RU2012135373A - Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана - Google Patents

Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана Download PDF

Info

Publication number
RU2012135373A
RU2012135373A RU2012135373/05A RU2012135373A RU2012135373A RU 2012135373 A RU2012135373 A RU 2012135373A RU 2012135373/05 A RU2012135373/05 A RU 2012135373/05A RU 2012135373 A RU2012135373 A RU 2012135373A RU 2012135373 A RU2012135373 A RU 2012135373A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reactor
hydrogen
silicon tetrachloride
sic
hydrodechlorination
Prior art date
Application number
RU2012135373/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Гуидо Штохниоль
Гюнтер ЛАТОШИНСКИ
Йюсель ЭНАЛЬ
Инго ПАУЛИ
Альфонс БИКЕР
Original Assignee
Эвоник Дегусса Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эвоник Дегусса Гмбх filed Critical Эвоник Дегусса Гмбх
Publication of RU2012135373A publication Critical patent/RU2012135373A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/007—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor in the presence of catalytically active bodies, e.g. porous plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0053—Details of the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/02—Apparatus characterised by being constructed of material selected for its chemically-resistant properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
    • B01J19/2415—Tubular reactors
    • B01J19/2425—Tubular reactors in parallel
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/06—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds in tube reactors; the solid particles being arranged in tubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/02—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds
    • B01J8/06—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds in tube reactors; the solid particles being arranged in tubes
    • B01J8/062—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with stationary particles, e.g. in fixed beds in tube reactors; the solid particles being arranged in tubes being installed in a furnace
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
    • C01B33/10715—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material
    • C01B33/10731—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by reacting chlorine with silicon or a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00389—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
    • B01J2208/00415—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements electric resistance heaters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00504—Controlling the temperature by means of a burner
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00008—Controlling the process
    • B01J2208/00017—Controlling the temperature
    • B01J2208/00513—Controlling the temperature using inert heat absorbing solids in the bed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/00157—Controlling the temperature by means of a burner
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/025—Apparatus characterised by their chemically-resistant properties characterised by the construction materials of the reactor vessel proper
    • B01J2219/0263—Ceramic
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/10—Process efficiency
    • Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

1. Способ получения трихлорсилана путем взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом в реакторе гидродехлорирования (3), отличающийся тем, что реактор гидродехлорирования (3) эксплуатируют под давлением, причем он включает одну или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в), выполненных из керамического материала.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и/или содержащий водород исходный газ (2) в качестве потоков под давлением подают в эксплуатируемый под давлением реактор гидродехлорирования (3) и подвергают взаимодействию за счет подачи теплоты с получением содержащего трихлорсилан и HCl продуктового газа, выводимого из реактора гидродехлорирования (3) в качестве находящегося под давлением потока (4).3. Способ по п.2, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и содержащий водород исходный газ (2) подают в эксплуатируемый под давлением реактор гидродехлорирования (3) в качестве общего потока (1, 2).4. Способ по п.1, отличающийся тем, что керамический материал выбран из AlO, AlN, SiaN, SiCN или SiC.5. Способ по п.4, отличающийся тем, что керамический материал выбран из SiC, пропитанного кремнием, изостатически прессованного SiC, горячо изостатически прессованного SiC или спеченного без давления SiC (SSiC).6. Способ по п.1, отличающийся тем, что одна или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в) выполнены из спеченного без давления SiC (SSiC).7. Способ по п.2, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и/или содержащий водород исходный газ (2) подают в реактор гидродехлорирования (3) под давлением в диапазоне от 1 до 10 бар, предпочтительно в диапазоне от 3 до 8 бар, особенно �

Claims (17)

