RU2014113560A - Источник плазмы - Google Patents
Источник плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014113560A RU2014113560A RU2014113560/07A RU2014113560A RU2014113560A RU 2014113560 A RU2014113560 A RU 2014113560A RU 2014113560/07 A RU2014113560/07 A RU 2014113560/07A RU 2014113560 A RU2014113560 A RU 2014113560A RU 2014113560 A RU2014113560 A RU 2014113560A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- filament
- source
- plasma
- voltage
- vacuum chamber
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32045—Circuits specially adapted for controlling the glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
- H01J37/32064—Circuits specially adapted for controlling the arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Источник плазмы на вакуумной камере для генерирования плазмы в вакуумной камере, причем источник плазмы содержит корпус источника с вдающимся в вакуумную камеру отверстием, и в корпусе источника предусмотрена нить накала, к которой через электрические проводники, проведенные изолированно через корпус источника, прикладывается напряжение накала, так что нить накала нагревается посредством протекания тока, отличающийся тем, что корпус источника электрически изолированно от вакуумной камеры размещен на ней, и предусмотрены средства, которые позволяют измерять падение напряжения Uмежду электрическими проводниками и корпусом источника, и предусмотрены средства для регулирования напряжения накала, которые выполнены с возможностью обрабатывать измеренное значение Uв качестве сигнала регулирования.2. Источник плазмы по п. 1, отличающийся тем, что напряжение накала подается посредством по меньшей мере одного импульсного источника питания, причем предпочтительно напряжение разряда U, необходимое для разряда, прикладывается центрировано и противоположно нити накала.3. Устройство с множеством источников плазмы по п. 1 или 2, отличающееся тем, что источники плазмы окружены, соответственно, по меньшей мере одной катушкой источника, и источники плазмы окружены охватывающей несколько источников плазмы внешней катушкой, проходящей по высоте обработки.4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что напряжение накала подается посредством по меньшей мере одного импульсного источника питания, причем предпочтительно напряжение разряда U, необходимое для разряда, прикладывается центрировано и противоположно нити накала.5
Claims (7)
1. Источник плазмы на вакуумной камере для генерирования плазмы в вакуумной камере, причем источник плазмы содержит корпус источника с вдающимся в вакуумную камеру отверстием, и в корпусе источника предусмотрена нить накала, к которой через электрические проводники, проведенные изолированно через корпус источника, прикладывается напряжение накала, так что нить накала нагревается посредством протекания тока, отличающийся тем, что корпус источника электрически изолированно от вакуумной камеры размещен на ней, и предусмотрены средства, которые позволяют измерять падение напряжения Ufloat между электрическими проводниками и корпусом источника, и предусмотрены средства для регулирования напряжения накала, которые выполнены с возможностью обрабатывать измеренное значение Ufloat в качестве сигнала регулирования.
2. Источник плазмы по п. 1, отличающийся тем, что напряжение накала подается посредством по меньшей мере одного импульсного источника питания, причем предпочтительно напряжение разряда Udisc, необходимое для разряда, прикладывается центрировано и противоположно нити накала.
3. Устройство с множеством источников плазмы по п. 1 или 2, отличающееся тем, что источники плазмы окружены, соответственно, по меньшей мере одной катушкой источника, и источники плазмы окружены охватывающей несколько источников плазмы внешней катушкой, проходящей по высоте обработки.
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что напряжение накала подается посредством по меньшей мере одного импульсного источника питания, причем предпочтительно напряжение разряда Udisc, необходимое для разряда, прикладывается центрировано и противоположно нити накала.
5. Способ генерирования плазмы в вакуумной камере, причем на вакуумной камере располагают источник плазмы с корпусом источника и нитью накала, и для поддержания плазмы корпус источника по отношению к вакуумной камере и нити накала поддерживают на плавающем электрическом потенциале, и причем для поддержания плазмы измеряют падение потенциала между нитью накала и корпусом источника, внутри которого горит плазма, и измеренное падение потенциала применяют для регулирования напряжения накала, приложенного к нити накала, причем напряжение накала приводит к созданию тока, нагревающего нить накала, и, тем самым, к электронной эмиссии.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что напряжение накала регулируют таким образом, что падение потенциала между корпусом источника и нитью накала поддерживают по существу постоянным.
