RU2014102953A - Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя с использованием кристалла ниобата лития, спаянного с золотом и индием - Google Patents
Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя с использованием кристалла ниобата лития, спаянного с золотом и индием Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014102953A RU2014102953A RU2014102953/28A RU2014102953A RU2014102953A RU 2014102953 A RU2014102953 A RU 2014102953A RU 2014102953/28 A RU2014102953/28 A RU 2014102953/28A RU 2014102953 A RU2014102953 A RU 2014102953A RU 2014102953 A RU2014102953 A RU 2014102953A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- manufacturing
- converting element
- gold
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 26
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 16
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 16
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 16
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 14
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 2
- 240000006240 Linum usitatissimum Species 0.000 claims 1
- 235000004431 Linum usitatissimum Nutrition 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N gold indium Chemical compound [In].[Au] GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N lithium-7 atom Chemical compound [7Li] WHXSMMKQMYFTQS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 claims 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0644—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using a single piezoelectric element
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C17/00—Monitoring; Testing ; Maintaining
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21C—NUCLEAR REACTORS
- G21C17/00—Monitoring; Testing ; Maintaining
- G21C17/02—Devices or arrangements for monitoring coolant or moderator
- G21C17/022—Devices or arrangements for monitoring coolant or moderator for monitoring liquid coolants or moderators
- G21C17/025—Devices or arrangements for monitoring coolant or moderator for monitoring liquid coolants or moderators for monitoring liquid metal coolants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/072—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/073—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя, содержащего верхний стальной или металлический электрод (2), преобразующий элемент (3), выполненный из пьезоэлектрического материала, и стальную или металлическую подложку (1), которая обеспечивает интерфейс между преобразующим элементом и средой распространения акустических волн, первое соединение (J) между подложкой и пьезоэлектрическим материалом и второе соединение (J) между преобразующим элементом и верхним электродом, отличающийся тем, что для выполнения вышеупомянутых соединений он содержит следующие этапы:- нанесение слоя золота с последующим нанесением слоя индия на одну из поверхностей верхнего электрода, на обе поверхности преобразующего элемента и на поверхность стальной подложки;- пакетирование подложки, преобразующего элемента и верхнего электрода, выполняемое под давлением;- выполнение первого соединения и второго соединения на основе смеси золота и индия посредством операции пайки и диффузии;- вышеупомянутая операция пайки и диффузии включает в себя следующие этапы:- первый этап подъема температуры до первой температуры от приблизительно 150°C до приблизительно 400°C, и поддержание этой первой температуры в течение первого периода времени, соответствующего первому плато;- второй этап подъема температуры до второй температуры от приблизительно 400°C до приблизительно 1000°C, и поддержание этой второй температуры в течение второго периода времени, соответствующего второму плато.2. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя, содержащего верхний стальной или металлический электрод (2),
Claims (23)
1. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя, содержащего верхний стальной или металлический электрод (2), преобразующий элемент (3), выполненный из пьезоэлектрического материала, и стальную или металлическую подложку (1), которая обеспечивает интерфейс между преобразующим элементом и средой распространения акустических волн, первое соединение (J1) между подложкой и пьезоэлектрическим материалом и второе соединение (J2) между преобразующим элементом и верхним электродом, отличающийся тем, что для выполнения вышеупомянутых соединений он содержит следующие этапы:
- нанесение слоя золота с последующим нанесением слоя индия на одну из поверхностей верхнего электрода, на обе поверхности преобразующего элемента и на поверхность стальной подложки;
- пакетирование подложки, преобразующего элемента и верхнего электрода, выполняемое под давлением;
- выполнение первого соединения и второго соединения на основе смеси золота и индия посредством операции пайки и диффузии;
- вышеупомянутая операция пайки и диффузии включает в себя следующие этапы:
- первый этап подъема температуры до первой температуры от приблизительно 150°C до приблизительно 400°C, и поддержание этой первой температуры в течение первого периода времени, соответствующего первому плато;
- второй этап подъема температуры до второй температуры от приблизительно 400°C до приблизительно 1000°C, и поддержание этой второй температуры в течение второго периода времени, соответствующего второму плато.
2. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя, содержащего верхний стальной или металлический электрод (2), преобразующий элемент (3), выполненный из пьезоэлектрического материала, и стальную или металлическую подложку (1), которая обеспечивает интерфейс между преобразующим элементом и средой распространения акустических волн, первое соединение (J1) между подложкой и пьезоэлектрическим материалом и второе соединение (J2) между преобразующим элементом и верхним электродом, отличающийся тем, что он дополнительно содержит следующие этапы для выполнения вышеупомянутых соединений:
- нанесение слоя золота с последующим нанесением слоя индия на первую поверхность преобразующего элемента и на поверхность стальной подложки;
- вторая поверхность преобразующего элемента независимо от обработки, осуществленной на поверхности электрода, оставлена не покрытой или покрыта слоем золота с последующим покрытием слоем индия, или покрыта слоем золота или любым другим материалом, предпочтительно не окисляемым, и электрические и диэлектрические свойства которого совместимы с электрическим резистивным и/или емкостным, например, контактным соединением преобразующего элемента и электрода;
- поверхность электрода, может быть независимо от обработки, осуществленной на второй поверхности преобразователя, оставлена не покрытой или покрыта слоем золота с последующим покрытием слоем индия, или покрытая слоем золота, или любым другим материалом, предпочтительно не окисляемым, и электрические и диэлектрические свойства которого совместимы с электрическим резистивным и/или емкостным, например, контактным соединением, электрода и преобразующего элемента;
- пакетирование подложки и преобразующего элемента, выполняемое под давлением, причем вышеупомянутая первая поверхность преобразующего элемента обращена к упомянутой подложке;
- выполнение первого соединения на основе смеси золота и индия посредством операции пайки и диффузии;
- вышеупомянутая операция пайки и диффузии содержит следующие этапы:
- первый этап подъема температуры до первой температуры от приблизительно 150°C до приблизительно 400°C, и поддержание этой первой температуры в течение первого периода времени, соответствующего первому плато;
- второй этап подъема температуры до второй температуры от приблизительно 400°C до приблизительно 1000°C, и поддержание этой второй температуры в течение второго периода времени, соответствующего второму плато.
- пакетирование верхнего электрода на преобразующем элементе;
- выполнение второго соединения посредством контакта между преобразующим элементом и верхним электродом.
3. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что пьезоэлектрический материал представляет собой ниобат лития.
4. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что атомный процент индия ниже приблизительно на 35%.
5. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по п. 3, отличающийся тем, что ниобат лития представляет собой чистый ниобат лития или ниобат лития, обогащенный изотопом литий-7.
6. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя по п. 3, отличающийся тем, что ниобат лития имеет Z-срез (Y 90°).
7. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя по п. 3, отличающийся тем, что ниобат лития имеет Y-срез 36° или Y-срез 163°.
8. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что вышеупомянутая первая температура превышает температуру плавления чистого индия.
9. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по п. 8, отличающийся тем, что вышеупомянутая первая температура составляет порядка 170°C.
10. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что вышеупомянутая вторая температура составляет около 650°C.
11. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что первая температура несколько возрастает в течение первого периода времени.
12. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что первый период времени составляет около 1 ч, второй период времени составляет около 2 ч, подъем температуры между вышеупомянутой первой температурой и вышеупомянутой второй температурой составляет около 4 ч.
13. Способ изготовления преобразователя по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы выполнения паяных соединений осуществляют при вторичном разрежении, которое может быть около 10-5 мбар.
14. Способ изготовления преобразователя по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что этапы выполнения паяных соединений выполняют при поддержании сборки в условиях умеренного одноосного давления, которое может быть ниже приблизительно 2 кг/см2.
15. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что он включает в себя объединение сборки: подложка - первое соединение - преобразующий элемент - второе соединение - верхний электрод в корпусе, вышеупомянутая подложка представляет собой тонкую пластину, интегрированную в указанный корпус.
16. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по п. 15, отличающийся тем, что вышеупомянутый корпус содержит средства вентиляции, позволяющие возобновить содержание кислорода, имеющегося в вышеупомянутом корпусе.
17. Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что для выполнения паяных соединений он дополнительно содержит:
- монтаж сборки, образованной верхним электродом, преобразующим элементом и подложкой или преобразующим элементом и подложкой, при наличии фольги на основе золота и индия или смесей золота и индия, вставленных между каждым из вышеупомянутых элементов;
- операцию пайки и диффузии.
18. Способ изготовления преобразующего элемента по п. 17, отличающийся тем, что он дополнительно содержит предварительное создание слоев золота на поверхностях вышеупомянутых элементов, предназначенных для способствования операции монтажа пайкой так, чтобы улучшить адгезию вышеупомянутой фольги на основе золота и индия или смеси золота и индия.
19. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из .пп. 1 или 2, отличающийся тем, что операции нанесения слоев выполняются катодным распылением.
20. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит до нанесения слоев золота создание сцепляющих слоев на поверхностях электрода, и/или преобразующих элементов, и/или подложки.
21. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что один или несколько сцепляющих слоев представляют собой слои на основе хрома и/или хрома и никеля или титана.
22. Способ изготовления преобразующего элемента по одному из пп. 1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нанесение защитного слоя на слой индия.
23. Способ изготовления преобразующего элемента по п. 22, отличающийся тем, что защитный слой представляет собой слой на основе золота.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1155880 | 2011-06-30 | ||
| FR1155880A FR2977377B1 (fr) | 2011-06-30 | 2011-06-30 | Traducteur ultrasonore haute temperature utilisant un cristal de niobate de lithium brase avec de l'or et de l'indium |
| PCT/EP2012/062675 WO2013001056A1 (fr) | 2011-06-30 | 2012-06-29 | Procede de fabrication d'un traducteur ultrasonore haute temperature utilisant un cristal de niobate de lithium brase avec de l'or et de l'indium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2014102953A true RU2014102953A (ru) | 2015-08-10 |
| RU2595285C2 RU2595285C2 (ru) | 2016-08-27 |
Family
ID=46420195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014102953/28A RU2595285C2 (ru) | 2011-06-30 | 2012-06-29 | Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя с использованием кристалла ниобата лития, спаянного с золотом и индием |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9425384B2 (ru) |
| EP (1) | EP2727159B1 (ru) |
| JP (1) | JP6181644B2 (ru) |
| KR (1) | KR101934134B1 (ru) |
| CN (1) | CN103636019B (ru) |
| ES (1) | ES2551082T3 (ru) |
| FR (1) | FR2977377B1 (ru) |
| RU (1) | RU2595285C2 (ru) |
| WO (1) | WO2013001056A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160352307A1 (en) * | 2015-05-27 | 2016-12-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mems resonator with high quality factor |
| US10312429B2 (en) * | 2016-07-28 | 2019-06-04 | Eyob Llc | Magnetoelectric macro fiber composite fabricated using low temperature transient liquid phase bonding |
| FR3082054B1 (fr) | 2018-05-30 | 2020-07-03 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d'un capteur piezoelectrique et capteur piezoelectrique obtenu par un tel procede |
| US11620973B2 (en) | 2018-11-05 | 2023-04-04 | X-wave Innovations, Inc. | High tolerance ultrasonic transducer |
| RU2702616C1 (ru) * | 2018-11-29 | 2019-10-09 | Общество С Ограниченной Ответственностью "С-Инновации" (Ооо "С-Инновации") | Способ изготовления электрического контактного соединения |
| CN113877792B (zh) * | 2021-09-27 | 2023-01-13 | 北京信息科技大学 | 基于液态金属的大面积柔性压电换能器及其表面导电处理方法 |
| US20230228714A1 (en) * | 2022-01-18 | 2023-07-20 | Baker Hughes Holdings Llc | Sensor coil |
| FR3137252A1 (fr) * | 2022-06-23 | 2023-12-29 | Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives | Transducteur ultrasonique pour application à haute température |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5266386A (en) | 1975-11-28 | 1977-06-01 | Fujitsu Ltd | Production of ultra-sonic oscillator |
| JPS55151899A (en) | 1979-05-16 | 1980-11-26 | Nec Corp | Adhering method for piezoelectric converter |
| US4297607A (en) * | 1980-04-25 | 1981-10-27 | Panametrics, Inc. | Sealed, matched piezoelectric transducer |
| US4582240A (en) * | 1984-02-08 | 1986-04-15 | Gould Inc. | Method for low temperature, low pressure metallic diffusion bonding of piezoelectric components |
| JP3039971B2 (ja) * | 1989-09-19 | 2000-05-08 | 株式会社日立製作所 | 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子 |
| DE4313299A1 (de) * | 1993-04-23 | 1994-10-27 | Thomson Brandt Gmbh | Verfahren zur kompatiblen Aufzeichnung oder Wiedergabe von Fernsehsignalen |
| US6904921B2 (en) * | 2001-04-23 | 2005-06-14 | Product Systems Incorporated | Indium or tin bonded megasonic transducer systems |
| US6545387B2 (en) * | 2000-04-03 | 2003-04-08 | Ibule Photonics Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter using novel piezoelectric single crystal substrate |
