RU2014975C1 - Способ обработки деталей в атмосфере пара и устройство для его осуществления - Google Patents
Способ обработки деталей в атмосфере пара и устройство для его осуществления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014975C1 RU2014975C1 SU894614624A SU4614624A RU2014975C1 RU 2014975 C1 RU2014975 C1 RU 2014975C1 SU 894614624 A SU894614624 A SU 894614624A SU 4614624 A SU4614624 A SU 4614624A RU 2014975 C1 RU2014975 C1 RU 2014975C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- chamber
- steam
- processing
- atmosphere
- pressure
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 24
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/012—Soldering with the use of hot gas
- B23K1/015—Vapour-condensation soldering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
- C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
- C23G5/04—Apparatus
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Использование: обработка деталей в паровой фазе: сушка толстослойных материалов, эпоксидных смол, пайка печатных плат. Сущность изобретения: детали обрабатываются в атмосфере ненасыщенного пара при давлении ниже атмосферного. В ненасыщенный пар может добавиться инертный газ. В процессе обработки осуществляют предварительный нагрев детали. Устройство для обработки содержит герметичную камеру обработки, механизм для транспортировки обрабатываемых изделий через камеру и средство для образования ненасыщенного пара. Нагреватель выполняют в виде плиты из теплопроводного материала и располагают наклонно относительно дна камеры с выемкой в конце наклона. Устройство может быть выполнено двух-или трехкамерным. При трехкамерном выполнении оно содержит входную и выходную камеры для предварительного нагрева и охлаждения. Устройство содержит также конденсатор обрабатывающего пара, установленный над камерой обработки. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к обработке деталей в паровой фазе и направлено на реализацию способа и устройства для обработки обрабатываемых деталей с помощью обрабатывающей среды в ненасыщенной паровой фазе.
Известен способ обработки деталей (пайка, наплавка) в паровой фазе, включающий перемещение деталей через камеру обработки и нагрев до температуры обработки насыщенным паром [1].
Известно устройство для обработки деталей, содержащее герметичную камеру обработки, расположенный в ней нагреватель и механизм для транспортировки обрабатываемых изделий через камеру [2].
Цель изобретения состоит в повышении качества обработки.
Способ осуществляется следующим образом: процесс обработки протекает в закрытой камере обработки, давление в камере обработки снижается до уровня ниже атмосферного давления. Тем самым в любое время, когда входное и выходное отверстия открываются для возможности передвижения печатных плат в камеру или из камеры, атмосферный поток поступает в камеру, а не из камеры из-за перепада давления. Это предотвращает утечку пара и/или аэрозоля. В любые остальные периоды времени камера герметично закрыта. Атмосфера в камере по крайней мере частично рециркулирует, чтобы управлять в ней давлением и количеством обрабатывающего пара в камере.
Устройство конструируется с раздельными входной и выходной камерами, смежными с камерой обработки. Входная и выходная камеры действуют как воздушные замки в отношении камеры обработки, и каждая снабжена закрытыми впускным и выпускным отверстиями для возможности сообщения с атмосферой и камерой обработки. Давление в каждой из входной и выходной камер также управляется, чтобы иметь величину меньше атмосферного давления и больше, чем давление в камере обработки. Таким образом, атмосферный поток всегда направлен в камеру обработки, а не из нее. Атмосфера в обеих входной и выходной камерах также по крайней мере частично рециркулирует для управления их давлением и удалением пара, который может войти в эти камеры.
При давлении в выходной камере, сниженном по сравнению с атмосферным давлением, вынос жидкости на обрабаты- ваемых деталях и транспортирующем средстве снижается. Обрабатываемая деталь, которая поступает в выходную камеру, нормально все еще находится при повышенной температуре, такой как температура плавления/отверждения припоя, и несет часть конденсированного пара. Нагревание обрабатываемой детали для испарения переносимой жидкости при атмосферном давлении будет, например, задерживать отверждение припоя и приведет к дальнейшему росту межметаллического слоя. Однако в результате снижения давления в выходной камере температура кипения жидкости снижается и жидкость на обрабатываемой детали будет более легко испаряться теплом последней. Пар удаляется для восстановления жидкости во время рециркуляции атмосферы.