7. Способ по п. 5 или 6, отличающийся тем, что падение потенциала между корпусом источника и нитью накала поддерживают на значениях между 0 В и -10 В.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102011112759A DE102011112759A1 (de) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | Plasmaquelle |
| DE102011112759.7 | 2011-09-08 | ||
| PCT/EP2012/003623 WO2013034258A1 (de) | 2011-09-08 | 2012-08-29 | Plasmaquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014113560A true RU2014113560A (ru) | 2015-10-20 |
| RU2622048C2 RU2622048C2 (ru) | 2017-06-09 |
Family
ID=46980879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014113560A RU2622048C2 (ru) | 2011-09-08 | 2012-08-29 | Источник плазмы |
Country Status (21)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9226379B2 (ru) |
| EP (1) | EP2754167B1 (ru) |
| JP (1) | JP6251676B2 (ru) |
| KR (1) | KR102028767B1 (ru) |
| CN (1) | CN103765551B (ru) |
| AR (1) | AR087804A1 (ru) |
| BR (1) | BR112014004654B1 (ru) |
| CA (1) | CA2846679C (ru) |
| DE (1) | DE102011112759A1 (ru) |
| DK (1) | DK2754167T3 (ru) |
| ES (1) | ES2704708T3 (ru) |
| HU (1) | HUE040659T2 (ru) |
| IN (1) | IN2014DN01967A (ru) |
| MX (1) | MX340593B (ru) |
| MY (1) | MY172720A (ru) |
| PL (1) | PL2754167T3 (ru) |
| RU (1) | RU2622048C2 (ru) |
| SG (1) | SG2014013429A (ru) |
| SI (1) | SI2754167T1 (ru) |
| TR (1) | TR201900085T4 (ru) |
| WO (1) | WO2013034258A1 (ru) |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3956666A (en) * | 1975-01-27 | 1976-05-11 | Ion Tech, Inc. | Electron-bombardment ion sources |
| US4301391A (en) * | 1979-04-26 | 1981-11-17 | Hughes Aircraft Company | Dual discharge plasma device |
| US4647818A (en) * | 1984-04-16 | 1987-03-03 | Sfe Technologies | Nonthermionic hollow anode gas discharge electron beam source |
| JPS6343240A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオン源 |
| JPH01267943A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | イオン源装置 |
| US4910435A (en) * | 1988-07-20 | 1990-03-20 | American International Technologies, Inc. | Remote ion source plasma electron gun |
| JPH0536370A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Origin Electric Co Ltd | イオン源における電力供給装置 |
| JPH0574395A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 電子源システム及びその制御法 |
| US5198677A (en) * | 1991-10-11 | 1993-03-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Production of N+ ions from a multicusp ion beam apparatus |
| JPH05275047A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
| CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
| US5523652A (en) * | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
| US6137231A (en) * | 1996-09-10 | 2000-10-24 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
| US6388381B2 (en) * | 1996-09-10 | 2002-05-14 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
| JP2965293B1 (ja) * | 1998-11-10 | 1999-10-18 | 川崎重工業株式会社 | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 |
| JP3414380B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2003-06-09 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置 |
| US6454910B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-09-24 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-assisted magnetron deposition |
| US6724160B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-04-20 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-source neutralization with a hot-filament cathode-neutralizer |
| US7138768B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode ion source |
| US7411352B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
| AU2003299015A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Applied Process Technologies, Inc. | Beam plasma source |
| JP2004165034A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源のフィラメント寿命予測方法およびイオン源装置 |
| US7038389B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-05-02 | Applied Process Technologies, Inc. | Magnetron plasma source |
| JP2004362901A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | イオンドーピング装置、イオンドーピング方法および半導体装置 |
| US7626180B2 (en) * | 2006-11-28 | 2009-12-01 | Showa Shinku Co., Ltd. | Charged particle beam apparatus, method for controlling charged particle, and frequency adjustment apparatus |
| JP5311263B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2013-10-09 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ | 被処理面を作製するための方法および真空プラズマ源 |
| JP4463310B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2010-05-19 | 三井造船株式会社 | イオン源 |
| US7843138B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-11-30 | Kaufman & Robinson, Inc. | Power supply for a hot-filament cathode |
-
2011
- 2011-09-08 DE DE102011112759A patent/DE102011112759A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-29 EP EP12769011.3A patent/EP2754167B1/de active Active
- 2012-08-29 ES ES12769011T patent/ES2704708T3/es active Active
- 2012-08-29 TR TR2019/00085T patent/TR201900085T4/tr unknown
- 2012-08-29 JP JP2014528885A patent/JP6251676B2/ja active Active
- 2012-08-29 CN CN201280043726.2A patent/CN103765551B/zh active Active
- 2012-08-29 PL PL12769011T patent/PL2754167T3/pl unknown
- 2012-08-29 CA CA2846679A patent/CA2846679C/en active Active
- 2012-08-29 US US14/343,549 patent/US9226379B2/en active Active
- 2012-08-29 MX MX2014002777A patent/MX340593B/es active IP Right Grant
- 2012-08-29 SG SG2014013429A patent/SG2014013429A/en unknown
- 2012-08-29 DK DK12769011.3T patent/DK2754167T3/en active
- 2012-08-29 HU HUE12769011A patent/HUE040659T2/hu unknown
- 2012-08-29 SI SI201231494T patent/SI2754167T1/sl unknown
- 2012-08-29 MY MYPI2014000663A patent/MY172720A/en unknown
- 2012-08-29 RU RU2014113560A patent/RU2622048C2/ru active
- 2012-08-29 WO PCT/EP2012/003623 patent/WO2013034258A1/de active Application Filing
- 2012-08-29 IN IN1967DEN2014 patent/IN2014DN01967A/en unknown
- 2012-08-29 KR KR1020147006192A patent/KR102028767B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-29 BR BR112014004654-9A patent/BR112014004654B1/pt active IP Right Grant
- 2012-09-07 AR ARP120103300A patent/AR087804A1/es active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140074288A (ko) | 2014-06-17 |
| CN103765551B (zh) | 2016-07-06 |
| JP2014526771A (ja) | 2014-10-06 |
| US20140217892A1 (en) | 2014-08-07 |
| PL2754167T3 (pl) | 2019-03-29 |
| KR102028767B1 (ko) | 2019-10-04 |
| CA2846679A1 (en) | 2013-03-14 |
| MY172720A (en) | 2019-12-11 |
| MX340593B (es) | 2016-07-15 |
| HUE040659T2 (hu) | 2019-03-28 |
| EP2754167B1 (de) | 2018-10-10 |
| DE102011112759A1 (de) | 2013-03-14 |
| WO2013034258A1 (de) | 2013-03-14 |
| SG2014013429A (en) | 2014-07-30 |
| TR201900085T4 (tr) | 2019-02-21 |
| BR112014004654B1 (pt) | 2021-09-21 |
| US9226379B2 (en) | 2015-12-29 |
| EP2754167A1 (de) | 2014-07-16 |
| RU2622048C2 (ru) | 2017-06-09 |
| ES2704708T3 (es) | 2019-03-19 |
| AR087804A1 (es) | 2014-04-16 |
| MX2014002777A (es) | 2014-12-05 |
| DK2754167T3 (en) | 2019-01-21 |
| CA2846679C (en) | 2019-10-22 |
| CN103765551A (zh) | 2014-04-30 |
| SI2754167T1 (sl) | 2019-02-28 |
| JP6251676B2 (ja) | 2017-12-20 |
| BR112014004654A2 (pt) | 2017-03-28 |
| IN2014DN01967A (ru) | 2015-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104094377B (zh) | 用于产生空心阴极电弧放电等离子体的装置 | |
| RU2012108082A (ru) | Регулируемый осветительный блок с управляемой ориентацией и интенсивностью луча света | |
| ATE550454T1 (de) | Plasmaquelle mit segmentierter magnetron-kathode | |
| MY153325A (en) | Water control device using electromagnetics | |
| JP6948316B2 (ja) | 間接加熱陰極イオン源 | |
| PT2208216E (pt) | Método para o funcionamento de uma fonte de arco e método para a deposição de camadas electricamente isolantes | |
| WO2019042587A8 (de) | Ansteuervorrichtung für eine röntgenröhre und verfahren zum betrieb einer röntgenröhre | |
| RU2015137774A (ru) | Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки | |
| RU2010149265A (ru) | Плазменный генератор и способ управления им | |
| RU2013131244A (ru) | Электролюминесцентное устройство с регулируемой цветовой точкой | |
| EP2551888A3 (en) | Electric discharge apparatus | |
| RU2014113560A (ru) | Источник плазмы | |
| CN206271656U (zh) | 霍尔离子源 | |
| PL427894A1 (pl) | Sposób inaktywacji drobnoustrojów w powietrzu oraz sterylizator elektryczny | |
| KR102228931B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 | |
| JP2012142171A (ja) | 電界放出型ｘ線発生装置 | |
| RU2638797C1 (ru) | Газоразрядное устройство для обработки термочувствительных поверхностей | |
| CN104916806B (zh) | 稳压防断锂电池组 | |
| RU2561235C1 (ru) | Датчик вакуума | |
| RU2549171C1 (ru) | Способ стабилизации параметров высоковольтных импульсов | |
| JP2013073865A (ja) | マイナスイオン発生装置 | |
| MY171336A (en) | Device and method for injecting ions into a stream of air | |
| KR101573268B1 (ko) | 하이브리드 이온생성장치 | |
| RU57511U1 (ru) | Ионный источник | |
| Ploetz | The Carbon Vapor Lamp |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |