RU2014107763A - СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ XMП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ - Google Patents
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ XMП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014107763A RU2014107763A RU2014107763/05A RU2014107763A RU2014107763A RU 2014107763 A RU2014107763 A RU 2014107763A RU 2014107763/05 A RU2014107763/05 A RU 2014107763/05A RU 2014107763 A RU2014107763 A RU 2014107763A RU 2014107763 A RU2014107763 A RU 2014107763A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- group
- alkyl
- heterocyclic
- amino
- alkylaryl
- Prior art date
Links
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 3
- 229910006990 Si1-xGex Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910007020 Si1−xGex Inorganic materials 0.000 title 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract 28
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 15
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims abstract 10
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract 10
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 claims abstract 9
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract 3
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 claims abstract 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims abstract 3
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 claims abstract 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 11
- UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N oxo-[[1-[2-[2-[2-[4-(oxoazaniumylmethylidene)pyridin-1-yl]ethoxy]ethoxy]ethyl]pyridin-4-ylidene]methyl]azanium;dibromide Chemical compound [Br-].[Br-].C1=CC(=C[NH+]=O)C=CN1CCOCCOCCN1C=CC(=C[NH+]=O)C=C1 UUEVFMOUBSLVJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 6
- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 6
- 125000004181 carboxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 claims 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims 4
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 3
- 125000004648 C2-C8 alkenyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004649 C2-C8 alkynyl group Chemical group 0.000 claims 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims 2
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 1
- -1 nitrogen-containing heterocyclic compound Chemical class 0.000 claims 1
- SBOJXQVPLKSXOG-UHFFFAOYSA-N o-amino-hydroxylamine Chemical compound NON SBOJXQVPLKSXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F3/00—Brightening metals by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала SiGe, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП) содержащий:(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,(B) по меньшей мере один тип окислительного реагента,(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое включаетпо меньшей мере {к} фрагментов (Z), но исключены соли, анионы которыхявляются неорганическими, и единственным органическим катионом которыхявляется [NRRRR], где {к} равно 1, 2 или 3,(Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR), гетероциклическую алкоксигруппу (-ORв качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR), аминогруппу (-NRR), гетероциклическую аминогруппу (-NRW в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-Rили -N=R), гетероциклическую иминогруппу (=N-Rили -N=Rв качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (-P(=O)(OROR)), фосфатную группу (-O-P(=O)(OR)(OR)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)) или их протонированные или депротонированные формы,R, R, R, Rнезависимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,R, R, R, R, Rнезависимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,Rозначает алкилен или арилалкилен,R, R, Rнезависимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R, R, Rне содержат какой-либо фрагмент (Z),Rозначает алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и Rне содержат какой-либо фрагмент (Z),и(D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находит
Claims (14)
1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1, в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП) содержащий:
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,
(B) по меньшей мере один тип окислительного реагента,
(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое включает
по меньшей мере {к} фрагментов (Z), но исключены соли, анионы которых
являются неорганическими, и единственным органическим катионом которых
является [NR11R12R13R14]+, где {к} равно 1, 2 или 3,
(Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR2), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NRW в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (-P(=O)(OR7OR8)), фосфатную группу (-O-P(=O)(OR9)(OR10)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)2), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)2) или их протонированные или депротонированные формы,
R1, R2, R7, R9 независимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R3, R4, R5, R8, R10 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R6 означает алкилен или арилалкилен,
R11, R12, R13 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R11, R12, R13 не содержат какой-либо фрагмент (Z),
R14 означает алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R14 не содержат какой-либо фрагмент (Z),
и
(D) водную среду, в котором значение рН ХМП композиции находится в диапазоне от 2,5 до 5,5.
2. Способ по п. 1, в котором {k} равно 2 и в котором (Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры) или их протонированные или депротонированные формы.
