RU2010130570A - Способ получения микроэлектромеханических систем - Google Patents

Способ получения микроэлектромеханических систем Download PDF

Info

Publication number
RU2010130570A
RU2010130570A RU2010130570/28A RU2010130570A RU2010130570A RU 2010130570 A RU2010130570 A RU 2010130570A RU 2010130570/28 A RU2010130570/28 A RU 2010130570/28A RU 2010130570 A RU2010130570 A RU 2010130570A RU 2010130570 A RU2010130570 A RU 2010130570A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
gas
argon
passivating
carbonyl fluoride
nitrogen
Prior art date
Application number
RU2010130570/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Марчелло РИВА (DE)
Марчелло РИВА
Original Assignee
Солвей Флуор Гмбх (De)
Солвей Флуор Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Солвей Флуор Гмбх (De), Солвей Флуор Гмбх filed Critical Солвей Флуор Гмбх (De)
Publication of RU2010130570A publication Critical patent/RU2010130570A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00523—Etching material
    • B81C1/00531—Dry etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H01L21/30655—Plasma etching; Reactive-ion etching comprising alternated and repeated etching and passivation steps, e.g. Bosch process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

1. Способ получения микроэлектромеханических систем (“MEMS”) из структуры, включающий стадию, в которой структуру травят с применением газа для травления, включающего атомарный фтор, или карбонилфторид (COF2), или смесь обоих. ! 2. Способ по п.1, в котором атомарный фтор или карбонилфторид используют совместно с инертным разбавителем, кислородом и/или пассивирующим агентом. ! 3. Способ по п.1, в котором одновременно или последовательно с травлением проводят пассивирование, по меньшей мере, части вытравленной поверхности структуры. ! 4. Способ по п.3, в котором пассивирующий агент выбирают из органических соединений, предоставляющих в плазме фторполимер. ! 5. Способ по п.4, в котором пассивирующий газ выбирают из c-C4F6, c-C5F8, CH2F2, CHF3, CF4, C2F6, C3F8, C2F4, C4F6, c-C6F6, CF3I и C4F8. ! 6. Способ по п.1, в котором кремниевую пластину используют в качестве структуры. ! 7. Способ по п.1, в котором газовую смесь, включающую атомарный фтор, азот и аргон, используют в качестве травящего газа на стадии травления, а пассивирующий газ, включающий C4F6, используют для обеспечения пассивирования на стадии пассивирования, и в результате чего стадии травления и стадии пассивирования выполняют последовательно друг за другом. ! 8. Способ по п.1, в котором газовую смесь, включающую карбонилфторид и азот и/или аргон, используют в качестве газа для травления. ! 9. Газовая смесь, включающая карбонилфторид и атомарный фтор. ! 10. Газовая смесь по п.9, дополнительно включающая азот, аргон и/или пассивирующий газ, совместимый с атомарным фтором. ! 11. Газовая смесь, включающая карбонилфторид и, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из группы, состоящей из пассивирующего газа, азота и

Claims (16)

