RU2012118396A - Твердотельное устройство захвата изображения - Google Patents

Твердотельное устройство захвата изображения Download PDF

Info

Publication number
RU2012118396A
RU2012118396A RU2012118396/28A RU2012118396A RU2012118396A RU 2012118396 A RU2012118396 A RU 2012118396A RU 2012118396/28 A RU2012118396/28 A RU 2012118396/28A RU 2012118396 A RU2012118396 A RU 2012118396A RU 2012118396 A RU2012118396 A RU 2012118396A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor region
conductivity
photoelectric conversion
type
solid
Prior art date
Application number
RU2012118396/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2502155C1 (ru
Inventor
Юсуке ОНУКИ
Юитиро ЯМАСИТА
Масахиро КОБАЯСИ
Original Assignee
Кэнон Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кэнон Кабусики Кайся filed Critical Кэнон Кабусики Кайся
Publication of RU2012118396A publication Critical patent/RU2012118396A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2502155C1 publication Critical patent/RU2502155C1/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

1. Твердотельное устройство захвата изображения, включающее в себя пиксел, пиксел содержит:- участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный, чтобы формировать заряды в соответствии с падающим светом;- участок удержания зарядов, сконфигурированный, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая удерживает заряды, сформированные участком фотоэлектрического преобразования, в участке, отличном от участка фотоэлектрического преобразования; и- участок переноса, сконфигурированный, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания зарядов и узлом считывания,при этом вторая полупроводниковая область второго типа проводимости располагается под первой полупроводниковой областью с тем, чтобы формировать p-n-переход вместе с первой полупроводниковой областью, ипри этом концентрация примеси второго типа проводимости второй полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси второго типа проводимости области, которая находится под электродом передающего затвора, и которая находится на той же глубине, что и вторая полупроводниковая область.2. Твердотельное устройство захвата изображения по п.1,в котором узел считывания включает в себя плавающую диффузионную область, ив котором третья полупроводниковая область второго типа проводимости располагается в более глубокой позиции, чем вторая полупроводниковая область, причем третья полупроводниковая область продолжается под электродом передающего затвора, плавающей диффузионной областью и, по меньшей мере, частью второй полупроводниковой о�

Claims (24)