Пониженное давление, поддерживаемое в камере обработки, также ведет к понижению точки кипения жидкости. Так как жидкости, нормально используемые для образования пара, имеют атмосферную точку кипения, например, непосредственно выше температуры плавления припоя, любое понижение их точки кипения, связанное с пониженным давлением, может удлинить время спаивания, приводя тем самым к дальнейшему нежелательному межметаллическому росту (утолщению места спайки).
Эта проблема может быть преодолена в изобретении путем использования ненасыщенного пара, который может быть нагрет выше точки кипения своей жидкости, и путем использования нового нагревающего средства, обеспечивающего специальное управление температурой ненасыщенного пара.
Использование ненасыщенного пара обеспечивает его температуру в диапазоне от точки кипения своей жидкости при пониженном давлении в камере обработки до температуры, непосредственно примыкающей к температуре разложения пара. Также путем управления давлением в камере обработки точка кипения жидкости может точно управляться. Если давление в камере понижено, также понижается точка кипения жидкости и температура пара. В случае более низких температур пара, чем нормальная, могут безопасно использоваться, например, припои с более низкими температурами плавления, чем нормально используемый эвтектический припой олова/свинца.
Использование ненасыщенного пара дает возможность использовать более высокие температуры пара в операции обработки, тем самым сокращая время обработки и образуя, например, улучшенные паянные соединения. Преимущество сокращения времени обработки может перевешивать недостаток проведения работ в камере при атмосферном давлении и потери части пара в результате утечки из камеры.
При обработке может использоваться инертный газ для замедления скорости нагревания обрабатываемой детали. Инертный газ также снижает разложение пара, делая тем самым способ более безопасным.
На фиг. 1 показана трехкамерная конструкция; на фиг. 2 - двухкамерная конструкция.
Устройство для припаивания в паровой фазе компонентов к печатной плате и более конкретно для расплавления слоя припоя, который предварительно нанесен на компоненты и/или печатную плату, содержит камеру 1 обработки, входную камеру 2, в которой выполнены окна 3 и 4 для доступа атмосферы в камеры. Окно 4 соединяет входную камеру 2 с камерой обработки, подвижные дверцы 5 и 6 для открытия или закрытия окон 3 и 4. Дверцы 5 и 6 являются воздухонепроницаемыми, перемещение их обеспечивается средствами 7 и 8.
Устройство содержит выходную камеру 9, окон 10 соединяет эту камеру с камерой обработки, окно 11 служит для выхода обработанного изделия. Указанные окна также открываются и закрываются с помощью дверц 12 и 13. С помощью средств 14 и 15 осуществляется перемещение дверц.
Перемещение обрабатываемого изделия 16 осуществляется транспортирующим средством 17, которое в камере обработки имеет вертикальные наклонные поверхности 18 для того, чтобы жидкость стекала с транспортера 17 и обрабатываемого изделия 16.
Средство для образования ненасыщенного пара в камере обработки содержит нагревающий элемент 19, расположенный на ее дне и выполненный в виде тяжелой толстой пластины или плиты 20. Верхняя поверхность 21 плиты 20 выполнена наклонной, в конце наклона имеется выемка 22 для сбора избыточной жидкости, подаваемой на поверхность 21. Под плитой смонтированы нагревательные элементы 23 с зазором относительно дна камеры обработки. Внутри плиты установлены датчики 24 температуры, управляющие нагревательными элементами 23 через контроллер 25, над плитой 20 - защитный экран 26 для защиты плиты от случайных капель или брызг флюса с обрабатываемого изделия, в частности печатной платы.
Парообразующие средства содержат инжектор 27 жидкости, расположенный в камере обработки над плитой 20 и ниже экрана 26. Инжектор 27 подает жидкость на горячую поверхность 21 плиты 20 для образования ненасыщенного пара.
Жидкость подается в инжектор 27 из питающего источника 28 по линии 29 под соответствующим давлением, которое создается насосом 30. Избыточная жидкость из выемки 22 возвращается в источник 28 по линии 31.
Для управления давлением атмосферы в камере обработки 1 в ней выполняется отверстие 32, ведущее через трубопровод 33 к вакуумному насосу 34. Для поддержания требуемого количества пара в атмосфере камеры обработки 1 в трубопроводе 33 установлен конденсатор 35. Восстановленная жидкость из конденсатора 35 фильтруется в фильтрующем средстве 36 и затем в источник жидкости 28 по линии 37. Часть остающейся атмосферы может быть возвращена в камеру обработки по линии 38 через отверстие 39. Остающаяся часть атмосферы, в основном воздух, выбрасывается в атмосферу по выпускной линии 40. Управляет работой вакуумного насоса 34 детектирующее средство 41 в камере обработки 1 через управляющее средство 42.
