IT201800004620A1 - Dispositivo a semiconduttore ad elevata sensibilita' per la rilevazione di specie chimiche fluide e relativo metodo di fabbricazione - Google Patents

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Description

DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo:
“DISPOSITIVO A SEMICONDUTTORE AD ELEVATA SENSIBILITA' PER LA RILEVAZIONE DI SPECIE CHIMICHE FLUIDE E RELATIVO METODO DI FABBRICAZIONE”
di STMICROELECTRONICS S.R.L.
di nazionalità italiana
con sede: VIA C. OLIVETTI 2
20864 AGRATE BRIANZA (MB)
Inventori: MAZZILLO Massimo Cataldo, CONDORELLI Giovanni
* * *
La presente invenzione si riferisce ad un dispositivo a semiconduttore ad elevata sensibilità per la rilevazione di specie chimiche fluide, nonché al corrispondente metodo di fabbricazione.
Come è noto, in diversi campi di applicazione è sentita oggigiorno l’esigenza di rilevare una o più specie chimiche, in particolare in fase gassosa, e quindi di determinare le corrispondenti concentrazioni di tali specie chimiche. Ad esempio, nell’ambito dell’industria motoristica, è sentita l’esigenza di determinare le concentrazioni, all’interno di un gas di scarico (“exhaust gas”), di specie chimiche che si generano nel corso delle reazioni termiche che avvengono all’interno di un motore. A tal proposito, è noto che, in seguito ad una reazione di combustione che avviene tra il
1
Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) carburante e l’aria, si generano acqua (H2O) e specie chimiche inquinanti, quali l’anidride carbonica (CO2), il monossido di carbonio (CO), l’ossido di zolfo (SOx), ossidi di azoto (NOx), idrocarburi (“hydrocarbons”, HC) e particolato (“particulate matter”, PM). A loro volta, gli ossidi di azoto includono il monossido di azoto (NO), il biossido di azoto (NO2) e l’ossido di diazoto (N2O).
Sempre a titolo esemplificativo, è sentita oggigiorno l’esigenza di disporre di sensori che consentano di rilevare composti organici volatili (“volatile organic compounds”, VOC), i quali sono altamente inquinanti, al fine di rilevare la qualità dell’aria. A tal proposito, i composti organici volatili comprendono, tra l’altro, i cosiddetti idrocarburi policiclici aromatici (IPA), questi ultimi essendo notoriamente pericolosi per la salute dell’uomo.
Indipendentemente dal campo di applicazione, e quindi dalla particolare o dalle particolari specie chimiche oggetto della misura, sono stati sviluppati diversi metodi di rilevamento, i quali a grandi linee possono essere suddivisi in i) metodi basati sul rilevamento delle variazioni di una grandezza elettrica di un elemento sensibile, in seguito all’interazione tra l’elemento sensibile e la specie chimica sotto indagine, e ii) metodi basati sul rilevamento di variazioni di grandezze di tipo non elettrico, quali ad esempio grandezze acustiche,
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) ottiche, ecc.
Limitandosi ai sensori che si basano sulla variazione di una caratteristica elettrica di un proprio elemento sensibile, essi si caratterizzano per costi ridotti e per una certa semplicità costruttiva, tuttavia essi si caratterizzano altresì per sensibilità non particolarmente elevate, nonché, talvolta, per tempi di risposta relativamente lunghi. A tal proposito, in generale ci si riferisce al tempo di risposta per indicare il tempo che intercorre tra l’istante in cui la specie chimica sotto indagine raggiunge un livello di soglia ed un successivo istante, in cui il sensore rileva il raggiungimento del livello di soglia.
Scopo della presente invenzione è quindi fornire un dispositivo a semiconduttore per il rilevamento di specie chimiche fluide, il quale risolva almeno in parte gli inconvenienti dell’arte nota.
Secondo la presente invenzione, vengono forniti un dispositivo a semiconduttore ed un metodo di fabbricazione, come definiti nelle rivendicazioni allegate.
Per una migliore comprensione della presente invenzione, ne vengono ora descritte forme di realizzazione preferite, puramente a titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figure 1, 7, 8, 9 e 10 mostrano schematicamente
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) sezioni trasversali di forme di realizzazione del presente dispositivo di rilevamento;
- la figura 2 mostra schematicamente una vista prospettica di una schiera di dispositivi di rilevamento;
- la figura 3 mostra schematicamente una vista dall’alto con porzioni rimosse della forma di realizzazione mostrata in figura 1;
- le figure 4A e 4B mostrano, ciascuna, andamenti nel tempo di impulsi di corrente, al variare della capacità di un condensatore di rilevamento;
- la figura 5 mostra uno schema a blocchi di un sistema di rilevazione di specie chimiche;
- la figura 6 mostra una esempio di andamento della durata di un intervallo temporale, in funzione di una variazione di un valore di capacità;
- le figure 11-20 mostrano schematicamente sezioni trasversali di un dispositivo di rilevamento, durante fasi successive di un metodo di fabbricazione.
Il presente dispositivo a semiconduttore si basa sul principio di funzionamento dei fotodiodi a valanga operanti in modalità Geiger (“Geiger-mode avalanche photodiode”, GMAP), anche noti come diodi a valanga a singolo fotone (“Single Photon Avalanche Diode”, SPAD), in quanto in grado, almeno teoricamente, di consentire la rivelazione di singoli fotoni.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) In dettaglio, è noto che un fotodiodo SPAD comprende una giunzione di materiale semiconduttore, la quale presenta una tensione di rottura (“breakdown”) VB ed è polarizzata, in uso, con una tensione di polarizzazione inversa VA superiore in modulo alla tensione di rottura VB. In tal modo, la giunzione presenta una regione svuotata particolarmente estesa, al cui interno è presente un campo elettrico non trascurabile. Perciò, la generazione di una singola coppia elettrone-lacuna (“electron-hole pair”), causata dall’assorbimento all’interno della regione svuotata di un fotone incidente sul fotodiodo SPAD, può essere sufficiente per innescare un processo di ionizzazione. Tale processo di ionizzazione causa a sua volta una moltiplicazione a valanga dei portatori, con guadagni nell’intorno di 10<6>, e la conseguente generazione in tempi rapidi (centinaia di picosecondi) della cosiddetta corrente di valanga, o più precisamente di un impulso della corrente di valanga.
La corrente di valanga può essere raccolta mediante una circuiteria esterna collegata alla giunzione e rappresenta un segnale generato dal fotodiodo SPAD, al quale ci si riferisce anche come alla corrente di uscita. In pratica, per ogni fotone assorbito, si genera un impulso della corrente di uscita del fotodiodo SPAD.
Il fatto che la tensione di polarizzazione inversa VA sia superiore, in modulo, alla tensione di rottura VB fa sì
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) che il processo di ionizzazione a valanga, una volta innescato, si autosostenga. Pertanto, una volta innescato, il fotodiodo SPAD non è più in grado di rilevare fotoni, con la conseguenza che, in assenza di opportuni rimedi, il fotodiodo SPAD riesce a rilevare l’arrivo di un primo fotone, ma non l’arrivo di fotoni successivi. Per poter rilevare anche i fotoni successivi, è necessario spegnere la corrente di valanga generata all’interno del fotodiodo SPAD, arrestando il processo di ionizzazione a valanga, ed in particolare abbassando, per un periodo di tempo noto come tempo di hold-off, la tensione effettiva Ve ai capi della giunzione, in modo da inibire il processo di ionizzazione. A tal fine, è noto l’impiego di cosiddetti circuiti di soppressione (“quenching circuits”), siano essi di tipo attivo o passivo. Successivamente, viene ripristinata la tensione di polarizzazione inversa VA, al fine di consentire la rilevazione di un successivo fotone.
Ciò premesso, la Richiedente ha osservato come sia possibile modificare la struttura di un fotodiodo SPAD, in maniera tale da conseguire la possibilità di modulare la forma dell’andamento nel tempo degli impulsi della corrente di valanga, in funzione della concentrazione di una o più specie chimiche sotto indagine.
In maggior dettaglio, la figura 1 mostra un dispositivo di rilevamento 1, il quale è integrato in una piastrina
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) (“die”) 100 di materiale semiconduttore. Come mostrato in figura 2, il dispositivo di rilevamento 1 può far parte di una schiera 220 di dispositivi di rilevamento uguali tra loro, indicati tutti con 1.
In dettaglio, il dispositivo di rilevamento 1 comprende un corpo semiconduttore 3, il quale è formato, ad esempio, da silicio e comprende a sua volta un substrato 2, delimitato da una superficie inferiore Sinf. Inoltre, il dispositivo di rilevamento 1 include un primo ed un secondo strato epitassiale 6, 8. In figura 1, gli spessori del substrato 2 e del primo e del secondo strato epitassiale 6, 8 non sono in scala, come anche gli spessori delle altre regioni, descritte in seguito.
Il substrato 2 è di tipo N++, ha spessore compreso ad esempio tra 300μm e 500μm ed ha un livello di drogaggio compreso, ad esempio, tra 1*10<19 >cm<-3 >e 1*10<20 >cm<-3>.
Il primo strato epitassiale 6 è di tipo N+, ha uno spessore compreso ad esempio tra 4μm e 8μm e sovrasta, in contatto diretto, il substrato 2. Inoltre, il primo strato epitassiale 6 ha un livello di drogaggio compreso, ad esempio, tra 1*10<16 >cm<-3 >e 5*10<16 >cm<-3>.
Il secondo strato epitassiale 8 è di tipo N-, ha uno spessore compreso ad esempio tra 3μm e 5μm e sovrasta il primo strato epitassiale 6, con cui è in contatto diretto. Inoltre, il secondo strato epitassiale 8 ha un livello di
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) drogaggio compreso, ad esempio, tra 1*10<14 >cm<-3 >e 3*10<14 >cm<-3>. Inoltre, il secondo strato epitassiale 8 forma una superficie superiore Ssup, che delimita il corpo semiconduttore 3.
Una regione di anodo 12, di tipo P+ e di forma, in vista dall’alto, circolare o poligonale (ad esempio, quadrangolare), si affaccia alla superficie superiore Ssup e si estende all’interno del secondo strato epitassiale 8. In particolare, la regione di anodo 12 ha uno spessore compreso ad esempio tra 0.05μm e 0.4μm; inoltre, la regione di anodo 12 ha un livello di drogaggio compreso, ad esempio, tra 1*10<18 >cm<-3 >e 1*10<19 >cm<-3>.
Una regione arricchita 14, di tipo N, si estende nel secondo strato epitassiale 8, al di sotto della, ed in contatto diretto con, la regione di anodo 12. In vista dall’alto, la regione arricchita 14 presenta una forma circolare o poligonale (ad esempio, quadrangolare); inoltre, la regione arricchita 14 ha uno spessore pari, ad esempio, ad 1μm e livello di drogaggio compreso, ad esempio, tra 1*10<16 >cm<-3 >e 5*10<16 >cm<-3>.
Ai fini pratici, la regione di anodo 12 e la regione arricchita 14 formano una prima giunzione PN, destinata a ricevere fotoni e a generare la corrente di valanga. La regione arricchita 14 ed il secondo strato epitassiale 8 hanno invece lo scopo di confinare un elevato campo elettrico in prossimità della prima giunzione PN, riducendo la tensione
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) di breakdown VB della giunzione stessa.
Un anello di guardia 16 di forma circolare, di tipo P-e con un livello di drogaggio compreso tra 1*10<16 >cm<-3 >e 3*10<16 >cm<-3>, si estende nel secondo strato epitassiale 8; in particolare, l’anello di guardia 16 è affacciato alla superficie superiore Ssup ed è disposto all’esterno della regione di anodo 12, con cui è in contatto diretto. Inoltre, l’anello di guardia 16 ha uno spessore compreso, ad esempio, tra 1μm e 3μm.
