RU2013129806A - Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора - Google Patents
Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013129806A RU2013129806A RU2013129806/28A RU2013129806A RU2013129806A RU 2013129806 A RU2013129806 A RU 2013129806A RU 2013129806/28 A RU2013129806/28 A RU 2013129806/28A RU 2013129806 A RU2013129806 A RU 2013129806A RU 2013129806 A RU2013129806 A RU 2013129806A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin film
- oxide thin
- metal oxide
- inorganic compound
- indium
- Prior art date
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract 31
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract 15
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 6
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 4
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 4
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims abstract 4
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 4
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N Magnesium ion Chemical compound [Mg+2] JLVVSXFLKOJNIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 claims abstract 3
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract 2
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims abstract 2
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims abstract 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract 2
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 claims abstract 2
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims 19
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 7
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 7
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 abstract 4
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 abstract 2
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
1. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, включающая:неорганическое соединение индия;по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; ипростой гликолевый эфир.2. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1,в которой неорганическим соединением индия является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата индия, сульфата индия и хлорида индия;в которой неорганическим соединением магния является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата магния, сульфата магния и хлорида магния; ив которой неорганическим соединением цинка является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата цинка, сульфата цинка и хлорида цинка.3. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, причем жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки удовлетворяет следующему выражению (1):0,25≤[B/(A+B)]≤0,65 Выражение (1)где А обозначает количество ионов индия, а В обозначает сумму количества ионов магния и количества ионов цинка в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.4. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая диол.5. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая, по меньшей мере, одно из неорганического соединения алюминия и неорганического соединения галлия.6. Металлооксидная тонкая пленка, полученная способом, включающ�
Claims (11)
1. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, включающая:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
2. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1,
в которой неорганическим соединением индия является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата индия, сульфата индия и хлорида индия;
в которой неорганическим соединением магния является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата магния, сульфата магния и хлорида магния; и
в которой неорганическим соединением цинка является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата цинка, сульфата цинка и хлорида цинка.
3. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, причем жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки удовлетворяет следующему выражению (1):
0,25≤[B/(A+B)]≤0,65 Выражение (1)
где А обозначает количество ионов индия, а В обозначает сумму количества ионов магния и количества ионов цинка в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.
4. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая диол.
5. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая, по меньшей мере, одно из неорганического соединения алюминия и неорганического соединения галлия.
6. Металлооксидная тонкая пленка, полученная способом, включающим в себя:
покрытие объекта для нанесения покрытия жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки;
сушку объекта для нанесения покрытия, который был покрыт жидкостью для нанесения покрытия; и
прокаливание высушенного объекта для нанесения покрытия для образования поверх него металлооксидной тонкой пленки,
при этом жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
7. Полевой транзистор, включающий в себя:
электрод затвора, сконфигурированный для приложения напряжения затвора,
электрод истока и электрод стока, сконфигурированные, чтобы снимать ток,
активный слой, образованный из оксидного полупроводника, и расположенный между электродом истока и электродом стока,
изоляционный слой затвора, образованный между электродом затвора и активным слоем,
при этом оксидный полупроводник образован посредством покрытия жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
8. Способ получения полевого транзистора, включающий в себя:
образование электрода затвора на подложке;
образование изоляционного слоя затвора на электроде затвора;
образование электрода истока и электрода стока на изоляционном слое затвора так, что электрод истока и электрод стока расположены на расстоянии друг от друга, чтобы образовать между ними область канала; и
образование активного слоя, образованного из оксидного полупроводника, на изоляционном слое затвора в области канала между электродом истока и электродом стока,
при этом образованием активного слоя является покрытие изоляционного слоя затвора жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, чтобы тем самым образовать активный слой оксидного полупроводника, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
9. Способ получения полевого транзистора, включающий в себя:
образование электрода истока и электрода стока на подложке так, что электрод истока и электрод стока расположены на расстоянии друг от друга, чтобы образовать область канала между ними;
образование активного слоя, образованного из оксидного полупроводника на подложке в области канала между электродом истока и электродом стока;
образование изоляционного слоя затвора на активном слое; и
образование электрода затвора на изоляционном слое затвора,
при этом образованием активного слоя является покрытие подложки жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, чтобы тем самым образовать активный слой оксидного полупроводника, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
10. Способ получения полевого транзистора по п.8, в котором регулируют, по меньшей мере, одно из объемного удельного сопротивления, подвижности носителей и плотности носителей оксидного полупроводника, корректируя отношения [B/(A+B)], где А обозначает количество ионов индия, а В обозначает сумму количества ионов магния и количества ионов цинка в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.
11. Способ получения полевого транзистора по п.8, в котором жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки содержит диол, а вязкость жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки регулируют, корректируя соотношение простого гликолевого эфира и диола, содержащихся в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-265261 | 2010-11-29 | ||
| JP2010265261 | 2010-11-29 | ||
| JP2011133479 | 2011-06-15 | ||
| JP2011-133479 | 2011-06-15 | ||
| JP2011251495A JP6064314B2 (ja) | 2010-11-29 | 2011-11-17 | 金属酸化物薄膜形成用塗布液、金属酸化物薄膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP2011-251495 | 2011-11-17 | ||
| PCT/JP2011/077444 WO2012073913A1 (en) | 2010-11-29 | 2011-11-22 | Coating liquid for forming metal oxide thin film, metal oxide thin film, field effect transistor, and method for producing the field effect transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013129806A true RU2013129806A (ru) | 2015-01-10 |
| RU2546725C2 RU2546725C2 (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=46171845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013129806/28A RU2546725C2 (ru) | 2010-11-29 | 2011-11-22 | Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130240881A1 (ru) |
| EP (1) | EP2647039A4 (ru) |
| JP (1) | JP6064314B2 (ru) |
| KR (4) | KR20130111599A (ru) |
| CN (2) | CN103339714A (ru) |
| BR (1) | BR112013013412A2 (ru) |
| RU (1) | RU2546725C2 (ru) |
| SG (1) | SG190430A1 (ru) |
| TW (1) | TWI483292B (ru) |
| WO (1) | WO2012073913A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5929132B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-06-01 | 株式会社リコー | 金属酸化物薄膜形成用塗布液、金属酸化物薄膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| TWI484559B (zh) * | 2013-01-07 | 2015-05-11 | Univ Nat Chiao Tung | 一種半導體元件製程 |
| JP6117124B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2017-04-19 | 富士フイルム株式会社 | 酸化物半導体膜及びその製造方法 |
| JP6454974B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2019-01-23 | 株式会社リコー | 金属酸化物膜形成用塗布液、金属酸化物膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6332272B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2018-05-30 | 株式会社ニコン | 金属酸化物膜の製造方法、及びトランジスタの製造方法 |
| GB201418610D0 (en) | 2014-10-20 | 2014-12-03 | Cambridge Entpr Ltd | Transistor devices |
| EP3125296B1 (en) * | 2015-07-30 | 2020-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Field-effect transistor, display element, image display device, and system |
| JP6828293B2 (ja) | 2015-09-15 | 2021-02-10 | 株式会社リコー | ｎ型酸化物半導体膜形成用塗布液、ｎ型酸化物半導体膜の製造方法、及び電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JP6907512B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2021-07-21 | 株式会社リコー | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| CN109841735B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-11-06 | Tcl科技集团股份有限公司 | Tft的制备方法、用于制备tft的墨水及其制备方法 |
| KR102709325B1 (ko) | 2018-05-09 | 2024-09-25 | 솔브레인 주식회사 | 박막 형성용 전구체, 이의 제조방법, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 박막 |
| EP3869539A4 (en) * | 2018-10-18 | 2022-07-20 | Toray Industries, Inc. | METHOD FOR PRODUCING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING WIRELESS COMMUNICATION DEVICE |
| CN111370495B (zh) * | 2018-12-26 | 2022-05-03 | Tcl科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管有源层墨水及一种薄膜晶体管的制备方法 |
| TW202032810A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-09-01 | 美商納諾光子公司 | 包含電子分散層之量子點發光二極體及其製造方法 |
| CN113453798A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-09-28 | 埃克森美孚化学专利公司 | 催化剂组合物及前体、其制备方法和合成气转化方法 |
| CN111430380A (zh) * | 2020-04-14 | 2020-07-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN112420740B (zh) * | 2020-11-05 | 2024-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0696619A (ja) | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明導電膜形成用組成物とその形成方法 |
| RU2118402C1 (ru) * | 1994-05-17 | 1998-08-27 | Виктор Васильевич Дроботенко | Способ получения металлооксидных покрытий (его варианты) |
| JPH07320541A (ja) | 1994-05-19 | 1995-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 透明導電膜形成用組成物および透明導電膜の製造方法 |
| US20040055419A1 (en) * | 2001-01-19 | 2004-03-25 | Kurihara Lynn K. | Method for making metal coated powders |
| JP2005213105A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶金属酸化物薄膜とその製造方法及び不揮発性メモリ |
| KR20060097381A (ko) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| RU2298531C1 (ru) * | 2005-09-29 | 2007-05-10 | Илья Владимирович Шестов | Способ получения рефлекторных металлооксидных покрытий (варианты) |
| KR100777662B1 (ko) * | 2006-06-14 | 2007-11-29 | 삼성전기주식회사 | 잉크젯용 전도성 잉크 조성물 |
| CN101089028B (zh) * | 2006-06-15 | 2011-11-09 | 深圳市海川实业股份有限公司 | 一种制备聚氧化烯基不饱和酯的方法 |
| JP5333209B2 (ja) * | 2007-04-03 | 2013-11-06 | コニカミノルタ株式会社 | セルロースエステル光学フィルム、該セルロースエステル光学フィルムを用いた偏光板及び液晶表示装置、及びセルロースエステル光学フィルムの製造方法 |
| WO2008120596A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Konica Minolta Opto, Inc. | セルロースエステル光学フィルム、該セルロースエステル光学フィルムを用いた偏光板及び液晶表示装置、セルロースエステル光学フィルムの製造方法、及び共重合ポリマー |
| JP2008274096A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Sanyo Chem Ind Ltd | 導電インク組成物 |
| KR101454054B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2014-10-27 | 코니카 미놀타 어드밴스드 레이어즈 인코포레이티드 | 광학 필름, 편광판 및 액정 표시 장치 |
| US7968383B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-06-28 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Electronic device and method of manufacturing the same |
| JP5644111B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2014-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 金属酸化物半導体およびその製造方法、半導体素子、薄膜トランジスタ |
| JP2009177149A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-08-06 | Konica Minolta Holdings Inc | 金属酸化物半導体とその製造方法および薄膜トランジスタ |
| TWI385716B (zh) * | 2008-11-28 | 2013-02-11 | Univ Nat Chiao Tung | 以水溶液製備金屬氧化物薄膜之方法 |
| JP2010225287A (ja) * | 2009-03-19 | 2010-10-07 | Hitachi Maxell Ltd | 透明導電膜形成用インク及び透明導電膜 |
| US8319300B2 (en) * | 2009-04-09 | 2012-11-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solution composition for forming oxide thin film and electronic device including the oxide thin film |
| JP5640323B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2014-12-17 | コニカミノルタ株式会社 | 金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ |
| JP2012527523A (ja) * | 2009-05-21 | 2012-11-08 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 銅スズ硫化物および銅亜鉛スズ硫化物インク組成物 |
| KR20110107130A (ko) * | 2010-03-24 | 2011-09-30 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
-
2011
- 2011-11-17 JP JP2011251495A patent/JP6064314B2/ja active Active
- 2011-11-22 EP EP11845183.0A patent/EP2647039A4/en not_active Withdrawn
- 2011-11-22 BR BR112013013412A patent/BR112013013412A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-11-22 KR KR1020137016460A patent/KR20130111599A/ko active Application Filing
- 2011-11-22 CN CN2011800662088A patent/CN103339714A/zh active Pending
- 2011-11-22 US US13/989,975 patent/US20130240881A1/en not_active Abandoned
- 2011-11-22 WO PCT/JP2011/077444 patent/WO2012073913A1/en active Application Filing
- 2011-11-22 KR KR1020187016878A patent/KR20180067738A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-11-22 KR KR1020177015514A patent/KR20170068620A/ko active Application Filing
- 2011-11-22 KR KR1020147036608A patent/KR20150007358A/ko active Application Filing
- 2011-11-22 RU RU2013129806/28A patent/RU2546725C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-11-22 CN CN201710132348.XA patent/CN107424910A/zh active Pending
- 2011-11-22 SG SG2013041082A patent/SG190430A1/en unknown
- 2011-11-25 TW TW100143399A patent/TWI483292B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107424910A (zh) | 2017-12-01 |
| TW201227810A (en) | 2012-07-01 |
| EP2647039A4 (en) | 2017-03-15 |
| KR20180067738A (ko) | 2018-06-20 |
| JP6064314B2 (ja) | 2017-01-25 |
| BR112013013412A2 (pt) | 2016-09-06 |
| CN103339714A (zh) | 2013-10-02 |
| SG190430A1 (en) | 2013-07-31 |
| KR20150007358A (ko) | 2015-01-20 |
| EP2647039A1 (en) | 2013-10-09 |
| JP2013021289A (ja) | 2013-01-31 |
| KR20130111599A (ko) | 2013-10-10 |
| KR20170068620A (ko) | 2017-06-19 |
| US20130240881A1 (en) | 2013-09-19 |
| TWI483292B (zh) | 2015-05-01 |
| WO2012073913A1 (en) | 2012-06-07 |
| RU2546725C2 (ru) | 2015-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013129806A (ru) | Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, металлооксидная тонкая пленка, полевой транзистор и способ получения полевого транзистора | |
| CN104538401B (zh) | Tft基板结构 | |
| CN104040693B (zh) | 一种金属氧化物tft器件及制造方法 | |
| EP1770788A3 (en) | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof | |
| WO2014051740A3 (en) | Non-planar iii-v field effect transistors with conformal metal gate electrode & nitrogen doping of gate dielectric interface | |
| WO2014004012A3 (en) | High voltage three-dimensional devices having dielectric liners | |
| JP2011216175A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2013016785A5 (ru) | ||
| JP2009260002A5 (ru) | ||
| MX2015013213A (es) | "composiciones de pretratamiento y metodos para revestir un electrodo de bateria". | |
| GB201304474D0 (en) | Transistor having replacement metal gate and process for fabricating the same | |
| GB2497248A (en) | A graphene transistor with a self-aligned gaTE | |
| CN103296090B (zh) | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| IN2014CN04267A (ru) | ||
| KR20140123924A (ko) | 박막 트랜지스터(ｔｆｔ), 그의 제조 방법, 어레이 기판 및 디스플레이 장치 | |
| CN107068694B (zh) | 半导体器件结构及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN102683354A (zh) | 顶栅型n-tft、阵列基板及其制备方法和显示装置 | |
| Mukherjee et al. | Ultralow-voltage field-effect transistors using nanometer-thick transparent amorphous indium–gallium–zinc oxide films | |
| RU2010149479A (ru) | Электронное переключающее устройство и способ изготовления этого устройства | |
| CN104124281B (zh) | 双极性薄膜晶体管及其制备方法 | |
| EP3454360A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method therefor | |
| CN106409920B (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| GB2507214A (en) | Method of forming a top gate transistor | |
| CN105304497B (zh) | 一种薄膜晶体管、阵列基板及相关制作方法 | |
| GB2547858A (en) | Coplanar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacturing method therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201123 |