Предусмотрено управление атмосферой во входной и выходной камерах. Контроллер атмосферы для входной камеры 2 имеет выпускное отверстие 43, соединенное с трубопроводом 44 и с вакуумным насосом 45. Конденсатор 46 может быть установлен в трубопроводе 44 для конденсации обрабатывающего пара из атмосферы и сбора его и возврата через линию 47 и фильтрующее средство 48 в питающий источник 28.
Часть остающейся атмосферы возвращается из вакуумного насоса 45 в камеру 2 и через возвратный трубопровод 49 и отверстие 50. Остающаяся атмосфера, в основном воздух, выбрасывается в воздух через выпускную линию 51. Датчик 52 в камере 2 через контроллер 53 управляет работой вакуумного насоса 45.
Аналогичные средства для управления атмосферой предусмотрены в выходной камере.
Для нагревания атмосферы в трубопроводе 49 имеется нагреватель 54, содержащий змеевик 55, намотанный на трубопровод 33. Датчик 56 температуры во входной камере 2 управляет нагревателем 54 через контроллер 57.
Нагретая атмосфера используется для предварительного нагревания транспортера 17 и печатных плат 16 перед их входом в камеру обработки 1. Аналогичного нагревающего средства нормально не требуется для атмосферы в выходной камере 9, но при необходимости оно может быть легко установлено.
Устройство работает следующим образом.
Печатные платы 16 устанавливаются на ленточном транспортере 17 снаружи устройства. Транспортер 17 перемещает платы 16 во входную камеру 2 через отверстие 3, когда дверца 5 открыта, дверца 6 закрыта, закрывая отверстие 4 в камере обработки 1. При работе устройства пониженное давление меньше атмосферного, поддерживается во входной камере 2 вакуумным насосом 45. В результате, когда дверца 5 открыта, атмосферный поток направляется в камеру 2, а не из нее. После того, как по крайней мере, одна плата 16 была перемещена в камеру 2 транспортером 17, дверца 5 закрывается. При обеих теперь закрытых дверцах 5 и 6 возвращаемая атмосфера из трубопровода 49 может нагреваться при необходимости для предварительного нагревания транспортной секции и одной или больше печатных плат в камере 2.
После достаточного предварительного нагревания дверца 6 открывается, тогда как дверца 5 остается закрытой, и предварительно нагретые печатные платы 16 перемещаются в камеру обработки 1 через окно 4. Давление в камере 1 поддерживается вакуумным насосом 34 меньше, чем давление во входной камере 2. Тем самым атмосфера движется из входной камеры 2 в камеру обработки 1, когда дверца 6 открывается.
До перемещения предварительно нагретых печатных плат 16 в камеру обработки 1 в ней образуется ненасыщенный обрабатывающий пар. Пар образуется путем впрыскивания жидкости на базе фтора, как пример, в форме струи, из инжектора (форсунки) 27 на горячую поверхность 21 нагретой плиты 20. Жидкость испаряется мгновенно при контакте с поверхностью 21, образуя ненасыщенный пар.
Ненасыщенный пар, действующий как газ, может быть нагрет до температуры более высокой, чем точка кипения жидкости. Температура ненасыщенного пара может управляться с помощью температуры на поверхности плиты. При давлении в камере 1, пониженном для предотвращения утечки пара из камеры, температура кипения жидкости также понижается. Это будет отрицательно действовать на расплавление припоя на печатных платах. Однако, поскольку пар может быть нагрет до температуры более высокой, чем точка кипения жидкости, камера может использоваться при давлении ниже атмосферного, что обеспечивает незначительное количество пара или совсем ничего не будет улетучиваться из камеры обработки 1.
Ненасыщенный пар конденсируется на печатных платах, поступающих в камеру, отдавая скрытое тепло конденсации, которое (тепло) используется для расплава или "растекания" слоя припоя, припаивая тем самым компоненты к печатной плате. Для ускорения стадии припаивания печатные платы могут предварительно нагреваться во входной камере 2. Конденсированная жидкость, капающая с печатных плат и транспортера, особенно когда печатные платы оказываются на почти вертикально наклонной секции транспортера, может собираться на экране 26, который защищает поверхность 21 плиты. Экран 26 направляет жидкость в выемку 22, а затем - в питающий источник 28 по линии 31. На поверхность 21 инжектируется столько жидкости, сколько ее требуется для образования необходимого количества ненасыщенного пара, чтобы расплавить припой. По крайней мере, один датчик пара 58 может быть установлен в камере 1 для детектирования в ней количества пара. Контроллер 59, приводимый в действие датчиком 58, управляет работой насоса 30.