1. Твердотельное устройство захвата изображения, включающее в себя пиксел, пиксел содержит:
- участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный, чтобы формировать заряды в соответствии с падающим светом;
- участок удержания зарядов, сконфигурированный, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая удерживает заряды, сформированные участком фотоэлектрического преобразования, в участке, отличном от участка фотоэлектрического преобразования; и
- участок переноса, сконфигурированный, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания зарядов и узлом считывания,
при этом вторая полупроводниковая область второго типа проводимости располагается под первой полупроводниковой областью с тем, чтобы формировать p-n-переход вместе с первой полупроводниковой областью, и
при этом концентрация примеси второго типа проводимости второй полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси второго типа проводимости области, которая находится под электродом передающего затвора, и которая находится на той же глубине, что и вторая полупроводниковая область.
2. Твердотельное устройство захвата изображения по п.1,
в котором узел считывания включает в себя плавающую диффузионную область, и
в котором третья полупроводниковая область второго типа проводимости располагается в более глубокой позиции, чем вторая полупроводниковая область, причем третья полупроводниковая область продолжается под электродом передающего затвора, плавающей диффузионной областью и, по меньшей мере, частью второй полупроводниковой области.
3. Твердотельное устройство захвата изображения по п.2,
в котором участок фотоэлектрического преобразования включает в себя полупроводниковую область первого типа проводимости и полупроводниковую область второго типа проводимости, которая располагается под полупроводниковой областью первого типа проводимости, и которая формирует p-n-переход вместе с полупроводниковой областью первого типа проводимости,
в котором третья полупроводниковая область включает в себя множество полупроводниковых областей, которые располагаются на различных глубинах, и
в котором, среди множества полупроводниковых областей, включенных в третью полупроводниковую область, полупроводниковая область с нижней стороны продолжается до глубины, на которой формируется p-n-переход участка фотоэлектрического преобразования.
4. Твердотельное устройство захвата изображения по п.2,
в котором краевой участок со стороны участка фотоэлектрического преобразования третьей полупроводниковой области находится в позиции далеко от участка фотоэлектрического преобразования по сравнению с краевым участком со стороны участка фотоэлектрического преобразования второй полупроводниковой области, и
в котором полупроводниковая область первого типа проводимости, которая составляет часть участка фотоэлектрического преобразования, располагается, по меньшей мере, под частью второй полупроводниковой области.
5. Твердотельное устройство захвата изображения по п.1,
в котором участок удержания зарядов включает в себя управляющий электрод, который располагается над первой полупроводниковой областью через изолирующую пленку, и
в котором четвертая полупроводниковая область второго типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается на поверхности полупроводниковой области между управляющим электродом и электродом передающего затвора.
6. Твердотельное устройство захвата изображения по п.5,
в котором пятая полупроводниковая область первого типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается под четвертой полупроводниковой областью.
7. Твердотельное устройство захвата изображения по п.1,
в котором пик концентрации примеси второй полупроводниковой области находится в менее глубокой позиции, чем 0,5 микрометров от поверхности подложки.
8. Твердотельное устройство захвата изображения по п.1,
в котором первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область формируются посредством первого этапа имплантации примеси и второго этапа имплантации примеси, который выполняется с помощью маски, идентичной маске, используемой на первом этапа имплантации примеси.
9. Твердотельное устройство захвата изображения, включающее в себя пиксел, пиксел содержит:
участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный, чтобы формировать заряды в соответствии с падающим светом;
участок удержания зарядов, сконфигурированный, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая удерживает заряды, сформированные участком фотоэлектрического преобразования, в участке, отличном от участка фотоэлектрического преобразования; и
участок переноса, сконфигурированный, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания зарядов и узлом считывания,
при этом вторая полупроводниковая область второго типа проводимости располагается под первой полупроводниковой областью, и
при этом концентрация примеси второго типа проводимости второй полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси второго типа проводимости области, которая находится под электродом передающего затвора и которая находится на той же глубине, что и вторая полупроводниковая область.
10. Твердотельное устройство захвата изображения по п.9,
в котором узел считывания включает в себя плавающую диффузионную область, и
в котором третья полупроводниковая область второго типа проводимости располагается в более глубокой позиции, чем вторая полупроводниковая область, причем третья полупроводниковая область продолжается под электродом передающего затвора, плавающей диффузионной областью и, по меньшей мере, частью второй полупроводниковой области.
11. Твердотельное устройство захвата изображения по п.10,
в котором участок фотоэлектрического преобразования включает в себя полупроводниковую область первого типа проводимости и полупроводниковую область второго типа проводимости, которая располагается под полупроводниковой областью первого типа проводимости, и которая формирует p-n-переход вместе с полупроводниковой областью первого типа проводимости,
в котором третья полупроводниковая область включает в себя множество полупроводниковых областей, которые располагаются на различных глубинах, и
в котором, среди множества полупроводниковых областей, включенных в третью полупроводниковую область, полупроводниковая область с нижней стороны продолжается до глубины, на которой формируется p-n-переход участка фотоэлектрического преобразования.
12. Твердотельное устройство захвата изображения по п.10,
