RU2195048C2 - Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем - Google Patents
Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем Download PDFInfo
- Publication number
- RU2195048C2 RU2195048C2 RU2001103636/28A RU2001103636A RU2195048C2 RU 2195048 C2 RU2195048 C2 RU 2195048C2 RU 2001103636/28 A RU2001103636/28 A RU 2001103636/28A RU 2001103636 A RU2001103636 A RU 2001103636A RU 2195048 C2 RU2195048 C2 RU 2195048C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- passivating
- double
- layers
- deposited
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 15
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRZFDJOWKAFVOO-UHFFFAOYSA-N [O-][Si]([O-])([O-])O.[B+3].P Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])O.[B+3].P VRZFDJOWKAFVOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3192—Multilayer coating
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/3143—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers
- H01L21/3145—Inorganic layers composed of alternated layers or of mixtures of nitrides and oxides or of oxinitrides, e.g. formation of oxinitride by oxidation of nitride layers formed by deposition from a gas or vapour
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Image Input (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Использование: в емкостных измерительных датчиках отпечатков пальцев. Компонент с пассивирующим слоем состоит по меньшей мере из двух пассивирующих двойных слоев, из которых самый верхний слой равномерной толщины нанесен на выровненную верхнюю плоскость расположенного под ним слоя. Пассивирующие двойные слои состоят из двух слоев различных диэлектрических материалов, например оксида кремния и нитрида кремния. Технический результат изобретения заключается в обеспечении надежного пассивирования, что в свою очередь позволяет сохранить функциональные возможности полупроводникового компонента неизменными. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковому компоненту, который на верхней стороне снабжен стойким плоским пассивирующим слоем и в особенности пригоден для использования в качестве покрывающего слоя неизменной толщины с выровненной опорной плоскостью для емкостных измерительных датчиков отпечатков пальцев.
Если поверхность полупроводникового компонента подвергается воздействию окружающей среды и, как это имеет место в случае датчиков отпечатков пальцев, подвергается механическому истиранию, требуется пассивировать эту поверхность таким образом, чтобы функциональные возможности данного полупроводникового компонента сохранялись неизменными.
Особенно критичной такая пассивация является в случае емкостных измерительных микромеханических компонентов, в которых подвергающаяся износу внешняя верхняя сторона должна сохранять постоянное расстояние до проводящих поверхностей, встроенных в компонент. В частности, в случае датчиков отпечатков пальцев, в которых эта внешняя верхняя сторона образует опорную плоскость для кончика пальца, требуется, чтобы эта опорная плоскость была абсолютно ровной и даже при продолжительном нагружении гарантировала сохранение неизменного расстояния от приложенного кончика пальца до предусмотренных для измерений проводящих поверхностей.
При изготовлении микроэлектронных компонентов, например, в системе на основе кремния обычно используется пассивация с помощью слоев двуокиси кремния и слоев нитрида кремния. Верхняя сторона полупроводникового компонента обычно снабжается контактными выводами и проводящими дорожками для монтажа электрических проводников. Могут иметься различные слои металлизации, которые состоят из структурированных металлических слоев, разделенных один от другого диэлектрическим материалом (промежуточными оксидами). На верхней стороне самой верхней плоскости металлизации обычно наносится слой оксида, который формируется, например, путем химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ) с использованием атмосферы SiH4/N2O при температуре примерно 400oС в типовом случае в виде слоя толщиной примерно 300 нм. После этого может наноситься дополнительный пассивирующий слой из нитрида кремния (Si3N4) из плазмы путем ХОПФ с использованием атмосферы SiH4/NH3/N2O при температуре примерно 400oС в типовом случае в виде слоя толщиной примерно 550 нм. Так как плоскость металлизации структурирована, верхняя сторона осажденного на всей поверхности пассивирующего слоя на краях металлизации оказывается неплоской.
Было обнаружено, что, особенно в датчиках отпечатков пальцев, может проявляться диффузия натрия, вызванная касанием к датчику. Это может объясняться тем, что пассивирующий слой имеет дефекты, приводящие к ухудшению качества датчика, что обусловлено появлением так называемых микроотверстий. Кроме того, даже конформно нанесенные слои в углах между взаимно перпендикулярными кромками и параллельными к плоскости слоя верхними плоскостями имеют стыки, которые возникают вследствие повышенных скоростей травления и на которых барьерное действие пассивирования может заметно ослабляться. Барьерное действие не может быть в достаточной степени улучшено нанесением более толстых слоев, так как чувствительность емкостных измерительных компонентов сильно снижается из-за увеличенной толщины пассивирующего слоя.