После того, как операция по расплавлению припоя завершилась, печатные платы перемещаются из камеры обработки 1 в выходную камеру 9 через отверстие 10. Когда дверца 12 открывается, атмосферный поток потечет из выходной камеры 9 в камеру обработки 1, по причине перепада давления между камерами. Это также снижает потери пара. После того, как печатная плата или печатные платы оказались в выходной камере 9, дверца 12 закрывается. При необходимости давление в камере 9 может быть понижено путем увеличения выхода вакуумного насоса 45, связанного с этой камерой через контроллер 53. Пониженное давление в камере 9 помогает выкипанию остаточной жидкости на еще горячих печатных платах и транспортере без ущерба для спаянных соединений. Пар, образованный в камере 9, может собираться конденсатором 46 и возвращаться в питающий источник 28. При определенных условиях атмосфера в камере 9 может даже нагреваться при пониженном давлении, чтобы содействовать восстановлению пара без ущерба для паяных соединений.
После того как остаточная жидкость восстановлена, давление в камере 9 может быть повышено до уровня, выше уровня в камере 1 и ниже атмосферного давления, и дверца 13 открывается, в то время как дверца 12 остается закрытой. Спаянные печатные платы тогда извлекаются из камеры 9 через отверстие 11 транспортером 17. По причине перепада давления атмосферный поток будет идти в камеру 9, а не из нее.
Когда необходимо остановить работу устройства, весь пар в трех атмосферах трех камер может быть конденсирован с помощью средств конденсации 35, 46 и/или путем общего охлаждения нагревающих средств, и возвращен в источник питания 28 для хранения. Когда устройство должно быть пущено в работу, начальное количество жидкости инжектируется на плиту из инжектора 27 для образования пара в требуемом количестве.
При необходимости такой инертный газ, как азот или углекислый газ, может использоваться в камере обработки для образования вместе с ненасыщенным паром атмосферы в камере. Инертный газ может использоваться для управления концентрацией пара в камере, что, в свою очередь, может управлять скоростью, с какой будут нагреваться печатные платы. Хотя нормально предпочитается нагревать печатные платы до температуры расплавления припоя как можно быстрее, имеют место ситуации, при которых необходимо более медленное нагревание. Например, быстрое нагревание ведет к более высокому проценту дефектов пайки, типа сосулек. Быстрое нагревание может также содействовать "тепловому удару", который может повредить чувствительные компоненты.
Таким образом, более медленное нагревание печатных плат может снизить эффект "образования надгробия" и тепловой удар. Использование инертного газа также делает процесс более безопасным, так как происходит меньшее разложение пара в присутствии инертного газа, чем в присутствии воздуха.
В устройстве могут использоваться двойные дверцы, работающие независимо. Далее, хотя предпочитаемое устройство описано со входной и выходной камерами, совершенно очевидно, что устройство может быть сконструировано и работать без входной и выходной камер и также обеспечивать повышенные эксплуатационные характеристики по сравнению с известными устройствами припаивания в паровой фазе.
В другом варианте реализации изобретения устройство может быть образовано с камерой обработки и одной проходной камерой, которая служит одновременно в качестве входной и выходной камеры (см. фиг. 2).
При работе устройства печатные платы 16 отстоят друг от друга на транспортере 17 с таким расчетом, чтобы иметь только одну печатную плату 16 в камере 2 каждый раз. Печатная плата в камере 2 чередуется между одной от входной секции 60 транспортера 17 и одной от выходной секции 61 транспортера 17. Таким образом камера 2 может использоваться для предварительного нагревания печатных плат на входной секции 60 и для более тщательного удаления конденсированного пара с печатных плат на выходной секции 61. Камера 2 нагревается или подвергается пониженному давлению. Средства управления давлением и нагреванием в отношении камеры 2 аналогичны средствам, используемым в отношении входной и выходной камер в устройстве, показанном на фиг. 1.
Хотя устройство имеет входную и выходную транспортерные секции 60,61, используя одни и те же дверцы 5 и 6, могут быть предусмотрены отдельные дверцы для каждой секции.
В обоих вариантах реализации устройства используются ленточные транспортеры, проходящие через устройство. Однако совершенно очевидно, что внутренний ленточный транспортер может использоваться в устройстве с передающим средством, взаимодействующим с входной и выходной камерами 2,9.
Устройство, используемое в другом варианте реализации, может использовать камеру обработки, которая функционирует при атмосферном давлении. В этом варианте реализации предполагается, что часть пара улетучивается из камеры обработки во время ее функционирования, в частности когда печатные платы перемещаются в или из камеры. Однако преимущества использования ненасыщенного пара и тем самым возможность нагревать печатные платы более быстро, благодаря более высоким температурам, до которых может нагреваться ненасыщенный пар, перевешивают недостатки потери части пара.
Claims (11)
1. Способ обработки деталей в атмосфере пара преимущественно пайки, включающий создание в камере атмосферы горячего пара, нагрев детали до температуры обработки, отличающийся тем, что, с целью повышения качестве обработки и уменьшения потерь пара, его осуществляют ненасыщенным паром при давлении ниже атмосферного.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что детали помещают в камеру обработки после образования в ней ненасыщенного пара.
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что нагрев осуществляют смесью ненасыщенного пара и инертного газа.
4. Способ по пп.1 - 3, отличающийся тем, что осуществляют предварительный нагрев детали.
5. Способ по пп.1 - 4, отличающийся тем, что после обработки давление снижают для удаления конденсата.
6. Способ по пп.1 - 5, отличающийся тем, что осуществляют рециркуляцию обрабатываемой атмосферы.
7. Устройство для обработки деталей в атмосфере пара, содержащее герметичную камеру обработки, расположенный в ней нагреватель, механизм для транспортировки обрабатываемых изделий через камеру, отличающееся тем, что оно снабжено средством для образования ненасыщенного пара.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что нагреватель выполнен в виде плиты из теплопроводного материала, расположенной наклонно относительно дна камеры, с выемкой в конце наклона и нагревательных элементов, расположенных под плитой вне камеры.
9. Устройство по пп.7 - 8, отличающееся тем, что оно снабжено входной и выходной камерами, по отдельности или в сочетании, соединенными с камерой обработки, и средством регулирования давления в них.
10. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что входная и/или выходная камеры снабжены нагревателями.
11. Устройство по пп.7 - 10, отличающееся тем, что оно снабжено конденсатором обрабатывающего пара, соединенным с камерой обработки.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/119,567 US4838476A (en) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | Vapour phase treatment process and apparatus |
US119567 | 1987-11-12 | ||
PCT/EP1988/001023 WO1989004234A1 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Vapour phase process and apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014975C1 true RU2014975C1 (ru) | 1994-06-30 |
Family
ID=22385103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894614624A RU2014975C1 (ru) | 1987-11-12 | 1989-07-10 | Способ обработки деталей в атмосфере пара и устройство для его осуществления |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4838476A (ru) |
EP (1) | EP0340275B1 (ru) |
JP (1) | JPH02502200A (ru) |
KR (1) | KR890701272A (ru) |
AU (1) | AU2786289A (ru) |
DE (1) | DE3873321T2 (ru) |
RU (1) | RU2014975C1 (ru) |
WO (1) | WO1989004234A1 (ru) |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU625442B2 (en) * | 1988-11-28 | 1992-07-09 | Furukawa Aluminum Co., Ltd. | Gaseous phase brazing method of al or al alloy |
US5288333A (en) * | 1989-05-06 | 1994-02-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefore |
US5158100A (en) * | 1989-05-06 | 1992-10-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Wafer cleaning method and apparatus therefor |
NL8901598A (nl) * | 1989-06-23 | 1991-01-16 | Soltec Bv | Met een beschermgas werkende soldeermachine, voorzien van automatisch werkende sluisdeuren. |
DE8913226U1 (de) * | 1989-11-08 | 1989-12-21 | Leicht, Helmut Walter, 8900 Augsburg | Dampfphasenlötanlage mit einem direkt beheizbaren Behälter |
US5054210A (en) * | 1990-02-23 | 1991-10-08 | S&K Products International, Inc. | Isopropyl alcohol vapor dryer system |
US5593507A (en) * | 1990-08-22 | 1997-01-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Cleaning method and cleaning apparatus |
US5188282A (en) * | 1991-01-28 | 1993-02-23 | Hughes Aircraft Company | Vapor phase flash fusing of printed wiring boards |
US5118357A (en) * | 1991-03-20 | 1992-06-02 | Finishing Equipment, Inc. | Treatment fluid application and recovery apparatus and method |
GB9121003D0 (en) * | 1991-10-03 | 1991-11-13 | Boc Group Plc | Soldering |
JP2709365B2 (ja) * | 1992-03-16 | 1998-02-04 | 日立テクノエンジニアリング株式会社 | ベーパーリフローはんだ付け装置 |
US5313965A (en) * | 1992-06-01 | 1994-05-24 | Hughes Aircraft Company | Continuous operation supercritical fluid treatment process and system |
US5415193A (en) * | 1992-11-13 | 1995-05-16 | Taricco; Todd | Pressure controlled cleaning system |
JP3074366B2 (ja) * | 1993-02-22 | 2000-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
DE4329178B4 (de) * | 1993-08-30 | 2006-11-09 | EMO Oberflächentechnik GmbH | Dampfphasenreinigung |
US5539995A (en) * | 1994-03-16 | 1996-07-30 | Verteq, Inc. | Continuous flow vapor dryer system |
EP0672743B2 (de) * | 1994-03-18 | 2001-05-16 | Dieter Uschkoreit | Verfahren und Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Materialien mit Anteilen an verdampfbaren Stoffen |
US5542596A (en) * | 1994-12-20 | 1996-08-06 | United Technologies Corp. | Vapor phase soldering machine having a tertiary cooling vapor |
US6051421A (en) * | 1996-09-09 | 2000-04-18 | Air Liquide America Corporation | Continuous processing apparatus and method for cleaning articles with liquified compressed gaseous solvents |
DE29704629U1 (de) * | 1997-03-14 | 1998-07-09 | Asscon Systemtechnik-Elektronik GmbH, 86343 Königsbrunn | Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Werkstücken mit heißem Dampf |
US6306564B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide |
US6500605B1 (en) | 1997-05-27 | 2002-12-31 | Tokyo Electron Limited | Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process |
TW539918B (en) | 1997-05-27 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
JP3737604B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
FR2774013B1 (fr) * | 1998-01-23 | 2000-04-07 | Jean Paul Garidel | Procede de traitement thermique d'une piece a l'aide d'au moins un liquide de transfert thermique et four a condensation pour sa mise en oeuvre |
US6277753B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
US7064070B2 (en) * | 1998-09-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
US6315189B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-11-13 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package lead plating method and apparatus |
DE19911887C1 (de) * | 1999-03-17 | 2000-12-21 | Asscon Systech Elektronik Gmbh | Verfahren zum Reflow-Löten in einer Dampfphasenvakuumlötanlage |
US6193135B1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | System for providing back-lighting of components during fluxless soldering |
KR100742473B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2007-07-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 제 1 및 제 2 소재를 초임계 처리하는 장치 및 방법 |
US6748960B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
KR100693691B1 (ko) * | 2000-04-25 | 2007-03-09 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 금속 필름의 침착방법 및 초임계 건조/세척 모듈을포함하는 금속침착 복합공정장치 |
DE10025472C2 (de) * | 2000-05-23 | 2003-04-24 | Rehm Anlagenbau Gmbh | Dampfphasenlötanlage mit überhitztem Dampf |
AU2001290171A1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-02-05 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
US20020189543A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-12-19 | Biberger Maximilian A. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
US20040040660A1 (en) * | 2001-10-03 | 2004-03-04 | Biberger Maximilian Albert | High pressure processing chamber for multiple semiconductor substrates |
US20040016450A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-01-29 | Bertram Ronald Thomas | Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes |
WO2003071173A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-28 | Supercritical Systems Inc. | Pressure enchanced diaphragm valve |
US7001468B1 (en) | 2002-02-15 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor |
US6928746B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-08-16 | Tokyo Electron Limited | Drying resist with a solvent bath and supercritical CO2 |
US6924086B1 (en) * | 2002-02-15 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Developing photoresist with supercritical fluid and developer |
WO2003077032A1 (en) * | 2002-03-04 | 2003-09-18 | Supercritical Systems Inc. | Method of passivating of low dielectric materials in wafer processing |
US20050227187A1 (en) * | 2002-03-04 | 2005-10-13 | Supercritical Systems Inc. | Ionic fluid in supercritical fluid for semiconductor processing |
US7387868B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
WO2003082486A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-09 | Supercritical Systems Inc. | Removal of contaminants using supercritical processing |
US7169540B2 (en) * | 2002-04-12 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning |
US7380699B2 (en) * | 2002-06-14 | 2008-06-03 | Vapour Phase Technology Aps | Method and apparatus for vapour phase soldering |