1. Способ получения трихлорсилана путем взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом в реакторе гидродехлорирования (3), отличающийся тем, что реактор гидродехлорирования (3) эксплуатируют под давлением, причем он включает одну или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в), выполненных из керамического материала.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и/или содержащий водород исходный газ (2) в качестве потоков под давлением подают в эксплуатируемый под давлением реактор гидродехлорирования (3) и подвергают взаимодействию за счет подачи теплоты с получением содержащего трихлорсилан и HCl продуктового газа, выводимого из реактора гидродехлорирования (3) в качестве находящегося под давлением потока (4).
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и содержащий водород исходный газ (2) подают в эксплуатируемый под давлением реактор гидродехлорирования (3) в качестве общего потока (1, 2).
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что керамический материал выбран из Al2O3, AlN, SiaN4, SiCN или SiC.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что керамический материал выбран из SiC, пропитанного кремнием, изостатически прессованного SiC, горячо изостатически прессованного SiC или спеченного без давления SiC (SSiC).
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что одна или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в) выполнены из спеченного без давления SiC (SSiC).
7. Способ по п.2, отличающийся тем, что содержащий тетрахлорид кремния исходный газ (1) и/или содержащий водород исходный газ (2) подают в реактор гидродехлорирования (3) под давлением в диапазоне от 1 до 10 бар, предпочтительно в диапазоне от 3 до 8 бар, особенно предпочтительно в диапазоне от 4 до 6 бар, и при температуре в диапазоне от 150°С до 900°С, предпочтительно в диапазоне от 300°С до 800°С, особенно предпочтительно в диапазоне от 500°С до 700°С.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что подачу теплоты для реакции в реакторе гидродехлорирования (3) осуществляют с помощью обогревательной камеры (15), в которой размещены одна или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в).
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что обогревательную камеру (15) нагревают с помощью электрического нагревателя сопротивления, или она представляет собой топочную камеру (15), работающую на горючем газе (18) и воздухе горения (19).
10. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что реакцию в реакторе гидродехлорирования (3) катализируют посредством катализирующего взаимодействие внутреннего покрытия одной или нескольких реакторных труб (3а, 3б, 3в).
11. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что реакцию в реакторе гидродехлорирования (3) катализируют посредством катализирующего взаимодействие покрытия размещенного в реакторе (3), соответственно в одной или нескольких реакторных трубах (3а, 3б, 3в), неподвижного слоя.
12. Применение реактора гидродехлорирования (3) в качестве интегральной составной части установки для получения трихлорсилана из металлургического кремния, отличающееся тем, что реактор гидродехлорирования (3) эксплуатируют под давлением, причем реактор включает одну или несколько реакторных труб (3а, 3б, ,в), выполненных из керамического материала.
13. Применение по п.12, отличающееся тем, что установка для получения трихлорсилана из металлургического кремния включает:
а) узел для взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом с получением трихлорсилана, включающий:
- расположенный в обогревательной камере (15) или топочной камере (15) реактор гидродехлорирования (3), причем узел предпочтительно включает одну или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в), размещенных в топочной камере (15);
- по меньшей мере, один трубопровод (1) для содержащего тетрахлорид кремния газа и, по меньшей мере, один трубопровод (2) для содержащего водород газа, подключенные к реактору гидродехлорирования (3) соответственно к узлу одной или несколько реакторных труб (3а, 3б, 3в), причем вместо отдельных трубопроводов (1) и (2) может иметься общий трубопровод (1, 2) для содержащего тетрахлорид кремния газа и содержащего водород газа;
- выходящий из реактора гидродехлорирования (3) трубопровод (4) для содержащего трихлорсилан и HCl продуктового газа;
- теплообменник (5), предпочтительно представляющий собой теплообменник из группы труб, через который направлен трубопровод для продуктового газа (4), а также, по меньшей мере, один трубопровод для тетрахлорида кремния (1) и/или, по меньшей мере, один трубопровод для водорода (2), с обеспечением переноса тепла из трубопровода для продуктового газа (4), по меньшей мере, в трубопровод для тетрахлорида кремния (1) и/или, по меньшей мере, трубопровод для водорода (2), причем теплообменник (5) может содержать теплообменные элементы из керамического материала;
- в случае необходимости, узел (7) или систему, включающую несколько узлов (7а, 7б, 7в) для отделения одного или нескольких продуктов, включающих тетрахлорид кремния, трихлорсилан, водород и HCl;
- в случае необходимости, трубопровод (8) для подачи отделенного тетрахлорида кремния в трубопровод для тетрахлорида кремния (1), предпочтительно вверх по направлению течения от теплообменника (5);
- в случае необходимости, трубопровод (9) для подачи отделенного трихлорсилана в место вывода конечного продукта;
- в случае необходимости, трубопровод (10) для подачи отделенного водорода в трубопровод для водорода (2), предпочтительно вверх по направлению течения от теплообменника (5); и
- в случае необходимости, трубопровод (11) для подачи отделенного HCl в установку гидрохлорирования кремния; и
б) узел для взаимодействия металлургического кремния с HCl получением тетрахлорида кремния, включающий:
- установку гидрохлорирования (12), установленную перед узлом для взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом, причем, по меньшей мере, часть используемого HCl через поток HCl (11) можно подать в установку гидрохлорирования (12);
- конденсатор (13) для отделения, по меньшей мере, части водорода как продукта присоединения, причем водород происходит из реакции в установке гидрохлорирования (12) и причем данный водород по трубопроводу для водорода (2) подают в реактор гидродехлорирования (3) или в систему одной или нескольких реакторных труб (3а, 3б, 3в);
- дистилляционную установку (14) для отделения, по меньшей мере, тетрахлорида кремния и трихлорсилана из смеси остальных продуктов от реакции в установке гидрохлорирования (12), причем тетрахлорид кремния по трубопроводу для тетрахлорида кремния (1) подают в реактор гидродехлорирования (3), соответственно систему одной или нескольких реакторных труб (3а, 3б, 3в) и
- в случае необходимости, теплообменник (16) для предварительного нагревания предусмотренного для топочной камеры (15) воздуха горения (19) с использованием вытекающего из топочной камеры (15) дымового газа (20); и
- в случае необходимости, установку (17) для получения пара из вытекающего из теплообменника (16) дымового газа (20).
14. Применение по п.12, отличающееся тем, что керамический материал выбран из SiC, пропитанного кремнием, изостатически прессованного SIC, горячо изостатически прессованного SiC или спеченного без давления SiC (SSiC).
15. Применение по одному из пп.12-14, отличающееся тем, что реактор гидродехлорирования (3), реакторные трубы (3а, 3б 3в), обогревательная камера (15) или эксплуатация реактора гидродехлорирования (3) имеют приведенные в пп.1-11 признаки.
16. Применение керамического материала, выбранного из Al2O3, AlN, Si3N4, SiCN или SiC, в качестве материала для реакторной трубы (3а, 3б, 3в), причем предпочтительно керамический материал выбран из SiC, пропитанного кремнием, изостатически прессованного SiC, горячо изостатически прессованного SiC или спеченного без давления SiC (SSiC).
17. Применение по п.16, отличающееся тем, что реакторная труба (3а, 3б, 3в) представляет собой реакторную трубу реактора гидродехлорирования (3) для взаимодействия тетрахлорида кремния с водородом с получением трихлорсилана.
RU2012135373/05A 2010-01-18 2010-12-15 Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана RU2012135373A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010000978.4 2010-01-18
DE102010000978A DE102010000978A1 (de) 2010-01-18 2010-01-18 Strömungsrohrreaktor zur Umsetzung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan
PCT/EP2010/069799 WO2011085896A2 (de) 2010-01-18 2010-12-15 Strömungsrohrreaktor zur umsetzung von siliziumtetrachlorid zu trichlorsilan

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012135373A true RU2012135373A (ru) 2014-03-10

Family

ID=43920904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012135373/05A RU2012135373A (ru) 2010-01-18 2010-12-15 Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20130078176A1 (ru)
EP (1) EP2526056A2 (ru)
JP (1) JP5635128B2 (ru)
KR (1) KR20120125470A (ru)
CN (1) CN102725229A (ru)
CA (1) CA2786420A1 (ru)
DE (1) DE102010000978A1 (ru)
RU (1) RU2012135373A (ru)
TW (1) TW201139272A (ru)
WO (1) WO2011085896A2 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102009048087A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
DE102010039267A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Evonik Degussa Gmbh Verwendung eines Reaktors mit integriertem Wärmetauscher in einem Verfahren zur Hydrodechlorierung von Siliziumtetrachlorid
DE102011002749A1 (de) 2011-01-17 2012-07-19 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan
US20140086815A1 (en) * 2011-03-25 2014-03-27 Evonik Degussa Gmbh Use of silicon carbide tubes with a flanged or flared end
DE102012223784A1 (de) * 2012-12-19 2014-06-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Konvertierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan
WO2015047043A1 (ko) * 2013-09-30 2015-04-02 주식회사 엘지화학 트리클로로실란 제조방법
JP6037047B2 (ja) * 2013-09-30 2016-11-30 エルジー・ケム・リミテッド 卜リクロロシラン製造方法
US20170021319A1 (en) * 2014-03-10 2017-01-26 Sitec Gmbh Hydrochlorination reactor
EP3075707A1 (de) * 2015-04-02 2016-10-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur hydrierung von siliciumtetrachlorid zu trichlorsilan durch ein gasgemisch von wasserstoff und chlorwasserstoff
JP6790254B2 (ja) * 2016-11-23 2020-11-25 ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ 四塩化ケイ素を水素化する方法
CN106813264A (zh) * 2017-04-01 2017-06-09 东方宏海新能源科技发展有限公司 一种高效燃烧器
CN109647290B (zh) * 2018-12-10 2021-08-24 浙江工业大学 纳米二氧化猛/氧化铝复合涂层管式反应器及其制备方法和应用

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3024320A1 (de) * 1980-06-27 1982-04-01 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zur hochtemperaturbehandlung von gasen
DE3024319C2 (de) * 1980-06-27 1983-07-21 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
JPS57129817A (en) * 1981-01-30 1982-08-12 Osaka Titanium Seizo Kk Manufacture of trichlorosilane
DE19654154A1 (de) * 1995-12-25 1997-06-26 Tokuyama Corp Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
US20040173597A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-09 Manoj Agrawal Apparatus for contacting gases at high temperature
DE102004019760A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-17 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von HSiCI3 durch katalytische Hydrodehalogenierung von SiCI4
DE102005005044A1 (de) * 2005-02-03 2006-08-10 Consortium für elektrochemische Industrie GmbH Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid
DE102005046703A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen
JP5428145B2 (ja) * 2006-10-31 2014-02-26 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
JP5488777B2 (ja) * 2006-11-30 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2526056A2 (de) 2012-11-28
TW201139272A (en) 2011-11-16
KR20120125470A (ko) 2012-11-15
CA2786420A1 (en) 2011-07-21
WO2011085896A3 (de) 2011-10-13
JP5635128B2 (ja) 2014-12-03
US20130078176A1 (en) 2013-03-28
JP2013517207A (ja) 2013-05-16
WO2011085896A2 (de) 2011-07-21
CN102725229A (zh) 2012-10-10
DE102010000978A1 (de) 2011-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012135373A (ru) Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана
JP2013517207A5 (ru)
JP2013517210A (ja) 金属シリコンからトリクロロシランを製造するための「閉ループ」法
JP2013517210A5 (ru)
US7704070B2 (en) Heat transfer system for the combustion of a fuel heating of a process fluid and a process that uses same
US7651331B2 (en) Multi-tube heat transfer system for the combustion of a fuel and heating of a process fluid and the use thereof
CN102725227A (zh) 压力驱动的陶瓷热交换器作为用于将四氯化硅转化成三氯硅烷设备的整体部件的用途
WO2008065838A1 (fr) Procédé de production de trichlorosilane et dispositif de production de trichlorosilane
RU2014123619A (ru) Трубка для риформинга с внутренним теплообменом
RU2010133891A (ru) Устройство для синтеза углеродных нанотрубок
TW201223866A (en) Use of a reactor with integrated heat exchanger in a process for hydrodechlorinating silicon tetrachloride
CN103328381B (zh) 用于将四氯化硅转化为三氯硅烷的方法及装置
CN103880011A (zh) 用于将四氯化硅转化为三氯硅烷的方法
US20110200511A1 (en) Process for the hydrogenation of chlorosilanes and converter for carrying out the process
JP2008115059A (ja) トリクロロシランの製造方法及びトリクロロシラン製造装置
RU2575848C1 (ru) Устройство для получения бензина
RU2007136610A (ru) Способ риформинга для получения синтез-газа и установка для его осуществления

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150325