L’anello di guardia 16 forma una seconda giunzione PN con il secondo strato epitassiale 8, in modo da prevenire il breakdown di bordo (“edge breakdown”) della regione di anodo 12.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una regione di isolamento laterale 24, la quale è disposta all’esterno dell’anello di guardia 16 e si estende, a partire dalla superficie superiore Ssup, all’interno del corpo semiconduttore 3.
La regione di isolamento laterale 24 ha forma, in vista dall’alto, circolare o poligonale; inoltre, la regione di isolamento laterale 24 si estende all’interno del corpo semiconduttore 3 in modo da attraversare il primo ed il secondo strato epitassiale 6, 8, nonché parte del substrato 2. Come precedentemente accennato, la regione di isolamento laterale 24 circonda, a distanza, l’anello di guardia 16.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) A sua volta, la regione di isolamento laterale 24 comprende una regione di channel stopper 27 disposta più esternamente, formata da materiale dielettrico (ad esempio, ossido) e disposta in contatto diretto con il corpo semiconduttore 3, nonché una regione di barriera 28, formata da (ad esempio) tungsteno, la quale è circondata dalla regione di channel stopper 27, con cui è in contatto diretto.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una prima regione dielettrica 30, la quale si estende al di sopra della superficie superiore Ssup, è formata ad esempio da ossido termico ed ha uno spessore ad esempio pari a 0.8μm. In particolare, la prima regione dielettrica 30 ha una forma cava, in modo da definire una cavità che lascia esposta la regione di anodo 12; in altre parole, mentre la regione di anodo 12 si affaccia su una porzione centrale della superficie superiore Ssup, la prima regione dielettrica 30 si estende su una porzione periferica della superficie superiore Ssup. Inoltre, la prima regione dielettrica 30 si estende parzialmente al di sopra dell’anello di guardia 16, con cui è in contatto diretto.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una regione 31, alla quale nel seguito ci si riferisce come alla regione intermedia 31.
In dettaglio, la regione intermedia 31 è formata ad esempio da polisilicio, è di tipo P+, ha un livello di
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) drogaggio compreso tra 1*10<20 >cm<-3 >e 3*10<20 >cm<-3 >ed ha uno spessore compreso, ad esempio, tra 50nm e 100nm. Inoltre, la regione intermedia 31 si estende, in contatto diretto, sulla prima regione dielettrica 30 e sulla regione di anodo 12, nonché sulla porzione di anello di guardia 16 lasciata esposta dalla prima regione dielettrica 30.
In maggior dettaglio, e senza alcuna perdita di generalità, la regione intermedia 31 si estende su una porzione centrale della prima regione dielettrica 30, la quale definisce la summenzionata cavità, mentre lascia esposta una porzione periferica della prima regione dielettrica 30.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una seconda regione dielettrica 32, la quale si estende, in contatto diretto, sulla regione intermedia 31 e sulla porzione periferica della prima regione dielettrica 30, lasciata esposta dalla regione intermedia 31. Inoltre, la seconda regione dielettrica 32 ha uno spessore compreso ad esempio tra 50nm e 500nm.
In dettaglio, assumendo che il dispositivo di rilevamento 1 sia configurato per rilevare la concentrazione di una data specie chimica (ad esempio, un composto organico volatile) che viene in contatto con la seconda regione dielettrica 32, la seconda regione dielettrica 32 è formata da un qualsiasi materiale in grado di esibire una variazione
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) della propria permittività elettrica in seguito all’interazione con la summenzionata specie chimica. Ad esempio, la seconda regione dielettrica 32 può essere formata da un materiale che esibisce una variazione della propria permittività elettrica pari ad almeno 0.1%, in seguito ad una variazione della concentrazione della specie chimica da rilevare pari a 50ppm.
In maggior dettaglio, la seconda regione dielettrica 32 può essere formata, ad esempio, da un ossido di un materiale metallico, quali ad esempio: TiO2, V2O5, WO3, SnO2, ZnO e Fe2O3. Tali materiali si caratterizzano per elevati valori di permittività elettrica, con conseguente incremento della sensibilità del dispositivo di rilevamento 1; inoltre, tali materiali esibiscono bassi coefficienti di assorbimento nel visibile e nell’ultravioletto, nonché indici di rifrazione circa pari a due, cioè compresi tra l’indice di rifrazione dell’aria e quello del silicio, fatto che li rende adatti a formare rivestimenti antiriflesso del corpo semiconduttore 3.
Alternativamente, e sempre a titolo esemplificativo, la seconda regione dielettrica 32 può essere formata, ad esempio, da un polimero non conduttivo, oppure da un nanomateriale a base di carbonio (ad esempio nanotubi di carbonio o grafene, eventualmente funzionalizzati), nel qual caso essa può esibire una certa conduttività. In alternativa,
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) la seconda regione dielettrica 32 può essere formata da un composto polimero/i-metallo (cioè un materiale comprendente una struttura polimerica con inclusioni metalliche o una struttura metallica intervallata da polimero), quali ad esempio: CFx-Pd, MOF-5 (“metal organic framework”) e Cu3(btc)2.
In generale, inoltre, la seconda regione dielettrica 32 può essere funzionalizzata, in funzione della specie chimica da rilevare.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una metallizzazione di catodo 42, formata da materiale metallico, la quale si estende al di sotto della superficie inferiore Sinf del substrato 2, con cui è in contatto diretto. Sebbene non mostrato, la metallizzazione di catodo 42 può essere formata da una corrispondente struttura multistrato di materiale metallico.
Il dispositivo di rilevamento 1 comprende inoltre una regione resistiva 44, la quale si estende al di sopra della seconda regione dielettrica 32, nonché, in parte, attraverso la seconda regione dielettrica 32, in modo da contattare una porzione della regione intermedia 31 che si estende al di sopra della prima regione dielettrica 30. La regione resistiva 44 è delimitata superiormente da una superficie S44, alla quale nel seguito ci si riferisce come alla superficie di resistore S44.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) In particolare, la seconda regione dielettrica 32 definisce una finestra F, che sovrasta la regione intermedia 31; la regione resistiva 44 si estende attraverso la finestra F, in modo da contattare appunto la regione intermedia 31.
