RU2012123720A - Композиция для химико-механической полировки (хмп), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы - Google Patents
Композиция для химико-механической полировки (хмп), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012123720A RU2012123720A RU2012123720/05A RU2012123720A RU2012123720A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A RU 2012123720/05 A RU2012123720/05 A RU 2012123720/05A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- cmp
- polymer particles
- inorganic particles
- particles
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract 22
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 title claims abstract 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract 19
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 13
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims abstract 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
1. Композиция для химико-механической полировки (ХМП), содержащая(A) по меньшей мере, один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),(Б) по меньшей мере, один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),(B) жидкую среду,где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) идзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группойили имидазольной группой.2. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,4 мас.% от композиции для ХМП.3. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,2 мас.% от композиции для ХМП.4. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 1 мас.% от композиции для ХМП.5. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 0,6 мас.% от композиции для ХМП.6. Композиция для ХМП по п.1, в которой отношение среднего размера неорганических частиц (А) к среднему размеру полимерных частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0.7. Композиция для ХМП по п.1, в которой массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2.8. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид кремния, оксид титана или оксид циркония, или их смесь.9. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид церия.10. Комп�
Claims (15)
1. Композиция для химико-механической полировки (ХМП), содержащая
(A) по меньшей мере, один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(Б) по меньшей мере, один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(B) жидкую среду,
где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой
или имидазольной группой.
2. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,4 мас.% от композиции для ХМП.
3. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,2 мас.% от композиции для ХМП.
4. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 1 мас.% от композиции для ХМП.
5. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 0,6 мас.% от композиции для ХМП.
6. Композиция для ХМП по п.1, в которой отношение среднего размера неорганических частиц (А) к среднему размеру полимерных частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0.
7. Композиция для ХМП по п.1, в которой массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2.
8. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид кремния, оксид титана или оксид циркония, или их смесь.
9. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид церия.
10. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой величина рН находится в интервале от 4 до 6.
11. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, содержащая
(А) частицы оксида церия,
(Б) полимерные частицы, содержащие, по меньшей мере, одну диалкиламино-группу или имидазольную группу,
(В) воду,
где отношение среднего размера частиц (А) к среднему размеру частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0, массовое отношение (Б) к (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2, и величина рН находится в интервале от 2,5 до 7,5.
12. Способ получения композиции для ХМП, включающий
диспергирование, по меньшей мере, одного типа неорганических частиц (А) и, по меньшей мере, одного типа полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В), где
дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой или
имидазольной группой.
13. Способ производства полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку поверхности диэлектрического субстрата в присутствии композиции для ХМП по любому пп.1-11.
14. Применение композиции для ХМП по любому из пп.1-11 и способа по любому из п.п.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстратов, используемых в полупроводниковой промышленности.
15. Применение композиции для ХМП по любому пп.1-11 и способа по любому из пп.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстрата, который представляет собой устройство с узкощелевой изоляцией (STI).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26087309P | 2009-11-13 | 2009-11-13 | |
| US61/260,873 | 2009-11-13 | ||
| PCT/IB2010/055101 WO2011058503A1 (en) | 2009-11-13 | 2010-11-10 | A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising inorganic particles and polymer particles |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012123720A true RU2012123720A (ru) | 2013-12-20 |
| RU2579597C2 RU2579597C2 (ru) | 2016-04-10 |
Family
ID=43991260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012123720/05A RU2579597C2 (ru) | 2009-11-13 | 2010-11-10 | Композиция для химико-механической полировки (хмп ), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9255214B2 (ru) |
| EP (1) | EP2499210B1 (ru) |
| JP (1) | JP6005516B2 (ru) |
| KR (1) | KR101809762B1 (ru) |
| CN (1) | CN102597142B (ru) |
| IL (1) | IL219144A (ru) |
| MY (1) | MY161863A (ru) |
| RU (1) | RU2579597C2 (ru) |
| SG (1) | SG10201407348PA (ru) |
| TW (1) | TWI500722B (ru) |
| WO (1) | WO2011058503A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5574702B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2014-08-20 | 日揮触媒化成株式会社 | 有機粒子とシリカ粒子の凝集体からなる研磨用粒子分散液およびその製造方法 |
| EP2539412A4 (en) | 2010-02-24 | 2013-07-31 | Basf Se | AQUEOUS CLEANSING AGENT, AND PFROPOPOPOLYMERS AND THEIR USE IN A METHOD OF CLEANING PATENTED AND UNSTRUCTURED METAL SURFACES |
| CN103249789B (zh) | 2010-10-07 | 2016-01-13 | 巴斯夫欧洲公司 | 含水抛光组合物及化学机械抛光具有图案化或未图案化低k电介质层的基材的方法 |
| WO2012077063A1 (en) | 2010-12-10 | 2012-06-14 | Basf Se | Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films |
| US9487674B2 (en) | 2011-09-07 | 2016-11-08 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a glycoside |
| BR112014011321A8 (pt) | 2011-11-10 | 2018-12-18 | Basf Se | aditivo de agente de deslizamento de revestimento de papel, processo para a preparação de um agente de deslizamento de papel, composição de revestimento de papel, e, papel ou papelão |
| EP2682441A1 (en) * | 2012-07-06 | 2014-01-08 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group |
| US9340706B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive polishing compositions |
| US10946494B2 (en) | 2015-03-10 | 2021-03-16 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing agent, stock solution for polishing agent, and polishing method |
| KR20170030143A (ko) * | 2015-09-08 | 2017-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR102524807B1 (ko) | 2016-11-04 | 2023-04-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR102782008B1 (ko) * | 2019-12-06 | 2025-03-18 | 주식회사 케이씨텍 | 고단차 연마용 슬러리 조성물 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954142A (en) | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| US6258137B1 (en) * | 1992-02-05 | 2001-07-10 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | CMP products |
| KR100775228B1 (ko) * | 1996-09-30 | 2007-11-12 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 산화세륨 연마제 및 기판의 연마법 |
| DE19719503C2 (de) | 1997-05-07 | 2002-05-02 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung |
| DE19755975A1 (de) | 1997-12-16 | 1999-06-17 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
| US6740590B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
| KR20020035826A (ko) * | 1999-07-03 | 2002-05-15 | 갤반 마틴 | 금속용의 개선된 화학기계적 연마 슬러리 |
| JP4151179B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2008-09-17 | Ｊｓｒ株式会社 | 複合粒子の製造方法及びこの方法により製造される複合粒子並びに複合粒子を含有する化学機械研磨用水系分散体 |
| US6582761B1 (en) | 1999-11-22 | 2003-06-24 | Jsr Corporation | Method of production of composited particle, composited particle produced by this method and aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing this composited particle, and method of production of aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| JP4123685B2 (ja) | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Ｊｓｒ株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| DE10062496B4 (de) | 2000-12-14 | 2005-03-17 | Peter Wolters Cmp - Systeme Gmbh & Co. Kg | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
| JP4187206B2 (ja) * | 2002-10-04 | 2008-11-26 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
| US20040065021A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Yasuhiro Yoneda | Polishing composition |
| US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
| US7071105B2 (en) * | 2003-02-03 | 2006-07-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a silicon-containing dielectric |
| JP2006041252A (ja) | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法 |
| US7207871B1 (en) | 2005-10-06 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multiple chambers |
| KR100832993B1 (ko) * | 2006-04-14 | 2008-05-27 | 주식회사 엘지화학 | Ｃｍｐ 슬러리용 보조제 |
| US8912273B2 (en) | 2008-06-17 | 2014-12-16 | Basf Se | Process for the preparation of an aqueous polymer dispersion |
| WO2010037730A1 (en) | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (cmp) polishing solution with enhanced performance |
| US8679980B2 (en) | 2009-05-06 | 2014-03-25 | Basf Se | Aqueous metal polishing agent comprising a polymeric abrasiv containing pendant functional groups and its use in a CMP process |
| EP2427522B1 (en) | 2009-05-06 | 2017-03-01 | Basf Se | An aqueous polishing agent comprising solid polymer particles and two complexing agents and its use in a process for polishing patterned and unstructured metal surfaces |
| WO2010128094A1 (en) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Basf Se | Oxidizing particles based slurry for nobel metal including ruthenium chemical mechanical planarization |
| US20120077419A1 (en) | 2009-06-05 | 2012-03-29 | Basf Se | Raspberry-type metal oxide nanostructures coated with ceo2 nanoparticles for chemical mechanical planarization (cmp) |
-
2010
- 2010-11-10 RU RU2012123720/05A patent/RU2579597C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-10 EP EP10829604.7A patent/EP2499210B1/en not_active Not-in-force
- 2010-11-10 SG SG10201407348PA patent/SG10201407348PA/en unknown
- 2010-11-10 CN CN201080050637.1A patent/CN102597142B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-10 MY MYPI2012001715A patent/MY161863A/en unknown
- 2010-11-10 WO PCT/IB2010/055101 patent/WO2011058503A1/en not_active Ceased
- 2010-11-10 JP JP2012538454A patent/JP6005516B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-10 US US13/503,753 patent/US9255214B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-10 KR KR1020127014055A patent/KR101809762B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-12 TW TW099138908A patent/TWI500722B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-04-15 IL IL219144A patent/IL219144A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101809762B1 (ko) | 2017-12-15 |
| CN102597142B (zh) | 2014-09-17 |
| RU2579597C2 (ru) | 2016-04-10 |
| EP2499210A1 (en) | 2012-09-19 |
| CN102597142A (zh) | 2012-07-18 |
| IL219144A (en) | 2016-07-31 |
| SG10201407348PA (en) | 2015-01-29 |
| IL219144A0 (en) | 2012-06-28 |
| WO2011058503A1 (en) | 2011-05-19 |
| US20120208344A1 (en) | 2012-08-16 |
| TWI500722B (zh) | 2015-09-21 |
| JP6005516B2 (ja) | 2016-10-12 |
| TW201122068A (en) | 2011-07-01 |
| KR20120101044A (ko) | 2012-09-12 |
| EP2499210B1 (en) | 2017-01-11 |
| MY161863A (en) | 2017-05-15 |
| JP2013511144A (ja) | 2013-03-28 |
| US9255214B2 (en) | 2016-02-09 |
| EP2499210A4 (en) | 2015-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012123720A (ru) | Композиция для химико-механической полировки (хмп), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы | |
| US11046869B2 (en) | Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method | |
| JP2013511144A5 (ru) | ||
| JP5569575B2 (ja) | 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法 | |
| JP5287174B2 (ja) | 研磨剤及び研磨方法 | |
| US20150017806A1 (en) | Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method | |
| TWI613284B (zh) | Ｃｍｐ用硏磨液及硏磨方法 | |
| CN106471090A (zh) | Cmp用研磨液和研磨方法 | |
| TWI780194B (zh) | 研磨液、研磨液套組及研磨方法 | |
| TW201134931A (en) | Polishing composition and polishing method using the same | |
| JP6375623B2 (ja) | 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法 | |
| US11505731B2 (en) | Slurry and polishing method | |
| Penta et al. | Role of hydrogen bonding on the adsorption of several amino acids on SiO2 and Si3N4 and selective polishing of these materials using ceria dispersions | |
| US20100171069A1 (en) | Dispersion comprising cerium oxide, silicon dioxide and amino acid | |
| CN103189457A (zh) | 用于化学机械抛光电子、机械和光学器件用基底材料的含水抛光组合物和方法 | |
| KR20170098296A (ko) | 기판을 포함하는 코발트 및/또는 코발트 합금의 폴리싱을 위한 화학 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물의 용도 | |
| JP2010028086A (ja) | Ｃｍｐ研磨剤、このｃｍｐ研磨剤を用いた研磨方法 | |
| CN103975001B (zh) | 制备cmp组合物的方法及其应用 | |
| KR20160114709A (ko) | 폴리（아미노산）을 포함하는 화학 기계적 연마（ｃｍｐ） 조성물 | |
| EP2220187A1 (en) | Dispersion comprising cerium oxide and sheet silicate | |
| WO2009080443A1 (en) | Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide | |
| JP2009272601A (ja) | 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー | |
| Jindal et al. | Chemical mechanical polishing of dielectric films using mixed abrasive slurries | |
| CN1840602A (zh) | 制备具有高分散稳定性的抛光浆料的方法 | |
| Li et al. | Role of slurry additives on chemical mechanical planarization of silicon dioxide film in colloidal silica based slurry |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191111 |