3. Способ по п. 1, в котором ХМП композиция имеет значение рН, равным от 2,5 до 5,5, и содержит:
(A) частицы диоксида кремния в количестве, составляющем от 0,01 до 5 масс.% в пересчете на массу ХМП композиции,
(B) пероксид водорода в количестве, составляющем от 0,2 до 5 масс.% в пересчете на массу ХМП композиции,
(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое содержит по меньшей мере два фрагмента (Z) в количестве, составляющем от 0,001 до 5 масс.% в пересчете на массу ХМП композиции, где (Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры) или их протонированные или депротонированные формы,
R1 означает алкил, арил, алкиларил или арилалкил
R3 означает Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R4 означает Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R5 означает Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R6 означает алкилен или арилалкилен,
и
(D) водную среду.
4. Способ по п. 1, в котором
(С) означает
где n равно нулю (0), если Х означает кислород, и единице (1), если Х означает азот, и
Z1, Z2 и Z3 независимо друг от друга означают водород, C1-C8-алкил, первичный, вторичный или третичный С2-С8-гидроксиалкил, вторичный или третичный С3-С8-аминоалкил, где атом азота аминогруппы может образовать карбоциклическое или гетерокарбоциклическое ненасыщенное или насыщенное 5- или 6-членное кольцо, где гетероатомом является кислород или азот и гетероатомы не являются соседними, необязательно замещенное по одному или большему количеству атомов углерода С2-С8-гидроксиалкилом, С3-С8-алкоксиалкил, С3-С8-карбоксиалкил, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом, необязательно замещенным одной или большим количеством аминогрупп, С3-С8-карбоксиалкил, водород, первичный, вторичный или третичный С2-С8-гидроксиалкил, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом,
Z1 и Z2 образуют карбоциклическое или гетерокарбоциклическое ненасыщенное или насыщенное 5- или 6-членное кольцо, где гетероатомом является кислород или азот, их количество равно 1 или 2 и гетероатомы не являются соседними, необязательно замещенное по одному или большему количеству атомов углерода С2-С8-гидроксиалкилом, С3-С8-алкоксиалкил, С3-С8-карбоксиалкил, С2-С8-аминоалкил, необязательно замещенный С1-С4-алкилом, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом, необязательно замещенным одной или большим количеством аминогрупп, и
Z3 означает водород, C1-C8-алкил, С2-С8-алкенил или С2-С8-алкинил, или его соль, при условии, что Z1, Z2 и Z3 не являются одинаковыми и водород, С1-С8-алкил или их комбинации.
5. Способ по п. 1, в котором элементарный германий был внесен в канавки или выращен в канавках между STI (изолирующим с помощью мелких канавок) диоксидом кремния.
6. Способ по п. 1, где элементарный германий имеет форму слоя и/или нароста и имеет содержание германия и/или Si1-xGex, составляющее более 98 масс.% в пересчете на соответствующий слой и/или нарост.
7. Способ по п. 1, в котором содержание соединения (С) находится в интервале от 0,001 масс.% до 5 масс.% в пересчете на массу ХМП композиции.
8. Способ по п. 1, в котором соединение (С) представляет собой аминокарбоновую кислоту или ее соль.
9. Способ по п. 1, в котором соединение (С) представляет собой органическое соединение, включающее не менее двух карбоксигрупп (-СООН), или его соль.
10. Способ по п. 1, в котором соединение (С) представляет собой аминоспирт, простой аминоэфир или его соль.
11. Способ по п. 1, в котором соединение (С) представляет собой органическое соединение, содержащее по меньшей мере две гидроксигруппы (-ОН), или его соль.
12. Способ по любому из пп. 1-7, в котором соединение (С) представляет собой азотсодержащее гетероциклическое соединение или его соль.