US20040177867A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-09-16 | Supercritical Systems, Inc. | Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
US20040112409A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-17 | Supercritical Sysems, Inc. | Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal |
US7021635B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
US20040154647A1 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-12 | Supercritical Systems, Inc. | Method and apparatus of utilizing a coating for enhanced holding of a semiconductor substrate during high pressure processing |
US7225820B2 (en) * | 2003-02-10 | 2007-06-05 | Tokyo Electron Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US7077917B2 (en) * | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US7270137B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
US20040231707A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-11-25 | Paul Schilling | Decontamination of supercritical wafer processing equipment |
US7163380B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid |
US20050035514A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing |
US20050034660A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Alignment means for chamber closure to reduce wear on surfaces |
US20050067002A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Supercritical Systems, Inc. | Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing |
US7186093B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-03-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump |
ATE407763T1 (de) * | 2004-03-11 | 2008-09-15 | Ibl Loettechnik Gmbh | Verfahren und vorrichtung für das löten mit unterdruck in der dampfphase |
US7250374B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US7307019B2 (en) | 2004-09-29 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films |
US20060065189A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Method and system for homogenization of supercritical fluid in a high pressure processing system |
US20060065288A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using |
US7491036B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for cooling a pump |
US20060135047A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Alexei Sheydayi | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
US7434590B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
US7140393B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
US20060134332A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Darko Babic | Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system |
US7435447B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
US7291565B2 (en) | 2005-02-15 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid |
US20060186088A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Gunilla Jacobson | Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing |
US20060185694A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Richard Brown | Rinsing step in supercritical processing |
US20060185693A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Richard Brown | Cleaning step in supercritical processing |
US7562853B2 (en) * | 2005-03-11 | 2009-07-21 | Christopher Mazzola | Container support and mounting bracket |
US7550075B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Ltd. | Removal of contaminants from a fluid |
US7380984B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-06-03 | Tokyo Electron Limited | Process flow thermocouple |
US7767145B2 (en) * | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
US20060225772A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Jones William D | Controlled pressure differential in a high-pressure processing chamber |
US20060223899A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Hillman Joseph T | Removal of porogens and porogen residues using supercritical CO2 |
US7442636B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning |
US7494107B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-02-24 | Supercritical Systems, Inc. | Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels |
US7399708B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-15 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning |
US20060219268A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Gunilla Jacobson | Neutralization of systemic poisoning in wafer processing |
US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
US7524383B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for passivating a processing chamber |
US20070000519A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Gunilla Jacobson | Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing |
DE102006025184B4 (de) * | 2006-05-30 | 2008-02-21 | IBL-Löttechnik GmbH | Vorrichtung zum Löten in der Dampfphase |
US20080145038A1 (en) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating a substrate |
