RU2011113183A - Твердотельный датчик изображения и система формирования изображения - Google Patents
Твердотельный датчик изображения и система формирования изображения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011113183A RU2011113183A RU2011113183/28A RU2011113183A RU2011113183A RU 2011113183 A RU2011113183 A RU 2011113183A RU 2011113183/28 A RU2011113183/28 A RU 2011113183/28A RU 2011113183 A RU2011113183 A RU 2011113183A RU 2011113183 A RU2011113183 A RU 2011113183A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- insulating film
- refractive index
- insulator
- sensor according
- sensor
- Prior art date
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14629—Reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
1. Твердотельный датчик изображения, включающий полупроводниковую подложку, содержащую множество фотоэлектрических элементов преобразования, причем датчик содержит: ! - первую изолирующую пленку, которая расположена на полупроводниковой подложке и имеет множество отверстий, при этом каждое из множества отверстий расположено на одном из упомянутого множества фотоэлектрических элементов преобразования; ! - множество участков изолятора, показатель преломления которых выше показателя преломления первой изолирующей пленки, при этом каждый из множества участков изолятора расположен в одном из упомянутого множества отверстий; ! - вторую изолирующую пленку, которая расположена на верхних поверхностях упомянутого множества участков изолятора и верхней поверхности первой изолирующей пленки; и ! - третью изолирующую пленку, показатель преломления которой ниже показателя преломления второй изолирующей пленки, и которая расположена в контакте с верхней поверхностью второй изолирующей пленки, ! при этом обеспечивают соблюдение условия t<λ/n, где λ - длина волны света, поступающего в упомянутое множество участков изолятора, n - показатель преломления второй изолирующей пленки и t - толщина второй изолирующей пленки, по меньшей мере, в части области на верхней поверхности первой изолирующей пленки. ! 2. Датчик по п.1, в котором верхняя поверхность второй изолирующей пленки выполнена гладкой и непрерывной. ! 3. Датчик по п.1, в котором дополнительно обеспечивают соблюдение условия t1>λ/n, где t1 - толщина второй изолирующей пленки, по меньшей мере, в части области на верхних поверхностях упомянутого множества участков изол
Claims (8)
1. Твердотельный датчик изображения, включающий полупроводниковую подложку, содержащую множество фотоэлектрических элементов преобразования, причем датчик содержит:
- первую изолирующую пленку, которая расположена на полупроводниковой подложке и имеет множество отверстий, при этом каждое из множества отверстий расположено на одном из упомянутого множества фотоэлектрических элементов преобразования;
- множество участков изолятора, показатель преломления которых выше показателя преломления первой изолирующей пленки, при этом каждый из множества участков изолятора расположен в одном из упомянутого множества отверстий;
- вторую изолирующую пленку, которая расположена на верхних поверхностях упомянутого множества участков изолятора и верхней поверхности первой изолирующей пленки; и
- третью изолирующую пленку, показатель преломления которой ниже показателя преломления второй изолирующей пленки, и которая расположена в контакте с верхней поверхностью второй изолирующей пленки,
при этом обеспечивают соблюдение условия t<λ/n, где λ - длина волны света, поступающего в упомянутое множество участков изолятора, n - показатель преломления второй изолирующей пленки и t - толщина второй изолирующей пленки, по меньшей мере, в части области на верхней поверхности первой изолирующей пленки.
2. Датчик по п.1, в котором верхняя поверхность второй изолирующей пленки выполнена гладкой и непрерывной.
3. Датчик по п.1, в котором дополнительно обеспечивают соблюдение условия t1>λ/n, где t1 - толщина второй изолирующей пленки, по меньшей мере, в части области на верхних поверхностях упомянутого множества участков изолятора.
4. Датчик по п.1, в котором отверстие имеет коническую форму, при которой площадь увеличивается с увеличением расстояния от фотоэлектрического элемента преобразования.
5. Датчик по п.1, в котором вторая изолирующая пленка и участок изолятора изготовлены из одного из следующего: нитрида кремния и оксинитрида кремния.
6. Датчик по п.1, дополнительно содержащий цветной фильтр на третьей изолирующей пленке.
7. Датчик по п.1, в котором, по меньшей мере, часть из упомянутого множества участков изолятора и вторая изолирующая пленка выполнены как единое целое.
