CN103636019A - 用于使用由金和铟钎焊的铌酸锂晶体制造高温超声波传感器的方法 - Google Patents

用于使用由金和铟钎焊的铌酸锂晶体制造高温超声波传感器的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极（2）、由压电材料制成的转换器（3）、提供在转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件（1）、在支撑件和压电晶体之间的第一接合（J1），以及在转换器和上电极之间的第二接合（J2），其特征在于，所述方法包括，用于生产所述金和铟的接合，钎焊和扩散操作包括如下步骤：第一步骤，将温度提高到在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使所述第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及第二步骤，将温度提高到在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使所述第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度。

Description

用于使用由金和铟钎焊的铌酸锂晶体制造高温超声波传感器的方法
技术领域
本发明的领域是用作能够在固体和流体中传播的超声波或声波的发射器、接收器或收发器的装置的领域，在本说明书中将此类装置认定为：高温超声波传感器（也称为TUSHT，来自法语“traducteurultrasonore haute 
Figure BDA0000448724280000011
”），并且其设计为通常在几百摄氏度以上的高温下工作。
背景技术
通常而言，声波可以为纵波（在流体和固体中传播）或横波（例如，在固体和粘性流体中传播）或这两种类型的波的组合（在固体中传播的表面波和导波）。
当前，存在增加超声波或声学传感器的工作范围及其工作寿命的需要，特别是在应用液态金属冷却的快中子反应堆的主要容器的热充气中获得的物理条件下。
该类型的传感器可以在快中子反应堆中得到应用，然而为了该目的，传感器的符合要求的工作需要特别地在如下指示性物理条件下获得：
-浸入液态金属或合金（例如钠）中；
-工作温度在正常条件下：200℃（反应堆关闭），550℃（反应堆工作）；
-工作温度在偶发条件下：700℃；
-温度在200℃和550℃之间循环；
-偶尔的温度梯度(热冲击):在550℃和400℃之间为-20℃/s；
-快中子和热中子和伽马光子的通量；
-数十年的工作寿命（反应堆服务寿命：60年）；以及
-测试或初始条件温度高于工作温度（对于在550℃应用时为约600℃）。
这些传感器也必须能够在用于实验室测试的室温下工作（几度）。
这些传感器必须能够作为声波或超声波的发射器、作为声波或超声波的接收器以及作为收发器工作。
最后，这些传感器必须能够在声频或超声频率的较宽范围上工作，该范围通常几乎连续高达几兆赫。
因为这些传感器的通用特性，所以这些传感器的改进也与其他领域的应用相关，比如压水反应堆的仪器或者事实上甚至在无核工业中的高温仪器。
众所周知，应用由用于将电能转化为机械能和/或反之的压电、磁致伸缩或电磁声（EMAT）材料制成的元件来产生和/或接收声波。
通过（通常由金属或金属合金制成的）保护板将转换器元件（例如，压电转换器元件）与波的传播介质隔开，在本说明书中将该保护板称为支撑板（有时被称作介面板、隔离板、相位板、联接板、前板、正面、隔膜等等）或更通常称为支撑件，其实际上可以集成到外壳或待检查的部件的一部分中，或导波管的一部分中。
为了获得符合要求的性能，特别地建议指定：
-转换器材料的选择；
-支撑件材料的选择，更通常地为外壳的选择；
-在转换器材料和支撑件之间的粘合（接合）的类型的选择和实现，该粘合需要提供机械和声学功能，也即，能够在较宽的频率范围（几乎连续高达几兆赫）内和较宽的温度范围（从几度到550℃，甚至700℃）内传播超声波。在其第二面上，将转换器材料联接到电极，该联接能够以与转换器材料和支撑件之间相同的方式实现，或者能够不同地实现。具体而言，其能够有利于没有声学地联接到转换器元件的电极。该板可以作为第二电极。对于粘合来说，有必要与电极的电功能兼容（电极和支撑件，两者由导电材料制成），也即，用于使粘合不在电极和转换器之间引入元件，该元件的电气（电阻率）和/或介电特性能够阻碍在所述电极和转换器之间的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合。
如下的组件“支撑件/第一接合/转换器材料/第二接合/电极”（在本说明书的其余部分中表示“组件”）必须（机械、电和声学上）经久地工作，并且具有在上面列出的极端条件下稳定的特性。
有时采用的一种技术在于利用导波管，导波管的一端部接触高温介质，另一端部位于受到较低核通量的冷却器区域，导向（bearing）传统的低温传感器。这些装置难以实现，尤其在温度梯度和不稳定性存在的情况下。
此外，应该指出，可商用的所谓的“高温”超声波传感器不允许实现关于温度范围、频率范围和工作寿命所需的性能。这是因为这些传感器特别地受到如下限制：
-具有不够高的居里温度的压电转换器材料（例如）；
-在该材料和板（外壳）之间使用的接合的类型：粘接剂、糊剂、可溶解性密封剂等，不能够承受所经受的温度或温度循环或温度梯度，或不能够承受由温度或传感器的工作所引起的机械应力，或甚至由化学反应或腐蚀导致传感器降低性能等；以及
-在该材料和板之间使用的接合的类型；例如干压接触（螺丝、弹簧）不适合传输高频超声波。
此外，使用的材料（转换器、结合剂在）核辐射条件下往往被削弱。