In vista dall’alto, la regione resistiva 44 ha ad esempio una forma allungata, approssimativamente a “C”, la quale circonda, sempre in vista dall’alto, la regione di anodo 12, come mostrato ad esempio in figura 3. Per maggiore chiarezza, in figura 3 sono mostrati solamente la regione di anodo 12, la seconda regione dielettrica 32, la regione resistiva 44, una regione di contatto 46 ed una metallizzazione superiore 48, descritte in seguito. Sempre senza alcuna perdita di generalità, la finestra F ha forma quadrangolare, in vista dall’alto.
In maggior dettaglio, la regione resistiva 44 è formata ad esempio da polisilicio di tipo P a basso drogaggio (ad esempio compreso tra 1*10<15>cm<-3 >e 1*10<16>cm<-3>); inoltre, la porzione di regione resistiva 44 che si estende al di fuori della finestra F ha uno spessore ad esempio compreso tra 300nm e 700nm.
La regione di contatto 46 si estende all’interno della regione resistiva 44, a partire dalla superficie di resistore S44, a distanza dalla seconda regione dielettrica 32. La regione di contatto 46 è formata ad esempio da polisilicio di tipo P+, ha un livello di drogaggio compreso tra 1*10<19>
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) cm<-3 >e 1*10<20 >cm<-3 >ed ha uno spessore compreso, ad esempio, tra 0.05μm e 0.3μm.
La metallizzazione superiore 48 è formata ad esempio da una struttura multistrato (non mostrata in dettaglio) di materiale metallico e si estende al di sopra della regione resistiva 44, in contatto diretto con la regione di contatto 46, oltre che con parte della regione resistiva 44. In aggiunta, senza alcuna perdita di generalità, la metallizzazione superiore 48 ha forma quadrangolare, in vista dall’alto, e sovrasta interamente la regione di contatto 46 (dettaglio non visibile). Inoltre, in vista dall’alto, la metallizzazione superiore 48 e la finestra F sono disposte in prossimità delle estremità della forma a “C” della regione resistiva 44.
Ai fini pratici, la regione arricchita 14, il substrato 2 ed il primo ed il secondo strato epitassiale 6, 8 formano una regione di catodo. Inoltre, la metallizzazione superiore 48 funge da metallizzazione di anodo. Inoltre, nel corpo semiconduttore 3, la corrente di valanga scorre sostanzialmente lungo una direzione perpendicolare alla superficie superiore Ssup ed alla superficie inferiore Sinf. In aggiunta, la regione resistiva 44 è collegata in serie alla regione di anodo 12, quindi la corrente di valanga scorre anche attraverso la regione resistiva 44.
La seconda regione dielettrica 32 funge da struttura
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) sensibile, la quale interagisce chimicamente con la specie chimica da rilevare. Inoltre, la seconda regione dielettrica 32 è interposta tra la regione intermedia 31, conduttiva, e la regione resistiva 44, la quale esibisce comunque una certa capacità di condurre. In particolare, una porzione secondaria della seconda regione dielettrica 32 è coperta dalla regione resistiva 44, mentre una porzione principale della seconda regione dielettrica 32 è lateralmente sfalsata rispetto alla regione resistiva 44, dunque è lasciata esposta da quest’ultima, in modo da poter interagire chimicamente con la specie chimica; tale porzione principale della seconda regione dielettrica 32 sovrasta, tra l’altro, la regione di anodo di anodo 12, a distanza.
In altre parole, la seconda regione dielettrica 32, la regione intermedia 31 e la regione resistiva 44 formano una sorta di condensatore di rilevamento, le cui piastre, formate rispettivamente dalla regione intermedia 31 e dalla regione resistiva 44, contattano localmente tra loro, in corrispondenza della finestra F. Le variazioni della permittività elettrica della seconda regione dielettrica 32, causate dall’interazione con la specie chimica, causano una variazione della capacità del condensatore di rilevamento.
La regione resistiva 44 agisce inoltre come resistore di soppressione (“quenching resistor”), elettricamente connesso alla regione di anodo 12 ed in grado di spegnere la
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) corrente di valanga generata in seguito all’assorbimento di un fotone, come descritto in maggior dettaglio in seguito.
Operativamente, la metallizzazione superiore 48 viene posta ad una tensione di polarizzazione inversa VA pari, in modulo, alla somma della tensione di rottura VB della giunzione presente tra la regione di anodo 12 e la regione di catodo, più una tensione VOV, ad esempio pari a -3 Volt. In assenza della corrente di valanga, non scorre corrente all’interno della regione resistiva 44, la quale si trova quindi tutta ad una medesima tensione, pari alla tensione di polarizzazione inversa VA. In seguito all’innesco della corrente di valanga, all’interno della regione resistiva 44 si manifesta una caduta di potenziale, a causa dello scorrere della corrente di valanga all’interno della regione resistiva 44. In particolare, mentre la porzione di regione resistiva 44 che contatta la metallizzazione superiore 48 rimane alla tensione di polarizzazione inversa VA, la porzione di regione resistiva 44 che contatta la regione intermedia 31 si trova ad una tensione circa pari alla tensione di rottura VB. In seguito all’estinzione della corrente di valanga, la regione resistiva 44 torna ad avere tutta una medesima tensione, pari alla tensione di polarizzazione inversa VA; in altre parole, la regione di anodo 12 si ricarica alla tensione di polarizzazione inversa VA, con una tempistica che dipende, oltre che dal valore di
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) resistenza della regione resistiva 44, anche dalla capacità del condensatore di rilevamento.
Per quanto concerne, invece, la regione di isolamento laterale 24, essa consente, mediante la regione di barriera 28, di isolare otticamente il dispositivo di rilevamento 1 dagli altri dispositivi di rilevamento della schiera 220. In particolare, la regione di barriera 28 della regione di isolamento laterale 24 consente di ridurre il crosstalk istantaneo; inoltre, l’ossido presente nel channel stopper 27 garantisce l’isolamento elettrico.
