RU2012118038A - Пленки с чрезвычайно низким сопротивлением и способы их модифицирования или создания - Google Patents

Пленки с чрезвычайно низким сопротивлением и способы их модифицирования или создания Download PDF

Info

Publication number
RU2012118038A
RU2012118038A RU2012118038/28A RU2012118038A RU2012118038A RU 2012118038 A RU2012118038 A RU 2012118038A RU 2012118038/28 A RU2012118038/28 A RU 2012118038/28A RU 2012118038 A RU2012118038 A RU 2012118038A RU 2012118038 A RU2012118038 A RU 2012118038A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cns
film
layering
layer
modifying
Prior art date
Application number
RU2012118038/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2567021C2 (ru
Inventor
Дуглас Дж. ГИЛБЕРТ
Тимоти С. КЕЙЛ
Original Assignee
АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by АМБАЧЕР Эл.Эл.Си. filed Critical АМБАЧЕР Эл.Эл.Си.
Publication of RU2012118038A publication Critical patent/RU2012118038A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2567021C2 publication Critical patent/RU2567021C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
    • H01B12/06—Films or wires on bases or cores
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/36—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • H01B12/14—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by the disposition of thermal insulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0856—Manufacture or treatment of devices comprising metal borides, e.g. MgB2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic superconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic superconductors
    • H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/80—Constructional details
    • H10N60/85—Superconducting active materials
    • H10N60/855—Ceramic superconductors
    • H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • H10N60/858—Ceramic superconductors comprising copper oxide having multilayered structures, e.g. superlattices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/01—Manufacture or treatment
    • H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0661—Processes performed after copper oxide formation, e.g. patterning
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

1. Способ улучшения рабочих характеристик ЧНС-пленки, содержащей ЧНС-материал, имеющий кристаллическую структуру, причем способ включает:наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки, чтобы создать модифицированную ЧНС-пленку, при этом модифицированная ЧНС-пленка обладает улучшенными рабочими характеристиками по сравнению с ЧНС-пленкой без модифицирующего материала.2. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает осаждение модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-материала.3. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая не является по существу параллельной c-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.4. Способ по п.3, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна ab-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.5. Способ по п.4, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна a-плоскости или b-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.6. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание хрома, меди, висмута, кобальта, ванадия, титана, родия, бериллия, галлия или селена на подходящую поверхность ЧНС-пленки.7. Способ по п.1, допо�

Claims (40)

1. Способ улучшения рабочих характеристик ЧНС-пленки, содержащей ЧНС-материал, имеющий кристаллическую структуру, причем способ включает:
наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки, чтобы создать модифицированную ЧНС-пленку, при этом модифицированная ЧНС-пленка обладает улучшенными рабочими характеристиками по сравнению с ЧНС-пленкой без модифицирующего материала.
2. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает осаждение модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-материала.
3. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая не является по существу параллельной c-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
4. Способ по п.3, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна ab-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
5. Способ по п.4, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна a-плоскости или b-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
6. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание хрома, меди, висмута, кобальта, ванадия, титана, родия, бериллия, галлия или селена на подходящую поверхность ЧНС-пленки.
7. Способ по п.1, дополнительно включающий формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке.
8. Способ по п.7, при этом формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке включает открывание подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке.
9. Способ по п.7, при этом формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке включает наслаивание ЧНС-материала на подложку таким образом, что конкретная ось кристаллической структуры ЧНС-материала ориентируется вдоль главной оси подложки, при этом конкретная ось представляет собой линию в c-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
10. Способ по п.9, при этом конкретная ось является a-осью или b-осью.
11. Способ по п.10, при этом наслаивание ЧНС-материала на подложку включает наслаивание ЧНС-материала на MgO, SrTiO3, LaSrGaO4 или их сочетания.
12. Способ по п.8, при этом открывание подходящей поверхности ЧНС-пленки включает травление первичной поверхности ЧНС-пленки, чтобы увеличить площадь первичной поверхности.
13. Способ по п.8, при этом открывание подходящей поверхности ЧНС-пленки включает создание рисунка в первичной поверхности ЧНС-пленки, посредством чего открываются одна или более подходящих поверхностей ЧНС-пленки.
14. Способ по п.13, при этом создание рисунка в первичной поверхности ЧНС-пленки включает прорезание канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки.
15. Способ по п.14, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает осаждение модифицирующего материала в канавку.
16. Способ по п.1, при этом ЧНС-материал включает сверхпроводящий материал.
17. Способ по п.16, при этом сверхпроводящий материал включает медьоксидный перовскит со смешанной валентностью.
18. Способ по п.16, при этом сверхпроводящий материал включает пниктид железа или диборид магния.
19. Способ улучшения рабочей характеристики ЧНС-пленки, имеющей главную ось, которая длиннее любой из ее других двух осей, причем ЧНС-пленка имеет первичную поверхность с большей площадью, чем у любой из ее других ортогональных граней, ЧНС-пленка содержит ЧНС-материал, имеющий кристаллическую структуру, а способ включает:
создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки, посредством чего открывается грань ЧНС-материала, причем открытая грань является гранью, параллельной ab-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала; и
осаждение модифицирующего материала на открытую грань.
20. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки, имеющей глубину, по существу равную толщине ЧНС-материала.
21. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки, имеющей меньшую глубину, чем толщина ЧНС-материала.
22. Способ по п.19, при этом осаждение модифицирующего материала на открытую грань включает осаждение слоя в одну структурную единицу модифицирующего материала на открытую грань.
23. Способ по п.19, при этом осаждение модифицирующего материала на открытую грань включает осаждение слоя в две или более структурных единицы модифицирующего материала на открытую грань.
24. Способ по п.19, при этом ширина упомянутой по меньшей мере одной канавки составляет больше чем 10 нм.
25. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности пленки, которая проходит по существу в направлении главной оси ЧНС-пленки.
26. ЧНС-пленка, содержащая:
первый слой, состоящий из ЧНС-материала; и
второй слой, состоящий из модифицирующего материала, связанного с ЧНС-материалом первого слоя,
при этом ЧНС-материал, связанный с модифицирующим материалом, имеет улучшенную рабочую характеристику по сравнению с рабочими характеристиками ЧНС-материала без модифицирующего материала.
27. ЧНС-пленка по п.26, при этом улучшенная рабочая характеристика включает более высокую температуру перехода.
28. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой, состоящий из материала подложки.
29. ЧНС-пленка по п.28, при этом первый слой является смежным со слоем подложки.
30. ЧНС-пленка по п.28, при этом второй слой является смежным со слоем подложки.
31. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая буферный или изолирующий слой.
32. ЧНС-пленка по п.31, при этом первый слой является смежным с буферным или изолирующим слоем.
33. ЧНС-пленка по п.31, при этом второй слой является смежным с буферным или изолирующим слоем.
34. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой ЧНС-материала, связанный со вторым слоем.
35. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой модифицирующего материала, связанный с первым слоем.
36. ЧНС-пленка по п.28, при этом материал подложки содержит поликристаллический материал, поликристаллический металл, сплав, сплав хастеллой, сплав Хейнса или сплав инконель.
37. ЧНС-пленка по п.26, при этом модифицирующий материал содержит хром, медь, висмут, кобальт, ванадий, титан, родий, бериллий, галлий, селен или другой материал.
38. ЧНС-пленка по п.26, при этом ЧНС-материал содержит сверхпроводящий материал.
39. ЧНС-пленка по п.38, при этом сверхпроводящий материал содержит медьоксидный перовскит со смешанной валентностью.
40. ЧНС-пленка по п.38, при этом сверхпроводящий материал содержит материал пниктид железа.
RU2012118038/28A 2009-10-02 2010-10-02 Пленки с чрезвычайно низким сопротивлением и способы их модифицирования или создания RU2567021C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24813009P 2009-10-02 2009-10-02
US61/248,130 2009-10-02
PCT/US2010/051239 WO2011041764A1 (en) 2009-10-02 2010-10-02 Extremely low resistance films and methods for modifying or creating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012118038A true RU2012118038A (ru) 2013-11-10
RU2567021C2 RU2567021C2 (ru) 2015-10-27

Family

ID=43823640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012118038/28A RU2567021C2 (ru) 2009-10-02 2010-10-02 Пленки с чрезвычайно низким сопротивлением и способы их модифицирования или создания

Country Status (11)

Country Link
US (6) US8609593B2 (ru)
EP (1) EP2483927A4 (ru)
JP (1) JP5795588B2 (ru)
KR (1) KR101890667B1 (ru)
CN (1) CN102714216B (ru)
AU (1) AU2010300364A1 (ru)
CA (1) CA2779609C (ru)
IL (1) IL218983A (ru)
RU (1) RU2567021C2 (ru)
TW (2) TWI532227B (ru)
WO (2) WO2011041763A2 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240062933A1 (en) * 2009-10-02 2024-02-22 Ambature, Inc. Extremely Low Resistance Films and Methods for Modifying or Creating Same
US9356219B2 (en) * 2009-10-02 2016-05-31 Ambature, Inc. High temperature superconducting materials and methods for modifying and creating same
WO2012018850A1 (en) * 2010-08-03 2012-02-09 Brookhaven Science Associates, Llc Iron based superconducting structures and methods for making the same
US10333047B2 (en) * 2011-03-30 2019-06-25 Ambatrue, Inc. Electrical, mechanical, computing/ and/or other devices formed of extremely low resistance materials
US11289639B2 (en) * 2011-03-30 2022-03-29 Ambature, Inc. Electrical, mechanical, computing, and/or other devices formed of extremely low resistance materials
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit
KR102088642B1 (ko) 2018-06-28 2020-03-13 강일구 표지기능을 가진 인쇄회로기판 도금용 행거
KR102512502B1 (ko) 2021-05-25 2023-03-20 최동기 도금용 행거

