RU2015102827A - Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп - Google Patents

Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп Download PDF

Info

Publication number
RU2015102827A
RU2015102827A RU2015102827A RU2015102827A RU2015102827A RU 2015102827 A RU2015102827 A RU 2015102827A RU 2015102827 A RU2015102827 A RU 2015102827A RU 2015102827 A RU2015102827 A RU 2015102827A RU 2015102827 A RU2015102827 A RU 2015102827A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
range
insulating layer
semiconductor device
semiconductor layer
layer
Prior art date
Application number
RU2015102827A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2639605C2 (ru
Inventor
Камал АСАДИ
ЛЕУ Дагоберт Михел ДЕ
Йоханнес Франсискус Мария СИЛЛЕССЕН
Вильхельмус Корнелис КЕУР
Франк ВЕРБАКЕЛ
Патрик Джон БАШАУ
Корнелис Эстатиус ТИММЕРИНГ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2015102827A publication Critical patent/RU2015102827A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2639605C2 publication Critical patent/RU2639605C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
    • H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/641—Chalcogenides
    • C09K11/643—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0037—Devices characterised by their operation having a MIS barrier layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
    • H01L33/285—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table characterised by the doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающий полупроводниковый прибор, содержащий пакет слоев, причем пакет слоев включает катод, полупроводниковый слой, содержащий эмиссионный материал с излучением в диапазоне 300-900 нм, изолирующий слой и анод, при этом катод находится в электрическом контакте с полупроводниковым слоем, при этом анод находится в электрическом контакте с изолирующим слоем, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне до 50 нм, и при этом полупроводниковый слой содержит слой легированного алюминием оксида цинка-магния с 1-350 млнAl.2. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1, при этом эмиссионный материал имеет зону проводимости при CBp эВ и валентную зону при VBp эВ от уровня вакуума, с CBp>VBp, причем барьерный слой имеет зону проводимости при CBb эВ и валентную зону при VBb эВ от уровня вакуума, с CBb>VBb, причем CBb>CBp, и причем VBb≤VBp+1,5 эВ.3. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой содержит эмиссионный материал, выбранный из группы, состоящей из ZnO, (Zn,Mg)О, ZnS, ZnSe, CdO, CdS, CdSe и легированных вариантов любого из них.4. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав ZnMgO с 1-350 млнAl, причем х находится в диапазоне 0<x≤0,3.5. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав ZnMgO с 1-350 млнAl, причем х находится в диапазоне 0,02<x≤0,2.6. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом изолирующий слой представляет собой оксидный изолирующий слой, выбранный из группы, состоящей из SiO, MgO, SrTiO, ZrO, HfOи YO.7. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по пункту 1 или 2, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне 2-30 нм.8. Люминесцентный материал, содержащий оксид цинка-магния, имеющий

Claims (15)

1. Светоизлучающий полупроводниковый прибор, содержащий пакет слоев, причем пакет слоев включает катод, полупроводниковый слой, содержащий эмиссионный материал с излучением в диапазоне 300-900 нм, изолирующий слой и анод, при этом катод находится в электрическом контакте с полупроводниковым слоем, при этом анод находится в электрическом контакте с изолирующим слоем, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне до 50 нм, и при этом полупроводниковый слой содержит слой легированного алюминием оксида цинка-магния с 1-350 млн-1 Al.
2. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1, при этом эмиссионный материал имеет зону проводимости при CBp эВ и валентную зону при VBp эВ от уровня вакуума, с CBp>VBp, причем барьерный слой имеет зону проводимости при CBb эВ и валентную зону при VBb эВ от уровня вакуума, с CBb>VBb, причем CBb>CBp, и причем VBb≤VBp+1,5 эВ.
3. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой содержит эмиссионный материал, выбранный из группы, состоящей из ZnO, (Zn,Mg)О, ZnS, ZnSe, CdO, CdS, CdSe и легированных вариантов любого из них.
4. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав Zn1-хMgxO с 1-350 млн-1 Al, причем х находится в диапазоне 0<x≤0,3.
5. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав Zn1-хMgxO с 1-350 млн-1 Al, причем х находится в диапазоне 0,02<x≤0,2.
6. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по п. 1 или 2, при этом изолирующий слой представляет собой оксидный изолирующий слой, выбранный из группы, состоящей из SiO2, MgO, SrTiO3, ZrO2, HfO2 и Y2O3.
7. Светоизлучающий полупроводниковый прибор по пункту 1 или 2, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне 2-30 нм.
8. Люминесцентный материал, содержащий оксид цинка-магния, имеющий номинальный состав Zn1-хMgxO с 1-350 млн-1 Al, причем х находится в диапазоне 0<x≤0,3.
9. Люминесцентный материал по п. 8, при этом оксид цинка-магния содержит 5-40 млн-1 Al, и при этом х находится в диапазоне 0,02<x≤0,2.
10. Способ получения светоизлучающего полупроводникового прибора, содержащий обеспечение подложки и формирование пакета слоев на подложке, причем пакет слоев содержит катод, полупроводниковый слой, содержащий эмиссионный материал с излучением в диапазоне 300-900 нм, изолирующий слой и анод, при этом катод находится в электрическом контакте с полупроводниковым слоем, при этом анод находится в электрическом контакте с изолирующим слоем, при этом изолирующий слой имеет толщину в диапазоне до 50 нм, и при этом полупроводниковый слой содержит слой легированного алюминием оксида цинка-магния с 1-350 млн-1 Al.
11. Способ по п. 10, содержащий формирование катода на подложке, полупроводникового слоя на катоде, изолирующего слоя на полупроводниковом слое и анода на изолирующем слое, с последующим отжигом пакета слоев, причем отжиг выполняют при температуре в диапазоне 400-1100°С.
12. Способ по любому из пп. 10-11, при этом эмиссионный материал имеет зону проводимости при CBp эВ и валентную зону при VBp эВ от уровня вакуума, с CBp>VBp, причем барьерный слой имеет зону проводимости при CBb эВ и валентную зону при VBb эВ от уровня вакуума, с CBb>VBb, причем CBb>CBp, и причем VBb≤VBp+1,5 эВ.
13. Способ по любому из пп. 10-11, при этом полупроводниковый слой содержит эмиссионный материал, выбранный из группы, состоящей из ZnO, (Zn,Mg)О, ZnS, ZnSe, CdO, CdS, CdSe и легированных вариантов любого из них, и при этом изолирующий слой выбирают из группы, состоящей из SiO2, MgO, SrTiO3, ZrO2, HfO2 и Y2O3.
14. Способ по любому из пп. 10-11, причем способ включает в себя формирование полупроводникового слоя, содержащего эмиссионный материал, причем формирование слоя включает метод осаждения, выбранный из группы, состоящей из импульсного лазерного осаждения (PLD) и радиочастотного (RF) напыления, и при этом полупроводниковый слой имеет номинальный состав Zn1-хMgxO с 1-350 млн-1 Al, причем х находится в диапазоне 0<x≤0,3.
15. Способ получения легированного алюминием оксида цинка-магния, содержащий (а) обеспечение состава, содержащего Zn, Mg и Al, имеющего номинальный состав Zn1-хMgxO с 1-350 млн-1 Al, причем х находится в диапазоне 0<x≤0,3, необязательно, термическую обработку этого состава при повышенных температурах, и (b) после этого отжиг необязательно термически обработанного состава для обеспечения упомянутого легированного алюминием оксида цинка-магния.
RU2015102827A 2012-06-29 2013-06-28 Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп RU2639605C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261665968P 2012-06-29 2012-06-29
US61/665,968 2012-06-29
US201261739165P 2012-12-19 2012-12-19
US61/739,165 2012-12-19
PCT/IB2013/055325 WO2014002069A2 (en) 2012-06-29 2013-06-28 Ii-vi based light emitting semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015102827A true RU2015102827A (ru) 2016-08-20
RU2639605C2 RU2639605C2 (ru) 2017-12-21

Family

ID=49165798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015102827A RU2639605C2 (ru) 2012-06-29 2013-06-28 Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9385264B2 (ru)
EP (1) EP2867928B1 (ru)
JP (1) JP6235580B2 (ru)
CN (1) CN104428910B (ru)
RU (1) RU2639605C2 (ru)
WO (1) WO2014002069A2 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105914241B (zh) 2010-09-22 2018-07-24 第一太阳能有限公司 光伏装置和形成光伏装置的方法
JP6483629B2 (ja) * 2016-01-05 2019-03-13 日本電信電話株式会社 電磁波発生装置
PL238652B1 (pl) * 2017-11-28 2021-09-20 Inst Fizyki Polskiej Akademii Nauk Sposób wytwarzania struktur z trójskładnikowymi warstwami Zn₁-ₓMgₓO
CN109509819B (zh) * 2018-10-18 2021-12-10 浙江大学 一种基于铒、氟共掺杂ZnO薄膜的电致发光器件及制备方法
JP7296563B2 (ja) * 2019-05-27 2023-06-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置並びにそれを用いた電子機器及び検査方法
EP4117042A1 (en) * 2021-07-03 2023-01-11 Imec VZW Mixed metal oxide
EP4286338A1 (en) * 2022-05-31 2023-12-06 Imec VZW Mixed metal oxide of magnesium and zinc
CN115679300A (zh) * 2022-11-09 2023-02-03 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种原子点缺陷的制备方法和具有原子点缺陷的结构