In uso, l’accensione di un dispositivo di rilevamento 1 non altera, in prima approssimazione, la polarizzazione dei dispositivi di rilevamento 1 adiacenti. Inoltre, all’interno del substrato 2, la caduta di potenziale dovuta al passaggio della corrente di valanga è trascurabile, a causa della bassa resistività del substrato 2. Pertanto, la schiera 220 forma un cosiddetto fotomoltiplicatore di silicio (“Silicon PhotoMultiplier”, SiPM), cioè una schiera di fotodiodi SPAD (nella fattispecie, i dispositivi di rilevamento 1) cresciuti su un medesimo substrato e provvisti di rispettivi resistori di soppressione tra loro disaccoppiati ed indipendenti. Inoltre, i dispositivi di rilevamento 1 sono collegati ad un medesimo generatore di tensione (non mostrato), in modo da essere polarizzati alla summenzionata tensione di polarizzazione inversa VA. Le
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) correnti di valanga generate all’interno dei dispositivi di rilevamento 1 sono multiplate insieme in modo da generare un segnale di uscita del fotomoltiplicatore SiPM, al quale nel seguito ci si riferisce come al segnale di schiera. Il segnale di schiera è pari alla sommatoria dei segnali di uscita dei fotodiodi SPAD, i quali sono appunto formati dalle correnti di valanga. Il segnale di schiera è quindi proporzionale, in prima approssimazione, al numero di fotoni che incidono sulla schiera 220.
Ciò premesso, la figura 4A mostra possibili andamenti del segnale di schiera, al variare della capacità del summenzionato condensatore di rilevamento.
In particolare, si nota come, all’aumentare del valore di capacità del condensatore di rilevamento, e a parità di altre condizioni (ad esempio, medesima polarizzazione), si verifica un aumento del valore di picco dell’impulso di corrente del segnale di schiera, nonché un aumento della pendenza della cosiddetta porzione crescente (“rising”) dell’impulso, la quale precede appunto il verificarsi del picco; inoltre, come meglio visibile in figura 4B, all’aumentare del valore di capacità del condensatore di rilevamento, si verifica un aumento delle durata temporale della cosiddetta porzione di soppressione dell’impulso, cioè della porzione dell’impulso immediatamente successiva al picco ed avente andamento esponenziale decrescente, la quale
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) precede la cosiddetta porzione di ricarica (“recharging”), avente andamento approssimativamente rettilineo. La dipendenza dal valore di capacità del condensatore di rilevamento della durata temporale della porzione di soppressione dell’impulso è maggiore rispetto alla dipendenza esibita, nei confronti della stessa grandezza, dalla pendenza della porzione crescente dell’impulso.
In altre parole, la modulazione della capacità del condensatore di rilevamento consente di modulare l’andamento del segnale di schiera. A sua volta, come spiegato in precedenza, la capacità del condensatore di rilevamento dipende dalla concentrazione di almeno una specie chimica (ad esempio, allo stato gassoso), la quale interagisce con il dispositivo di rilevamento 1, ed in particolare con la seconda regione dielettrica 32. Per tale motivo, il dispositivo di rilevamento 1 funge da trasduttore elettrico della concentrazione della specie chimica.
In maggior dettaglio, è possibile avvalersi del sistema di rilevazione 110 mostrato in figura 5, il quale comprende, oltre alla schiera 220, opportunamente alimentata da un corrispondente stadio di alimentazione (non mostrato), anche un preamplificatore 106 (opzionale), un discriminatore a soglia fissa (“fixed threshold discriminator”, FTD) 108, un convertitore tempo – ampiezza (“time to amplitude converter”, TAC) 120, un calcolatore 122 ed uno schermo 124.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) La schiera 220 è collegata elettricamente all’ingresso del preamplificatore 106, la cui uscita è collegata all’ingresso del discriminatore a soglia fissa 108; una prima uscita del discriminatore a soglia fissa 108 è collegata ad un primo terminale di ingresso START del convertitore tempo – ampiezza 120, mentre una seconda uscita del discriminatore a soglia fissa 108 è collegata ad un secondo terminale di ingresso STOP del convertitore tempo – ampiezza 120, la cui uscita è collegata al calcolatore 122, il quale a sua volta è collegato allo schermo 124.
In uso, il preamplificatore 106 amplifica il segnale di schiera, generando un segnale preamplificato. Il discriminatore a soglia fissa 108 genera, sulla propria prima uscita, un primo segnale di temporizzazione, indicativo dell’istante in cui il valore di corrente di ciascun impulso (in particolare, la porzione crescente) del segnale preamplificato supera un valore di soglia; inoltre, il discriminatore a soglia fissa 108 genera, sulla propria seconda uscita, un secondo segnale di temporizzazione, indicativo dell’istante in cui il valore di corrente di ciascun impulso (in particolare, della porzione di soppressione) del segnale preamplificato scende al di sotto del valore di soglia.
Come precedentemente accennato, l’istante in cui il valore di corrente di ciascun impulso del segnale
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) preamplificato supera il valore di soglia può essere indicativo della rilevazione di un fotone da parte del dispositivo di rilevamento 1, tuttavia tale aspetto è irrilevante ai fini della determinazione della concentrazione della specie chimica sotto indagine, come spiegato in dettaglio in seguito. A tal proposito, in questa sede si anticipa che l’innesco di un impulso di corrente può avvenire anche in modo indipendente dalla presenza di radiazione; in altre parole ai fini della determinazione della concentrazione è irrilevante il tipo di evento che conduce all’innesco degli impulso di corrente, i quali possono quindi essere formati da cosiddetti impulsi di buio. Nel seguito, per un generico impulso di corrente del segnale preamplificato, ci si riferisce al primo ed al secondo istante t1, t2 per indicare rispettivamente gli istanti in cui la corrente supera il valore di soglia e, successivamente, la corrente scende al di sotto del valore di soglia.
