JP6516251B2 - ZnO系半導体構造の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)B,Al,Ga,Inからなる群より選択された少なくとも1種の3B族元素、およびAgをドープしたZnO系半導体層を形成する工程と、
(b)活性酸素が存在する、圧力が10−2Pa未満の環境で、前記ZnO系半導体層を一次アニールし、前記3B族元素とAgがドープされたp型ZnO系半導体層を形成する工程と、
(c)活性酸素を照射しながら前記p型ZnO系半導体層を前記一次アニールよりも低い温度で二次アニールし、アクセプタ密度を増大させる工程と、
を含むZnO系半導体構造の製造方法
が提供される。
Claims (8)
- (a)B,Al,Ga,Inからなる群より選択された少なくとも1種の3B族元素、およびAgをドープしたZnO系半導体層を形成する工程と、
(b)活性酸素が存在する、圧力が10−2Pa未満の環境で、前記ZnO系半導体層を一次アニールし、前記3B族元素とAgがドープされたp型ZnO系半導体層を形成する工程と、
(c)活性酸素を照射しながら前記p型ZnO系半導体層を前記一次アニールよりも低い温度で二次アニールし、アクセプタ密度を増大させる工程と、
を含むZnO系半導体構造の製造方法。 - 前記工程(a)が、前記少なくとも1種の3B族元素をドープしたZnO系半導体層と、AgO層とを交互に積層した交互積層構造を形成する、請求項1に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記交互積層構造の形成が分子線エピタキシ(MBE)で行われる、請求項2に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記工程(a)、(b)、(c)が、同一のMBE装置内で行われ、前記工程(c)の活性酸素は酸素ラジカルビームである、請求項3に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- (x)、前記工程(a)の前に、前記MBE装置内にZnO系半導体基板を装荷し、前記ZnO系半導体基板の上にn型ZnO系半導体層を形成し、さらにその上にZnO系半導体の発光層を形成する工程を含む請求項4に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記二次アニールの温度は、7×(100)℃未満である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- 前記一次アニールの温度は、前記二次アニールの温度より1×(100)℃より大きく高い、請求項6に記載のZnO系半導体構造の製造方法。
- B,Al,Ga,Inからなる群より選択された少なくとも1種の3B族元素、およびAgがドープされ、かつ、2次イオン質量分析(SIMS)によって測定されたAg濃度[Ag]と3B族元素濃度[3B]の差[Ag]−[3B]より、C−V測定によって測定されたアクセプタ密度Naの方が大きい(Na>[Ag]−[3B])p型ZnO系半導体層。
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