JPS6343240A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPS6343240A JPS6343240A JP18548986A JP18548986A JPS6343240A JP S6343240 A JPS6343240 A JP S6343240A JP 18548986 A JP18548986 A JP 18548986A JP 18548986 A JP18548986 A JP 18548986A JP S6343240 A JPS6343240 A JP S6343240A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- arc chamber
- ion source
- high frequency
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N carbonyl sulfide Chemical compound O=C=S JJWKPURADFRFRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に用いるイオン源に関する
。
。
本発明は、半導体製造装置に用いるイオン源において、
アークチェンバー内にコイルを設置することにより、専
用の電源を用いることなしにアークチェンバー内に熱電
子を供給し、電離効率を高め、イオン源動作圧力を低く
できるようにしたものである。
アークチェンバー内にコイルを設置することにより、専
用の電源を用いることなしにアークチェンバー内に熱電
子を供給し、電離効率を高め、イオン源動作圧力を低く
できるようにしたものである。
従来のRFイオン源に代表されるような、高周波をイオ
ン源アークチェンバーに導入して用いるイオン源は、自
然放射能、宇宙線などにより、自然界に極<微量に存在
している電子を、この高周波で振動させ、振動させられ
た電子がイオン源アークチェンバー内に導入された気体
と衝突することにより、気体を電離せしめプラズマを生
成することを原理としている。
ン源アークチェンバーに導入して用いるイオン源は、自
然放射能、宇宙線などにより、自然界に極<微量に存在
している電子を、この高周波で振動させ、振動させられ
た電子がイオン源アークチェンバー内に導入された気体
と衝突することにより、気体を電離せしめプラズマを生
成することを原理としている。
しかし、上記のようなイオン源では、初期の電離にかか
わる電子が積極的に供給されないために、プラズマ点燈
時に、アークチェンバー内の圧力を高くしなければなら
ないという欠点を有している。
わる電子が積極的に供給されないために、プラズマ点燈
時に、アークチェンバー内の圧力を高くしなければなら
ないという欠点を有している。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ために、特別な外部電源を用いることなしに、イオン源
アークチェンバー内に熱電子を供給し、プラズマ点燈時
のアークチェンバー内の圧力を低くできるイオン源を得
ることを目的としている。
ために、特別な外部電源を用いることなしに、イオン源
アークチェンバー内に熱電子を供給し、プラズマ点燈時
のアークチェンバー内の圧力を低くできるイオン源を得
ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明においては、イ
オン源アークチェンバー内に、真空容器外部に開閉スイ
ッチを有するコイルを設置した。
オン源アークチェンバー内に、真空容器外部に開閉スイ
ッチを有するコイルを設置した。
上記のようなコイルが設置されたイオン源においては、
イオン源アークチェンバー内にガスを導入し、かつ高周
波を供給し、プラズマを生成させる際、コイルに接続さ
れたスイッチで閉じると、このコイルに高周波によって
誘導される電流が流れ、コイル自身がジュール加熱され
、赤熱することにより、アークチェンバー内に熱電子が
供給される。この熱電子により、電離効率が高められ、
アークチェンバー内のガス圧をより低く保つことができ
る。また外部スイッチを開にすることにより、コイルに
生ずる誘導を容易に遮断でき、熱電子の供給をコントロ
ールすることができる。
イオン源アークチェンバー内にガスを導入し、かつ高周
波を供給し、プラズマを生成させる際、コイルに接続さ
れたスイッチで閉じると、このコイルに高周波によって
誘導される電流が流れ、コイル自身がジュール加熱され
、赤熱することにより、アークチェンバー内に熱電子が
供給される。この熱電子により、電離効率が高められ、
アークチェンバー内のガス圧をより低く保つことができ
る。また外部スイッチを開にすることにより、コイルに
生ずる誘導を容易に遮断でき、熱電子の供給をコントロ
ールすることができる。
以下に、この発明の実施例を図面にもとづいて説明する
。第1図は本発明によるイオン源の断面図である。アー
クチェンバー1は、内部にガスを導入する為のガス導入
口5を存するパイレックスの筒体であり、周囲を銅パイ
プにニッケルメッキされた高周波導入コイル2によって
囲繞されている。本願によるイオン源は、その全体がI
CF152フランジ上に固定設置されており、図示はさ
れないが、このフランジを当該真空容器に接続し、イオ
ン源本体を真空容器内部に設置することにより用いられ
る。熱電子供給用コイル3は、アークチェンバー内に設
置され、当該真空容器の外部におかれた開閉スイッチ4
に接続されている。今、ガス導入口5より、ガスを導入
し、コイル2により高周波を供給する際、スイッチ4を
閉じることにより、コイル3自身がジュール加熱され赤
熱し、アークチェンバー内に熱電子が供給される。この
熱電子が高周波導入コイル2に印加される高周波電圧に
より振動し、ガス導入口5より導入されたガスと衝突し
、このガスを電離し、目的とするイオンを得、かつ電離
電子が2次的に供給されることにより電離効率が高めら
れる。
。第1図は本発明によるイオン源の断面図である。アー
クチェンバー1は、内部にガスを導入する為のガス導入
口5を存するパイレックスの筒体であり、周囲を銅パイ
プにニッケルメッキされた高周波導入コイル2によって
囲繞されている。本願によるイオン源は、その全体がI
CF152フランジ上に固定設置されており、図示はさ
れないが、このフランジを当該真空容器に接続し、イオ
ン源本体を真空容器内部に設置することにより用いられ
る。熱電子供給用コイル3は、アークチェンバー内に設
置され、当該真空容器の外部におかれた開閉スイッチ4
に接続されている。今、ガス導入口5より、ガスを導入
し、コイル2により高周波を供給する際、スイッチ4を
閉じることにより、コイル3自身がジュール加熱され赤
熱し、アークチェンバー内に熱電子が供給される。この
熱電子が高周波導入コイル2に印加される高周波電圧に
より振動し、ガス導入口5より導入されたガスと衝突し
、このガスを電離し、目的とするイオンを得、かつ電離
電子が2次的に供給されることにより電離効率が高めら
れる。
この発明は、以上説明したように、アークチェンバー内
にコイルを設置し、SM R’H?Jtを利用すること
により、専用の外部電源を用いることなしに熱電子を供
給することができるので、電離効率を高め、プラズマ点
燈時のガス圧を引き下げることに効果を有する。
にコイルを設置し、SM R’H?Jtを利用すること
により、専用の外部電源を用いることなしに熱電子を供
給することができるので、電離効率を高め、プラズマ点
燈時のガス圧を引き下げることに効果を有する。
図面はイオン源断面図である。
l・・・アークチェンバー
2・・・高周波4入用コイル
3・・・熱電子供給用コイル
4・・・開閉スイッチ
5・・・ガス導入口
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
代理人 弁理士 最 上 務(他1名)イイ〉シiの
虻n図
虻n図
Claims (1)
- イオン源アークチェンバー内に、真空容器外部に開閉ス
イッチを有するコイルが設置されたことを特徴とするイ
オン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18548986A JPS6343240A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18548986A JPS6343240A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6343240A true JPS6343240A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16171665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18548986A Pending JPS6343240A (ja) | 1986-08-07 | 1986-08-07 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6343240A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103765551A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-04-30 | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) | 等离子体源 |
-
1986
- 1986-08-07 JP JP18548986A patent/JPS6343240A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103765551A (zh) * | 2011-09-08 | 2014-04-30 | 欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫) | 等离子体源 |
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