Family Cites Families (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3119236A (en) * 1962-04-27 1964-01-28 Honeywell Regulator Co Superconductive temperature control
US3421330A (en) * 1967-04-17 1969-01-14 United Aircraft Corp Thermomagnetic transfer of heat through a superconductor
FR2045754A1 (ru) * 1968-06-19 1971-03-05 Fizitcheski Inst
FR2612507B1 (fr) * 1987-03-19 1989-05-05 Comp Generale Electricite Oxyde de cuivre a valence mixte supraconducteur et son procede de mise en oeuvre
DE3810494C2 (de) * 1987-03-27 1998-08-20 Hitachi Ltd Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit supraleitender Schicht
US5401716A (en) * 1987-04-15 1995-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing superconducting patterns
EP0294285A1 (en) * 1987-05-31 1988-12-07 Sumitomo Electric Industries Limited Superconducting thin film
FR2617645B1 (fr) * 1987-07-03 1989-10-20 Thomson Csf Dispositif en materiau supraconducteur et procede de realisation
DE3889024T2 (de) * 1987-07-13 1994-10-13 Sumitomo Electric Industries Verfahren zum Herstellen einer supraleitenden Dünnschicht.
US4905319A (en) 1987-07-28 1990-02-27 Syracuse University Superconducting device including a thin chromium film with negative susceptibility
KR970005158B1 (ko) * 1987-12-20 1997-04-12 스미또모 덴끼 고교 가부시끼가이샤 복합 산화물 초전도박막 또는 선재와 그 제작방법
US5079218A (en) * 1987-12-31 1992-01-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting fiber and a method for preparing the same
JPH029702A (ja) * 1988-06-02 1990-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 超伝導体膜の作製方法
DE68911455T2 (de) * 1988-08-30 1994-07-21 Sumitomo Electric Industries Verfahren zum Herstellen eines Oxid-Supraleiters vom Bismut-Typ.
JPH031584A (ja) * 1989-02-04 1991-01-08 Riken Corp ジョセフソン接合素子の製造方法
JPH02273418A (ja) * 1989-04-14 1990-11-07 Furukawa Electric Co Ltd:The 酸化物超電導導体の製造方法
US5120707A (en) * 1989-05-22 1992-06-09 Allied-Signal, Inc. Superconducting ceramics by electrodeposition of metals with embedment of particulate matter, followed by oxidation
US5087605A (en) 1989-06-01 1992-02-11 Bell Communications Research, Inc. Layered lattice-matched superconducting device and method of making
US4966885A (en) * 1989-08-25 1990-10-30 At&T Bell Laboratories Method of producing a device comprising a metal oxide superconductor layer
JPH03151231A (ja) * 1989-10-13 1991-06-27 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 多層ひずみ格子銅酸化物ペロブスカイト構造体
US5426094A (en) 1991-01-16 1995-06-20 Arch Development Corporation High temperature superconductor current leads
US6308399B1 (en) 1991-06-18 2001-10-30 Dawei Zhou High-TC superconducting ceramic oxide products and macroscopic and microscopic methods of making the same
EP0584410A1 (en) 1991-07-05 1994-03-02 Conductus, Inc. Superconducting electronic structures and methods of preparing same
US5276398A (en) * 1992-06-01 1994-01-04 Conductus, Inc. Superconducting magnetic resonance probe coil
JPH06350153A (ja) * 1993-06-10 1994-12-22 Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center 超電導デバイスの製造方法
JP3565881B2 (ja) * 1993-10-05 2004-09-15 株式会社フジクラ 安定化材複合型超電導導体およびその製造方法
US5846909A (en) * 1995-05-22 1998-12-08 University Of Texas System Molecular level, precision control over the interfacial properties of high-TC superconductor structures and devices
JP2931786B2 (ja) * 1996-02-13 1999-08-09 株式会社東芝 超電導限流装置
JP3961593B2 (ja) * 1996-09-11 2007-08-22 財団法人鉄道総合技術研究所 バルク超電導体の酸素アニール方法
US6251835B1 (en) * 1997-05-08 2001-06-26 Epion Corporation Surface planarization of high temperature superconductors
JP3792445B2 (ja) * 1999-03-30 2006-07-05 日本特殊陶業株式会社 コンデンサ付属配線基板
US6613463B1 (en) * 1999-09-06 2003-09-02 International Superconductivity Technology Center Superconducting laminated oxide substrate and superconducting integrated circuit
US6516208B1 (en) * 2000-03-02 2003-02-04 Superconductor Technologies, Inc. High temperature superconductor tunable filter
GB0010494D0 (en) 2000-04-28 2000-06-14 Isis Innovation Textured metal article
US6383989B2 (en) * 2000-06-21 2002-05-07 The Regents Of The University Of California Architecture for high critical current superconducting tapes
US6514557B2 (en) * 2001-02-15 2003-02-04 Iowa State University Research Foundation Synthesis of superconducting magnesium diboride objects
KR100401124B1 (ko) * 2001-03-14 2003-10-10 주식회사 텔웨이브 광대역 고조파 제거용 고온초전도 저역통과 여파기
KR100388497B1 (ko) 2001-06-01 2003-06-25 한국전자통신연구원 초전도 에피택셜 박막 및 그 제조 방법
JPWO2003105162A1 (ja) 2002-06-07 2005-10-13 独立行政法人科学技術振興機構 強磁性ｉｖ族系半導体、強磁性ｉｉｉ−ｖ族系化合物半導体、または強磁性ｉｉ−ｖｉ族系化合物半導体とその強磁性特性の調整方法
US7001345B2 (en) * 2002-08-23 2006-02-21 Cook Incorporated Wire guide
US20040152599A1 (en) * 2002-11-21 2004-08-05 Allan Rosencwaig High-temperature superconductivity devices and methods
US6930875B2 (en) * 2003-06-12 2005-08-16 Tdk Corporation Multi-layered unit
FR2858463B1 (fr) * 2003-07-28 2007-08-24 Centre Nat Rech Scient Procede et systeme de realisation de composants inductifs supraconducteurs en couches minces, et dispositifs incluant de tels composants
JP4118774B2 (ja) * 2003-09-18 2008-07-16 株式会社東芝 薄膜積層体及びその製造方法
JP4811552B2 (ja) * 2004-03-30 2011-11-09 独立行政法人科学技術振興機構 超伝導素子を用いた中性子検出装置
JP4589698B2 (ja) * 2004-11-10 2010-12-01 新日本製鐵株式会社 超電導バルク体
