BR112014004654B1 - Fonte de plasma, dispositivo com uma pluralidade de fontes de plasma e processo para a geração de um plasma - Google Patents
Fonte de plasma, dispositivo com uma pluralidade de fontes de plasma e processo para a geração de um plasma Download PDFInfo
- Publication number
- BR112014004654B1 BR112014004654B1 BR112014004654-9A BR112014004654A BR112014004654B1 BR 112014004654 B1 BR112014004654 B1 BR 112014004654B1 BR 112014004654 A BR112014004654 A BR 112014004654A BR 112014004654 B1 BR112014004654 B1 BR 112014004654B1
- Authority
- BR
- Brazil
- Prior art keywords
- plasma
- filament
- source
- vacuum chamber
- housing
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32018—Glow discharge
- H01J37/32045—Circuits specially adapted for controlling the glow discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32055—Arc discharge
- H01J37/32064—Circuits specially adapted for controlling the arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
fonte de plasma. a presente invenção refere-se a uma fonte de plasma que está disposta de modo flutuante em uma câmara de vácuo, no qual a fonte de plasma abrange um alojamento de fontes e no alojamento de fontes está previsto um filamento disposto isolado do mesmo, no qual estão previstos meios para a medição da queda de potencial entre o alojamento de fontes e o filamento. a queda de potencial medida pode ser utilizada para a regulagem da voltagem de aquecimento do filamento. de acordo com a invenção estão previstos os respectivos meios.
Description
[0001] A presente invenção refere-se a uma fonte de plasma. Além disso, a tradução refere-se a um processo para a geração de um plasma por meio de uma descarga termiônica.
[0002] Neste caso, um filamento é aquecido por meio de uma cor rente, o que leva à emissão de elétrons a partir da superfície aquecida do filamento. A emissão de elétrons a partir de superfícies aquecidas segue a lei descrita pela primeira vez por Richardson:
[0003] no qual J é a densidade da corrente, T é a temperatura e W o trabalho de emissão dos elétrons.
[0004] Quando a superfície do filamento atinge uma temperatura, a qual é superior a cerca de 2900 K para tungstênio, são emitidos suficientes elétrons a partir da superfície de modo que com a ajuda da qual, logo que, em razão de uma tensão, estejam suficientemente acelerados, o gás argônio, em tal contexto, possa ser ionizado de modo que um plasma permaneça conservado.
[0005] De acordo com o nível da técnica, o aquecimento do filamento é efetuado através de uma intensidade corrente constante. Na aplicação da tensão de corrente alternada, geralmente, o valor efetivo da corrente é regulado através de um controle de mudança de fase. Em operações sob altas temperaturas, o material do filamento evapora-se (por exemplo, tungstênio) por meio do qual fica reduzido o diâmetro do fio do filamento. A seguir aumenta a resistência do filamento definida pelo fio. Em uma corrente constante de aquecimento, isso conduz a um aquecimento mais forte e, assim, a evaporação acelerada do material do filamento. Em um curto período de tempo chega a ocorrer uma fusão completa. A figura 1a apresenta o diâmetro do filamento em função da duração da operação em uma corrente constante de aquecimento. De modo correspondente, a figura 1b apresenta a temperatura do filamento em função da duração da operação em uma corrente constante de aquecimento. Neste caso, é claramente visível que após uma diminuição inicialmente constante do diâmetro do fio ocorre uma rápida queima do filamento (pinch through effect).
[0006] A presente invenção tem por objetivo indicar um processo com o qual possa ser evitada tal queima rápida e assim possa ser aumentada a duração da operação, isto é, a vida útil do filamento.
[0007] Em sua tentativa de aumentar a vida útil, por um lado, os inventores verificaram que em temperatura mantida constante do fio do filamento, o diâmetro do fio diminui em uma taxa quase constante. A figura 3 apresenta o desenvolvimento do diâmetro do fio em função da duração de operação do filamento, com constante temperatura e para a comparação, uma medição com intensidade constante de corrente.