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5554386A (en) 1978-09-20 1980-04-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and fluorescent display tube with low-speed electron beam excitation
JPH0697704B2 (ja) 1986-01-27 1994-11-30 シャープ株式会社 ＭＩＳ型ＺｎＳ青色発光素子
RU2099818C1 (ru) * 1996-04-11 1997-12-20 Вадим Олегович Вальднер Преобразователь световой энергии в электрическую на основе p-n-перехода с поверхностным изотипным гетеропереходом
JP4431925B2 (ja) * 2000-11-30 2010-03-17 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
US6812483B2 (en) * 2001-01-05 2004-11-02 Japan Science And Technology Agency Optical semiconductor element utilizing optical transition between ZnO heterostructure sub-bands
JP2004193270A (ja) * 2002-12-10 2004-07-08 Sharp Corp 酸化物半導体発光素子
JP2004288624A (ja) * 2003-03-03 2004-10-14 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
US6875320B2 (en) * 2003-05-05 2005-04-05 Eastman Kodak Company Highly transparent top electrode for OLED device
US6885025B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-26 Universal Display Corporation Organic light emitting device structures for obtaining chromaticity stability
US20060017055A1 (en) * 2004-07-23 2006-01-26 Eastman Kodak Company Method for manufacturing a display device with low temperature diamond coatings
JP2007045926A (ja) * 2005-08-10 2007-02-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 蛍光体
JP2007059667A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
WO2007028417A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Technische Universität Braunschweig Triplett emitter having condensed five-membered rings
JP5254589B2 (ja) * 2006-10-17 2013-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN200965888Y (zh) * 2006-11-02 2007-10-24 浙江大学 一种ZnO基发光二极管
JP4953879B2 (ja) * 2007-03-29 2012-06-13 スタンレー電気株式会社 半導体装置とその製造方法、及びテンプレート基板
JP5207511B2 (ja) * 2007-05-23 2013-06-12 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体素子
US8530273B2 (en) 2010-09-29 2013-09-10 Guardian Industries Corp. Method of making oxide thin film transistor array
CN102110783A (zh) * 2010-12-22 2011-06-29 西安文景光电科技有限公司 低电压驱动的空穴注入层作为发光调节层的oled器件

Also Published As

Publication number Publication date
US9385264B2 (en) 2016-07-05
CN104428910A (zh) 2015-03-18
EP2867928A2 (en) 2015-05-06
RU2639605C2 (ru) 2017-12-21
US9666758B2 (en) 2017-05-30
JP6235580B2 (ja) 2017-11-22
EP2867928B1 (en) 2018-08-15
CN104428910B (zh) 2017-10-13
US20160293799A1 (en) 2016-10-06
JP2015527698A (ja) 2015-09-17
US20150340559A1 (en) 2015-11-26
WO2014002069A2 (en) 2014-01-03
WO2014002069A3 (en) 2014-03-06
US20170256676A1 (en) 2017-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015102827A (ru) Светоизлучающий полупроводниковый прибор на основе элементов ii-vi групп
US9779937B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
CN110767745A (zh) 复合金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
US8883555B2 (en) Electronic device, manufacturing method of electronic device, and sputtering target
CN110797395A (zh) 掺杂型金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用
US8097885B2 (en) Compound semiconductor film, light emitting film, and manufacturing method thereof
JP2007258468A (ja) 可視光透過半導体素子およびその製造方法
JP6568503B2 (ja) ＥｕドープＺｎＯ高効率蛍光体膜の形成方法
JP6219089B2 (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体層の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
Negi et al. A systematic investigation of structural and optical properties of Li ion implanted MgTiO3 thin films
JP6334929B2 (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体層の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
JP6572089B2 (ja) ＺｎＯ系半導体構造およびその製造方法
JP6392206B2 (ja) 炭素ドープ酸化亜鉛膜及びその製造方法
JP2015012248A (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体層の製造方法、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法、及び、ｎ型ＺｎＯ系半導体積層構造
JP5912968B2 (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体膜の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
US20230094925A1 (en) Rare-Earth Doped Semiconductor Material, Thin-Film Transistor, and Application
JP2015073041A (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体層の製造方法、及び、ＺｎＯ系半導体素子の製造方法
JP6516251B2 (ja) ＺｎＯ系半導体構造の製造方法
JP6092648B2 (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体単結晶層、及び、ＺｎＯ系半導体素子
CN103633204A (zh) 一种Ta2O5/ZnO/HfO2非对称双异质结发光二极管及其制备方法
JP2014027134A (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体単結晶層、及び、ＺｎＯ系半導体素子
Lin et al. Post Deposition Annealing Temperature Effect on White-light Emitting of Sputter Deposited Zr-doped HfO2 Thin Film
JP2010182490A (ja) 発光素子
JP2009013251A (ja) 蛍光体積層膜の製造方法
JP2014027135A (ja) ｐ型ＺｎＯ系半導体単結晶層、及び、ＺｎＯ系半導体素子

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant