RU2014107762A - СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5 - Google Patents
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5 Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014107762A RU2014107762A RU2014107762/28A RU2014107762A RU2014107762A RU 2014107762 A RU2014107762 A RU 2014107762A RU 2014107762/28 A RU2014107762/28 A RU 2014107762/28A RU 2014107762 A RU2014107762 A RU 2014107762A RU 2014107762 A RU2014107762 A RU 2014107762A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cmp composition
- composition
- cmp
- oxidizing agent
- particles
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 7
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 229910006990 Si1-xGex Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910007020 Si1−xGex Inorganic materials 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 12
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала на основе SiGe, в котором 0,1≤x<1,в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), обладающей значением pH в диапазоне от 3,0 до 5,5 и содержащей:(A) частицы диоксида кремния,(B) по меньшей мере один тип окислителя и(C) водную среду.2. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.3. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 0,1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.4. Способ по п. 1, в котором элементарным германием были заполнены канавки или элементарный германий был выращен в канавках между диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, используемым в полупроводниковой промышленности.5. Способ по п. 1, в котором элементарный германий обладает формой слоя и/или нароста и обладает содержанием германия, составляющим более 98% в пересчете на полную м�
Claims (14)
1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала на основе Si1-xGex, в котором 0,1≤x<1,
в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), обладающей значением pH в диапазоне от 3,0 до 5,5 и содержащей:
(A) частицы диоксида кремния,
(B) по меньшей мере один тип окислителя и
(C) водную среду.
2. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
3. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 0,1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
4. Способ по п. 1, в котором элементарным германием были заполнены канавки или элементарный германий был выращен в канавках между диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, используемым в полупроводниковой промышленности.
5. Способ по п. 1, в котором элементарный германий обладает формой слоя и/или нароста и обладает содержанием германия, составляющим более 98% в пересчете на полную массу соответствующего слоя и/или нароста.
6. Способ по п. 1, в котором окислителем (В) является пероксид водорода.
7. Способ по п. 1, в котором содержание частиц (А) находится в диапазоне от 0,01 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции.
8. Способ по п. 1, в котором содержание окислителя (В) находится в диапазоне от 0,4 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции.
9. Способ по п. 1, в котором значение pH ХМП композиции находится в диапазоне от 3,7 до 4,3.
10. Способ по п. 1, в котором ХМП композиция обладает значением pH от 3,0 до 5,5 и содержит в качестве компонентов (А)-(С)
(A) коллоидные частицы диоксида кремния в количестве, составляющем от 0,01 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
(B) пероксид водорода в количестве, составляющем от 0,4 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, и
(C) воду
и дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, причем указанная дополнительная добавка является добавкой, представляющей собой вещества, отличные от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
11. Способ по любому из пп. 1-10, в котором селективность по отношению к германию по сравнению с диоксидом кремния, рассчитанная на основании скоростей удаления материалов, составляет больше чем 4,5:1.
12. Применение ХМП композиции, обладающей значением pH в диапазоне от 3,5 до 4,5 и содержащей
(A) частицы диоксида кремния,
(B) по меньшей мере один тип окислителя и
(C) водную среду,
для химико-механического полирования подложки, содержащей слой и/или нарост на основе элементарного германия.
13. Применение по п. 12, в котором частицы (А) представляют собой коллоидные частицы диоксида кремния, окислитель (В) представляет собой пероксид водорода.
14. Применение по п. 13, в котором ХМП композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161513691P | 2011-08-01 | 2011-08-01 | |
| US61/513691 | 2011-08-01 | ||
| PCT/IB2012/053878 WO2013018016A2 (en) | 2011-08-01 | 2012-07-30 | A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-XGeX MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014107762A true RU2014107762A (ru) | 2015-09-10 |
Family
ID=47629745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014107762/28A RU2014107762A (ru) | 2011-08-01 | 2012-07-30 | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140199841A1 (ru) |
| EP (1) | EP2741892A4 (ru) |
| JP (1) | JP2014527298A (ru) |
| KR (1) | KR20140071353A (ru) |
| CN (1) | CN103717351A (ru) |
| IN (1) | IN2014CN01603A (ru) |
| RU (1) | RU2014107762A (ru) |
| TW (1) | TW201311842A (ru) |
| WO (1) | WO2013018016A2 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013077369A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| KR20150014924A (ko) * | 2012-04-18 | 2015-02-09 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
| EP2810997A1 (en) | 2013-06-05 | 2014-12-10 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition |
| SG11201704506UA (en) | 2014-12-16 | 2017-06-29 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (cmp) composition for high effective polishing of substrates comprising germanium |
| US10570313B2 (en) * | 2015-02-12 | 2020-02-25 | Versum Materials Us, Llc | Dishing reducing in tungsten chemical mechanical polishing |
| US9916985B2 (en) | 2015-10-14 | 2018-03-13 | International Business Machines Corporation | Indium phosphide smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| US9646841B1 (en) | 2015-10-14 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Group III arsenide material smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| US9646842B1 (en) | 2015-10-14 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Germanium smoothing and chemical mechanical planarization processes |
| JP6918600B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2021-08-11 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 処理液生成装置及びそれを用いた基板処理装置 |
| US11670522B2 (en) | 2016-07-29 | 2023-06-06 | Shibaura Mechatronics Corporation | Processing liquid generator and substrate processing apparatus using the same |
| TWI821407B (zh) | 2018-09-28 | 2023-11-11 | 日商福吉米股份有限公司 | 研磨用組合物、研磨方法及基板之製造方法 |
| US20220348791A1 (en) | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, polishing method, and method for producing polished substrate |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3429080A (en) * | 1966-05-02 | 1969-02-25 | Tizon Chem Corp | Composition for polishing crystalline silicon and germanium and process |
| JP3027551B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-04-04 | キヤノン株式会社 | 基板保持装置ならびに該基板保持装置を用いた研磨方法および研磨装置 |
| FR2773177B1 (fr) * | 1997-12-29 | 2000-03-17 | France Telecom | Procede d'obtention d'une couche de germanium ou silicium monocristallin sur un substrat de silicium ou germanium monocristallin, respectivement, et produits multicouches obtenus |
| JP4090589B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2008-05-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6270395B1 (en) * | 1998-09-24 | 2001-08-07 | Alliedsignal, Inc. | Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials |
| US6890835B1 (en) * | 2000-10-19 | 2005-05-10 | International Business Machines Corporation | Layer transfer of low defect SiGe using an etch-back process |
| EP1566420A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-24 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| US6893936B1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-05-17 | International Business Machines Corporation | Method of Forming strained SI/SIGE on insulator with silicon germanium buffer |
| CN1300271C (zh) * | 2004-09-24 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
| CN100335581C (zh) * | 2004-11-24 | 2007-09-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 |
| TWI402335B (zh) * | 2006-09-08 | 2013-07-21 | Kao Corp | 研磨液組合物 |
| US7678605B2 (en) * | 2007-08-30 | 2010-03-16 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| FR2932108B1 (fr) * | 2008-06-10 | 2019-07-05 | Soitec | Polissage de couches de germanium |
| CN101372606B (zh) * | 2008-10-14 | 2013-04-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用氧化铈化学机械抛光液抛光硫系化合物相变材料的方法 |
| US8110483B2 (en) * | 2009-10-22 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | Forming an extremely thin semiconductor-on-insulator (ETSOI) layer |
-
2012
- 2012-07-30 RU RU2014107762/28A patent/RU2014107762A/ru not_active Application Discontinuation
- 2012-07-30 IN IN1603CHN2014 patent/IN2014CN01603A/en unknown
- 2012-07-30 CN CN201280037681.8A patent/CN103717351A/zh active Pending
- 2012-07-30 KR KR1020147005643A patent/KR20140071353A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-07-30 EP EP12819369.5A patent/EP2741892A4/en not_active Withdrawn
- 2012-07-30 TW TW101127386A patent/TW201311842A/zh unknown
- 2012-07-30 US US14/130,629 patent/US20140199841A1/en not_active Abandoned
- 2012-07-30 WO PCT/IB2012/053878 patent/WO2013018016A2/en active Application Filing
- 2012-07-30 JP JP2014523428A patent/JP2014527298A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201311842A (zh) | 2013-03-16 |
| KR20140071353A (ko) | 2014-06-11 |
| EP2741892A2 (en) | 2014-06-18 |
| JP2014527298A (ja) | 2014-10-09 |
| IN2014CN01603A (ru) | 2015-05-08 |
| WO2013018016A2 (en) | 2013-02-07 |
| CN103717351A (zh) | 2014-04-09 |
| WO2013018016A3 (en) | 2013-03-28 |
| EP2741892A4 (en) | 2015-03-18 |
| US20140199841A1 (en) | 2014-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014107762A (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ Si1-xGex В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5 | |
| JP2014527298A5 (ru) | ||
| KR102515964B1 (ko) | 연마용 조성물 | |
| CN104576396B (zh) | 利于制造环绕式栅极纳米线场效电晶体的方法 | |
| CN104051267B (zh) | 在sti沟槽中形成半导体材料的方法 | |
| WO2006099171A3 (en) | NOVEL GeSiSn-BASED COMPOUNDS, TEMPLATES, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURES | |
| CN108504288B (zh) | 包含元素硅的膜的化学机械平面化 | |
| KR20200098708A (ko) | 개선된 토포그래피를 갖는 텅스텐 버프 연마 조성물 | |
| JP2007509503A5 (ru) | ||
| CA2407055A1 (en) | Precipitated silicas, silica gels with and free of deposited carbon from caustic biomass ash solutions and processes | |
| JP2017507498A5 (ru) | ||
| SG11201805718RA (en) | Polishing composition and method for polishing silicon substrate | |
| WO2012094046A3 (en) | Zintl phases for thermoelectric applications | |
| TW200629378A (en) | Semiconductor wafer having a silicon-germanium layer, and a method for its production | |
| CN105585965A (zh) | 研磨组成物 | |
| TW201335348A (zh) | 研磨用組成物 | |
| JPWO2013021946A1 (ja) | 化合物半導体研磨用組成物 | |
| KR102050783B1 (ko) | 연마용 조성물 | |
| JP2013115155A (ja) | 研磨用組成物 | |
| CN105244263A (zh) | 一种提高SiGe源/漏区质量的制造方法 | |
| SG155841A1 (en) | Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it | |
| JP2013197211A (ja) | 研磨用組成物 | |
| TW200717607A (en) | Use of surfactants to control unintentional dopant in semiconductors | |
| Sioncke et al. | Engineering the III-V gate stack properties by optimization of the ALD process | |
| WO2010108480A3 (de) | VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER Zn(S, O)-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20160906 |