[0008] Em seus experimentos, por outro lado, os inventores verificaram, de um modo surpreendente que, em uma operação com constante queda de tensão entre o filamento e o plasma, a temperatura do filamento permanece quase constante e que a taxa de evaporação até decresce com a diminuição dos diâmetros de filamentos.
[0009] Portanto, de acordo com a invenção, o filamento não é operado com intensidade constante de corrente mas é operado com tensão constante.
[00010] Agora a invenção será descrita em pormenores, por meio de exemplos e com base nas figuras. A figura 4 apresenta uma fonte de plasma de acordo com o nível da técnica e que está disposta em uma câmara de vácuo 1. A fonte de plasma abrange um alojamento de fontes 3 com uma entrada 5 para o gás Argônio. No alojamento de fontes s 3 está previsto um filamento 9 o qual está conectado a um transformador 13 através de passagens isoladas 11 do alojamento de fontes 3. O filamento 9, no exemplo, consiste de um fio de tungstênio com 2 mm de espessura. No exemplo, o transformador é operado com uma tensão de corrente alternada com 50Hz. Por meio do filamento 9 flui uma corrente de aquecimento de aproximadamente 200A. Caso a superfície 9 alcance uma temperatura superior a 2900 K são emitidos elétrons suficientes a partir da superfície do filamento os quais, mediante a aplicação de uma tensão de descarga por meio da fonte de tensão 15 entre a câmara de vácuo 1 e o transformador 13 que, através da passagem 5, pode ionizar o gás argônio que flui na parte interna do alojamento de fontes 3. A ignição da descarga, no primeiro momento, ocorre através de uma resistência a qual conecta o alojamento da fonte 3 com a massa (não representada). Caso estejam disponíveis suficientes portadoras de carga, deste modo, a corrente de descarga pode ser conduzida pela abertura 17 (também denominada de orifício) para a câmara de vácuo 1.
[00011] Agora, de acordo com a invenção, conforme apresentado na figura 5, o alojamento de fontes é eletricamente isolado por meio do isolamento 7 disposto na câmara de vácuo 1 e é efetuada a medição da tensão entre o potencial flutuante mantido no alojamento de fontes 3 e a linha de alimentação para o filamento 9. O filamento 9 é aquecido por meio de uma corrente I. No filamento há uma queda de uma tensão Vheiz, a qual pode ser ajustada por meio de um transformador 13. Após o corpo de fonte 3 ser montada eletricamente flutuante, de acordo com a invenção, pode ser efetuada a medição do potencial entre a linha de alimentação designada como cátodo e o alojamento de fontes como característica para o estado da queda de potencial entre o filamento 9 e o plasma 19 submetido à ignição no interior do alojamento de fontes e, deste modo, ser avaliados para o estado de emissão de elétrons a partir do filamento. De acordo com a invenção, este estado é mantido, substancialmente, constante, por exemplo, por meio de regulagem da tensão de aquecimento Vheiz. Portanto, a medição de Vfloat permite a manutenção do melhor estado possível para conservar a emissão de elétrons. Deste modo, a temperatura do filamento pode ser mantida a melhor possível. Melhor possível neste contexto quer dizer que nesta temperatura da taxa de evaporação do material do filamento é aceitavelmente baixa, no entanto, suficientemente alta para assegurar uma alta emissão de elétrons suficiente para a conservação do plasma. Deste modo, a vida útil do filamento, isto é, a duração, em relação ao nível da técnica, é consideravelmente aumentada.
[00012] De acordo com uma forma de configuração da presente invenção, as disposições das fontes de plasma para o aquecimento e as corrosões do plasma por substratos abrangen uma pluralidade de fontes de plasma que funcionam de acordo com o princípio da emissão termoiônica. Os filamentos das fontes de plasma são aquecidos por meio de tensões aplicadas, por meio do qual, de acordo com a invenção, as tensões aplicadas são reguladas de modo que a tensão entre o filamento e o alojamento de fontes flutuantes atinge, de preferência, um valor substancialmente constante entre 0V e -10V.