1. Способ получения микроэлектромеханических систем (“MEMS”) из структуры, включающий стадию, в которой структуру травят с применением газа для травления, включающего атомарный фтор, или карбонилфторид (COF2), или смесь обоих.
2. Способ по п.1, в котором атомарный фтор или карбонилфторид используют совместно с инертным разбавителем, кислородом и/или пассивирующим агентом.
3. Способ по п.1, в котором одновременно или последовательно с травлением проводят пассивирование, по меньшей мере, части вытравленной поверхности структуры.
4. Способ по п.3, в котором пассивирующий агент выбирают из органических соединений, предоставляющих в плазме фторполимер.
5. Способ по п.4, в котором пассивирующий газ выбирают из c-C4F6, c-C5F8, CH2F2, CHF3, CF4, C2F6, C3F8, C2F4, C4F6, c-C6F6, CF3I и C4F8.
6. Способ по п.1, в котором кремниевую пластину используют в качестве структуры.
7. Способ по п.1, в котором газовую смесь, включающую атомарный фтор, азот и аргон, используют в качестве травящего газа на стадии травления, а пассивирующий газ, включающий C4F6, используют для обеспечения пассивирования на стадии пассивирования, и в результате чего стадии травления и стадии пассивирования выполняют последовательно друг за другом.
8. Способ по п.1, в котором газовую смесь, включающую карбонилфторид и азот и/или аргон, используют в качестве газа для травления.
9. Газовая смесь, включающая карбонилфторид и атомарный фтор.
10. Газовая смесь по п.9, дополнительно включающая азот, аргон и/или пассивирующий газ, совместимый с атомарным фтором.
11. Газовая смесь, включающая карбонилфторид и, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из группы, состоящей из пассивирующего газа, азота и аргона.
12. Газовая смесь по п.11, включающая карбонилфторид и пассивирующий газ; карбонилфторид и аргон; карбонилфторид, и аргон, и азот; или карбонилфторид, пассивирующий газ и аргон; или карбонилфторид, пассивирующий газ, и аргон, и азот; или карбонилфторид, пассивирующий газ и водород или газ, выделяющий водород.
13. Газовая смесь по любому из пп.9-12, в которой пассивирующий газ выбирают из c-C4F6, c-C5F8, CH2F2, CHF3, CF4, C2F6, C3F8, C2F4, C4F6, c-C6F6, CF3I и C4F8.
14. Газовая смесь, состоящая из атомарного фтора, азота и аргона, содержащая равное или больше 10 об.% атомарного фтора, равное или меньше 25 об.% атомарного фтора, равное или больше 5 об.% аргона, равное или меньше 15 об.% аргона; равное или больше 65 об.% азота; равное или меньше 80 об.% азота и необязательно кислород в интервале от 2 до 15 об.%, компоненты, добавленные до 100 об.%.
15. Газовая смесь по пп.9, 11 или 14 в жидком состоянии.
16. Газовая смесь по п.15, подвергнутая сжатию в контейнере.
RU2010130570/28A 2007-12-21 2008-12-16 Способ получения микроэлектромеханических систем RU2010130570A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP07150296.7 2007-12-21
EP07150296 2007-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2010130570A true RU2010130570A (ru) 2012-01-27

Family

ID=39358516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010130570/28A RU2010130570A (ru) 2007-12-21 2008-12-16 Способ получения микроэлектромеханических систем

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8524112B2 (ru)
EP (1) EP2235742B1 (ru)
JP (2) JP2011506119A (ru)
KR (1) KR101591114B1 (ru)
CN (2) CN104979188A (ru)
RU (1) RU2010130570A (ru)
TW (1) TWI558655B (ru)
WO (1) WO2009080615A2 (ru)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10453986B2 (en) 2008-01-23 2019-10-22 Solvay Fluor Gmbh Process for the manufacture of solar cells
JP5002073B2 (ja) * 2009-09-02 2012-08-15 積水化学工業株式会社 シリコン含有膜のエッチング方法
JP2013508990A (ja) * 2009-10-26 2013-03-07 ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Ｔｆｔマトリックスを製造するためのエッチングプロセス
JP2013509701A (ja) 2009-10-30 2013-03-14 ゾルファイ フルーオル ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 堆積物の除去方法
WO2012008179A1 (ja) * 2010-07-12 2012-01-19 住友精密工業株式会社 エッチング方法
US8821821B2 (en) 2010-08-05 2014-09-02 Solvay Sa Method for the purification of fluorine
CN103180029A (zh) 2010-09-15 2013-06-26 索尔维公司 从气体中去除f2和/或of2的方法
TWI586842B (zh) 2010-09-15 2017-06-11 首威公司 氟之製造工廠及使用彼之方法
JP5981106B2 (ja) * 2011-07-12 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
EP2549525A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-23 Solvay Sa Process for the production of etched items using CHF3
EP2549526A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-23 Solvay Sa Process for the production of etched items using fluorosubstituted compounds
WO2013024041A1 (en) 2011-08-17 2013-02-21 Solvay Sa Electrolytic process for the manufacture of fluorine and an apparatus therefor
EP2860287A1 (en) 2013-10-11 2015-04-15 Solvay SA Improved electrolytic cell
EP2860288A1 (en) 2013-10-11 2015-04-15 Solvay SA Improved electrolytic cell
EP2944385A1 (en) * 2014-05-12 2015-11-18 Solvay SA A process for etching and chamber cleaning and a gas therefor
EP3109199B1 (fr) * 2015-06-25 2022-05-11 Nivarox-FAR S.A. Piece a base de silicium avec au moins un chanfrein et son procede de fabrication
US9595451B1 (en) * 2015-10-19 2017-03-14 Applied Materials, Inc. Highly selective etching methods for etching dielectric materials
CN108780748B (zh) * 2016-03-17 2023-02-17 日本瑞翁株式会社 等离子体蚀刻方法
DE102016220248A1 (de) * 2016-10-17 2018-04-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und verfahren zum anisotropen drie-ätzen mit fluorgasmischung
GB201708927D0 (en) * 2017-06-05 2017-07-19 Spts Technologies Ltd Methods of plasma etching and plasma dicing

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4784720A (en) 1985-05-03 1988-11-15 Texas Instruments Incorporated Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor
CA1260365A (en) 1985-05-06 1989-09-26 Lee Chen Anisotropic silicon etching in fluorinated plasma
US4805456A (en) 1987-05-19 1989-02-21 Massachusetts Institute Of Technology Resonant accelerometer
FR2616030A1 (fr) 1987-06-01 1988-12-02 Commissariat Energie Atomique Procede de gravure ou de depot par plasma et dispositif pour la mise en oeuvre du procede
US5445712A (en) * 1992-03-25 1995-08-29 Sony Corporation Dry etching method
DE4241045C1 (de) * 1992-12-05 1994-05-26 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium
JP3064134B2 (ja) 1993-01-14 2000-07-12 三菱重工業株式会社 多層紙形成装置
DE4420962C2 (de) * 1994-06-16 1998-09-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Bearbeitung von Silizium
JPH10223614A (ja) 1997-02-12 1998-08-21 Daikin Ind Ltd エッチングガスおよびクリーニングガス
US6015759A (en) * 1997-12-08 2000-01-18 Quester Technology, Inc. Surface modification of semiconductors using electromagnetic radiation
JP2002509808A (ja) * 1998-01-15 2002-04-02 キオニックス・インコーポレイテッド 集積大面積ミクロ構造体およびミクロメカニカルデバイス
US6203671B1 (en) * 1999-03-10 2001-03-20 Alliedsignal Inc. Method of producing fluorinated compounds
US6521018B2 (en) * 2000-02-07 2003-02-18 Air Products And Chemicals, Inc. Blanketing metals and alloys at elevated temperatures with gases having reduced global warming potential
DE10006035A1 (de) * 2000-02-10 2001-08-16 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Bauelement
JP2001267241A (ja) * 2000-03-10 2001-09-28 L'air Liquide クリーニング方法及び装置並びにエッチング方法及び装置
US6599437B2 (en) * 2001-03-20 2003-07-29 Applied Materials Inc. Method of etching organic antireflection coating (ARC) layers
JP4585719B2 (ja) * 2001-08-24 2010-11-24 株式会社アルバック エッチング方法
JP2003158123A (ja) * 2001-08-30 2003-05-30 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth プラズマクリーニングガス及びプラズマクリーニング方法
JP4205325B2 (ja) * 2001-09-12 2009-01-07 セントラル硝子株式会社 トリフルオロメチルハイポフルオライトの製造方法
GB2388468B (en) 2002-02-08 2005-05-04 Microsaic Systems Ltd Microengineered electrical connectors
US6979652B2 (en) 2002-04-08 2005-12-27 Applied Materials, Inc. Etching multi-shaped openings in silicon
DE10234589A1 (de) * 2002-07-30 2004-02-12 Robert Bosch Gmbh Schichtsystem mit einer Siliziumschicht und einer Passivierschicht, Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht auf einer Siliziumschicht und deren Verwendung
DE10237787A1 (de) 2002-08-17 2004-03-04 Robert Bosch Gmbh Schichtsystem mit einer Siliziumschicht und einer Passivierschicht, Verfahren zur Erzeugung einer Passivierschicht auf einer Siliziumschicht und deren Verwendung
JP4320389B2 (ja) * 2003-02-28 2009-08-26 関東電化工業株式会社 Ｃｖｄチャンバーのクリーニング方法およびそれに用いるクリーニングガス
JP4264479B2 (ja) * 2003-03-14 2009-05-20 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
US20050014383A1 (en) * 2003-07-15 2005-01-20 Bing Ji Use of hypofluorites, fluoroperoxides, and/or fluorotrioxides as oxidizing agent in fluorocarbon etch plasmas
JP4033086B2 (ja) * 2003-09-05 2008-01-16 ヤマハ株式会社 ドライエッチング方法
US20050029221A1 (en) 2003-08-09 2005-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Deep trench etching using HDP chamber
US20050241671A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Dong Chun C Method for removing a substance from a substrate using electron attachment
US20050241670A1 (en) * 2004-04-29 2005-11-03 Dong Chun C Method for cleaning a reactor using electron attachment
US20060016459A1 (en) * 2004-05-12 2006-01-26 Mcfarlane Graham High rate etching using high pressure F2 plasma with argon dilution
JP4634199B2 (ja) * 2005-03-30 2011-02-16 関東電化工業株式会社 フッ素含有ガスによる表面改質方法及びその装置
US7531461B2 (en) 2005-09-14 2009-05-12 Tokyo Electron Limited Process and system for etching doped silicon using SF6-based chemistry
CA2622512A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-29 Air Products And Chemicals, Inc. Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas
JP4749174B2 (ja) * 2006-02-13 2011-08-17 パナソニック株式会社 ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法
JP5028872B2 (ja) * 2006-03-02 2012-09-19 凸版印刷株式会社 針状体の製造方法
US20070232048A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Koji Miyata Damascene interconnection having a SiCOH low k layer
EP3269843A1 (en) * 2006-04-10 2018-01-17 Solvay Fluor GmbH Etching process
TW201103972A (en) 2009-04-01 2011-02-01 Solvay Fluor Gmbh Process for the manufacture of etched items

Also Published As

Publication number Publication date
JP6280143B2 (ja) 2018-02-14
EP2235742A2 (en) 2010-10-06
TW200944471A (en) 2009-11-01
US20100267241A1 (en) 2010-10-21
WO2009080615A2 (en) 2009-07-02
JP2011506119A (ja) 2011-03-03
CN101925983A (zh) 2010-12-22
JP2016086188A (ja) 2016-05-19
EP2235742B1 (en) 2020-02-12
US8524112B2 (en) 2013-09-03
KR20100099313A (ko) 2010-09-10
WO2009080615A3 (en) 2009-08-27
KR101591114B1 (ko) 2016-02-03
CN104979188A (zh) 2015-10-14
TWI558655B (zh) 2016-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010130570A (ru) Способ получения микроэлектромеханических систем
EP3214640B1 (en) Plasma etching method
US20130224960A1 (en) Methods for etching oxide layers using process gas pulsing
KR101422155B1 (ko) 드라이 에칭제 및 그것을 사용한 드라이 에칭 방법
US11024508B2 (en) Independent control of etching and passivation gas components for highly selective silicon oxide/silicon nitride etching
KR102082803B1 (ko) 실리콘 다이옥사이드 기판의 식각 방법 및 식각 장치
TWI281714B (en) Remote chamber methods for removing surface deposits
US8372756B2 (en) Selective etching of silicon dioxide compositions
TW200948934A (en) Dry etching gas and dry etching method using the same
TW200633048A (en) Dielectric etch method with high source and low bombardment plasma providing high etch rates
TW200616076A (en) Dry etching gases and method of dry etching
US20040035825A1 (en) Dry etching gas and method for dry etching
KR101877827B1 (ko) 에칭 가스 및 에칭 방법
JP6636250B2 (ja) ドライエッチングガス組成物及びドライエッチング方法
KR20190124258A (ko) 드라이 에칭제, 드라이 에칭 방법 및 반도체 장치의 제조방법
KR20210022257A (ko) 플라즈마 식각 방법
KR20130028059A (ko) 다마신 프로세스들의 측벽 폴리머에 대한 세정 용액
US20040231695A1 (en) Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
JP2006098421A (ja) シリコンを含有する反射防止膜および埋め込み材の除去液と除去方法
WO2017165637A1 (en) Non-aqueous tungsten compatible metal nitride selective etchants and cleaners
TW200414288A (en) Method for cleaning a process chamber
US20230253212A1 (en) Method of running an etch process in higher selectivity to mask and polymer regime by using a cyclic etch process
CN101826460B (zh) 半导体元器件的干蚀刻方法
KR100559511B1 (ko) 반도체의 메탈 라인 형성방법
JP2001358118A (ja) プラズマエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130401