| RU2169429C1 (ru) * | 2000-04-18 | 2001-06-20 | Таганрогский государственный радиотехнический университет | Ультразвуковая линия задержки на объемных акустических волнах |
| JP3611796B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2005-01-19 | 松下電器産業株式会社 | 超音波送受波器、超音波送受波器の製造方法及び超音波流量計 |
| US6845664B1 (en) * | 2002-10-03 | 2005-01-25 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration | MEMS direct chip attach packaging methodologies and apparatuses for harsh environments |
| US20070013014A1 (en) * | 2005-05-03 | 2007-01-18 | Shuwen Guo | High temperature resistant solid state pressure sensor |
| JP4999040B2 (ja) | 2005-12-09 | 2012-08-15 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 圧電膜積層構造体およびその製造方法 |
| RU2342231C2 (ru) * | 2006-11-07 | 2008-12-27 | Олег Вениаминович Сопов | Способ соединения двух твердотельных образцов |
| DE102009046149A1 (de) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers |
-
2011
- 2011-06-30 FR FR1155880A patent/FR2977377B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-29 US US14/130,296 patent/US9425384B2/en active Active
- 2012-06-29 EP EP12730966.4A patent/EP2727159B1/fr active Active
- 2012-06-29 WO PCT/EP2012/062675 patent/WO2013001056A1/fr active Application Filing
- 2012-06-29 JP JP2014517729A patent/JP6181644B2/ja active Active
- 2012-06-29 ES ES12730966.4T patent/ES2551082T3/es active Active
- 2012-06-29 RU RU2014102953/28A patent/RU2595285C2/ru active
- 2012-06-29 CN CN201280032320.4A patent/CN103636019B/zh active Active
- 2012-06-29 KR KR1020137034851A patent/KR101934134B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140215784A1 (en) | 2014-08-07 |
| FR2977377A1 (fr) | 2013-01-04 |
| WO2013001056A4 (fr) | 2013-02-28 |
| US9425384B2 (en) | 2016-08-23 |
| CN103636019B (zh) | 2017-02-15 |
| JP6181644B2 (ja) | 2017-08-16 |
| EP2727159A1 (fr) | 2014-05-07 |
| JP2014529919A (ja) | 2014-11-13 |
| KR20140048161A (ko) | 2014-04-23 |
| RU2595285C2 (ru) | 2016-08-27 |
| ES2551082T3 (es) | 2015-11-16 |
| KR101934134B1 (ko) | 2018-12-31 |
| CN103636019A (zh) | 2014-03-12 |
| FR2977377B1 (fr) | 2015-04-24 |
| WO2013001056A1 (fr) | 2013-01-03 |
| EP2727159B1 (fr) | 2015-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2014102953A (ru) | Способ изготовления высокотемпературного ультразвукового преобразователя с использованием кристалла ниобата лития, спаянного с золотом и индием | |
| EP2182560A3 (en) | Method for manufacturing piezoelectric device | |
| TW200737246A (en) | Solid electrolyte capacitor and production method thereof | |
| TW201240060A (en) | Electromagnetic interference shielding structure and manufacturing method thereof | |
| JP2011130385A (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
| JP2012132065A (ja) | 円筒形スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TW201615592A (zh) | 透明複合基板與其製備方法及觸控面板 | |
| WO2008087836A1 (ja) | 弾性境界波装置の製造方法 | |
| CN109314500A (zh) | 弹性波装置 | |
| WO2008114664A1 (ja) | 膜－電極接合剤、接合層付きプロトン伝導性膜、膜－電極接合体、固体高分子形燃料電池及び膜－電極接合体の製造方法 | |
| CN103258773A (zh) | 半导体元件镀膜制程方法 | |
| US8431857B2 (en) | Process for joining brass part and silicone carbide ceramics part and composite articles made by same | |
| JP2014027053A (ja) | 金属−液晶ポリマー複合体の製造方法及び電子部品 | |
| JP2016096252A (ja) | 圧電素子 | |
| CN104711525A (zh) | 溅射靶及其制造方法 | |
| JP2013070347A5 (ru) | ||
| JP2010229412A5 (ja) | 接着シートが備える接合膜の製造方法および接着シートの製造方法 | |
| CN105986228B (zh) | 一种用于制作氧化铝薄膜的溅射靶材及其制作方法 | |
| JP2011187867A (ja) | 接合方法および水晶素子 | |
| CN104145112B (zh) | 具有在壳体中布置的多层致动器和在致动器表面上恒定的极其低的泄露电流的致动器模块 | |
| CN202942997U (zh) | 一种雾化装置 | |
| JP2019212880A (ja) | 薄膜パッケージング方法、薄膜パッケージングデバイス、及び、太陽電池 | |
| JP5611604B2 (ja) | 膜−電極構造体の製造方法 | |
| CN100557067C (zh) | 一种可移植纳米级厚度的连续金膜及其制备方法和应用 | |
| JPWO2015008864A1 (ja) | シリコンターゲット構造体の製造方法およびシリコンターゲット構造体 |