в котором краевой участок со стороны участка фотоэлектрического преобразования третьей полупроводниковой области находится в позиции далеко от участка фотоэлектрического преобразования по сравнению с краевым участком со стороны участка фотоэлектрического преобразования второй полупроводниковой области, и
в котором полупроводниковая область первого типа проводимости, которая составляет часть участка фотоэлектрического преобразования, располагается, по меньшей мере, под частью второй полупроводниковой области.
13. Твердотельное устройство захвата изображения по п.9,
в котором участок удержания зарядов включает в себя управляющий электрод, который располагается над первой полупроводниковой областью через изолирующую пленку, и
в котором четвертая полупроводниковая область второго типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается на поверхности полупроводниковой области между управляющим электродом и электродом передающего затвора.
14. Твердотельное устройство захвата изображения по п.13,
в котором пятая полупроводниковая область первого типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается под четвертой полупроводниковой областью.
15. Твердотельное устройство захвата изображения по п.9,
в котором пик концентрации примеси второй полупроводниковой области находится в менее глубокой позиции, чем 0,5 микрометров от поверхности подложки.
16. Твердотельное устройство захвата изображения по п.9,
в котором первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область формируются посредством первого этапа имплантации примеси и второго этапа имплантации примеси, который выполняется с помощью маски, идентичной маске, используемой на первом этапа имплантации примеси.
17. Твердотельное устройство захвата изображения, включающее в себя пиксел, пиксел содержит:
участок фотоэлектрического преобразования, сконфигурированный, чтобы формировать заряды в соответствии с падающим светом;
участок удержания зарядов, сконфигурированный, чтобы включать в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая удерживает заряды, сформированные участком фотоэлектрического преобразования, в участке, отличном от участка фотоэлектрического преобразования; и
участок переноса, сконфигурированный, чтобы включать в себя электрод передающего затвора, который управляет потенциалом между участком удержания зарядов и узлом считывания,
при этом вторая полупроводниковая область второго типа проводимости располагается под первой полупроводниковой областью,
при этом первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область располагаются в полупроводниковой подложке, и
при этом площадь первой полупроводниковой области, которая проецируется на поверхность, параллельную поверхности полупроводниковой подложки, равна площади второй полупроводниковой области, которая проецируется на поверхность, параллельную поверхности полупроводниковой подложки.
18. Твердотельное устройство захвата изображения по п.17,
в котором узел считывания включает в себя плавающую диффузионную область, и
в котором третья полупроводниковая область второго типа проводимости располагается в более глубокой позиции, чем вторая полупроводниковая область, причем третья полупроводниковая область продолжается под электродом передающего затвора, плавающей диффузионной областью и, по меньшей мере, частью второй полупроводниковой области.
19. Твердотельное устройство захвата изображения по п.18,
в котором участок фотоэлектрического преобразования включает в себя полупроводниковую область первого типа проводимости и полупроводниковую область второго типа проводимости, которая располагается под полупроводниковой областью первого типа проводимости, и которая формирует p-n-переход вместе с полупроводниковой областью первого типа проводимости,
в котором третья полупроводниковая область включает в себя множество полупроводниковых областей, которые располагаются на различных глубинах, и
в котором, среди множества полупроводниковых областей, включенных в третью полупроводниковую область, полупроводниковая область с нижней стороны продолжается до глубины, на которой формируется p-n-переход участка фотоэлектрического преобразования.
20. Твердотельное устройство захвата изображения по п.18,
в котором краевой участок со стороны участка фотоэлектрического преобразования третьей полупроводниковой области находится в позиции далеко от участка фотоэлектрического преобразования по сравнению с краевым участком со стороны участка фотоэлектрического преобразования второй полупроводниковой области, и
в котором полупроводниковая область первого типа проводимости, которая составляет часть участка фотоэлектрического преобразования, располагается, по меньшей мере, под частью второй полупроводниковой области.
21. Твердотельное устройство захвата изображения по п.17,
в котором участок удержания зарядов включает в себя управляющий электрод, который располагается над первой полупроводниковой областью через изолирующую пленку, и
в котором четвертая полупроводниковая область второго типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается на поверхности полупроводниковой области между управляющим электродом и электродом передающего затвора.
22. Твердотельное устройство захвата изображения по п.21,
в котором пятая полупроводниковая область первого типа проводимости, имеющая более высокую концентрацию примеси, чем первая полупроводниковая область, располагается под четвертой полупроводниковой областью.
23. Твердотельное устройство захвата изображения по п.17,
в котором пик концентрации примеси второй полупроводниковой области находится в менее глубокой позиции, чем 0,5 микрометров от поверхности подложки.
24. Твердотельное устройство захвата изображения по п.17,
в котором первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область формируются посредством первого этапа имплантации примеси и второго этапа имплантации примеси, которая выполняется с помощью маски, идентичной маске, используемой на первом этапа имплантации примеси.
RU2012118396/28A 2009-10-09 2010-10-06 Твердотельное устройство захвата изображения RU2502155C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009235087A JP4785963B2 (ja) 2009-10-09 2009-10-09 固体撮像装置
JP2009-235087 2009-10-09
PCT/JP2010/005978 WO2011043068A1 (en) 2009-10-09 2010-10-06 Solid-state image pickup device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012118396A true RU2012118396A (ru) 2013-11-20
RU2502155C1 RU2502155C1 (ru) 2013-12-20