[00013] De preferência, o aquecimento é efetuado através de uma fonte chaveada. De acordo com esta forma de configuração, em cada uma das fontes de plasma individuais estão previstas bobinas de fontes. O plasma na câmara de tratamento é distribuido através da combinação do campo magnético de uma bobina externa e os campos magnéticos das bobinas das fontes através de um nível de tratamento. A câmara de tratamento e/ou um ânodo flutuante efetuado isoladamente pode atuar como ânodo e descarga.
[00014] De acordo com outra forma de configuração da presente invenção, o transformador 13 é substituido por uma assim chamada fonte chaveada 21, conforme apresentado na figura 6. Este tipo de fonte chaveada 21 abrange um núcleo de ferrita 23, em torno do qual estão enrolados enrolamentos de uma bobina primária 25 (mostrados somente para uma parte dos núcleos de ferrita), enquanto as linhas adutoras ao filamento, por exemplo, formam apenas um laço. De acordo com a invenção, em ambas as linhas adutoras ao filamento está previsto um núcleo de ferrita e a tensão de descarga Udisc é aplicada centralmente no lado oposto ao filamento 9. Deste modo, isto é, com o auxílio da fonte chaveada é colocada em prática uma fonte de plasma muito pequena e compacta.
Claims (6)
1. Fonte de plasma em uma câmara de vácuo (1) para a geração de um plasma (19) na câmara de vácuo (1), sendo que a fonte de plasma compreende um alojamento de fontes (3) com uma abertura (17) que se projeta para o interior da câmara de vácuo (1) e, no alojamento de fontes (3), está previsto um filamento (9), ao qual pode ser aplicada uma tensão de aquecimento (Vheiz) através de condutores elétricos conduzidos isoladamente através do alojamento de fontes (3), de modo que o filamento (9) pode ser aquecido por meio de um fluxo de corrente, sendo que o alojamento de fontes (3) está disposto na câmara de vácuo (1) de modo eletricamente isolado, caracterizado pelo fato de que estão previstos meios, os quais permitem a medição da queda de tensão Ufloat entre o condutor elétrico ao filamento (9) e o alo-jamento de fontes (3) como característica para o estado da queda de potencial entre o filamento (9) e o plasma (19) submetido à ignição no interior do alojamento de fontes (3), e estão previstos meios para a regulagem da tensão de aquecimento (Vheiz), os quais estão configurados de modo que eles podem processar como sinal de ajuste do valor Ufloat medido, de modo que a queda de tensão Ufloat possa ser mantida constante e, assim, a temperatura do filamento (9) pode ser mantida constante.
2. Dispositivo com uma pluralidade de fontes de plasma, como definidas na reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que as fontes de plasma são, respectivamente, circundadas por pelo menos uma bobina de fontes e as fontes de plasma são circundadas por uma bobina externa que compreende várias fontes de plasma, de modo que o plasma (19) pode ser distribuído na câmara de tratamento sobre o nível de tratamento.
3. Dispositivo, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, carac- terizado pelo fato de que a tensão de aquecimento é alimentada por meio de pelo menos uma fonte chaveada (21), a qual preferencialmente compreende um núcleo de ferrita (23), em torno do qual são enrolados enrolamentos de uma bobina primária (25), sendo que preferencialmente uma tensão de descarga Udisc necessária para a descarga é aplicada centralmente em relação ao filamento (9) a no lado oposto ao filamento (9).
4. Processo para a geração de um plasma (19) em uma câmara de vácuo (1), caracterizado pelo fato de que na câmara de vácuo (1) está disposta uma fonte de plasma, como definida na reivindicação 1, e para a conservação do plasma (19), o alojamento de fontes (3) em relação à câmara de vácuo (1) e o filamento (9) é mantido a um potencial elétrico flutuante, isto é, mantido flutuante e sendo que, para a conservação do plasma (19), é medida a queda de potencial entre o filamento (9) e o alojamento de fontes (3), no interior do qual está um plasma (19) em ignição, e a queda de potencial medidaé utilizada para o ajuste de uma tensão de aquecimento aplicada ao filamento (9), sendo que a tensão de aquecimento dá origem a uma corrente que aquece o filamento (9) e, deste modo, a uma emissão de elétrons.