Indipendentemente dalla causa che ha portato alla generazione di un impulso del segnale di schiera, si può dimostrare che, dato un impulso di corrente del segnale di schiera, la dipendenza dal valore capacità dei condensatori di rilevamento del corrispondente primo istante t1 è sostanzialmente trascurabile, visto che è dell’ordine di 0.2ps per una variazione di capacità pari a 1%; al contrario,
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) la dipendenza dal valore capacità dei condensatori di rilevamento del corrispondente secondo istante t2 è rilevante, del momento che è circa pari a 10ps per una variazione di capacità pari a 1%.
Ciò premesso, il convertitore tempo – ampiezza 120 genera, in funzione del primo e del secondo segnale di temporizzazione, un rispettivo segnale di uscita, il quale è indicativo, per ciascun impulso del segnale di schiera, della durata dell’intervallo di tempo che intercorre tra i corrispondenti primo e secondo istante t1, t2, al quale nel seguito ci si riferisce come alla durata dell’intervallo sopra soglia. Il calcolatore 122 può quindi calcolare una stima della concentrazione della specie chimica che interagisce con la seconda regione dielettrica 32, sulla base del segnale di uscita.
In dettaglio, il calcolatore 122 può calcolare, inizialmente, un valore di capacità del condensatore di rilevamento, ad esempio sulla base di una prima curva di taratura, un cui esempio è mostrato in figura 6. In dettaglio, la prima curva di taratura viene determinata per via sperimentale e viene memorizzata dal calcolatore 122; inoltre, la prima curva di taratura correla la variazione della durata dell’intervallo sopra soglia (misurata rispetto ad una durata di riferimento) con la variazione della capacità del condensatore di rilevamento (misurata rispetto
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) ad una capacità di riferimento).
Successivamente, il calcolatore 122 può determinare la concentrazione della specie chimica sotto indagine, sulla base della summenzionata variazione della capacità e, ad esempio, di una seconda curva di taratura, la quale correla la variazione di concentrazione della specie chimica (misurata rispetto ad una concentrazione di riferimento) con la variazione della capacità del condensatore di rilevamento. Anche la seconda curva di taratura può essere stata determinata per via sperimentale. In alternativa, il calcolatore 122 può determinare la concentrazione della specie chimica sotto indagine in funzione della durata dell’intervallo sopra soglia e di una terza curva di taratura determinata per via sperimentale, la quale correla appunto la concentrazione della specie chimica sotto indagine e la durata dell’intervallo sopra soglia.
Infine, il calcolatore 122 visualizza il valore di contrazione determinato sullo schermo 124.
Sono inoltre possibili forme di realizzazione diverse, come mostrato ad esempio in figura 7. In tal caso, al di sopra della seconda regione dielettrica 32, ed in particolare al di sopra della porzione di seconda regione dielettrica 32 che sovrasta, a distanza, la regione di anodo 12, si estende una regione addizionale 51, formata da materiale metallico (ad esempio, palladio, tungsteno o iridio).
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) La regione addizionale 51 ha uno spessore ad esempio compreso tra 50nm e 500nm e forma con la seconda regione dielettrica 32 una struttura sensibile.
Operativamente, la regione addizionale 51 funge da precursore, al fine di incrementare l’interazione chimica tra la sottostante seconda regione dielettrica 32 e la specie chimica sotto indagine, la quale può essere rappresentata, ad esempio, da idrogeno molecolare. Inoltre, come spiegato in precedenza, il fatto che la regione addizionale 51 possa schermare la radiazione non incide sul comportamento del dispositivo di rilevamento 1.
Sebbene non mostrate, sono inoltre possibili forme di realizzazione rispettivamente uguali alle forme di realizzazione mostrate nelle figure 1 e 7, ma in cui la regione intermedia 31 è assente, come mostrato ad esempio in figura 8. Tuttavia, la presenza della regione intermedia 31 consente di ridurre la difettosità della regione di anodo 12, dal momento che consente di evitare di dover ricorrere, in fase di fabbricazione della regione di anodo 12, a processi di impianto.
Sono inoltre possibili forme di realizzazione in cui tra la seconda regione dielettrica 32 e, se presente, la regione intermedia 31, oppure la regione di anodo 12, se la regione intermedia 31 è assente, è presente uno strato 53, al quale nel seguito si riferisce come allo strato di
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) supporto 53. Un esempio di tali forme di realizzazione, riferito al caso in cui la regione intermedia 31 è presente, è mostrato in figura 9. La finestra F si estende anche attraverso lo strato di supporto 53.
In dettaglio, lo strato di supporto 53 è formato, ad esempio, da ossido di silicio (SiO2), oppure da nitruro di silicio (Si3N4) ed assolve la funzione di ridurre la difettosità superficiale.
Sebbene non mostrate, sono inoltre possibili forme di realizzazione che includono sia la regione addizionale 51 che lo strato di supporto 53.
Sono inoltre possibili forme di realizzazione in cui sono presenti una o più regioni sensibili addizionali, come mostrato ad esempio in figura 10. In particolare, la figura 10 mostra una terza regione dielettrica 57, la quale sovrasta, in contatto diretto, la seconda regione dielettrica 32. La finestra F si estende anche attraverso la terza regione dielettrica 57, la quale in vista dall’alto può avere la medesima forma della sottostante seconda regione dielettrica 32. Inoltre, la regione resistiva 44 si estende sulla terza regione dielettrica 57.
In dettaglio, la terza regione dielettrica 57 può essere formata da uno qualsiasi dei materiali precedentemente menzionati con riferimento alla seconda regione dielettrica 32, purché diverso dal materiale che forma la seconda regione
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) dielettrica 32. In tal modo, mentre la seconda regione dielettrica 32 esibisce una variazione della permittività elettrica in funzione della concentrazione di una prima specie chimica, la terza regione dielettrica 57 esibisce una variazione della permittività elettrica in funzione della concentrazione di una seconda specie chimica.
Sebbene non mostrate, sono inoltre possibili ulteriori forme di realizzazione, in cui sono presenti più di due regioni sensibili, impilate l’una sopra l’altra, all’interno di una struttura multistrato.
Il presente dispositivo di rilevamento 1 può essere fabbricato mediante il metodo di fabbricazione che viene descritto qui di seguito, con particolare riferimento, a titolo puramente esemplificativo, ad una forma di realizzazione del tipo mostrato in figura 1, ma in cui la regione di isolamento laterale 24 è assente.
Come mostrato in figura 11, in modo di per sé noto vengono formati il substrato 2, il primo ed il secondo strato epitassiale 6, 8, la regione arricchita 14, l’anello di guardia 16 e la prima regione dielettrica 30.
Successivamente, come mostrato in figura 12, viene formata la regione intermedia 31, ad esempio mediante un processo di deposizione di uno strato di polisilicio drogato in situ e un successivo processo di fotolitografia.
In seguito, come mostrato in figura 13, viene formato
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) mediante deposizione uno strato 32’, al quale nel seguito ci si riferisce come al primo strato di processo 32’. Il primo strato di processo 32’ è destinato a formare la seconda regione dielettrica 32. A titolo puramente esemplificativo, il primo strato di processo 32’ può essere formato da TiO2 e può avere uno spessore pari a 200nm.
Successivamente, come mostrato in figura 14, viene eseguito un trattamento termico ad una temperatura ad esempio pari a 1000°C, e con una durata ad esempio pari a 90 secondi. Tale trattamento termico causa la formazione della regione di anodo 12.
In seguito, come mostrato in figura 15, viene eseguito un ulteriore processo di fotolitografia, mediante impiego di una corrispondente maschera (non mostrata), in modo da rimuovere selettivamente una porzione del primo strato di processo 32’ e formare la finestra F. La porzione rimanente del primo strato di processo 32’ forma la seconda regione dielettrica 32.
Successivamente, come mostrato in figura 16, viene formato mediante deposizione uno strato 44’, al quale nel seguito ci si riferisce come al secondo strato di processo 44’. Il secondo strato di processo 44’ è formato da polisilicio non drogato ed è destinato a formare la regione resistiva 44. A titolo puramente esemplificativo, il secondo strato di processo 44’ può avere uno spessore pari a 500nm. Inoltre, la deposizione del polisilicio può avvenire ad una temperatura di circa 600°C.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) Successivamente, come mostrato in figura 17, viene eseguito un ulteriore trattamento termico ad una temperatura ad esempio pari a 950°C, e con una durata ad esempio pari a 10 minuti. Tale trattamento termico causa la formazione di uno strato di ossido 59, al di sopra del secondo strato di processo 44’. Lo strato di ossido 59 ha uno spessore ad esempio pari a 50nm.
In seguito, come mostrato ancora in figura 17, viene eseguita un’impiantazione ionica (indicata con le frecce 61) di specie droganti di tipo P (ad esempio, boro), con un dosaggio ad esempio pari a 1.4*10<14>cm<-2 >ed energia ad esempio pari a 50KeV. Tale impiantazione fa sì che il secondo strato di processo 44’ acquisisca il livello di drogaggio della regione resistiva 44.
In seguito, come mostrato in figura 18, viene eseguito un processo di impiantazione ionica selettiva (indicata con le frecce 63) di specie droganti di tipo P (ad esempio, boro), mediante ausilio di una corrispondente maschera (non mostrata), con un dosaggio ad esempio pari a 5*10<14>cm<-2 >ed energia ad esempio pari a 50KeV, in modo da formare la regione di contatto 46. La maschera viene successivamente rimossa e poi viene eseguito un ulteriore trattamento termico in ambiente azoto, ad una temperatura ad esempio pari a 1000°C e con una durata ad esempio pari a mezz’ora.
Successivamente, come mostrato in figura 19, viene rimosso lo strato di ossido 59, ad esempio mediante un attacco umido.
In seguito, come mostrato in figura 20, viene eseguito un ulteriore processo di fotolitografia, mediante una corrispondente
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) maschera (non mostrata), il quale consente di rimuovere selettivamente porzioni del secondo strato di processo 44’. La porzione rimanente del secondo strato di processo 44’ forma la regione resistiva 44.
Successivamente, il dispositivo di rilevamento 1 viene ultimato in modo di per sé noto.
Da quanto è stato descritto ed illustrato precedentemente, i vantaggi che la presente soluzione consente di ottenere sono evidenti.
In particolare, il presente dispositivo consente di rilevare le concentrazioni di una o più specie chimiche, con un’elevata sensibilità, senza dover ricorrere all’impiego di un riscaldatore (“heater”). A tal proposito, si è verificato che il presente dispositivo di rilevamento ha una sensibilità dell’ordine dello 0.1%, dunque consente, ad esempio, di rilevare una concentrazione di ammoniaca dell’ordine di 5ppm, nel caso in cui la struttura sensibile includa almeno una regione di nafion.
In aggiunta, la presenza di un diodo Geiger consente di amplificare il segnale di rilevazione, senza necessità di ricorrere ad ulteriori dispositivi integrati. Inoltre, dal momento che la regione sensibile non viene attraversata da corrente, si evitano effetti di isteresi, nonché il deterioramento delle prestazioni del dispositivo di rilevamento.
In conclusione, è chiaro che modifiche e varianti possono essere apportate a quanto è stato descritto ed illustrato sin qui,
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) senza tuttavia scostarsi dall’ambito di tutela della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Come precedentemente accennato, la regione intermedia 31 può essere assente, come anche la regione di isolamento laterale 24. Inoltre, al limite è possibile che la piastrina 100 comprenda un solo dispositivo di rilevamento 1.
Circa la seconda regione dielettrica 32, essa può essere formata dai medesimi materiali descritti in precedenza, ma di tipo poroso o nanostrutturato, al fine di incrementare la sensibilità.
Anche il metodo di fabbricazione può differire rispetto a quanto descritto. A titolo puramente esemplificativo, la regione di anodo 12 può essere formata per impiantazione, anziché per diffusione.
Infine, tutti i tipi di drogaggio possono essere invertiti rispetto a quanto descritto.