Family

ID=43437241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012118396/28A RU2502155C1 (ru) 2009-10-09 2010-10-06 Твердотельное устройство захвата изображения

Country Status (9)

Country Link
US (3) US8847346B2 (ru)
EP (1) EP2486590B1 (ru)
JP (1) JP4785963B2 (ru)
KR (1) KR101390518B1 (ru)
CN (1) CN102576718B (ru)
BR (1) BR112012007699B1 (ru)
MY (1) MY159215A (ru)
RU (1) RU2502155C1 (ru)
WO (1) WO2011043068A1 (ru)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5546198B2 (ja) 2009-10-09 2014-07-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5896776B2 (ja) 2012-02-17 2016-03-30 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の製造方法。
JP6012197B2 (ja) 2012-02-17 2016-10-25 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像装置の駆動方法
US9048162B2 (en) 2012-05-31 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. CMOS image sensors and methods for forming the same
JP2015026677A (ja) 2013-07-25 2015-02-05 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2015035449A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP5968350B2 (ja) * 2014-03-14 2016-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6650668B2 (ja) * 2014-12-16 2020-02-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2016178145A (ja) * 2015-03-19 2016-10-06 セイコーエプソン株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP2017054947A (ja) * 2015-09-10 2017-03-16 セイコーエプソン株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、並びに、電子機器
CN109690777B (zh) * 2016-08-29 2023-06-27 浜松光子学株式会社 距离传感器及距离图像传感器
JP6957157B2 (ja) * 2017-01-26 2021-11-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の製造方法
JP6701108B2 (ja) * 2017-03-21 2020-05-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
CN108565272A (zh) * 2018-01-30 2018-09-21 德淮半导体有限公司 图像传感器、形成方法及其工作方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100192954B1 (ko) 1996-07-18 1999-06-15 김광호 수직형 전달게이트를 가지는 전하결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법
JP3576033B2 (ja) * 1999-03-31 2004-10-13 株式会社東芝 固体撮像装置
JP3702854B2 (ja) * 2002-03-06 2005-10-05 ソニー株式会社 固体撮像素子
CN100392858C (zh) * 2002-05-14 2008-06-04 索尼株式会社 半导体装置、半导体装置的制造方法及其电子设备
JP4403687B2 (ja) * 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
JP2004165462A (ja) * 2002-11-14 2004-06-10 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP2005175418A (ja) * 2003-11-19 2005-06-30 Canon Inc 光電変換装置
US7153719B2 (en) * 2004-08-24 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a storage gate pixel design
JP4416668B2 (ja) * 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
KR100660866B1 (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 삼성전자주식회사 이미지 센서에서 저잡음 글로벌 셔터 동작을 실현한 픽셀회로 및 방법
CN101305261B (zh) * 2005-11-14 2010-09-15 松下电工株式会社 空间信息检测装置及适用于其的光电检测器
JP2007157912A (ja) * 2005-12-02 2007-06-21 Nikon Corp 固体撮像装置
TW200730498A (en) 2005-12-20 2007-08-16 Glaxo Group Ltd Compounds