Задача настоящего изобретения заключается в создании полупроводникового компонента, который пассивирован таким образом, что его верхняя сторона является плоской и сохраняет постоянное расстояние до внутреннего слоя металлизации полупроводникового компонента.
Эта задача решается с помощью полупроводникового компонента, характеризуемого признаками, приведенными в пункте 1 формулы изобретения. Варианты осуществления охарактеризованы в зависимых пунктах формулы изобретения.
В соответствующем изобретению полупроводниковом компоненте предусмотрено многослойное пассивирование, реализованное по меньшей мере двумя пассивирующими двойными слоями, причем верхний пассивирующий двойной слой нанесен на выровненную верхнюю плоскость находящегося под ним пассивирующего двойного слоя. Пассивирующие слои могут быть образованы соответственно пассивирующим слоем из оксида, предпочтительно из оксида кремния, и пассивирующим слоем из нитрида, предпочтительно из нитрида кремния. Уже с использованием двух таких пассивирующих двойных слоев достигается неожиданно значительное улучшение качества пассивирования. Но могут использоваться и более двух пассивирующих двойных слоев. Пассивирующие двойные слои составляются из двух слоев различных диэлектрических материалов, причем различные пассивирующие двойные слои могут состоять из различных пар материалов. Соответствующие значения толщины отдельных пассивирующих слоев могут быть согласованы с размерами полупроводникового компонента, в частности с размерами структурирования слоя, на который наносится пассивирующий слой.
Ниже представлено детальное описание соответствующего изобретению компонента со ссылками на фиг.1 и 2, которые иллюстрируют поперечное сечение промежуточных продуктов, получаемых при изготовлении типового подобного компонента.
На фиг. 1 в поперечном сечении представлено полупроводниковое основание 1, которое, например, может представлять собой подложку с выращенными на ней полупроводниковыми слоями; диэлектрический слой 2 в качестве промежуточного оксида металла или в качестве самого нижнего пассивирующего слоя полупроводникового материала, например, из бор-фосфор-силикатного стекла; нижнюю плоскость металлизации 4, для примера показанную как структурированная; еще один диэлектрический слой 3, который электрически изолирует плоскость металлизации 4 от следующей плоскости металлизации 5, причем плоскости металлизации в определенных местах могут быть соединены между собой с помощью вертикальных контактных элементов; следующую плоскость металлизации 5, которая образует в данном случае верхнюю плоскость металлизации; и пассивирующий слой, ниже описанный более детально.
На фиг. 1 показаны три слоя, образующих этот пассивирующий слой. Первый пассивирующий двойной слой состоит из слоев 6 и 7, из которых нижний пассивирующий слой 6, например обычный оксид, может быть нанесен так, как описано в вышеупомянутом известном из уровня техники источнике. Второй пассивирующий слой 7 этого первого пассивирующего двойного слоя представляет собой другой диэлектрический материал. Так, в случае, если первый пассивирующий слой 6 является оксидом, то второй пассивирующий слой 7 предпочтительно представляет собой нитрид, который также может быть нанесен, как описано выше. На этот первый пассивирующий двойной слой при изготовлении наносится первый пассивирующий слой второго пассивирующего двойного слоя, например снова оксид, с несколько большей толщиной. Некоторая часть материала последнего упомянутого слоя 8 удаляется, что может быть реализовано, например, химико-механическим полированием. В качестве варианта или в дополнение к этому может применяться процесс травления. Таким путем формируется выровненная верхняя плоскость этого слоя 8.
На фиг.2, помимо изображенного на фиг.1 строения слоев, представлен сошлифованный первый пассивирующий слой 8 второго пассивирующего двойного слоя с плоской верхней стороной. На слой 8 по всей его поверхности равномерно нанесен второй пассивирующий слой 9 второго пассивирующего двойного слоя. Слой 9 предпочтительно вновь представляет собой нитрид. Таким образом, в данном предпочтительном варианте осуществления пассивирующего слоя формируется последовательность слоев оксид-нитрид-оксид-нитрид.
