JP2020113823A - 光電変換装置およびカメラ - Google Patents
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Abstract
Description
図1〜6を参照して、本発明の第1実施形態における光電変換装置の構成について説明する。図1は、本実施形態の光電変換装置100の構成例を示す図である。光電変換装置100は、図1に示されるように、画素領域10、垂直走査回路20、列読出回路30、水平走査回路40、制御回路50、出力回路60を含む。
図7〜9を参照して、本発明の第2実施形態における光電変換装置について説明する。図7は、本実施形態における光電変換装置100の画素領域10に配された、それぞれの画素12の平面レイアウトを示す図である。図8は、図7のA−A’に沿った画素12の断面図である。上述の図2、3と同様に、図7、8には、画素領域10に配される複数の画素12のうち1つの画素12が示されている。図7、8に示されるように、本実施形態における画素12は、上述の第1実施形態と比較して、p型の領域128が追加され、ポテンシャル制御電極115の形状が異なる。これ以外の構成は、上述の第1実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略する。
図10〜12を参照して、本発明の第3実施形態における光電変換装置について説明する。図10は、本実施形態における光電変換装置100の画素領域10に配された、それぞれの画素12の平面レイアウトを示す図である。図11は、図10のA−A’に沿った画素12の断面図である。上述の図7、8と同様に、図10、11には、画素領域10に配される複数の画素12のうち1つの画素12が示されている。図10、11に示されるように、本実施形態における画素12は、上述の第2実施形態と比較して、ポテンシャル制御電極115の形状が異なる。これ以外の構成は、上述の第2実施形態と同様であってもよいため、ここでは説明を省略する。
上述した実施形態は、表面照射型の光電変換装置だけでなく、裏面照射型の光電変換装置にも適用することができる。
Claims (16)
- 基板の表面の側に配された、第1導電型の第1領域を含む光電変換部、前記光電変換部で生成された電荷が転送される前記第1導電型のフローティングディフュージョン、および、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョンとの間に配された電荷転送部と、
前記電荷転送部の上に配された転送用ゲート電極と、
前記第1領域のポテンシャルを制御するために、前記光電変換部の上に配されたポテンシャル制御電極と、を含み、
前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極が、前記転送用ゲート電極から離間して配されていることを特徴とする光電変換装置。 - 前記表面に対する正射影において、前記第1領域は、前記ポテンシャル制御電極に覆われる第1部分と、前記第1部分よりも前記電荷転送部の側に配され、前記ポテンシャル制御電極に覆われていない第2部分とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 電荷を転送する際に、前記ポテンシャル制御電極に当該電荷に対してポテンシャルが高くなる方向の電圧が印加されることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極は、電荷を転送する方向と交差する方向に、前記第1領域の一端から他端まで横断するように配されることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、
前記ポテンシャル制御電極は、電荷を転送する方向に、第1端部と第2端部とを含み、
前記第1端部は、前記転送用ゲート電極から離間した前記第1領域と重なる位置に配され、
前記第2端部は、前記第1領域のうち前記転送用ゲート電極とは反対側の端部と重なる位置、または、前記反対側の端部よりも前記転送用ゲート電極から離れた位置に配されることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第1領域および前記フローティングディフュージョンが、前記電荷転送部を含む前記第1導電型の第2領域の中に配され、
前記第2領域の不純物濃度が、前記第1領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記電荷転送部に、前記フローティングディフュージョンと接し、前記第1領域および前記表面から離間した前記第1導電型とは反対の導電型の第3領域が配されることを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域のうち前記第1領域および前記フローティングディフュージョンよりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第4領域が配され、
前記表面に対する正射影において、
前記第4領域は、前記フローティングディフュージョンと前記電荷転送部との全体、および、前記第1領域の一部と重なるように配され、
前記ポテンシャル制御電極が、少なくとも前記第1領域のうち前記第4領域と重ならない第3部分と重なるように配されることを特徴とする請求項6または7に記載の光電変換装置。 - 前記表面に対する正射影において、前記第3部分が、前記第1領域のうち中央部に配されることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記第3部分が、前記第1領域のうち電荷を転送する方向における中央部、かつ、前記電荷を転送する方向と交差する方向に前記第1領域の一端から他端まで横断するように配されることを特徴とする請求項8に記載の光電変換装置。
- 前記第2領域のうち前記第4領域よりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第5領域が配され、
前記表面に対する正射影において、前記第5領域は、前記第1領域、前記フローティングディフュージョンおよび前記電荷転送部の全体と重なるように配されることを特徴とする請求項8乃至10の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2領域のうち前記第1領域および前記フローティングディフュージョンよりも深い位置に前記第1導電型とは反対の導電型の第5領域が配され、
前記表面に対する正射影において、前記第5領域は、前記第1領域、前記フローティングディフュージョンおよび前記電荷転送部の全体と重なるように配されることを特徴とする請求項6または7に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換部が、前記第1領域に接し前記第1領域よりも基板の表面の側に配され、前記第1導電型とは反対の導電型の第6領域をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至12の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記表面に対する正射影において、前記ポテンシャル制御電極が、前記第1領域と前記第6領域とが重なる部分に配されていることを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。
- 前記第1導電型がn型であり、
電荷を転送する際に、前記ポテンシャル制御電極に負の電圧が印加されることを特徴とする請求項1乃至14の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
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