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Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B)

Claims (15)

  1. RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo di rilevamento di una specie chimica, comprendente un diodo a valanga operante in modalità Geiger (2,6,8,12,14), detto diodo a valanga comprendendo un corpo (3) di materiale semiconduttore delimitato da una superficie frontale (Ssup) ed includente: - una regione di catodo (2,6,8,14) di un primo tipo di conducibilità, la quale forma la superficie frontale; e - una regione di anodo (12) di un secondo tipo di conducibilità, estendentesi all’interno della regione di catodo a partire dalla superficie frontale; detto dispositivo di rilevamento (1) comprendendo inoltre: - una struttura sensibile (32;32,51;32,53;32,57) disposta al di sopra della regione di anodo e comprendente almeno una regione sensibile (32), detta regione sensibile avendo una permittività elettrica che dipende dalla concentrazione di detta specie chimica; e - un regione resistiva (44), disposta sulla struttura sensibile ed accoppiata elettricamente alla regione di anodo.
  2. 2. Dispositivo di rilevamento secondo la rivendicazione 1, comprendente inoltre una regione conduttiva di contatto frontale (48), la quale si estende al di sopra della regione resistiva (44), alla quale è elettricamente accoppiata. 32 Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B)
  3. 3. Dispositivo di rilevamento secondo la rivendicazione 2, in cui la regione resistiva (44) ha una forma allungata avente una prima ed una seconda estremità, la prima estremità essendo elettricamente accoppiata alla regione di anodo (12), la seconda estremità essendo elettricamente accoppiata alla regione conduttiva di contatto frontale (48).
  4. 4. Dispositivo di rilevamento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la regione sensibile (32) è formata da un materiale a scelta tra: un ossido di un materiale metallico, un polimero non conduttivo, un nanomateriale a base di carbonio, oppure un composto polimero/i-metallo.
  5. 5. Dispositivo di rilevamento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la struttura sensibile (32,51) comprende inoltre uno strato precursore (51) di materiale metallico, disposto al di sopra della regione sensibile (32), in contatto diretto, detto strato precursore essendo configurato per aumentare l’interazione chimica tra la regione sensibile e la specie chimica.
  6. 6. Dispositivo di rilevamento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedente, comprendente inoltre una metallizzazione inferiore (42), disposta al di sotto del corpo semiconduttore (3), in contatto diretto.
  7. 7. Dispositivo di rilevamento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente inoltre una 33 Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) regione semiconduttiva intermedia (31) del secondo tipo di conducibilità, la quale è interposta tra la regione di anodo (12) e la struttura sensibile (32;32,51;32,53;32,57); ed in cui la regione resistiva (44) è accoppiata elettricamente alla regione di anodo attraverso la regione semiconduttiva intermedia.
  8. 8. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui detto primo tipo di conducibilità è una conducibilità di tipo N, e in cui detto secondo tipo di conducibilità è una conducibilità di tipo P.
  9. 9. Schiera di dispositivi comprendente una piastrina (100) di materiale semiconduttore, in cui è formato un numero di dispositivi di rilevamento (1) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti.
  10. 10. Sistema di rilevamento comprendente: - una schiera (220) secondo la rivendicazione 9, configurata per generare una corrente impulsata; - uno stadio di comparazione (108, 120) configurato per generare un segnale di confronto, sulla base della corrente impulsata, detto segnale di confronto essendo indicativo, per ciascun impulso della corrente impulsata, della durata dell’intervallo di tempo che intercorre tra gli istanti in cui detto impulso supera una soglia e successivamente scende al di sotto della soglia; e - uno stadio di elaborazione (122) configurato per 34 Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) determinare una stima della concentrazione della specie chimica, sulla base di detto segnale di confronto.
  11. 11. Metodo per la fabbricazione di un dispositivo di rilevamento di una specie chimica, comprendente una fase di formare un diodo a valanga operante in modalità Geiger (2,6,8,12,14), detta fase di formare un diodo a valanga comprendendo una fase di formare un corpo (3) di materiale semiconduttore delimitato da una superficie frontale (Ssup), detta fase di formare un corpo semiconduttore comprendendo: - formare una regione di catodo (2,6,8,14) di un primo tipo di conducibilità, la quale forma la superficie frontale; e - formare una regione di anodo (12) di un secondo tipo di conducibilità, la quale si estende all’interno della regione di catodo a partire dalla superficie frontale; detto metodo comprendendo inoltre le fasi di: - al di sopra della regione di anodo, formare una struttura sensibile (32;32,51;32,53;32,57) che include almeno una regione sensibile (32), detta regione sensibile avendo una permittività elettrica che dipende dalla concentrazione di detta specie chimica; e - al di sopra della struttura sensibile, formare una regione resistiva (44), elettricamente accoppiata alla regione di anodo.
  12. 12. Metodo di fabbricazione secondo la rivendicazione 11, 35 Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B) comprendente inoltre una fase di formare, al di sopra della regione resistiva (44), una regione conduttiva di contatto frontale (48), elettricamente accoppiata alla regione resistiva.
  13. 13. Metodo di fabbricazione secondo la rivendicazione 12, in cui detta fase di formare una regione resistiva (44) comprende formare la regione resistiva in modo che abbia una forma allungata con una prima ed una seconda estremità, la prima estremità essendo elettricamente accoppiata alla regione di anodo (12), la seconda estremità essendo elettricamente accoppiata alla regione conduttiva di contatto frontale (48).
  14. 14. Metodo di fabbricazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni da 11 a 13, comprendente inoltre la fase di formare, tra la regione di anodo (12) e la struttura sensibile (32;32,51;32,53;32,57), una regione semiconduttiva intermedia (31) del secondo tipo di conducibilità, la quale è elettricamente interposta tra la regione resistiva (44) e la regione di anodo.
  15. 15. Metodo di fabbricazione secondo la rivendicazione 14, in cui detta fase di formare una regione di anodo (12) comprende: - dopo l’esecuzione della fase di formare una regione di catodo (2,6,8,14), eseguire detta fase di formare una regione semiconduttiva intermedia (31); e successivamente - eseguire un trattamento termico. p.i.: STMICROELECTRONICS S.R.L. Pietro SPALLA 36 Pietro SPALLA (Iscrizione Albo nr.1430/B)
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