Вместо только двух пассивирующих двойных слоев могут также использоваться несколько пассивирующих двойных слоев. То, на каком месте верхней стороны такой пассивирующий двойной слой должен быть выровнен, зависит от конкретного случая применения и особенно от толщин слоев и размеров структуры в верхней плоскости металлизации 5. В необходимом случае на верхнюю сторону может быть нанесен еще один слой в качестве специального покрытия. Это представляет особый интерес в том случае, когда верхний пассивирующий слой не обладает достаточной твердостью, чтобы повысить его устойчивость по отношению к механическому истиранию.
Тем самым, в результате того, что в полупроводниковом компоненте имеются по меньшей мере два нанесенных друг на друга пассивирующих двойных слоя и по меньшей мере верхний действующий в качестве аморфного диффузного барьера пассивирующий двойной слой нанесен на существенно выровненную верхнюю плоскость, так что верхний пассивирующий двойной слой не имеет обусловленных кромками каналов диффузии, в полупроводниковом компоненте, соответствующем изобретению, реализуется особенно эффективное пассивирование. Комбинация нескольких слоев препятствует возникновению каналов диффузии, которые могли бы возникать вследствие неустраняемых полностью микроотверстий.
В процессе изготовления предусмотренный для выравнивания верхней стороны пассивирующий слой может также изготавливаться на двух отдельных этапах способа. Обратное травление или обратная шлифовка этого слоя при этом осуществляется до такой степени, чтобы получить весьма плоскую верхнюю сторону независимо от того, сохраняется ли толщина, предусмотренная для этого пассивирующего слоя. В случае, если слой сошлифован слишком глубоко, в частности, до находящегося на верхней стороне под ним пассивирующего слоя, то вновь наносится слой из материала этого сошлифованного слоя, причем этот вновь нанесенный слой теперь формируется с выровненной верхней плоскостью.
Способ изготовления может, например, включать этапы осаждения первого пассивирующего двойного слоя в типовом случае из оксида толщиной 300 нм и нитрида толщиной 550 нм и осаждения слоя оксида толщиной 500 нм, селективный этап химико-механического шлифования с остановкой на осажденном перед этим слое нитрида и этап полного осаждения второго пассивирующего двойного слоя в типовом случае из оксида толщиной 300 нм и нитрида толщиной 550 нм.
Могут также использоваться дополнительные этапы способа для структурирования пассивирующего слоя в боковых областях и для изготовления требуемых электрических выводов.
Claims (4)
1. Полупроводниковый компонент с полупроводниковым основанием 1, на котором размещен структурированный с промежутками слой 5 и в котором имеется пассивирующий слой, состоящий по меньшей мере из двух нанесенных один на другой пассивирующих двойных слоев 6, 7; 8, 9, покрывающий структурированный слой 5 со стороны, внешней по отношению к полупроводниковому основанию 1, и заполняющий промежутки в структурированном слое, каждый пассивирующий двойной слой сформирован из двух пассивирующих слоев, состоящих из различных диэлектрических материалов, и по меньшей мере пассивирующий двойной слой 8, 9, наиболее удаленный от полупроводникового основания, нанесен с равномерной толщиной на выровненную верхнюю сторону предыдущего пассивирующего двойного слоя.
2. Компонент по п. 1, отличающийся тем, что пассивирующий двойной слой 6, 7 содержит пассивирующий слой из оксида 6 и пассивирующий слой из нитрида 7.
3. Компонент по п. 2 или 3, отличающийся тем, что структурированный слой 5 представляет собой слой металлизации, нанесенный по меньшей мере на один слой из диэлектрика на верхней стороне полупроводникового основания 1.
