно содержит источник среды под давлением, и
тем, что оно имеет по меньшей мере одно отверстие (13) для выпуска среды под давлением, причем указанное по меньшей мере одно отверстие расположено в средней области вращательной тарелки.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что вращательная тарелка (1, 26, 27) имеет чашеобразную форму.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что указанное по меньшей мере одно отверстие представляет собой множество отверстий.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что оно содержит диффузор (5), который вставлен во вращательную тарелку (1, 26, 27) и образует зазор (3) Вентури.
5. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что диффузор вставлен во внутреннюю полость вращательной тарелки.
6. Устройство по п. 4 или 5, отличающееся тем, что указанное множество отверстий выполнено в диффузоре.
7. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что вращательная тарелка (1, 26, 27) имеет на своем наружном крае (25) множество пазов (18, 19, 20).
8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что оно содержит захват (21), имеющий множество подъемных штырей (22, 23, 24).
9. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что подъемные штыри захвата предпочтительно расположены на окружности с диаметром, соответствующим диаметру окружности, на которой расположены пазы вращательной тарелки.
10. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что вращательная тарелка (1, 26, 27) имеет фаску (28).
11. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что зазор (3) Вентури имеет величину от 0,01 до 0,1 мм.
12. Устройство по п. 11, отличающееся тем, что зазор (3) Вентури имеет величину 0,58 мм.
13. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что вращательная тарелка (1, 26, 27) содержит множество штырей (16).
14. Устройство по любому из пп. 1-5, отличающееся тем, что содержит датчик, выполненный с возможностью определения, лежит ли подложка (17) или пластина в заранее определенном положении.
15. Способ обработки, в частности травления и/или проявления, подложек (17), в частности пластин, отличающийся тем, что он включает следующие операции:
- укладку подложки (17),
причем операция укладки подложки (17) включает:
позиционирование подложки (17) на выдвижном элементе,
перемещение выдвижного элемента так, что подложка (17) позиционируется над вращательной тарелкой (1,26,27),
позиционирование захвата (21) под подложкой (17) так, что подложка (17) опирается на три подъемных штыря (22, 23, 24) захвата (21),
удаление выдвижного элемента под подложкой (17),
укладку подложки (17) на вращательную тарелку (1, 26, 27) путем перемещения тарелки (1, 26, 27) и захвата (21) относительно друг друга вдоль оси (D) вращения тарелки (1, 26, 27), при этом подъемные штыри (22, 23, 24) захвата (21) входят в пазы (18, 19, 20) вращательной тарелки (1, 26, 27),
- подачу в зазор (3) Вентури среды под давлением,
- вращение подложки (17) при помощи вращательной тарелки (1, 26, 27),
- нанесение обрабатывающего средства на подложку (17) и
- снятие подложки (17).
16. Способ обработки, в частности травления и/или проявления, подложек (17), в частности пластин, отличающийся тем, что он включает следующие операции:
- укладку подложки (17),
- подачу в зазор (3) Вентури среды под давлением,
- вращение подложки (17) при помощи вращательной тарелки (1, 26, 27),
- нанесение обрабатывающего средства на подложку (17) и
- снятие подложки (17),
причем операция снятия подложки (17) включает:
позиционирование захвата (21) под подложкой (17) на вращательной тарелке (1, 26, 27),
перемещение вращательной тарелки (1, 26, 27) и захвата (21) относительно друг друга вдоль оси (D) вращения тарелки (1, 26, 27), при этом подъемные штыри (22, 23, 24) захвата (21) входят в пазы (18, 19, 20) вращательной тарелки (1, 26, 27), так что подложка (17) опирается на три точки захвата (21),
позиционирование выдвижного элемента под подложкой (17),
удаление захвата (21) под подложкой (17), перемещение выдвижного элемента с подложкой (17).
RU2012148429A 2011-12-01 2012-11-15 Устройство для обработки подложки и соответствующий способ RU2620788C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011055910.8 2011-12-01
DE102011055910 2011-12-01
DE102012100825.6 2012-02-01
DE201210100825 DE102012100825A1 (de) 2011-12-01 2012-02-01 Vorrichtung zum Bearbeiten eines Substrats und Verfahren hierzu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012148429A RU2012148429A (ru) 2014-05-27
RU2620788C2 true RU2620788C2 (ru) 2017-05-29

Family

ID=48431462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012148429A RU2620788C2 (ru) 2011-12-01 2012-11-15 Устройство для обработки подложки и соответствующий способ

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9004497B2 (ru)
KR (1) KR101971086B1 (ru)
CN (1) CN103137527B (ru)
DE (2) DE102012100825A1 (ru)
RU (1) RU2620788C2 (ru)
SG (1) SG190557A1 (ru)
TW (1) TWI569360B (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6149576B2 (ja) * 2013-07-29 2017-06-21 住友電気工業株式会社 サセプタ及び製造装置
CN107611287A (zh) * 2014-01-21 2018-01-19 科迪华公司 用于电子装置封装的设备和技术
KR20170016547A (ko) * 2015-08-03 2017-02-14 삼성전자주식회사 척 테이블 및 그를 포함하는 기판 제조 장치
JP6811235B2 (ja) * 2015-09-02 2021-01-13 ヴィーランツ ユーピーエムティー 高精度工作機械用のチャック
KR20170036953A (ko) * 2015-09-24 2017-04-04 지에스인더스트리(주) 엘이디 공정용 메탈 스트립 장치 및 방법
CN110867360B (zh) * 2019-11-28 2022-04-05 河北工程大学 一种蚀刻光学器件的等离子体蚀刻装置
CN113224203B (zh) * 2021-04-01 2022-12-23 苏州赛莱德自动化科技有限公司 一种太阳能光伏电池生产加工设备
CN113649945B (zh) 2021-10-20 2022-04-15 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆抛光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2019889C1 (ru) * 1991-06-28 1994-09-15 Воронежский опытный завод микроэлектроники "РИФ" Держатель для полупроводниковых пластин при жидкостной обработке центрифугированием
US5492566A (en) * 1993-02-08 1996-02-20 Sumnitsch; Franz Support for disk-shaped articles using the Bernoulli principle
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US20050023773A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 Sipec Corporation Substrate supporting apparatus
US20070252970A1 (en) * 2004-09-01 2007-11-01 Nikon Corporation Substrate Holder, Stage Apparatus, and Exposure Apparatus

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484093A (en) * 1967-07-03 1969-12-16 Sylvania Electric Prod Article holding apparatus
US3730134A (en) * 1970-12-17 1973-05-01 F Kadi Pneumatic wafer spinner and control for same
US4588343A (en) * 1984-05-18 1986-05-13 Varian Associates, Inc. Workpiece lifting and holding apparatus
US5010295A (en) * 1989-06-14 1991-04-23 General Signal Corporation Ball screw supported Z stage
EP0456426B1 (en) * 1990-05-07 2004-09-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum type wafer holder
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
US5421595A (en) * 1994-03-28 1995-06-06 Motorola, Inc. Vacuum chuck with venturi jet for converting positive pressure to a vacuum
US6207231B1 (en) * 1997-05-07 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and coating apparatus
US6318957B1 (en) * 1998-07-10 2001-11-20 Asm America, Inc. Method for handling of wafers with minimal contact
US6279976B1 (en) * 1999-05-13 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Wafer handling device having conforming perimeter seal
TW504776B (en) * 1999-09-09 2002-10-01 Mimasu Semiconductor Ind Co Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism
US6631935B1 (en) * 2000-08-04 2003-10-14 Tru-Si Technologies, Inc. Detection and handling of semiconductor wafer and wafer-like objects
US6692219B2 (en) * 2000-11-29 2004-02-17 Tokyo Electron Limited Reduced edge contact wafer handling system and method of retrofitting and using same
WO2002047155A1 (fr) * 2000-12-05 2002-06-13 Nippon Pneumatics/Fluidics System Co., Ltd. Support
US6669808B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20040206304A1 (en) * 2003-04-15 2004-10-21 Menear John Edgar Pressurized chuck for controlling backside wafer contamination
US7654596B2 (en) * 2003-06-27 2010-02-02 Mattson Technology, Inc. Endeffectors for handling semiconductor wafers
JP4664818B2 (ja) * 2004-01-29 2011-04-06 有限会社Ｎａｓ技研 基板検査装置と基板検査方法と回収治具
KR100753302B1 (ko) * 2004-03-25 2007-08-29 이비덴 가부시키가이샤 진공 척, 흡착판, 연마 장치 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
DE102004019731A1 (de) 2004-04-20 2005-11-10 Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh Vorrichtung zum Drehbelacken von Substraten
US7396022B1 (en) * 2004-09-28 2008-07-08 Kla-Tencor Technologies Corp. System and method for optimizing wafer flatness at high rotational speeds
JP2007273608A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US20090031955A1 (en) * 2007-07-30 2009-02-05 Applied Materials, Inc. Vacuum chucking heater of axisymmetrical and uniform thermal profile
TWI368562B (en) * 2008-02-05 2012-07-21 Inotera Memories Inc Holding apparatus and transfer robot
US20120125376A1 (en) * 2009-07-03 2012-05-24 Tokyo Electron Limited Wet processing apparatus and wet processing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2019889C1 (ru) * 1991-06-28 1994-09-15 Воронежский опытный завод микроэлектроники "РИФ" Держатель для полупроводниковых пластин при жидкостной обработке центрифугированием
US5492566A (en) * 1993-02-08 1996-02-20 Sumnitsch; Franz Support for disk-shaped articles using the Bernoulli principle
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US20050023773A1 (en) * 2003-07-28 2005-02-03 Sipec Corporation Substrate supporting apparatus
US20070252970A1 (en) * 2004-09-01 2007-11-01 Nikon Corporation Substrate Holder, Stage Apparatus, and Exposure Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US9004497B2 (en) 2015-04-14
DE202012013639U1 (de) 2018-12-06
RU2012148429A (ru) 2014-05-27
DE102012100825A1 (de) 2013-06-06
KR101971086B1 (ko) 2019-08-13
US20130140274A1 (en) 2013-06-06
TW201327720A (zh) 2013-07-01
CN103137527B (zh) 2018-02-06
TWI569360B (zh) 2017-02-01
SG190557A1 (en) 2013-06-28
US20150187627A1 (en) 2015-07-02
US9431284B2 (en) 2016-08-30
CN103137527A (zh) 2013-06-05
KR20130061644A (ko) 2013-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2620788C2 (ru) Устройство для обработки подложки и соответствующий способ
KR100260588B1 (ko) 레지스트 처리장치 및 기판처리장치 및 피처리체의 반송방법
TWI647754B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
EP1848024B1 (en) Liquid processing apparatus
JP4446875B2 (ja) 基板処理装置
KR20140113348A (ko) 기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체
JP4979758B2 (ja) 基板処理装置および方法
TWI687971B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20180018340A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP6416723B2 (ja) 基板処理システム
JP2016184644A (ja) 回転式塗布装置
CN110941152A (zh) 处理基板的边缘光刻胶去除系统和方法
CN109494174B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
JPH06345262A (ja) 処理装置
JP2016198718A (ja) 異物除去装置、異物除去方法および剥離装置
US10649334B2 (en) Liquid processing apparatus
US20160201986A1 (en) Substrate holder assembly, apparatus, and methods
JP6203667B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JPH0747324A (ja) 塗布方法及びその装置
JP6375259B2 (ja) 異物除去装置、異物除去方法および剥離装置
JP2010109249A (ja) 回転処理装置
JP2016200480A (ja) 異物検出方法、異物検出装置および剥離装置
US20130160706A1 (en) Device for coating a wafer
US20050050760A1 (en) Substrate drying method, substrate drying apparatus, and semiconductor device manufacturing method
KR102146504B1 (ko) 승강 구조물, 세정 장치 및 이를 포함하는 레이저 가공 장치