US7605440B2 (en) * 2006-04-07 2009-10-20 Aptina Imaging Corporation Pixel cell isolation of charge storage and floating diffusion regions using doped wells
JP2008004692A (ja) * 2006-06-21 2008-01-10 Nikon Corp 固体撮像装置
JP4710017B2 (ja) * 2006-10-20 2011-06-29 国立大学法人静岡大学 Ｃｍｏｓイメージセンサ
JP2009038167A (ja) * 2007-08-01 2009-02-19 Victor Co Of Japan Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
JP5568880B2 (ja) * 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP5213501B2 (ja) * 2008-04-09 2013-06-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP4759590B2 (ja) * 2008-05-09 2011-08-31 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP4752926B2 (ja) * 2009-02-05 2011-08-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、電子機器
JP5375141B2 (ja) 2009-02-05 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5312511B2 (ja) 2011-04-01 2013-10-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
BR112012007699A2 (pt) 2016-08-23
KR101390518B1 (ko) 2014-04-30
RU2502155C1 (ru) 2013-12-20
US8847346B2 (en) 2014-09-30
EP2486590A1 (en) 2012-08-15
US9748302B2 (en) 2017-08-29
BR112012007699B1 (pt) 2020-02-04
MY159215A (en) 2016-12-30
CN102576718B (zh) 2015-02-25
US10177190B2 (en) 2019-01-08
KR20120057659A (ko) 2012-06-05
US20120193745A1 (en) 2012-08-02
EP2486590B1 (en) 2013-12-11
JP2011082425A (ja) 2011-04-21
WO2011043068A1 (en) 2011-04-14
JP4785963B2 (ja) 2011-10-05
US20140361346A1 (en) 2014-12-11
CN102576718A (zh) 2012-07-11
US20170323921A1 (en) 2017-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012118396A (ru) Твердотельное устройство захвата изображения
WO2009031304A1 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2020504507A5 (ru)
US9443900B2 (en) Pixel with multigate structure for charge storage or charge transfer
US9806121B2 (en) Solid-state imaging device
JP2015188049A5 (ru)
JP2021192452A (ja) 光検出器
RU2012142682A (ru) Устройство фотоэлектрического преобразования и система формирования изображений
CN103904092B (zh) 一种硅基cmos图像传感器提高电子转移效率的方法
RU2589519C2 (ru) Твердотельное устройство формирования изображения, способ изготовления этого устройства и система формирования изображения
RU2013102275A (ru) Устройство снятия изображения и система снятия изображения
KR20120081812A (ko) 광대역 갭 물질층 기반의 포토 다이오드 소자, 및 그 포토 다이오드 소자를 포함하는, 후면 조명 씨모스 이미지 센서 및 태양 전지
US8710613B2 (en) Pickup device and method for manufacturing the same
US9723232B2 (en) Solid-state image sensor
JP2011082426A5 (ru)
WO2021093370A1 (zh) 一种utbb光电探测器像素单元、阵列和方法
RU2012118747A (ru) Твердотельное устройство захвата изображения и способ его производства
US8212327B2 (en) High fill-factor laser-treated semiconductor device on bulk material with single side contact scheme
TWI451564B (zh) 具有二磊晶層之影像感測器及其製造方法
JP2015220255A (ja) 裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子、及び、裏面照射型ｃｍｏｓ型撮像素子の製造方法
CN106537597A (zh) 带有电荷转移的c‑mos光电单元，以及包括这样的单元的组的阵列传感器
JP4752193B2 (ja) 固体撮像素子
WO2008133144A1 (ja) 固体撮像装置
JP7316046B2 (ja) 光電変換装置およびカメラ
CN101286518B (zh) 光电二极管装置