4. Компонент по п. 3, отличающийся тем, что слой металлизации образует проводящие плоскости емкостного измерительного датчика отпечатков пальцев, причем наиболее удаленный от слоя металлизации пассивирующий двойной слой 8, 9 имеет верхнюю плоскость, которая образует опорную плоскость для кончика пальца.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19830832 | 1998-07-09 | ||
| DE19830832.9 | 1998-07-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2195048C2 true RU2195048C2 (ru) | 2002-12-20 |
| RU2001103636A RU2001103636A (ru) | 2004-03-20 |
Family
ID=7873546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001103636/28A RU2195048C2 (ru) | 1998-07-09 | 1999-07-01 | Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6664612B2 (ru) |
| EP (1) | EP1103031A1 (ru) |
| JP (1) | JP3527708B2 (ru) |
| KR (1) | KR100413860B1 (ru) |
| CN (1) | CN1135493C (ru) |
| BR (1) | BR9911980A (ru) |
| RU (1) | RU2195048C2 (ru) |
| UA (1) | UA46173C2 (ru) |
| WO (1) | WO2000003345A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU212220U1 (ru) * | 2022-04-29 | 2022-07-12 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Защитное покрытие полупроводникового прибора |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8421158B2 (en) | 1998-12-21 | 2013-04-16 | Megica Corporation | Chip structure with a passive device and method for forming the same |
| US6965165B2 (en) | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Mou-Shiung Lin | Top layers of metal for high performance IC's |
| US8178435B2 (en) | 1998-12-21 | 2012-05-15 | Megica Corporation | High performance system-on-chip inductor using post passivation process |
| US6303423B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-10-16 | Megic Corporation | Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process |
| US6440814B1 (en) * | 1998-12-30 | 2002-08-27 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection for sensors |
| US6603192B2 (en) | 1999-07-30 | 2003-08-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Scratch resistance improvement by filling metal gaps |
| EP1146471B1 (de) | 2000-04-14 | 2005-11-23 | Infineon Technologies AG | Kapazitiver biometrischer Sensor |
| US6759275B1 (en) | 2001-09-04 | 2004-07-06 | Megic Corporation | Method for making high-performance RF integrated circuits |
| KR100449249B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지문 인식 소자의 제조 방법 |
| KR20040012294A (ko) * | 2002-08-02 | 2004-02-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 지문 인식 센서를 구비한 터치 패널 장치 |
| US7355282B2 (en) | 2004-09-09 | 2008-04-08 | Megica Corporation | Post passivation interconnection process and structures |
| US8008775B2 (en) | 2004-09-09 | 2011-08-30 | Megica Corporation | Post passivation interconnection structures |
| US8384189B2 (en) | 2005-03-29 | 2013-02-26 | Megica Corporation | High performance system-on-chip using post passivation process |
| CN1901162B (zh) | 2005-07-22 | 2011-04-20 | 米辑电子股份有限公司 | 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构 |
| JP5098276B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-12-12 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4833031B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2011-12-07 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 表面形状センサとその製造方法 |
| US8749021B2 (en) | 2006-12-26 | 2014-06-10 | Megit Acquisition Corp. | Voltage regulator integrated with semiconductor chip |
| CN101663558B (zh) * | 2007-04-05 | 2011-06-22 | 富士通半导体股份有限公司 | 表面形状传感器及其制造方法 |
| CN100594591C (zh) * | 2007-10-17 | 2010-03-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法 |
| US20100165585A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | Megica Corporation | Chip packages with power management integrated circuits and related techniques |
| US9991399B2 (en) | 2012-10-04 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Passivation structure for semiconductor devices |
| US8994073B2 (en) | 2012-10-04 | 2015-03-31 | Cree, Inc. | Hydrogen mitigation schemes in the passivation of advanced devices |
| US9812338B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-11-07 | Cree, Inc. | Encapsulation of advanced devices using novel PECVD and ALD schemes |
| CN104201115A (zh) | 2014-09-12 | 2014-12-10 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 晶圆级指纹识别芯片封装结构及封装方法 |
| CN106904568B (zh) * | 2015-12-23 | 2019-06-28 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems器件及其制备方法、电子装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471172A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | Complete contact type image sensor |
