JP7316046B2 - 光電変換装置およびカメラ - Google Patents
光電変換装置およびカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7316046B2 JP7316046B2 JP2019001378A JP2019001378A JP7316046B2 JP 7316046 B2 JP7316046 B2 JP 7316046B2 JP 2019001378 A JP2019001378 A JP 2019001378A JP 2019001378 A JP2019001378 A JP 2019001378A JP 7316046 B2 JP7316046 B2 JP 7316046B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- photoelectric conversion
- charge
- potential
- control electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 109
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 7
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
- H01L27/14616—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor characterised by the channel of the transistor, e.g. channel having a doping gradient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
図1~6を参照して、本発明の第1実施形態における光電変換装置の構成について説明する。図1は、本実施形態の光電変換装置100の構成例を示す図である。光電変換装置100は、図1に示されるように、画素領域10、垂直走査回路20、列読出回路30、水平走査回路40、制御回路50、出力回路60を含む。
図7~9を参照して、本発明の第2実施形態における光電変換装置について説明する。図7は、本実施形態における光電変換装置100の画素領域10に配された、それぞれの画素12の平面レイアウトを示す図である。図8は、図7のA-A’に沿った画素12の断面図である。上述の図2、3と同様に、図7、8には、画素領域10に配される複数の画素12のうち1つの画素12が示されている。図7、8に示されるように、本実施形態における画素12は、上述の第1実施形態と比較して、p型の領域128が追加され、ポテンシャル制御電極115の形状が異なる。これ以外の構成は、上述の第1実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略する。
図10~12を参照して、本発明の第3実施形態における光電変換装置について説明する。図10は、本実施形態における光電変換装置100の画素領域10に配された、それぞれの画素12の平面レイアウトを示す図である。図11は、図10のA-A’に沿った画素12の断面図である。上述の図7、8と同様に、図10、11には、画素領域10に配される複数の画素12のうち1つの画素12が示されている。図10、11に示されるように、本実施形態における画素12は、上述の第2実施形態と比較して、ポテンシャル制御電極115の形状が異なる。これ以外の構成は、上述の第2実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略する。
上述した実施形態は、表面照射型の光電変換装置だけでなく、裏面照射型の光電変換装置にも適用することができる。
Claims (17)
- 表面を有する基板に配された、第1導電型の第1領域を含む光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷が転送される前記第1導電型のフローティングディフュージョン、および、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョンとの間に配された電荷転送部と、
前記電荷転送部の上に配された転送用ゲート電極と、
前記第1領域のポテンシャルを制御するために、前記光電変換部の上に配されたポテンシャル制御電極と、を含み、
前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極は、前記第1領域が前記ポテンシャル制御電極と前記電荷転送部との間に位置する部分を含むように、前記転送用ゲート電極から離間して配され、
電荷を転送する際には、前記ポテンシャル制御電極に当該電荷に対してポテンシャルが高くなる方向の電圧が印加され、
前記光電変換部に電荷を蓄積させる際に、前記ポテンシャル制御電極に当該電荷に対してポテンシャルが低くなる方向の電圧が印加されることを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1領域は、前記ポテンシャル制御電極に覆われた部分を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極は、電荷を転送する方向と交差する方向に、前記第1領域の一端から他端まで横断するように配されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、
前記ポテンシャル制御電極は、第1端部と第2端部とを含み、前記第1端部は、前記転送用ゲート電極と前記第2端部との間に配置され、
前記第1端部は、前記転送用ゲート電極から離間し、かつ前記第1領域と重なる位置に配され、
前記第2端部は、前記第1領域のうち前記転送用ゲート電極とは反対側の端部と重なる位置、または、前記反対側の端部よりも前記転送用ゲート電極から離れた位置に配されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1領域および前記フローティングディフュージョンが、前記電荷転送部を含む前記第1導電型の第2領域の中に配され、
前記第2領域の不純物濃度が、前記第1領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 表面を有する基板に配された、第1導電型の第1領域を含む光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷が転送される前記第1導電型のフローティングディフュージョン、および、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョンとの間に配された電荷転送部と、
前記電荷転送部の上に配された転送用ゲート電極と、
前記第1領域のポテンシャルを制御するために、前記光電変換部の上に配されたポテンシャル制御電極と、を含み、
前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極は、前記第1領域が前記ポテンシャル制御電極と前記電荷転送部との間に位置する部分を含むように、前記転送用ゲート電極から離間して配され、
前記第1領域および前記フローティングディフュージョンが、前記電荷転送部を含む前記第1導電型の第2領域の中に配され、
前記第2領域の不純物濃度が、前記第1領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記電荷転送部に、前記フローティングディフュージョンと接し、前記第1領域および前記表面から離間した前記第1導電型とは反対の導電型の第3領域が配されることを特徴とする請求項5又は6に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域のうち前記第1領域および前記フローティングディフュージョンよりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第4領域が配され、
前記表面に対する正射影において、
前記第4領域は、前記フローティングディフュージョンと前記電荷転送部との全体、および、前記第1領域の一部と重なるように配され、
前記ポテンシャル制御電極が、少なくとも前記第1領域のうち前記第4領域と重ならない第3部分と重なるように配されることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記表面に対する正射影において、前記第3部分が、前記第1領域のうち中央部に配されることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記第3部分が、前記第1領域のうち電荷を転送する方向における中央部、かつ、前記電荷を転送する方向と交差する方向に前記第1領域の一端から他端まで横断するように配されることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域のうち前記第4領域よりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第5領域が配され、
前記表面に対する正射影において、前記第5領域は、前記第1領域、前記フローティングディフュージョンおよび前記電荷転送部の全体と重なるように配されることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2領域のうち前記第1領域および前記フローティングディフュージョンよりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第5領域が配され、
前記表面に対する正射影において、前記第5領域は、前記第1領域、前記フローティングディフュージョンおよび前記電荷転送部の全体と重なるように配されることを特徴とする請求項5乃至7のいずれか1項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換部が、前記第1領域と前記表面との間に配され、前記第1導電型とは反対の導電型を有する第6領域をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極が、前記第1領域と前記第6領域とが重なる部分に配されていることを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。