发明内容
这就是本发明的一个主题为用于制造高温超声波传感器的方法的原因，所述传感器包括钢或金属的上电极、压电转换器、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件、在支撑件和压电晶体之间的第一接合，以及在转换器和上电极之间的第二接合，其特征在于，其包括如下步骤以生产所述接合：
-在上电极的一个面上、在转换器的两面上以及刚支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-堆叠支撑件、所述转换器以及所述上电极，在压力下保持该堆叠；以及
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金混合物的第一接合和第二接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
■第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使该第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
■第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使该第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度。
本发明的另一个主题为一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极、压电转换器、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件、在支撑件和压电晶体之间的第一接合，以及在转换器和上电极之间的第二接合，其特征在于，其进一步包括如下步骤以生产所述接合：
-在转换器的第一面上和钢支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-独立于在电极的面上进行的处理，所述转换器的第二面保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料电气和介电性能兼容转换器和电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-独立于在转换器的第二面上进行的处理，电极的面能够保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料的电气和介电性能兼容所述转换器和所述电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-堆叠支撑件和转换器，在压力下保持该堆叠，转换器的所述第一面面对所述支撑件；
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金的第一接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
■第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使该第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
■第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使该第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度，
-在所述转换器上堆叠上电极；以及
-通过使所述转换器和所述上电极接触来生产第二接合。
因此，根据本发明，钎焊和扩散操作包括在“中等”温度处的第一平稳时期，然后在“高”温度处的第二平稳时期的事实，使得其能够保证非常高的接合质量，其尤其很好地适合于被本申请作为目标的应用。
根据本发明的一个变型，所述压电材料为铌酸锂。
铌酸锂可以采用任何形式和化学成分并且可以通过任何方法生产，例如铌酸锂可以为：单晶或多晶铌酸锂，全等、化学计量或准化学计量的铌酸锂，缩减型铌酸锂（黑色铌酸锂），具有交替或反向的极化域的，周期性极化（PPL，周期性极化铌酸锂）的，和/或掺杂的（化学元素的包含或替代）；可以应用任何技术生产铌酸锂，例如包括：应用提拉法或改进的提拉法方法的牵拉、区域熔化处理或溶胶-凝胶处理。
根据本发明的一个变型，铟的原子百分比低于大约35%。
根据本发明的一个变型，所述铌酸锂为自然铌酸盐或锂-7同位素浓缩的铌酸盐。
根据本发明的一个变型，所述铌酸锂具有Z-切割定向（Y90°）。
根据本发明的一个变型，所述铌酸锂具有36°Y-切割定向或者具有163°Y-切割定向。
根据本发明的一个变型，所述第一温度在纯铟的熔点之上。
根据本发明的一个变型，所述第一温度为大约170℃。
根据本发明的一个变型，所述第二温度为大约650℃。
根据本发明的一个变型，所述第一温度在第一时间长度期间具有轻微的正向梯度。
根据本发明的一个变型，所述第一时间长度为大约1小时，所述第二时间长度为大约2小时，在所述第一温度和所述第二温度之间的温度增加花费大约4小时。
根据本发明的一个变型，用于生产钎焊接合的步骤在能够为大约10-5mbar的次级真空下进行。
根据本发明的一个变型，用于生产钎焊接合的步骤在保持组件在适当的压力下进行，所述压力能够小于大约2kg/cm2。
根据本发明的一个变型，所述方法包括将支撑件/第一接合/转换器/第二接合/上电极组件集成到外壳中，所述支撑件为集成到所述外壳中的板。
根据本发明的一个变型，所述外壳包括允许包含在所述外壳中的氧得以恢复的充气装置。