DE102007005345B4 (de) * | 2007-02-02 | 2014-06-18 | Seho Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Reflow-Löten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US9166139B2 (en) * | 2009-05-14 | 2015-10-20 | The Neothermal Energy Company | Method for thermally cycling an object including a polarizable material |
US20100308103A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-09 | Tyco Electronics Corporation | System and method for vapor phase reflow of a conductive coating |
DE202009014590U1 (de) | 2009-10-29 | 2010-02-04 | Asscon Systemtechnik-Elektronik Gmbh | Dampfphasen-Lötanlage |
JP6188671B2 (ja) * | 2014-12-12 | 2017-08-30 | 株式会社Ssテクノ | 水蒸気リフロー装置及び水蒸気リフロー方法 |
JP6909999B2 (ja) | 2018-11-07 | 2021-07-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 気相式加熱方法及び気相式加熱装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3025533A (en) * | 1959-06-01 | 1962-03-20 | Kenneth E Hair | Steam bath apparatus |
US4077467A (en) * | 1976-01-28 | 1978-03-07 | Spigarelli Donald J | Method and apparatus for soldering, fusing or brazing |
GB2058335B (en) * | 1979-05-18 | 1983-09-01 | Atomic Energy Authority Uk | Soldering apparatus |
US4321031A (en) * | 1979-07-09 | 1982-03-23 | Woodgate Ralph W | Method and apparatus for condensation heating |
US4264299A (en) * | 1980-03-12 | 1981-04-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process and apparatus for controlling losses in volatile working fluid systems |
FR2481431A1 (fr) * | 1980-04-23 | 1981-10-30 | Inst Ochistke T | Four de chauffage de produits |
FR2499228B1 (fr) * | 1981-01-30 | 1985-10-25 | Carreras Michelle | Procede de chauffage d'objets a haute temperature par vapeur sous pression et appareil de mise en oeuvre |
JPS60108162A (ja) * | 1983-11-16 | 1985-06-13 | Hitachi Ltd | 蒸気槽 |
FR2579737B1 (fr) * | 1985-04-02 | 1987-11-20 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Limitation de la corrosion en machine de refusion en phase-vapeur |
JPS61238464A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-23 | Eiichi Miyake | 物品加熱装置 |
US4698915A (en) * | 1986-08-04 | 1987-10-13 | American Telephone And Telegraph Company | Method and apparatus for condensation heating |
-
1987
- 1987-11-12 US US07/119,567 patent/US4838476A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-11 WO PCT/EP1988/001023 patent/WO1989004234A1/en active IP Right Grant
- 1988-11-11 KR KR1019890701310A patent/KR890701272A/ko not_active Application Discontinuation
- 1988-11-11 AU AU27862/89A patent/AU2786289A/en not_active Abandoned
- 1988-11-11 JP JP63509049A patent/JPH02502200A/ja active Pending
- 1988-11-11 DE DE8888909752T patent/DE3873321T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-11 EP EP88909752A patent/EP0340275B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-10 RU SU894614624A patent/RU2014975C1/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
1. Патент США N 3866307, кл. 29-498. опубл. 1975. * |
2. Заявка Японии N 62-21463, кл. B 23K 3/04, 1987. * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3873321T2 (de) | 1992-12-03 |
KR890701272A (ko) | 1989-12-19 |
DE3873321D1 (de) | 1992-09-03 |
JPH02502200A (ja) | 1990-07-19 |
AU2786289A (en) | 1989-06-01 |
EP0340275A1 (en) | 1989-11-08 |
US4838476A (en) | 1989-06-13 |
WO1989004234A1 (en) | 1989-05-18 |
EP0340275B1 (en) | 1992-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2014975C1 (ru) | Способ обработки деталей в атмосфере пара и устройство для его осуществления | |
CA1132021A (en) | Method and apparatus for condensation heating | |
US7380699B2 (en) | Method and apparatus for vapour phase soldering | |
US8110015B2 (en) | Method and apparatus for removing contaminants from a reflow apparatus | |
JPS59195025A (ja) | ビチユ−メンの燃焼方法 | |
US4726506A (en) | Soldering apparatus | |
US5577658A (en) | Gas knife cooling system | |
EP0713743B1 (en) | Application of soldering fluxes | |
EP0047307A1 (en) | Apparatus for treating objects with a volatile fluid. | |
US4766677A (en) | Method and apparatus for vapor phase soldering | |
US5193739A (en) | Process and device for soldering electronic boards, in particular, printed circuit boards with devices installed on them | |
US6443356B1 (en) | Method for controlling heat transfer to a work piece during condensation soldering | |
JP2723402B2 (ja) | ベーパーリフローはんだ付け装置 | |
JP2723449B2 (ja) | ベーパーリフローはんだ付け装置 | |
JP2902298B2 (ja) | ベーパーリフローはんだ付け装置およびその制御方法 | |
JPS62148084A (ja) | ベ−パ−リフロ−式はんだ付装置 | |
JPH0347674A (ja) | 気相式はんだ付け装置 | |
JPS62148085A (ja) | ペ−パ−リフロ−式はんだ付け装置 | |
JPS6390362A (ja) | ベ−パ−リフロ−式はんだ付け装置 | |
JPH02307668A (ja) | はんだ付け方法 | |
JPH0211263A (ja) | ベーパリフローはんだ付け装置 | |
JPH02112872A (ja) | ベーパーリフロー式はんだ付け装置 | |
JPS57155059A (en) | Gas discharge method for solar heat collecting cylinder | |
JP6381990B2 (ja) | フラックスレス半田付け装置 | |
KR0143729B1 (ko) | 탄탈콘덴서의 열처리 장치 |