- 前記第1導電型がn型であり、
電荷を転送する際に、前記ポテンシャル制御電極に負の電圧が印加されることを特徴とする請求項1乃至14の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 表面を有する基板に配された、第1導電型の第1領域を含む光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷が転送される前記第1導電型のフローティングディフュージョン、および、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョンとの間に配された電荷転送部と、
前記電荷転送部の上に配された転送用ゲート電極と、
前記第1領域のポテンシャルを制御するために、前記光電変換部の上に配されたポテンシャル制御電極と、を含み、
前記光電変換部の電荷は、前記電荷転送部にチャネルを形成する電圧が前記転送用ゲート電極に印加されたとき前記光電変換部から前記フローティングディフュージョンに転送され、
前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極が、前記転送用ゲート電極から離間して配され、
電荷を転送する際には、前記ポテンシャル制御電極に当該電荷に対してポテンシャルが高くなる方向の電圧が印加され、
前記光電変換部に電荷を蓄積させる際には、前記ポテンシャル制御電極に当該電荷に対してポテンシャルが低くなる方向の電圧が印加されることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項1乃至16のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019001378A JP7316046B2 (ja) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 光電変換装置およびカメラ |
US16/722,850 US11430827B2 (en) | 2019-01-08 | 2019-12-20 | Photoelectric conversion apparatus and camera |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019001378A JP7316046B2 (ja) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 光電変換装置およびカメラ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020113823A JP2020113823A (ja) | 2020-07-27 |
JP2020113823A5 JP2020113823A5 (ja) | 2022-01-19 |
JP7316046B2 true JP7316046B2 (ja) | 2023-07-27 |
Family
ID=71404815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019001378A Active JP7316046B2 (ja) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 光電変換装置およびカメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11430827B2 (ja) |
JP (1) | JP7316046B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20230412944A1 (en) * | 2020-11-12 | 2023-12-21 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging element, electronic device, and control method of solid-state imaging element |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018182044A (ja) | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 光検出素子、固体撮像装置及びその駆動方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10112535A (ja) | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JP4992446B2 (ja) | 2006-02-24 | 2012-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ |
JP2009059847A (ja) | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
US9865632B2 (en) * | 2015-03-23 | 2018-01-09 | Tower Semiconductor Ltd. | Image sensor pixel with memory node having buried channel and diode portions formed on N-type substrate |
US10818715B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state imaging device and manufacturing method thereof |
JP7361452B2 (ja) | 2018-02-19 | 2023-10-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置およびカメラ |
-
2019
- 2019-01-08 JP JP2019001378A patent/JP7316046B2/ja active Active
- 2019-12-20 US US16/722,850 patent/US11430827B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018182044A (ja) | 2017-04-12 | 2018-11-15 | 株式会社ブルックマンテクノロジ | 光検出素子、固体撮像装置及びその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200219926A1 (en) | 2020-07-09 |
JP2020113823A (ja) | 2020-07-27 |
US11430827B2 (en) | 2022-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11019291B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging system | |
JP5328224B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP4916101B2 (ja) | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム | |
CN108511471B (zh) | 固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备 | |
JP5335271B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP6138661B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 | |
US11094731B2 (en) | Image capturing device and camera | |
US20190131326A1 (en) | Image sensor having an n-type photodiode and a p-type photodiode | |
JP7316046B2 (ja) | 光電変換装置およびカメラ | |
JP6689936B2 (ja) | 撮像装置の製造方法 | |
JP6029698B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP5414781B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
KR100769563B1 (ko) | 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서 | |
JP5701344B2 (ja) | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム | |
JP5709944B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN117957659A (zh) | 一种固态成像设备以及一种电子装置 | |
JP2005136279A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2017027972A (ja) | 固体撮像装置および電子情報機器 | |
JP2011054880A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2006179696A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220107 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230714 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7316046 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |