RU2012108191A - Электронное устройство - Google Patents
Электронное устройство Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012108191A RU2012108191A RU2012108191/28A RU2012108191A RU2012108191A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A RU 2012108191/28 A RU2012108191/28 A RU 2012108191/28A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A RU 2012108191 A RU2012108191 A RU 2012108191A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- thermoelectric
- type
- converter
- thermoelectric element
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 71
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract 11
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 claims abstract 8
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0215—Compact construction
- G01J5/022—Monolithic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/023—Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier
- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PIN type
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
1. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.2. Электронное устройство, содержащее:термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, ипо меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, ипо крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобр
Claims (13)
1. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.
2. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, и
по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование ИК излучения.
3. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
4. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
5. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
фотоэлектрический преобразователь является фотодиодом, использующим полупроводниковые слои p-типа и n-типа.
6. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, включающий в себя полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
имеется изолирующая часть, расположенная между термоэлектрическим элементом p-типа и термоэлектрическим элементом n-типа, обеспечивая электрическую изоляцию полупроводниковых слоев p-типа и n-типа.
7. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
омический электрод, сформированный на полупроводниковом слое наверху между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является нелегированным омическим электродом, а омический электрод, сформированный внизу между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является легированным электродом.
8. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет модулированную легированную структуру.
9. Электронное устройство по п.1, в котором предусмотрено несколько термоэлектрических и фотоэлектрических преобразователей так, что несколько термоэлектрических преобразователей и несколько фотоэлектрических преобразователей выполнены в форме матрицы, причем предусмотрена часть для выбора, позволяющая выбирать, по крайней мере, один из нескольких термоэлектрических и один из нескольких фотоэлектрических преобразователей, причем также имеется транзистор.
10. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
11. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
12. Электронное устройство по п.10, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.
13. Электронное устройство по п.11, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009186884A JP4516625B1 (ja) | 2009-08-11 | 2009-08-11 | 電子装置 |
JP2009-186884 | 2009-08-11 | ||
PCT/KR2010/005150 WO2011019163A2 (ko) | 2009-08-11 | 2010-08-05 | 전자장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012108191A true RU2012108191A (ru) | 2013-09-20 |
RU2515214C2 RU2515214C2 (ru) | 2014-05-10 |
Family
ID=42709006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012108191/28A RU2515214C2 (ru) | 2009-08-11 | 2010-08-05 | Электронное устройство |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872302B2 (ru) |
JP (1) | JP4516625B1 (ru) |
KR (1) | KR100992585B1 (ru) |
CN (1) | CN102511087B (ru) |
DE (1) | DE112010002834B4 (ru) |
RU (1) | RU2515214C2 (ru) |
SG (1) | SG178181A1 (ru) |
WO (1) | WO2011019163A2 (ru) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101803206B (zh) | 2008-08-15 | 2013-09-04 | Lsi公司 | 近码字的rom列表解码 |
JP5432367B2 (ja) | 2009-04-21 | 2014-03-05 | アギア システムズ インコーポレーテッド | 書込み検証を使用した符号のエラーフロア軽減 |
US8464142B2 (en) | 2010-04-23 | 2013-06-11 | Lsi Corporation | Error-correction decoder employing extrinsic message averaging |
US8499226B2 (en) | 2010-06-29 | 2013-07-30 | Lsi Corporation | Multi-mode layered decoding |
US8504900B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-08-06 | Lsi Corporation | On-line discovery and filtering of trapping sets |
US8768990B2 (en) | 2011-11-11 | 2014-07-01 | Lsi Corporation | Reconfigurable cyclic shifter arrangement |
WO2013105270A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 株式会社日立製作所 | 受光デバイスユニット、偏光イメージングデバイス、及び装置 |
RU2012146685A (ru) | 2012-11-01 | 2014-05-10 | ЭлЭсАй Корпорейшн | База данных наборов-ловушек для декодера на основе разреженного контроля четности |
US10468548B2 (en) * | 2015-05-01 | 2019-11-05 | North Carolina State University | Oxide heterojunction for detection of infrared radiation |
ITUA20162954A1 (it) | 2016-04-28 | 2017-10-28 | St Microelectronics Srl | Dispositivo a semiconduttore per la rilevazione di radiazione ultravioletta e infrarossa e relativo metodo di fabbricazione |
US10158040B2 (en) | 2016-07-08 | 2018-12-18 | North Carolina State University | Polaritonic hot electron infrared photodetector |
US10741649B2 (en) | 2017-05-31 | 2020-08-11 | North Carolina State University | High mobility doped metal oxide thin films and reactive physical vapor deposition methods of fabricating the same |
IT201800004621A1 (it) | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Dispositivo optoelettronico ad elevata sensibilita' per la rilevazione di specie chimiche e relativo metodo di fabbricazione | |
IT201800004620A1 (it) | 2018-04-17 | 2019-10-17 | Dispositivo a semiconduttore ad elevata sensibilita' per la rilevazione di specie chimiche fluide e relativo metodo di fabbricazione | |
CN110828649B (zh) * | 2019-11-20 | 2023-09-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体制冷结构及其于smar温漂校正领域的用途 |
FR3106437B1 (fr) * | 2020-01-16 | 2023-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Composant électronique de puissance intégrant un capteur thermoélectrique |
FR3106406B1 (fr) * | 2020-01-16 | 2023-06-23 | Commissariat Energie Atomique | Capteur thermoélectrique à gaz d’électrons |
JP7435972B2 (ja) * | 2020-02-06 | 2024-02-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱流スイッチング素子 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3311436A1 (de) * | 1983-03-29 | 1984-10-04 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur erzeugung einer gate-vorspannung an feldeffekttransistoren |
US4710588A (en) | 1986-10-06 | 1987-12-01 | Hughes Aircraft Company | Combined photovoltaic-thermoelectric solar cell and solar cell array |
US5432470A (en) * | 1991-08-02 | 1995-07-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optoelectronic integrated circuit device |
JPH07297454A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | 赤外線イメージセンサ及びその製造方法 |
KR960008579A (ko) | 1994-08-31 | 1996-03-22 | 배순훈 | 다이얼 기능을 갖는 전자수첩 |
US6441395B1 (en) | 1998-02-02 | 2002-08-27 | Uniax Corporation | Column-row addressable electric microswitch arrays and sensor matrices employing them |
JP3484354B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2004-01-06 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法 |
JP3002466B1 (ja) * | 1999-02-18 | 2000-01-24 | 株式会社関西新技術研究所 | 熱電変換装置 |
JP3228267B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2001-11-12 | 日本電気株式会社 | 電子デバイス |
JP3396698B2 (ja) | 1999-09-30 | 2003-04-14 | 株式会社スリーディ・バイオ | 熱電変換装置 |
TW468360B (en) * | 1999-11-04 | 2001-12-11 | Jeng-San Jou | Thermopile infrared device, thermalpile infrared array device and the manufacturing method thereof |
JP3946406B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-07-18 | 株式会社東芝 | 熱型赤外線センサの製造方法 |
JP2002072963A (ja) * | 2000-06-12 | 2002-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光モジュールおよびその駆動方法並びに光センサ |
JP2002107224A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | 赤外線センサ及びその製造方法 |
JP3589997B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2004-11-17 | 株式会社東芝 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
JP2003017672A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス,その製造方法,カメラ及び車両 |
TW580570B (en) * | 2001-11-29 | 2004-03-21 | Toshiba Corp | Sensor device |