13. Применение ХМП композиции, содержащей
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,
(B) по меньшей мере один тип окислительного агента,
(C) по меньшей мере один тип органического соединения, которое включает по меньшей мере {k} фрагментов (Z), но исключены соли, анионы которых являются неорганическими и единственным органическим катионом которых является [NR11R12R13R14]+, где {k} равно 1, 2 или 3,
(Z) означает гидроксигруппу (-ОН), алкоксигруппу (-OR1), гетероциклическую алкоксигруппу (-OR1 в качестве части гетероциклической структуры), карбоксигруппу (-СООН), карбоксилатную группу (-COOR2), аминогруппу (-NR3R4), гетероциклическую аминогруппу (-NR3R4 в качестве части гетероциклической структуры), иминогруппу (=N-R5 или -N=R6), гетероциклическую иминогруппу (=N-R5 или -N=R6 в качестве части гетероциклической структуры), фосфонатную группу (-P(=O)(OR7OR8)), фосфатную группу (-O-P(=O)(OR9)OR10)), остаток фосфоновой кислоты (-Р(=O)(ОН)2), остаток фосфорной кислоты (-O-Р(=O)(ОН)2) или их протонированные или депротонированные формы,
R1, R2, R7, R9 независимо друг от друга означают алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R3, R4, R5, R8, R10 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
R6 означает алкилен или арилалкилен,
R11, R12, R13 независимо друг от друга означают Н, алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R11, R12, R13 не содержат какой-либо фрагмент (Z),
R14 означает алкил, арил, алкиларил или арилалкил, и R14 не содержат какой-либо фрагмент (Z),
и
(D) водную среду
в котором значение рН ХМП композиции находится в интервале от 2,5 до 5,5, для химико-механического полирования подложки, включающей слой элементарного германия и/или Si1-xGex и/или нарост.
14. Применение ХМП композиции по п. 13, в которой
(С) означает
где n равно нулю (0), если Х означает кислород, и единице (1), если Х
означает азот, и
Z1, Z2 и Z3 независимо друг от друга означают водород, С1-С6-алкил, первичный, вторичный или третичный С2-С8-гидроксиалкил, вторичный или третичный С3-С8-аминоалкил, где атом азота аминогруппы может образовать карбоциклическое или гетерокарбоциклическое ненасыщенное или насыщенное 5- или 6-членное кольцо, где гетероатомом является кислород или азот и гетероатомы не являются соседними, необязательно замещенное по одному или большему количеству атомов углерода С2-С8-гидроксиалкилом, С3-С8-алкоксиалкил, С3-С8-карбоксиалкил, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом, необязательно замещенным одной или большим количеством аминогрупп, С3-С8-карбоксиалкил, водород, первичный, вторичный или третичный С2-С8-гидроксиалкил, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом,
Z1 и Z2 образуют карбоциклическое или гетерокарбоциклическое ненасыщенное или насыщенное 5- или 6-членное кольцо, где гетероатомом является кислород или азот, их количество равно 1 или 2 и гетероатомы не являются соседними, необязательно замещенное по одному или большему количеству атомов углерода С2-С8-гидроксиалкилом, С3-С8-алкоксиалкил, С3-С8-карбоксиалкил, С2-С8-аминоалкил, необязательно замещенный C1-C4-алкилом, С2-С8-аминогруппу, необязательно замещенную первичным, вторичным или третичным С2-С4-гидроксиалкилом, необязательно замещенным одной или большим количеством аминогрупп, и
Z3 означает водород, C1-C8-алкил, С2-С8-алкенил или С2-С8-алкинил, или его соль,
при условии, что Z1, Z2 и Z3 не являются одинаковыми и водород, С1-С8-алкил или их комбинации.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161513694P | 2011-08-01 | 2011-08-01 | |
| US61/513694 | 2011-08-01 | ||
| PCT/IB2012/053877 WO2013018015A2 (en) | 2011-08-01 | 2012-07-30 | A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION COMPRISING A SPECIFIC ORGANIC COMPOUND |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014107763A true RU2014107763A (ru) | 2015-09-10 |
| RU2605941C2 RU2605941C2 (ru) | 2016-12-27 |
Family
ID=47629744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014107763/05A RU2605941C2 (ru) | 2011-08-01 | 2012-07-30 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-x Gex В ПРИСУТСТВИИ ХМП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9443739B2 (ru) |
| EP (1) | EP2742103B1 (ru) |
| JP (1) | JP2014529183A (ru) |
| KR (1) | KR20140059216A (ru) |
| CN (1) | CN103827235B (ru) |
| RU (1) | RU2605941C2 (ru) |
| TW (1) | TWI548728B (ru) |