8. Система формирования изображения, содержащая:
- твердотельный датчик изображения по любому из пп.1-7; и
- блок обработки сигнала, выполненный с возможностью обработки сигнала, полученного твердотельным датчиком изображения.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010-088192 | 2010-04-06 | ||
| JP2010088192 | 2010-04-06 | ||
| JP2011-026532 | 2011-02-09 | ||
| JP2011026532A JP5595298B2 (ja) | 2010-04-06 | 2011-02-09 | 固体撮像装置及び撮像システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011113183A true RU2011113183A (ru) | 2012-10-10 |
| RU2466478C1 RU2466478C1 (ru) | 2012-11-10 |
Family
ID=44247834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011113183/28A RU2466478C1 (ru) | 2010-04-06 | 2011-04-05 | Твердотельный датчик изображения и система формирования изображения |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8525907B2 (ru) |
| EP (1) | EP2375448B1 (ru) |
| JP (1) | JP5595298B2 (ru) |
| KR (1) | KR101358587B1 (ru) |
| CN (1) | CN102214668B (ru) |
| RU (1) | RU2466478C1 (ru) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5314914B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2013-10-16 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム、設計方法、及び光電変換装置の製造方法 |
| WO2009144645A1 (en) * | 2008-05-27 | 2009-12-03 | Nxp B.V. | Light sensor device and manufacturing method |
| US8222710B2 (en) * | 2008-06-13 | 2012-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sensor structure for optical performance enhancement |
| KR101647779B1 (ko) * | 2009-09-09 | 2016-08-11 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 |
| JP2013070030A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-04-18 | Sony Corp | 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置 |
| JP2013077678A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sony Corp | 撮像素子、電子機器、並びに、製造方法 |
| JP2013098503A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Toshiba Corp | 固体撮像素子 |
| JP5845856B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2016-01-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2013145433A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 富士フイルム株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
| JP2014022649A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Nikon Corp | 固体撮像素子、撮像装置、及び電子機器 |
| JP6053382B2 (ja) | 2012-08-07 | 2016-12-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の製造方法。 |
| JP6045250B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2016-12-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
| CN102881700B (zh) * | 2012-09-18 | 2017-06-23 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN105144678A (zh) * | 2012-10-17 | 2015-12-09 | 哥拉斯特有限公司 | 目标的三维指压迹和可视化 |
| US10203411B2 (en) * | 2012-11-02 | 2019-02-12 | Maxim Integrated Products, Inc. | System and method for reducing ambient light sensitivity of infrared (IR) detectors |
| CN103022068B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-04-19 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种cmos图像传感器及其制造方法 |
| US8907385B2 (en) * | 2012-12-27 | 2014-12-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface treatment for BSI image sensors |
| JP2014175623A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| DE102013104968B4 (de) * | 2013-05-14 | 2020-12-31 | ams Sensors Germany GmbH | Sensoranordnung mit einem siliziumbasierten optischen Sensor und einem Substrat für funktionelle Schichtsysteme |
| JP6130221B2 (ja) | 2013-05-24 | 2017-05-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子機器 |
| JP2015037120A (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-23 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
| US9859326B2 (en) * | 2014-01-24 | 2018-01-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor devices, image sensors, and methods of manufacture thereof |
| US10185998B1 (en) * | 2014-05-20 | 2019-01-22 | State Farm Mutual Automobile Insurance Company | Accident fault determination for autonomous vehicles |
| JP6444066B2 (ja) * | 2014-06-02 | 2018-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
| JP2016096254A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2016127264A (ja) * | 2014-12-26 | 2016-07-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP6539123B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法ならびにカメラ |
| KR20180107145A (ko) | 2016-01-29 | 2018-10-01 | 타워재즈 파나소닉 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 고체 촬상 장치 |
| JP6744748B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2020-08-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| KR102632442B1 (ko) * | 2018-05-09 | 2024-01-31 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 전자 장치 |
| JP2020113573A (ja) * | 2019-01-08 | 2020-07-27 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| US11698296B2 (en) * | 2019-09-25 | 2023-07-11 | Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas | Light sensor using pixel optical diffraction gratings having different pitches |
| CN110649057B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-05 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、摄像头组件及移动终端 |
| US11398512B2 (en) * | 2019-12-19 | 2022-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photo-sensing device and manufacturing method thereof |
| CN111430567A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| EP4179369A1 (en) * | 2020-07-10 | 2023-05-17 | Acacia Communications, Inc. | Optical waveguide passivation for moisture protection |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2757624B2 (ja) * | 1991-10-21 | 1998-05-25 | 日本電気株式会社 | 赤外線固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPH08293462A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-11-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3204216B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2001-09-04 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP3824469B2 (ja) | 2000-04-03 | 2006-09-20 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置、及びその製造方法 |
| JP3959734B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-08-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4165077B2 (ja) | 2002-01-28 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 半導体撮像装置 |
| JP2003249632A (ja) | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| EP1341235A3 (en) * | 2002-02-28 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| JP4123415B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
| KR20050085579A (ko) | 2002-12-13 | 2005-08-29 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체 촬상 소자 및 그 제조방법 |
| JP4120543B2 (ja) * | 2002-12-25 | 2008-07-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP4123060B2 (ja) | 2003-06-11 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2006049825A (ja) | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| US7298955B2 (en) * | 2005-03-30 | 2007-11-20 | Fujifilm Corporation | Solid-state image pickup element and method of producing the same |
| WO2006115142A1 (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像素子およびその製造方法ならびに光導波路形成装置 |
| JP2006351788A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子およびその製造方法 |
| JP2007012676A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Fujifilm Holdings Corp | 固体撮像素子の製造方法および固体撮像素子 |
| WO2007037294A1 (en) | 2005-09-27 | 2007-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and fabrication method therefor |
| JP4972924B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2012-07-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
| JP2007201091A (ja) | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2007287872A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Fujifilm Corp | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 |
| JP2007305690A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置用素子及びその製造方法 |
| JP2008091800A (ja) | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Canon Inc | 撮像素子及びその製造方法並びに撮像システム |
| US7701024B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-20 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device, manufactoring method thereof and camera |
| JP4697258B2 (ja) * | 2008-05-09 | 2011-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置と電子機器 |
| JP5235565B2 (ja) | 2008-08-27 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 撮像センサ及び撮像装置 |
| JP2010123745A (ja) | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、カメラ |
| JP5402092B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2014-01-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器 |
| JP2011108759A (ja) | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
-
2011
- 2011-02-09 JP JP2011026532A patent/JP5595298B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-21 US US13/052,237 patent/US8525907B2/en active Active
- 2011-03-22 EP EP11159133.5A patent/EP2375448B1/en not_active Not-in-force
- 2011-03-29 KR KR1020110028185A patent/KR101358587B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-31 CN CN201110079810.7A patent/CN102214668B/zh active Active
- 2011-04-05 RU RU2011113183/28A patent/RU2466478C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-07-26 US US13/951,674 patent/US9054243B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8525907B2 (en) | 2013-09-03 |
| EP2375448A2 (en) | 2011-10-12 |
| KR101358587B1 (ko) | 2014-02-04 |
| CN102214668A (zh) | 2011-10-12 |
| RU2466478C1 (ru) | 2012-11-10 |
| EP2375448A3 (en) | 2012-08-29 |
| JP2011233862A (ja) | 2011-11-17 |
| US20130307109A1 (en) | 2013-11-21 |
| US20110242350A1 (en) | 2011-10-06 |
| KR20110112206A (ko) | 2011-10-12 |
| US9054243B2 (en) | 2015-06-09 |
| EP2375448B1 (en) | 2015-08-12 |
| CN102214668B (zh) | 2014-12-10 |
| JP5595298B2 (ja) | 2014-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011113183A (ru) | Твердотельный датчик изображения и система формирования изображения | |
| US20220190022A1 (en) | Image sensors | |
| US10054719B2 (en) | Methods for farbricating double-lens structures | |
| KR102367384B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 | |
| KR102437162B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102174650B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| JP2011233862A5 (ru) | ||
| JP2015185844A (ja) | ソリッドステート撮像装置とその製造方法 | |
| US9704901B2 (en) | Solid-state imaging devices | |
| JP2008514011A5 (ru) | ||
| JP2010206178A5 (ru) | ||
| JP2010226143A5 (ru) | ||
| JP2013247246A5 (ru) | ||
| JP2013089880A5 (ru) | ||
| JP2014086702A5 (ru) | ||
| JP2012182435A5 (ru) | ||
| US20180358397A1 (en) | Methods of fabricating solid-state imaging devices having flat microlenses | |
| JP2019145619A5 (ru) | ||
| US9147709B2 (en) | Solid-state image sensor and camera | |
| JP5677238B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2011124522A5 (ru) | ||
| JP2005197674A5 (ru) | ||
| KR100829378B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| JP2014204048A5 (ru) | ||
| JP2014154563A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210406 |