JP2003179230A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Yaskawa Electric Corp | 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JP4364553B2 (ja) | 2002-08-30 | 2009-11-18 | シャープ株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
US8481843B2 (en) * | 2003-09-12 | 2013-07-09 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Silver-containing p-type semiconductor |
US7170059B2 (en) * | 2003-10-03 | 2007-01-30 | Wood Roland A | Planar thermal array |
JP4195396B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2008-12-10 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および撮像回路 |
JP2005297454A (ja) | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Mitsubishi Materials Corp | ホットランナー式金型装置及び成形方法 |
US20060225782A1 (en) * | 2005-03-21 | 2006-10-12 | Howard Berke | Photovoltaic cells having a thermoelectric material |
JP4901320B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2012-03-21 | 三菱電機株式会社 | 2波長イメージセンサ |
JP4858210B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-01-18 | 三菱電機株式会社 | 撮像素子 |
GB0708030D0 (en) * | 2007-04-25 | 2007-06-06 | Strep Ltd | Solar cell |
JP2009182143A (ja) | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Sony Corp | 熱電素子およびその製造方法、ならびに熱電モジュール |
EP2339305A4 (en) * | 2008-09-25 | 2012-07-25 | Panasonic Corp | INFRARED SENSOR |
KR20100138774A (ko) * | 2009-06-24 | 2010-12-31 | (주)아이뷰테크 | 열전변환장치 및 그 제조 방법 |
-
2009
- 2009-08-11 JP JP2009186884A patent/JP4516625B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-05 WO PCT/KR2010/005150 patent/WO2011019163A2/ko active Application Filing
- 2010-08-05 KR KR1020100075583A patent/KR100992585B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-05 SG SG2012006664A patent/SG178181A1/en unknown
- 2010-08-05 RU RU2012108191/28A patent/RU2515214C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-08-05 DE DE112010002834.6T patent/DE112010002834B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-05 CN CN201080035934.9A patent/CN102511087B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-05 US US13/389,776 patent/US8872302B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG178181A1 (en) | 2012-03-29 |
DE112010002834B4 (de) | 2018-07-19 |
RU2515214C2 (ru) | 2014-05-10 |
JP2011040585A (ja) | 2011-02-24 |
JP4516625B1 (ja) | 2010-08-04 |
KR100992585B1 (ko) | 2010-11-08 |
CN102511087B (zh) | 2016-06-08 |
US20120139074A1 (en) | 2012-06-07 |
WO2011019163A2 (ko) | 2011-02-17 |
CN102511087A (zh) | 2012-06-20 |
US8872302B2 (en) | 2014-10-28 |
WO2011019163A3 (ko) | 2011-07-21 |
DE112010002834T5 (de) | 2012-12-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012108191A (ru) | Электронное устройство | |
US9082922B2 (en) | Organic/inorganic hybrid optical amplifier with wavelength conversion | |
BRPI0607528A2 (pt) | célula solar de heterocontato com geometria invertida de suas estruturas de camadas | |
ATE498203T1 (de) | Photovoltaische tandem-zelle | |
RU2008126318A (ru) | Термоэлектрический элемент | |
WO2011005013A3 (ko) | p-i-n 나노선을 이용한 태양전지 | |
JP2011512689A5 (ru) | ||
WO2012091311A3 (en) | High efficiency light emitting diode | |
US10020329B2 (en) | Image sensor with solar cell function | |
WO2010104890A3 (en) | Efficiency enhancement of solar cells using light management | |
Yan et al. | A novel multi-source micro power generator for harvesting thermal and optical energy | |
EP2221882A2 (en) | Solar concentrator comprising two solar cells | |
WO2008145113A3 (de) | Photovoltaik-vorrichtung mit mindestens einem mindestens eine lichtumwandlerschicht aufweisenden optischen element | |
CN104868007A (zh) | 聚光型光电转换装置及其制造方法 | |
WO2013090961A3 (de) | Thermo-elektrisches-element | |
TW200507286A (en) | Three dimensional radiation conversion semiconductor devices | |
US10847676B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device package including same | |
WO2015130364A3 (en) | Materials for thermoelectric energy conversion | |
ES2733723T3 (es) | Dispositivo fotovoltaico y panel fotovoltaico | |
JP2007103591A (ja) | Cmosイメージセンサ | |
KR101650442B1 (ko) | 하이브리드 태양광 소자 | |
KR101418687B1 (ko) | 태양전지 | |
KR101667631B1 (ko) | 박막 태양전지 및 그의 제조 방법 | |
US20110220173A1 (en) | Active solar concentrator with multi-junction devices | |
US7956282B2 (en) | Photoelectric conversion element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190806 |