CN101512829B (zh) * 2005-07-29 2013-10-30 美国超导公司 高温超导导线和线圈
RU2308789C1 (ru) * 2006-04-12 2007-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный инстиут электронной техники (технический университет) Способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника
US7627356B2 (en) * 2006-07-14 2009-12-01 Superpower, Inc. Multifilament AC tolerant conductor with striated stabilizer and devices incorporating the same
US7902120B2 (en) 2006-07-24 2011-03-08 American Superconductor Corporation High temperature superconductors having planar magnetic flux pinning centers and methods for making the same
US7560271B2 (en) * 2006-12-20 2009-07-14 Agentase, Llc Seafood spoilage indicator
RU2352025C1 (ru) * 2007-07-31 2009-04-10 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) Способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника
US8227082B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-24 Ut-Battelle, Llc Faceted ceramic fibers, tapes or ribbons and epitaxial devices therefrom
US20090181441A1 (en) 2007-11-27 2009-07-16 Board Of Trustees Of Michigan State University Porous silicon-polymer composites for biosensor applications
US8435473B2 (en) 2008-02-18 2013-05-07 Japan Science And Technology Agency Superconducting compound and method for producing the same
JP4996511B2 (ja) * 2008-03-07 2012-08-08 株式会社東芝 酸化物超電導導体
US7772842B2 (en) 2008-09-17 2010-08-10 Time Medical Holdings Company Limited Dedicated superconductor MRI imaging system
WO2010038196A2 (en) 2008-09-30 2010-04-08 Richard Adams Vortex flux generator
US8211833B2 (en) * 2010-06-04 2012-07-03 Ambature, Llc Extremely low resistance composition and methods for creating same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102714216A (zh) 2012-10-03
AU2010300364A1 (en) 2012-05-24
US20160351303A1 (en) 2016-12-01
WO2011041764A1 (en) 2011-04-07
TWI532227B (zh) 2016-05-01
US8609593B2 (en) 2013-12-17
WO2011041763A3 (en) 2011-05-26
IL218983A0 (en) 2012-06-28
US20140364319A1 (en) 2014-12-11
US20110082045A1 (en) 2011-04-07
JP5795588B2 (ja) 2015-10-14
CN102714216B (zh) 2016-05-11
TWI528606B (zh) 2016-04-01
TW201130179A (en) 2011-09-01
CA2779609A1 (en) 2011-04-07
KR101890667B1 (ko) 2018-09-28
US9431156B2 (en) 2016-08-30
RU2567021C2 (ru) 2015-10-27
JP2013507009A (ja) 2013-02-28
WO2011041763A2 (en) 2011-04-07
TW201130178A (en) 2011-09-01
US20140336053A1 (en) 2014-11-13
IL218983A (en) 2016-08-31
US20210005354A1 (en) 2021-01-07
EP2483927A1 (en) 2012-08-08
US20110082042A1 (en) 2011-04-07
US9472324B2 (en) 2016-10-18
EP2483927A4 (en) 2014-08-27
KR20120093919A (ko) 2012-08-23
CA2779609C (en) 2018-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012118038A (ru) Пленки с чрезвычайно низким сопротивлением и способы их модифицирования или создания
Zhao et al. High-speed growth of YBa2Cu3O7− δ superconducting films on multilayer-coated Hastelloy C276 tape by laser-assisted MOCVD
JP4452805B2 (ja) ビスマス系酸化物超電導薄膜及びその作製法
US20160163424A1 (en) Integrated superconductor device and method of fabrication
Aytug et al. Single buffer layers of LaMnO3 or La0. 7Sr0. 3MnO3 for the development of Yba2Cu3O7− δ-coated conductors: A comparative study
US8748350B2 (en) Chemical solution seed layer for rabits tapes
US5418215A (en) C-axis oriented high temperature superconductors deposited onto single crystals of gadolinium gallium garnet and method of making the same
Lee et al. Dependence of Epitaxial ${\rm Ba}{({\rm Fe} _ {1-{\rm x}}{\rm Co} _ {\rm x})} _ {2}{\rm As} _ {2} $ Thin Films Properties on ${\rm SrTiO} _ {3} $ Template Thickness
JP4572386B2 (ja) 高品質Ｂｉ系酸化物超電導薄膜の作製法
Matsumoto et al. Surface-oxidation epitaxy method to control critical current of YBa2Cu3O7− δ coated conductors
Zhao et al. Effect of deposition temperature on the orientation and electrical properties of YBa2Cu3O7− δ films prepared by laser CVD using liquid-source evaporation
Takahashi et al. Thickness dependence of Ic and Jc of LTG-SmBCO coated-conductor on IBAD-MgO tapes
Hu et al. Control of the growth mode of epitaxial c-axis YBa2Cu3O7− δ thin films by vicinal (0 0 1) SrTiO3 substrates
Jiang et al. Nanocomposite-like structure in an epitaxial CaCu3Ti4O12 film on LaAlO3 (001)
Hänisch et al. Pulsed laser deposition of CeCoIn5 thin films
Zhu et al. Microstructural evolution of [PbZr x Ti1–x O3/PbZr y Ti1–y O3] n epitaxial multilayers (x/y= 0.2/0.4, 0.4/0.6)–dependence on layer thickness
KR20050067425A (ko) 단결정성 박막
Tsuchiya et al. Transmission electron microscopy studies on structure and defects in crystalline yttria and lanthanum oxide thin films grown on single crystal sapphire by molecular beam synthesis
Huijben et al. Interface engineering and strain in YBa2Cu3O7− δ thin films
WO2004040046A1 (ja) 基材上に中間層を介して薄膜を形成する方法
Ko et al. Epitaxial Growth of CeO2 Buffer Layers on IBAD-Textured MgO Templates by Pulsed Laser Deposition
US20060205602A1 (en) Method of manufacturing Bi-based oxide superconductor thin films
Prouteau et al. Microstructure of a-axis oriented YBCO films on SrTiO3 substrates using a new template layer La4BaCu5O13
Lian et al. Variation of the transition temperature in strained epitaxial Y 1− x Pr x Ba 2 Cu 3 O 7 ultrathin layers
Pysarenko et al. Development of multilayer coated conductors with simplified buffer structure