根据本发明的一个变型，所述方法进一步包括，生产钎焊接合：
-组装由上电极、转换器和支撑件，或由转换器和支撑件组成的组件，存在基于在上述元件的每一个之间的金和铟或金和铟的混合物的中间薄片；以及
-钎焊和扩散操作。
根据本发明的一个变型，所述方法进一步包括，在所述元件的那些面上预先生产金层，以便促进基于金和铟或金和铟的混合物的所述薄片附着，所述面旨在在钎焊组装操作期间彼此面对。
根据本发明的一个变型，通过溅射来沉积层。
根据本发明的一个变型，所述方法进一步包括，在沉积金层之前，在电极和/或支撑件和/或转换器的面上生产连接层。
在沉积期间和/或在钎焊操作之前的温度和压力条件下，连接层也可以作为对于金和/或铟元素迁移到位于接合的任一侧的材料的屏障。因此，这可以防止沉积物在钎焊操作之前渗透到材料中。
根据本发明的一个变型，一个或多个连接层基于铬和/或铬镍或钛。
根据本发明的一个变型，所述方法进一步包括，在铟层上沉积保护层。
根据本发明的一个变型，所述保护层为基于金。
附图说明
根据阅读随后由非限制性实例的方式给出的描述并且根据所附附图，将更好地理解本发明并且其他优点将变得清楚，其中：
-图1a和图1b示出了根据本发明的传感器的第一实施方案；
-图2a和图2b示出了获得使得接合出现在本发明的传感器中的钎焊周期的实例；
-图3示出了根据本发明的传感器的第二实施方案，其包括中间薄片的使用；以及
-图4示出了包括本发明的传感器的装置，以及允许制造该装置以使该装置在一般达到530℃到600℃的温度下工作的设备，支撑件/转换器/电极组件的工作温度极限超过900℃。
具体实施方式
本发明将在集成到外壳中的超声波传感器的实施方案的环境下进行描述，并且特别用于检测硬件缺陷、气泡的存在等，在钠中，不透明的介质使得不能够进行光学检测，或检测噪音。
本发明的优点特别在于通过钎焊所生产的接合的组成材料，该组成材料允许声波在较宽的频带上传输。
使用在本发明的传感器中的组件的第一实施方案：
下面的层堆叠在每个元件上产生：支撑件、转换器、上电极，所述支撑件对应于外壳的板。因此，如图1所示：
支撑件1覆盖有层堆叠，该层堆叠包括如下层：
-连接层11；
-金层21；
-铟层31；以及
-保护层41。
上电极2也包括如下的层堆叠：
-保护层42；
-铟层32；
-金层22；以及
-连接层12。
能够由压电晶体3组成的转换器在其底部表面包括如下的层堆叠：
-保护层43i；
-铟层33i；
-金层23i；以及
-连接层13i，
并且转换器的顶部表面包括对称的层堆叠，也即
-连接层13s；
-金层23s；
-铟层33s；
-保护层43s。
有利地，板式支撑件和称为上电极的电极可以由各种钢制成，最常用的钢为304L奥氏体钢（可选地在真空中浇铸）。
在组装后，获得如图1b所示的传感器结构，图1b示出了第一接合J1和第二接合J2，第一接合J1和第二接合J2分别地一方面位于支撑件和转换器之间，并且另一方面位于转换器和上电极之间。
转换器可以为下面的盘片：
-全等单晶Z-切割铌酸锂（盘片的轴位于平行于晶体的“光学”轴），其通过称为“提拉法”生长技术牵拉而生产，对铌酸锂盘的平面表面进行最初抛光或清除抛光；
-自然铌酸锂，其能够高温工作（理论极限为大约1140℃）；
锂-7-浓缩铌酸锂，其根据具有锂-7同位素含量高于99.9%的锂-7-浓缩碳酸锂和自然氧化铌生产，此外使得其能够在高中子通量下工作；或
-铌酸锂（自然或锂-7浓缩），其能够在晶体的生长之前已经受旨在从原料中除去CO2气体的热处理。
应当指出，使用304L钢和称为“Z-切割”的晶体切割使得这两种材料能通过钎焊顺利组装，这两种材料的热膨胀系数的值在接合的平面上足够相近。
有利地，连续沉积在每个元件上的四层可以通过真空溅射进行沉积，并且这在同一周期中，不同沉积阶段之间的真空不被破坏。
由于对称的原因，在每个待通过钎焊组装的表面上沉积（其性质和厚度）是相同的，厚度也可能不相同。
下面给出金属层堆叠的两个实例，第一层是沉积在支撑件或转换器或电极上的层。
实例A：
层 功能 材料 厚度（微米）
第一层 连接 铬 0.05
第二层 钎焊 金 5
第三层 钎焊 铟 2
第四层 保护 金 0.1
实例B：
Figure BDA0000448724280000091
接合处J1和J2通过在下列条件下进行钎焊周期而产生：
-待组装的部件位于面对金属化表面的金属化表面，并且在整个周期期间保持在适当的压力下（通常使用的值为几个102g/cm2，小于2kg/cm2，转换器直径在40和15毫米之间）；以及
-由此定位的部件在真空下（也即，压力低于或等于3×10-5托，也即，4×10-5mb或4×10-3Pa）的烤箱中经受钎焊周期而没有气体流。
如图2a所示，钎焊周期连续地包括两个温度平稳时期：
-低温第一平稳时期P1，特别地对于等于1小时的时间长度T1使得铟融化：170℃，该平稳时期的保持也使得其能够脱气；
-170℃和650℃之间的温度斜坡，长度为4个小时；
-高温第二平稳时期P2：650℃，对于等于2小时的时间长度T2；以及
-温度逐渐降低。
变化的钎焊周期如图2b所示。具体而言，应当注意，还可以执行逐渐增加的钎焊周期，而不是严格的平稳时期。
还可以采用中间平稳时期以便使待钎焊的部件更有可能达到温度平衡。
通常，连续沉积四个金属层而不破坏两个连续沉积之间的真空，并且由于对称性的原因，在待通过钎焊组装的两个部件上的沉积（其性质和厚度）是相同的，然而层具有相等的厚度不是完全必要的。
有利地，旨在形成最终的金和铟接合层的铟和金的厚度可以为2:5的比例，对应于理论的铟百分比（铟/（铟+金））为质量大约13%和原子数量大约20%。
金/铟合成物的特性和钎焊温度/长度为钎焊组件提供了更高的熔点和脱胶温度，因此，在实践中，比使用更高的铟：金比并且受限于“低温”铟熔化平稳时期（也即，受限的温度接近于平稳时期P1的温度）的以金/铟为基础的粘合方法获得的工作温度更高的最高工作温度，对于该粘合方法，组件的熔点和脱胶温度对于上述应用来说太低。
使用在本发明的传感器中的组件的第二实施方案：
如图3中所示，在支撑件1的一面上，在转换器3的两面上，以及在上电极2的一面上，分别沉积金层11、13i、13s和12（在预先沉积连接层之后，图3中未示出），并且金和铟的薄片F1和F2（铟薄片插入两个金薄片之间）或金和铟的混合物的薄片插入到这些各个元件之间（在图3中，F1和F2可以表示一组薄片）。通常，铟和金薄片可以为厚度大约10微米。
然后可以执行一个上述钎焊周期以便获得传感器，该传感器包括两个以金和铟为基础的接合J1和J2。
本发明的TUSHT传感器的实例
上述的组件可以有利地集成到TUSHT超声波传感器中，如图4所示，并且旨在能够在非常高的温度下工作，可能为大约900到1000℃，从而能够在其所有的工作情况下设想在钠冷却的快中子核反应堆的主要容器中的应用。
转换器3包括平面的、压电的铌酸锂盘片，可能并且通常具有40毫米或15毫米或6毫米的直径和0.78毫米的厚度。
钢板1是平的并且可以为1.2毫米的厚度。该常规值是非限制性的，然而其由对于长期承受钠暴露的需求所限制。
电极2也由钢制成并且是平的，并且通常具有包括在1毫米到2毫米之间的厚度，这些值是非限制性的。
板焊接到外壳B，板也由钢制成。
传感器是配备有电力电缆Cel（例如，同轴电缆），该电力电缆的核心焊接到电极并且该电力电缆的外部钢覆层焊接到外壳，从而电连接到板。
可以通过由电绝缘体（例如，滑石石瓷（stumatite））制成的垫圈使螺旋拧紧到外壳中的螺母4抵靠电极。该螺母可以由任何装置（弹簧等）代替以执行相同的功能。
螺母4的目的为：
-在例如在外部压力的作用下，对抗可能损害组件的板的变形。螺母的尺寸指定为在代表压水反应堆容器的物理温度和压力条件下（170巴，320℃）。在液态钠冷却的快中子反应堆的主要容器中得到的正常条件下（在低压下，大小在550℃和40巴下确保工作）工作时，螺母是不必要的；以及
-在具有未钎焊电极的版本中，针对压电元件按压电极（通过电阻式和/或电容式接触的电连续性）。
根据变型，通过改变声学联接材料的厚度来调节共振频率的数量、位置和阻尼，该声学联接材料为：板、压电元件、电极或板以及压电元件。
TUSHT可以同时拥有数个共振频率（每个拥有自身的通带），并且可以在这些频率的每一个处单独或同时使用，作为例如收发器，指的是：
-可以通过信号的波长在不同的轴向或横向分辨率尺度（方向性）处执行测量，所述尺度与频率有关；以及
-可以根据声波由传播介质的衰减而执行在最适当的一个或多个频率处的测量，该衰减通常取决于频率并且可以为变量。
应用标准尺寸，钎焊的TUSHT可以在较宽的频率范围（直到至少5MHz）上用作发射器、用作接收器以及用作收发器。
有利地，外壳额外配备有充气管Ta以及电气绝缘体Iei。如果所述介质为例如在低温（低于350℃）下的液态钠，则薄的金层51可以设置在板1的外壳的外部，以便通过超声波的传播介质Multra促进润湿（超声传播的声感觉）。
有利地，本发明的传感器还可以包括：
-多层组件，该多层组件包括一个或多个压电盘片，该压电盘片关联以在机械应力下形成Tonpilz型传感器，其目的是选择性联合聚焦板来提高传感器的效率（应用至非线性声学技术）。
有利的是，还可以组装多元件传感器（包括并列的块），该多元件传感器可用在基于电子或基于软件的用于处理来自各种元件的信号的方法（累加、组合、延迟等）而实现的成像装置中。
可以以不同的方式进行生产，例如：
-通过首先生产常规（单个元件）钎焊的支撑件/转换器/电极组件，然后通过加工槽口（通过机械锯或任何其他方法）到组件的厚度来限定块（这些槽口至少通过电极，甚至通过压电元件并且穿透到板中）；
-通过首先生产单个元件支撑件/转换器/电极组件，（通过掩模技术等）将该组件（在压电元件上，甚至在板和电极上）的钎焊金属化限制为限定传感器的元件的块，然后通过由加工槽口来机械分离块；或
-通过分别钎焊块（压电材料和电极）预先切断。
最后，应当注意到，钎焊组装技术适应于各种几何图形：旋转轴对称体（盘片）、板片（例如，平行六面体）。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极（2）、压电转换器（3）、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件（1）、在所述支撑件和压电材料之间的第一接合（J1），以及在所述转换器和所述上电极之间的第二接合（J2），其特征在于，其包括如下步骤以生产所述接合：
-在上电极的一个面上、在所述转换器的两面上以及在钢支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-堆叠所述支撑件、所述转换器以及所述上电极，在压力下保持该堆叠；以及
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金混合物的所述第一接合和所述第二接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
　第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使所述第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
　第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使所述第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度。
2.一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极（2）、压电转换器（3）、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件（1）、在所述支撑件和压电材料之间的第一接合（J1），以及在所述转换器和所述上电极之间的第二接合（J2），其特征在于，其进一步包括如下步骤以生产所述接合：
-在所述转换器的第一面上和钢支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-独立于在电极的面上进行的处理，所述转换器的第二面保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料的电气和介电性能兼容所述转换器和所述电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-独立于在所述转换器的第二面上进行的处理，所述电极的面能够保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料的电气和介电性能兼容所述转换器和所述电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-堆叠所述支撑件和所述转换器，在压力下保持该堆叠，所述转换器的所述第一面面对所述支撑件；
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金混合物的第一接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
■第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使该第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
■第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使该第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度，
-在所述转换器上堆叠所述上电极；以及
-通过使所述转换器和所述上电极接触来生产所述第二接合。
3.根据权利要求1和2的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，压电材料为铌酸锂。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，铟的原子百分比低于大约35%。
5.根据权利要求3和4的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂为自然铌酸盐或锂-7同位素浓缩的铌酸盐。
6.根据权利要求3至5的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂具有Z-切割定向（Y90°）。
7.根据权利要求3至5的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂具有36°Y-切割定向或163°Y-切割定向。
8.根据权利要求1至7的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度在纯铟的熔点之上。
9.根据权利要求8所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度为大约170℃。
10.根据权利要求1至9的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第二温度为大约650℃。
11.根据权利要求1至10的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度在第一时间长度期间具有轻微的正向梯度。
12.根据权利要求1至11的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一时间长度为大约1小时，所述第二时间长度为大约2小时，温度在所述第一温度和所述第二温度之间增加花费大约4小时。
13.根据权利要求1至12的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，用于生产钎焊接合的步骤在能够为大约10-5mbar的次级真空下进行。
14.根据权利要求1至13的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，用于生产钎焊接合的步骤在保持组件在适当的压力下进行，所述压力能够小于大约2kg/cm2。
15.根据权利要求1至14的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其包括将支撑件/第一接合/转换器/第二接合/上电极组件集成到外壳中，所述支撑件为集成到所述外壳中的板。
16.根据权利要求15所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述外壳包括允许包含在所述外壳中的氧得以恢复的充气装置。
17.根据权利要求1至16的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，生产钎焊接合：
-组装由所述上电极、所述转换器和所述支撑件，或由所述转换器和所述支撑件组成的组件，存在基于在上述元件的每一个之间的金和铟或金和铟的混合物的中间薄片；以及
-钎焊和扩散操作。
18.根据权利要求17所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在所述元件的那些面上预先生产金层，以便促进基于金和铟或金和铟的混合物的所述薄片附着，所述面旨在在钎焊组装操作期间彼此面对。
19.根据权利要求1至18的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，通过溅射来沉积层。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在沉积金层之前，在电极和/或所述支撑件和/或所述转换器的面上生产连接层。
21.根据权利要求1至20中任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，一个或多个连接层基于铬和/或铬镍或钛。
22.根据权利要求1至21中任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在铟层上沉积保护层。
23.根据权利要求22所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述保护层为基于金。

Claims (23)

1.一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极（2）、压电转换器（3）、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件（1）、在所述支撑件和压电晶体之间的第一接合（J1），以及在所述转换器和所述上电极之间的第二接合（J2），其特征在于，其包括如下步骤以生产所述接合：
-在上电极的一个面上、在所述转换器的两面上以及在钢支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-堆叠所述支撑件、所述转换器以及所述上电极，在压力下保持该堆叠；以及
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金混合物的所述第一接合和所述第二接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
　第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使所述第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
　第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使所述第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度。
2.一种用于制造高温超声波传感器的方法，所述传感器包括钢或金属的上电极（2）、压电转换器（3）、确保转换器和声波的传播介质之间的介面的钢或金属的支撑件（1）、在所述支撑件和压电晶体之间的第一接合（J1），以及在所述转换器和所述上电极之间的第二接合（J2），其特征在于，其进一步包括如下步骤以生产所述接合：
-在所述转换器的第一面上和钢支撑件的一个面上沉积金层然后沉积铟层；
-独立于在电极的面上进行的处理，所述转换器的第二面保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料的电气和介电性能兼容所述转换器和所述电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-独立于在所述转换器的第二面上进行的处理，所述电极的面能够保留为裸露，或覆盖金层然后覆盖铟层，或覆盖金层或任何其他材料层，优选地为非氧化材料，所述非氧化材料的电气和介电性能兼容所述转换器和所述电极的电阻性和/或电容性的例如接触的电耦合；
-堆叠所述支撑件和所述转换器，在压力下保持该堆叠，所述转换器的所述第一面面对所述支撑件；
-通过钎焊和扩散操作来生产基于铟和金混合物的第一接合，
-所述钎焊和扩散操作包括如下步骤：
■第一步骤，将温度提高到包括在约150℃和约400℃之间的第一温度，并且使该第一温度保持对应于第一平稳时期的第一时间长度；以及
■第二步骤，将温度提高到包括在约400℃和约1000℃之间的第二温度，并且使该第二温度保持对应于第二平稳时期的第二时间长度，
-在所述转换器上堆叠所述上电极；以及
-通过使所述转换器和所述上电极接触来生产所述第二接合。
3.根据权利要求1和2的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，压电材料为铌酸锂。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，铟的原子百分比低于大约35%。
5.根据权利要求3和4的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂为自然铌酸盐或锂-7同位素浓缩的铌酸盐。
6.根据权利要求3至5的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂具有Z-切割定向（Y90°）。
7.根据权利要求3至5的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述铌酸锂具有36°Y-切割定向或163°Y-切割定向。
8.根据权利要求1至7的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度在纯铟的熔点之上。
9.根据权利要求8所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度为大约170℃。
10.根据权利要求1至9的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第二温度为大约650℃。
11.根据权利要求1至10的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一温度在第一时间长度期间具有轻微的正向梯度。
12.根据权利要求1至11的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述第一时间长度为大约1小时，所述第二时间长度为大约2小时，温度在所述第一温度和所述第二温度之间增加花费大约4小时。
13.根据权利要求1至12的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，用于生产钎焊接合的步骤在能够为大约10-5mbar的次级真空下进行。
14.根据权利要求1至13的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，用于生产钎焊接合的步骤在保持组件在适当的压力下进行，所述压力能够小于大约2kg/cm2。
15.根据权利要求1至14的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其包括将支撑件/第一接合/转换器/第二接合/上电极组件集成到外壳中，所述支撑件为集成到所述外壳中的板。
16.根据权利要求15所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述外壳包括允许包含在所述外壳中的氧得以恢复的充气装置。
17.根据权利要求1至16的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，生产钎焊接合：
-组装由所述上电极、所述转换器和所述支撑件，或由所述转换器和所述支撑件组成的组件，存在基于在上述元件的每一个之间的金和铟或金和铟的混合物的中间薄片；以及
-钎焊和扩散操作。
18.根据权利要求17所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在所述元件的那些面上预先生产金层，以便促进基于金和铟或金和铟的混合物的所述薄片附着，所述面旨在在钎焊组装操作期间彼此面对。
19.根据权利要求1至18的任一项所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，通过溅射来沉积层。
20.根据权利要求1至19中所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在沉积金层之前，在电极和/或所述支撑件和/或所述转换器的面上生产连接层。
21.根据权利要求20所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，一个或多个连接层基于铬和/或铬镍或钛。
22.根据权利要求1至21中所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，其进一步包括，在铟层上沉积保护层。
23.根据权利要求22所述的用于制造高温超声波传感器的方法，其特征在于，所述保护层为基于金。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107534430A (zh) * 2015-05-27 2018-01-02 株式会社村田制作所 具有高品质因数的mems谐振器

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10312429B2 (en) * 2016-07-28 2019-06-04 Eyob Llc Magnetoelectric macro fiber composite fabricated using low temperature transient liquid phase bonding
FR3082054B1 (fr) * 2018-05-30 2020-07-03 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'un capteur piezoelectrique et capteur piezoelectrique obtenu par un tel procede
US11620973B2 (en) 2018-11-05 2023-04-04 X-wave Innovations, Inc. High tolerance ultrasonic transducer
RU2702616C1 (ru) * 2018-11-29 2019-10-09 Общество С Ограниченной Ответственностью "С-Инновации" (Ооо "С-Инновации") Способ изготовления электрического контактного соединения
CN113877792B (zh) * 2021-09-27 2023-01-13 北京信息科技大学 基于液态金属的大面积柔性压电换能器及其表面导电处理方法
US20230228714A1 (en) * 2022-01-18 2023-07-20 Baker Hughes Holdings Llc Sensor coil
FR3137252A1 (fr) 2022-06-23 2023-12-29 Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives Transducteur ultrasonique pour application à haute température

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4313299A1 (de) * 1993-04-23 1994-10-27 Thomson Brandt Gmbh Verfahren zur kompatiblen Aufzeichnung oder Wiedergabe von Fernsehsignalen
CN1373348A (zh) * 2001-02-28 2002-10-09 松下电器产业株式会社 超声波传感器、制造超声波传感器的方法及超声波流量计
DE102009046149A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5266386A (en) 1975-11-28 1977-06-01 Fujitsu Ltd Production of ultra-sonic oscillator
JPS55151899A (en) 1979-05-16 1980-11-26 Nec Corp Adhering method for piezoelectric converter
US4297607A (en) * 1980-04-25 1981-10-27 Panametrics, Inc. Sealed, matched piezoelectric transducer
US4582240A (en) * 1984-02-08 1986-04-15 Gould Inc. Method for low temperature, low pressure metallic diffusion bonding of piezoelectric components
JP3039971B2 (ja) * 1989-09-19 2000-05-08 株式会社日立製作所 接合型圧電装置及び製造方法並びに接合型圧電素子
US6904921B2 (en) * 2001-04-23 2005-06-14 Product Systems Incorporated Indium or tin bonded megasonic transducer systems
US6545387B2 (en) * 2000-04-03 2003-04-08 Ibule Photonics Co., Ltd. Surface acoustic wave filter using novel piezoelectric single crystal substrate
RU2169429C1 (ru) * 2000-04-18 2001-06-20 Таганрогский государственный радиотехнический университет Ультразвуковая линия задержки на объемных акустических волнах
US6845664B1 (en) * 2002-10-03 2005-01-25 The United States Of America As Represented By The Administrator Of National Aeronautics And Space Administration MEMS direct chip attach packaging methodologies and apparatuses for harsh environments
US20070013014A1 (en) * 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
JP4999040B2 (ja) 2005-12-09 2012-08-15 Ｎｅｃトーキン株式会社 圧電膜積層構造体およびその製造方法
RU2342231C2 (ru) * 2006-11-07 2008-12-27 Олег Вениаминович Сопов Способ соединения двух твердотельных образцов

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4313299A1 (de) * 1993-04-23 1994-10-27 Thomson Brandt Gmbh Verfahren zur kompatiblen Aufzeichnung oder Wiedergabe von Fernsehsignalen
CN1373348A (zh) * 2001-02-28 2002-10-09 松下电器产业株式会社 超声波传感器、制造超声波传感器的方法及超声波流量计
DE102009046149A1 (de) * 2009-10-29 2011-05-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107534430A (zh) * 2015-05-27 2018-01-02 株式会社村田制作所 具有高品质因数的mems谐振器
CN107534430B (zh) * 2015-05-27 2020-10-09 株式会社村田制作所 具有高品质因数的mems谐振器

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