| WO (1) | WO2013018015A2 (ru) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9447306B2 (en) * | 2011-01-25 | 2016-09-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP polishing fluid, method for manufacturing same, method for manufacturing composite particle, and method for polishing base material |
| KR102028217B1 (ko) | 2011-11-25 | 2019-10-02 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
| CN105229098B (zh) * | 2013-05-15 | 2017-08-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含n,n,n＇,n＇‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物 |
| JP6139975B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2017-05-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| EP2810997A1 (en) | 2013-06-05 | 2014-12-10 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition |
| KR101842033B1 (ko) * | 2014-01-06 | 2018-03-26 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀 제조용 조성물 및 이를 이용한 그래핀의 제조 방법 |
| JP6436638B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2018-12-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP6094541B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2017-03-15 | 信越半導体株式会社 | ゲルマニウムウェーハの研磨方法 |
| US20160053381A1 (en) * | 2014-08-22 | 2016-02-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Germanium chemical mechanical polishing |
| US9530655B2 (en) | 2014-09-08 | 2016-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacting Company, Ltd. | Slurry composition for chemical mechanical polishing of Ge-based materials and devices |
| US9431261B2 (en) | 2014-12-01 | 2016-08-30 | The Boeing Company | Removal of defects by in-situ etching during chemical-mechanical polishing processing |
| JP2018506176A (ja) * | 2014-12-16 | 2018-03-01 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | ゲルマニウムを含む基板の高効率研磨のための化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物 |
| US9916985B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-03-13 | International Business Machines Corporation | Indium phosphide smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| US9646841B1 (en) | 2015-10-14 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Group III arsenide material smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| US9646842B1 (en) | 2015-10-14 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Germanium smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| KR102640734B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2024-02-27 | 솔브레인 주식회사 | 유기막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 기판 연마 방법 |
| KR102462501B1 (ko) | 2016-01-15 | 2022-11-02 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 조성물을 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법 |
| SG11201900141UA (en) | 2016-08-26 | 2019-03-28 | Ferro Corp | Slurry composition and method of selective silica polishing |
| US10600655B2 (en) * | 2017-08-10 | 2020-03-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for tungsten |
| JP2021089906A (ja) * | 2018-03-22 | 2021-06-10 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ゲルマニウム溶解抑制剤 |
| US11697183B2 (en) | 2018-07-26 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fabrication of a polishing pad for chemical mechanical polishing |
| US10920105B2 (en) | 2018-07-27 | 2021-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Materials and methods for chemical mechanical polishing of ruthenium-containing materials |
| KR20200097966A (ko) | 2019-02-11 | 2020-08-20 | 삼성전자주식회사 | 연마 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3429080A (en) * | 1966-05-02 | 1969-02-25 | Tizon Chem Corp | Composition for polishing crystalline silicon and germanium and process |
| US5391258A (en) * | 1993-05-26 | 1995-02-21 | Rodel, Inc. | Compositions and methods for polishing |
| US5897375A (en) | 1997-10-20 | 1999-04-27 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical polishing (CMP) slurry for copper and method of use in integrated circuit manufacture |
| US20020197935A1 (en) * | 2000-02-14 | 2002-12-26 | Mueller Brian L. | Method of polishing a substrate |
| TW583310B (en) * | 2000-12-22 | 2004-04-11 | Ashland Inc | Composition comprising an oxidizing and complexing compound |
| US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
| CN1223308C (zh) * | 2003-01-28 | 2005-10-19 | 上海第二医科大学附属仁济医院 | 一种用于神经内窥镜手术的抽液装置 |
| CA2532114A1 (en) | 2003-07-11 | 2005-01-27 | W.R. Grace & Co.-Conn. | Abrasive particles for chemical mechanical polishing |
| JP4759298B2 (ja) | 2005-03-30 | 2011-08-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法 |
| JP4749775B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-08-17 | 山口精研工業株式会社 | ウェーハ研磨液組成物及びウェーハ研磨方法 |
| US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
| DE102007019565A1 (de) | 2007-04-25 | 2008-09-04 | Siltronic Ag | Verfahren zum einseitigen Polieren von Halbleiterscheiben und Halbleiterscheibe mit einer verspannt-relaxierten Si1-xGex-Schicht |
| US20090001339A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tae Young Lee | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same |
| JP5529736B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2014-06-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化材料を化学的機械的に研磨するための組成物及び方法 |
| US7678605B2 (en) | 2007-08-30 | 2010-03-16 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| US7915071B2 (en) * | 2007-08-30 | 2011-03-29 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| FR2932108B1 (fr) * | 2008-06-10 | 2019-07-05 | Soitec | Polissage de couches de germanium |
| DE102008059044B4 (de) | 2008-11-26 | 2013-08-22 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe mit einer verspannt-relaxierten Si1-xGex-Schicht |
| JP5481166B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2014-04-23 | 株式会社クラレ | 化学的機械的研磨用スラリー |
-
2012
- 2012-07-30 TW TW101127387A patent/TWI548728B/zh active
- 2012-07-30 JP JP2014523427A patent/JP2014529183A/ja active Pending
- 2012-07-30 RU RU2014107763/05A patent/RU2605941C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-07-30 WO PCT/IB2012/053877 patent/WO2013018015A2/en active Application Filing
- 2012-07-30 EP EP12819882.7A patent/EP2742103B1/en not_active Not-in-force
- 2012-07-30 KR KR1020147005585A patent/KR20140059216A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-30 CN CN201280038321.XA patent/CN103827235B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-30 US US14/236,539 patent/US9443739B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140170852A1 (en) | 2014-06-19 |
| TWI548728B (zh) | 2016-09-11 |
| WO2013018015A2 (en) | 2013-02-07 |
| EP2742103A2 (en) | 2014-06-18 |
| RU2605941C2 (ru) | 2016-12-27 |
| CN103827235A (zh) | 2014-05-28 |
| EP2742103A4 (en) | 2015-03-25 |
| WO2013018015A3 (en) | 2013-03-28 |
| JP2014529183A (ja) | 2014-10-30 |
| US9443739B2 (en) | 2016-09-13 |
| KR20140059216A (ko) | 2014-05-15 |
| EP2742103B1 (en) | 2016-09-21 |
| TW201323590A (zh) | 2013-06-16 |
| CN103827235B (zh) | 2016-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014107763A (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ XMП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ | |
| JP2014529183A5 (ru) | ||
| TW201612988A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| MY166785A (en) | Chemical mechanical polishing composition comprising polyvinyl phosphonic acid and its derivatives | |
| JP2011124556A5 (ja) | 半導体装置 | |
| TR201903195T4 (tr) | Apiksaban formülasyonları. | |
| BR112015014907A2 (pt) | composto contendo um material ativo para uma bateria de íon-lítio recarregável e contendo ainda um material à base de carbono condutor de íons de lítio; e processo para preparação do material ativo do composto | |
| RU2014107762A (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5 | |
| JP2011124557A5 (ja) | 半導体装置 | |
| MX2018008131A (es) | Forma cristalina del inhibidor de la btk quinasa y metodo de preparacion de la misma. | |
| JP2011523207A5 (ru) | ||
| MX2013008861A (es) | Material activo de electrodo positivo para baterias secundarias de iones de litio. | |
| GB201220382D0 (en) | Electronic device | |
| NZ701894A (en) | Dimethyl-benzoic acid compounds | |
| TW201612284A (en) | Polishing composition | |
| EP2662427A3 (en) | Chemical mechanical polishing composition having chemical additives and methods for using same | |
| MX344378B (es) | Dialcanolaminas como aditivos para moler solidos. | |
| IN2014CN03646A (ru) | ||
| TW200705555A (en) | Method for manufacturing SIMOX wafer and SIMOX wafer | |
| PE20090699A1 (es) | Metodos para preparar compuestos basados en imidazol | |
| DE60311831D1 (de) | Entzündungshemmende bzw. antiallergische androstankomplexe | |
| RU2008130376A (ru) | Способ приготовления слоистых наночастиц и полученные наночастицы | |
| HRP20190719T1 (hr) | Sastavi i postupci za smanjenje reproduktivnog kapaciteta ženskih štakora | |
| TW200943388A (en) | Method of forming an embedded silicon carbon epitaxial layer | |
| EP2579296A4 (en) | MANUFACTURING PROCESS FOR JOINT WAFERS |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HC9A | Changing information about author(s) | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180731 |