| JPH01207932A (ja) | 1988-02-16 | 1989-08-21 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH04109623A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-10 | Nec Corp | ｐｎ接合を有する半導体装置 |
| JPH04184932A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Sony Corp | パッシベーション膜の形成方法 |
| JPH0590255A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| DE4236133C1 (de) * | 1992-10-26 | 1994-03-10 | Siemens Ag | Sensoranordnung zur Erfassung von Fingerabdrücken und Verfahren zu deren Herstellung |
| JPH08148485A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| FR2739977B1 (fr) * | 1995-10-17 | 1998-01-23 | France Telecom | Capteur monolithique d'empreintes digitales |
| US5851603A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-22 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for making a plasma-enhanced chemical vapor deposited SiO2 Si3 N4 multilayer passivation layer for semiconductor applications |
| US6240199B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-05-29 | Agere Systems Guardian Corp. | Electronic apparatus having improved scratch and mechanical resistance |
| US6028773A (en) * | 1997-11-14 | 2000-02-22 | Stmicroelectronics, Inc. | Packaging for silicon sensors |
| US6091132A (en) * | 1997-12-19 | 2000-07-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Passivation for integrated circuit sensors |
| US6091082A (en) * | 1998-02-17 | 2000-07-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection for integrated circuit sensor passivation |
| US6097195A (en) * | 1998-06-02 | 2000-08-01 | Lucent Technologies Inc. | Methods and apparatus for increasing metal density in an integrated circuit while also reducing parasitic capacitance |
-
1999
- 1999-07-01 EP EP99945847A patent/EP1103031A1/de not_active Withdrawn
- 1999-07-01 UA UA2001010171A patent/UA46173C2/uk unknown
- 1999-07-01 WO PCT/DE1999/001982 patent/WO2000003345A1/de not_active Application Discontinuation
- 1999-07-01 BR BR9911980-3A patent/BR9911980A/pt not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 KR KR10-2001-7000350A patent/KR100413860B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-07-01 CN CNB998084131A patent/CN1135493C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-01 JP JP2000559522A patent/JP3527708B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-01 RU RU2001103636/28A patent/RU2195048C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-09 US US09/757,328 patent/US6664612B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU212220U1 (ru) * | 2022-04-29 | 2022-07-12 | Акционерное общество "ВЗПП-Микрон" | Защитное покрытие полупроводникового прибора |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| UA46173C2 (uk) | 2002-05-15 |
| KR100413860B1 (ko) | 2004-01-07 |
| CN1135493C (zh) | 2004-01-21 |
| US6664612B2 (en) | 2003-12-16 |
| JP3527708B2 (ja) | 2004-05-17 |
| JP2002520841A (ja) | 2002-07-09 |
| WO2000003345A1 (de) | 2000-01-20 |
| EP1103031A1 (de) | 2001-05-30 |
| CN1308751A (zh) | 2001-08-15 |
| US20010019168A1 (en) | 2001-09-06 |
| BR9911980A (pt) | 2001-03-27 |
| RU2001103636A (ru) | 2004-03-20 |
| KR20010071808A (ko) | 2001-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2195048C2 (ru) | Полупроводниковый компонент с пассивирующим слоем | |
| US7594435B2 (en) | Humidity sensor and semiconductor device including the same | |
| CN1302533C (zh) | 甚低有效介电常数互连结构及其制造方法 | |
| US7430904B2 (en) | Capacitive humidity sensor and method of manufacturing the same | |
| US8079248B2 (en) | Moisture sensor | |
| US20030179805A1 (en) | Capacitance type humidity sensor with passivation layer | |
| CN1150606C (zh) | 在熔丝结构中形成引线通孔的方法和金属熔丝结构 | |
| US9766195B2 (en) | Integrated circuit with sensor and method of manufacturing such an integrated circuit | |
| CN1239318A (zh) | 层间介电层平坦化制造方法 | |
| KR19980071101A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100267408B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100327721B1 (ko) | 최종패시베이션구조물 | |
| TW202029327A (zh) | 具多層膜片的半導體傳感器裝置及製造具多層膜片的半導體傳感器裝置之方法 | |
| US20040040378A1 (en) | Humidity sensor and fabrication method thereof | |
| JPH02301157A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004014828A5 (ru) | ||
| JPH0744178B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100617528B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2003218114A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06267943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN113056660A (zh) | 制造具有多层膜片的半导体换能器装置的方法以及具有多层膜片的半导体换能器装置 | |
| KR100202192B1 (ko) | 반도체 장치의 평탄화 방법 | |
| MXPA01000171A (en) | Semiconductor component having a passivation | |
| JPH10270556A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| US20030100177A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070702 |