5. Processo, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado pelo fato de que a tensão de aquecimento é ajustada de modo que a queda de potencial entre o alojamento de fontes (3) e o filamento (9) é mantida constante.
6. Processo, de acordo com a reivindicação 4 ou 5, caracterizado pelo fato de que a queda de potencial entre o alojamento de fontes (3) e o filamento (9) é mantida a valores entre 0 V e -10 V.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102011112759A DE102011112759A1 (de) | 2011-09-08 | 2011-09-08 | Plasmaquelle |
DE102011112759.7 | 2011-09-08 | ||
PCT/EP2012/003623 WO2013034258A1 (de) | 2011-09-08 | 2012-08-29 | Plasmaquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
BR112014004654A2 BR112014004654A2 (pt) | 2017-03-28 |
BR112014004654B1 true BR112014004654B1 (pt) | 2021-09-21 |
Family
ID=46980879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
BR112014004654-9A BR112014004654B1 (pt) | 2011-09-08 | 2012-08-29 | Fonte de plasma, dispositivo com uma pluralidade de fontes de plasma e processo para a geração de um plasma |
Country Status (21)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9226379B2 (pt) |
EP (1) | EP2754167B1 (pt) |
JP (1) | JP6251676B2 (pt) |
KR (1) | KR102028767B1 (pt) |
CN (1) | CN103765551B (pt) |
AR (1) | AR087804A1 (pt) |
BR (1) | BR112014004654B1 (pt) |
CA (1) | CA2846679C (pt) |
DE (1) | DE102011112759A1 (pt) |
DK (1) | DK2754167T3 (pt) |
ES (1) | ES2704708T3 (pt) |
HU (1) | HUE040659T2 (pt) |
IN (1) | IN2014DN01967A (pt) |
MX (1) | MX340593B (pt) |
MY (1) | MY172720A (pt) |
PL (1) | PL2754167T3 (pt) |
RU (1) | RU2622048C2 (pt) |
SG (1) | SG2014013429A (pt) |
SI (1) | SI2754167T1 (pt) |
TR (1) | TR201900085T4 (pt) |
WO (1) | WO2013034258A1 (pt) |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3956666A (en) * | 1975-01-27 | 1976-05-11 | Ion Tech, Inc. | Electron-bombardment ion sources |
US4301391A (en) * | 1979-04-26 | 1981-11-17 | Hughes Aircraft Company | Dual discharge plasma device |
US4647818A (en) * | 1984-04-16 | 1987-03-03 | Sfe Technologies | Nonthermionic hollow anode gas discharge electron beam source |
JPS6343240A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-24 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオン源 |
JPH01267943A (ja) * | 1988-04-19 | 1989-10-25 | Agency Of Ind Science & Technol | イオン源装置 |
US4910435A (en) * | 1988-07-20 | 1990-03-20 | American International Technologies, Inc. | Remote ion source plasma electron gun |
JPH0536370A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Origin Electric Co Ltd | イオン源における電力供給装置 |
JPH0574395A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Hitachi Ltd | 電子源システム及びその制御法 |
US5198677A (en) * | 1991-10-11 | 1993-03-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Production of N+ ions from a multicusp ion beam apparatus |
JPH05275047A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入装置 |
CH687111A5 (de) * | 1992-05-26 | 1996-09-13 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Erzeugen einer Niederspannungsentladung, Vakuumbehandlungsanlage hierfuer sowie Anwendung des Verfahrens. |
US5523652A (en) * | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
US6137231A (en) * | 1996-09-10 | 2000-10-24 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
US6388381B2 (en) * | 1996-09-10 | 2002-05-14 | The Regents Of The University Of California | Constricted glow discharge plasma source |
JP2965293B1 (ja) * | 1998-11-10 | 1999-10-18 | 川崎重工業株式会社 | 電子ビーム励起プラズマ発生装置 |
JP3414380B2 (ja) * | 2000-11-14 | 2003-06-09 | 日新電機株式会社 | イオンビーム照射方法ならびに関連の方法および装置 |
