RU2012123720A - Композиция для химико-механической полировки (хмп), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы - Google Patents

Композиция для химико-механической полировки (хмп), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы Download PDF

Info

Publication number
RU2012123720A
RU2012123720A RU2012123720/05A RU2012123720A RU2012123720A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A RU 2012123720/05 A RU2012123720/05 A RU 2012123720/05A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A RU 2012123720 A RU2012123720 A RU 2012123720A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition
cmp
polymer particles
inorganic particles
particles
Prior art date
Application number
RU2012123720/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2579597C2 (ru
Inventor
Михаэль ЛАУТЕР
Виджай Иммануэль РАМАН
Южуо ЛИ
Шиям Сундар ВЕНКАТАРАМАН
Даниэль Кво-Хунг ШЕН
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2012123720A publication Critical patent/RU2012123720A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2579597C2 publication Critical patent/RU2579597C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
    • H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

1. Композиция для химико-механической полировки (ХМП), содержащая(A) по меньшей мере, один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),(Б) по меньшей мере, один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),(B) жидкую среду,где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) идзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группойили имидазольной группой.2. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,4 мас.% от композиции для ХМП.3. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,2 мас.% от композиции для ХМП.4. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 1 мас.% от композиции для ХМП.5. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 0,6 мас.% от композиции для ХМП.6. Композиция для ХМП по п.1, в которой отношение среднего размера неорганических частиц (А) к среднему размеру полимерных частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0.7. Композиция для ХМП по п.1, в которой массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2.8. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид кремния, оксид титана или оксид циркония, или их смесь.9. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид церия.10. Комп�

Claims (15)

1. Композиция для химико-механической полировки (ХМП), содержащая
(A) по меньшей мере, один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(Б) по меньшей мере, один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(B) жидкую среду,
где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой
или имидазольной группой.
2. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,4 мас.% от композиции для ХМП.
3. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,2 мас.% от композиции для ХМП.
4. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 1 мас.% от композиции для ХМП.
5. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 0,6 мас.% от композиции для ХМП.
6. Композиция для ХМП по п.1, в которой отношение среднего размера неорганических частиц (А) к среднему размеру полимерных частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0.
7. Композиция для ХМП по п.1, в которой массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2.
8. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид кремния, оксид титана или оксид циркония, или их смесь.
9. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид церия.
10. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой величина рН находится в интервале от 4 до 6.
11. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, содержащая
(А) частицы оксида церия,
(Б) полимерные частицы, содержащие, по меньшей мере, одну диалкиламино-группу или имидазольную группу,
(В) воду,
где отношение среднего размера частиц (А) к среднему размеру частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0, массовое отношение (Б) к (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2, и величина рН находится в интервале от 2,5 до 7,5.
12. Способ получения композиции для ХМП, включающий
диспергирование, по меньшей мере, одного типа неорганических частиц (А) и, по меньшей мере, одного типа полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В), где
дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой или
имидазольной группой.
13. Способ производства полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку поверхности диэлектрического субстрата в присутствии композиции для ХМП по любому пп.1-11.
14. Применение композиции для ХМП по любому из пп.1-11 и способа по любому из п.п.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстратов, используемых в полупроводниковой промышленности.
15. Применение композиции для ХМП по любому пп.1-11 и способа по любому из пп.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстрата, который представляет собой устройство с узкощелевой изоляцией (STI).
RU2012123720/05A 2009-11-13 2010-11-10 Композиция для химико-механической полировки (хмп ), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы RU2579597C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26087309P 2009-11-13 2009-11-13
US61/260,873 2009-11-13
PCT/IB2010/055101 WO2011058503A1 (en) 2009-11-13 2010-11-10 A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising inorganic particles and polymer particles

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012123720A true RU2012123720A (ru) 2013-12-20
RU2579597C2 RU2579597C2 (ru) 2016-04-10

Family

ID=43991260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012123720/05A RU2579597C2 (ru) 2009-11-13 2010-11-10 Композиция для химико-механической полировки (хмп ), содержащая неорганические частицы и полимерные частицы

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9255214B2 (ru)
EP (1) EP2499210B1 (ru)
JP (1) JP6005516B2 (ru)
KR (1) KR101809762B1 (ru)
CN (1) CN102597142B (ru)
IL (1) IL219144A (ru)
MY (1) MY161863A (ru)
RU (1) RU2579597C2 (ru)
SG (1) SG10201407348PA (ru)
TW (1) TWI500722B (ru)
WO (1) WO2011058503A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5574702B2 (ja) * 2009-12-28 2014-08-20 日揮触媒化成株式会社 有機粒子とシリカ粒子の凝集体からなる研磨用粒子分散液およびその製造方法
JP6004943B2 (ja) 2010-02-24 2016-10-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 水性研磨剤及びグラフトコポリマー並びにそれらをパターン形成された及び構造化されていない金属表面の研磨プロセスに用いる使用
EP2625236B1 (en) 2010-10-07 2017-12-13 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates having patterned or unpatterned low-k dielectric layers
RU2588620C2 (ru) 2010-12-10 2016-07-10 Басф Се Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки на основе оксидкремниевого диэлектрика и на основе поликремния
EP2753670B1 (en) 2011-09-07 2016-06-22 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a glycoside
ES2545857T3 (es) 2011-11-10 2015-09-16 Basf Se Aditivo de baño de estucado de papel que comprende monómero de ácido, monómero asociativo y monómero no iónico
EP2682441A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-08 Basf Se A chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group
US9340706B2 (en) 2013-10-10 2016-05-17 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive polishing compositions
US10946494B2 (en) 2015-03-10 2021-03-16 Showa Denko Materials Co., Ltd. Polishing agent, stock solution for polishing agent, and polishing method
KR20170030143A (ko) * 2015-09-08 2017-03-17 삼성에스디아이 주식회사 구리 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
KR102524807B1 (ko) 2016-11-04 2023-04-25 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
KR102782008B1 (ko) * 2019-12-06 2025-03-18 주식회사 케이씨텍 고단차 연마용 슬러리 조성물

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954142A (en) 1989-03-07 1990-09-04 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US6258137B1 (en) * 1992-02-05 2001-07-10 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. CMP products
KR100761636B1 (ko) * 1996-09-30 2007-09-27 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 산화세륨 입자
DE19719503C2 (de) 1997-05-07 2002-05-02 Wolters Peter Werkzeugmasch Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren von Oberflächen von Halbleiterwafern und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
DE19755975A1 (de) 1997-12-16 1999-06-17 Wolters Peter Werkzeugmasch Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
EP1036836B1 (en) 1999-03-18 2004-11-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
JP2003503862A (ja) * 1999-07-03 2003-01-28 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 改良された金属用化学機械研磨スラリー
US6582761B1 (en) 1999-11-22 2003-06-24 Jsr Corporation Method of production of composited particle, composited particle produced by this method and aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing this composited particle, and method of production of aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
JP4151179B2 (ja) * 1999-11-22 2008-09-17 Ｊｓｒ株式会社 複合粒子の製造方法及びこの方法により製造される複合粒子並びに複合粒子を含有する化学機械研磨用水系分散体
JP4123685B2 (ja) * 2000-05-18 2008-07-23 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
DE10062496B4 (de) 2000-12-14 2005-03-17 Peter Wolters Cmp - Systeme Gmbh & Co. Kg Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer
US20040065021A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Yasuhiro Yoneda Polishing composition
JP4187206B2 (ja) * 2002-10-04 2008-11-26 花王株式会社 研磨液組成物
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7071105B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
JP2006041252A (ja) 2004-07-28 2006-02-09 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法
US7207871B1 (en) 2005-10-06 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Carrier head with multiple chambers
KR100832993B1 (ko) * 2006-04-14 2008-05-27 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리용 보조제
WO2009153162A1 (de) 2008-06-17 2009-12-23 Basf Se Verfahren zur herstellung einer wässrigen polymerisatdispersion
KR101686255B1 (ko) 2008-10-03 2016-12-13 바스프 에스이 향상된 성능의 화학적 기계적 연마(ｃｍｐ) 연마 용액
WO2010127938A1 (en) 2009-05-06 2010-11-11 Basf Se An aqueous polishing agent comprising solid polymer particles and two complexing agents and its use in a process for polishing patterned and unstructured metal surfaces
KR101793288B1 (ko) 2009-05-06 2017-11-02 바스프 에스이 측쇄 작용기를 함유하는 중합체 연마재를 포함한 수성 금속 연마제 및 ｃｍｐ 공정에서 이의 용도
WO2010128094A1 (en) 2009-05-08 2010-11-11 Basf Se Oxidizing particles based slurry for nobel metal including ruthenium chemical mechanical planarization
WO2010139603A1 (en) 2009-06-05 2010-12-09 Basf Se RASPBERRY-TYPE METAL OXIDE NANOSTRUCTURES COATED WITH CeO2 NANOPARTICLES FOR CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION (CMP)

Also Published As

Publication number Publication date
US20120208344A1 (en) 2012-08-16
IL219144A (en) 2016-07-31
RU2579597C2 (ru) 2016-04-10
WO2011058503A1 (en) 2011-05-19
SG10201407348PA (en) 2015-01-29
IL219144A0 (en) 2012-06-28
US9255214B2 (en) 2016-02-09
TW201122068A (en) 2011-07-01
EP2499210A4 (en) 2015-04-29
EP2499210A1 (en) 2012-09-19
KR20120101044A (ko) 2012-09-12
TWI500722B (zh) 2015-09-21
MY161863A (en) 2017-05-15
JP2013511144A (ja) 2013-03-28
KR101809762B1 (ko) 2017-12-15
CN102597142B (zh) 2014-09-17
JP6005516B2 (ja) 2016-10-12
CN102597142A (zh) 2012-07-18
EP2499210B1 (en) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10557058B2 (en) Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method
US11046869B2 (en) Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method
JP2013511144A5 (ru)
JP5287174B2 (ja) 研磨剤及び研磨方法
TWI605112B (zh) 研磨用組成物
CN106471090A (zh) Cmp用研磨液和研磨方法
JP6375623B2 (ja) 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
TW201134931A (en) Polishing composition and polishing method using the same
KR102585410B1 (ko) 코발트 및/또는 코발트 합금을 포함하는 기판의 폴리싱을 위한 화학 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물의 용도
Penta et al. Role of hydrogen bonding on the adsorption of several amino acids on SiO2 and Si3N4 and selective polishing of these materials using ceria dispersions
US11505731B2 (en) Slurry and polishing method
JP2013062511A (ja) 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
TW201129686A (en) CMP polishing fluid, polishing method of substrate, and electronic component
Manivannan et al. The effect of hydrogen peroxide on polishing removal rate in CMP with various abrasives
US20100171069A1 (en) Dispersion comprising cerium oxide, silicon dioxide and amino acid
KR102586317B1 (ko) 코발트 및/또는 코발트 합금을 포함하는 기판의 폴리싱을 위한 화학 기계적 폴리싱 (cmp) 조성물의 사용
JP2010028086A (ja) Ｃｍｐ研磨剤、このｃｍｐ研磨剤を用いた研磨方法
Jindal et al. Chemical mechanical polishing of dielectric films using mixed abrasive slurries
KR20160114709A (ko) 폴리（아미노산）을 포함하는 화학 기계적 연마（ｃｍｐ） 조성물
WO2009080436A1 (en) Dispersion comprising cerium oxide and sheet silicate
WO2009080443A1 (en) Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide
JP2009272601A (ja) 研磨剤、これを用いた基板の研磨方法並びにこの研磨方法に用いる溶液及びスラリー
CN1840602A (zh) 制备具有高分散稳定性的抛光浆料的方法
JP2014187268A (ja) Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
JP5464834B2 (ja) 研磨用シリカゾル、研磨用組成物および研磨用シリカゾルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191111