US6454910B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-09-24 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-assisted magnetron deposition |
US6724160B2 (en) * | 2002-04-12 | 2004-04-20 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-source neutralization with a hot-filament cathode-neutralizer |
US7138768B2 (en) * | 2002-05-23 | 2006-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode ion source |
US7411352B2 (en) * | 2002-09-19 | 2008-08-12 | Applied Process Technologies, Inc. | Dual plasma beam sources and method |
AU2003299015A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Applied Process Technologies, Inc. | Beam plasma source |
JP2004165034A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源のフィラメント寿命予測方法およびイオン源装置 |
US7038389B2 (en) * | 2003-05-02 | 2006-05-02 | Applied Process Technologies, Inc. | Magnetron plasma source |
JP2004362901A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | イオンドーピング装置、イオンドーピング方法および半導体装置 |
US7626180B2 (en) * | 2006-11-28 | 2009-12-01 | Showa Shinku Co., Ltd. | Charged particle beam apparatus, method for controlling charged particle, and frequency adjustment apparatus |
JP5311263B2 (ja) * | 2007-11-01 | 2013-10-09 | エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ | 被処理面を作製するための方法および真空プラズマ源 |
JP4463310B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2010-05-19 | 三井造船株式会社 | イオン源 |
US7843138B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-11-30 | Kaufman & Robinson, Inc. | Power supply for a hot-filament cathode |
-
2011
- 2011-09-08 DE DE102011112759A patent/DE102011112759A1/de not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-08-29 EP EP12769011.3A patent/EP2754167B1/de active Active
- 2012-08-29 ES ES12769011T patent/ES2704708T3/es active Active
- 2012-08-29 TR TR2019/00085T patent/TR201900085T4/tr unknown
- 2012-08-29 JP JP2014528885A patent/JP6251676B2/ja active Active
- 2012-08-29 CN CN201280043726.2A patent/CN103765551B/zh active Active
- 2012-08-29 PL PL12769011T patent/PL2754167T3/pl unknown
- 2012-08-29 CA CA2846679A patent/CA2846679C/en active Active
- 2012-08-29 US US14/343,549 patent/US9226379B2/en active Active
- 2012-08-29 MX MX2014002777A patent/MX340593B/es active IP Right Grant
- 2012-08-29 SG SG2014013429A patent/SG2014013429A/en unknown
- 2012-08-29 DK DK12769011.3T patent/DK2754167T3/en active
- 2012-08-29 HU HUE12769011A patent/HUE040659T2/hu unknown
- 2012-08-29 SI SI201231494T patent/SI2754167T1/sl unknown
- 2012-08-29 MY MYPI2014000663A patent/MY172720A/en unknown
- 2012-08-29 RU RU2014113560A patent/RU2622048C2/ru active
- 2012-08-29 WO PCT/EP2012/003623 patent/WO2013034258A1/de active Application Filing
- 2012-08-29 IN IN1967DEN2014 patent/IN2014DN01967A/en unknown
- 2012-08-29 KR KR1020147006192A patent/KR102028767B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-29 BR BR112014004654-9A patent/BR112014004654B1/pt active IP Right Grant
- 2012-09-07 AR ARP120103300A patent/AR087804A1/es active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140074288A (ko) | 2014-06-17 |
CN103765551B (zh) | 2016-07-06 |
JP2014526771A (ja) | 2014-10-06 |
US20140217892A1 (en) | 2014-08-07 |
PL2754167T3 (pl) | 2019-03-29 |
KR102028767B1 (ko) | 2019-10-04 |
CA2846679A1 (en) | 2013-03-14 |
MY172720A (en) | 2019-12-11 |
MX340593B (es) | 2016-07-15 |
HUE040659T2 (hu) | 2019-03-28 |
EP2754167B1 (de) | 2018-10-10 |
DE102011112759A1 (de) | 2013-03-14 |
WO2013034258A1 (de) | 2013-03-14 |
RU2014113560A (ru) | 2015-10-20 |
SG2014013429A (en) | 2014-07-30 |
TR201900085T4 (tr) | 2019-02-21 |
US9226379B2 (en) | 2015-12-29 |
EP2754167A1 (de) | 2014-07-16 |
RU2622048C2 (ru) | 2017-06-09 |
ES2704708T3 (es) | 2019-03-19 |
AR087804A1 (es) | 2014-04-16 |
MX2014002777A (es) | 2014-12-05 |
DK2754167T3 (en) | 2019-01-21 |
CA2846679C (en) | 2019-10-22 |
CN103765551A (zh) | 2014-04-30 |
SI2754167T1 (sl) | 2019-02-28 |
JP6251676B2 (ja) | 2017-12-20 |
BR112014004654A2 (pt) | 2017-03-28 |
IN2014DN01967A (pt) | 2015-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7271489B2 (ja) | 高エネルギー効率、高出力のプラズマトーチ | |
EP2848096A1 (en) | Device for providing a flow of plasma | |
US20130171038A1 (en) | Magnetic flux channel coupled plasma reactor | |
Cothran et al. | Continuous and pulsed electron beam production from an uninterrupted plasma cathode | |
KR101591917B1 (ko) | 하이브리드 전기보일러 장치 및 그에 적합한 가열부 장치 | |
KR20150101787A (ko) | 고효율 할로우 음극과 이를 적용한 음극 시스템 | |
Borah et al. | Effect of E× B electron drift and plasma discharge in dc magnetron sputtering plasma | |
BR112014004654B1 (pt) | Fonte de plasma, dispositivo com uma pluralidade de fontes de plasma e processo para a geração de um plasma | |
KR102550943B1 (ko) | 삼극관형 전리 진공계 및 압력 측정 방법 | |
US1816619A (en) | Gaseous conduction device | |
KR102228931B1 (ko) | 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 | |
Tanaka et al. | Effect of magnetic field on the characteristics of a hollow cathode ion source | |
Toader et al. | High-density and low electron temperature direct current reflex plasma source | |
Akhmetov et al. | Studies of plasma production in a linear device with plane LaB6 cathode and hollow anode | |
US2178011A (en) | Circuits for discharge tubes | |
JP4114770B2 (ja) | 酸素イオン発生用真空処理装置 | |
CN113488364B (zh) | 一种多粒子热阴极潘宁离子源及回旋加速器 | |
Takamura et al. | Plasma-induced arc and its plasma response in a toroidal device | |
Paperny et al. | A source of accelerated metal plasma flow with controllable parameters | |
Ulanov et al. | Experimental Investigation of Transformer Coupled Toroidal Discharges | |
Tan et al. | Hydrogen and cesium monitor for H-magnetron sources | |
Isupov et al. | Low-pressure low-frequency inductive discharge with ferrite cores for large-scale plasma processing | |
Tube | 71. The Stellarator Concept. | |
SREENIVASAN | Parameters Influencing the Energy Spread in a Duoplasmatron Source | |
Shchelkanov et al. | The distributions of plasma parameters in the" Magnetor" device with hot cathode discharge |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
B25D | Requested change of name of applicant approved |
Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, TRUEBBACH (CH) |
|
B06F | Objections, documents and/or translations needed after an examination request according [chapter 6.6 patent gazette] | ||
B06U | Preliminary requirement: requests with searches performed by other patent offices: procedure suspended [chapter 6.21 patent gazette] | ||
B06A | Patent application procedure suspended [chapter 6.1 patent gazette] | ||
B09A | Decision: intention to grant [chapter 9.1 patent gazette] | ||
B16A | Patent or certificate of addition of invention granted [chapter 16.1 patent gazette] |
Free format text: PRAZO DE VALIDADE: 20 (VINTE) ANOS CONTADOS A PARTIR DE 29/08/2012, OBSERVADAS AS CONDICOES LEGAIS. |
|
B25D | Requested change of name of applicant approved |
Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH) |
|
B25G | Requested change of headquarter approved |
Owner name: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFAEFFIKON (CH) |