JP4585719B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置におけるエッチング方法に関し、特に、ドライエッチング、アッシング並びに、メタル配線の技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体素子(LSI、IC等)の配線においては、下層配線と上部配線を結ぶコンタクトホール、または溝部にバリア層または密着層を形成するようにしている。
【0003】
バリア層は、配線材料と絶縁材料が共に相互拡散することによる半導体素子の特性劣化の防止を目的として、また密着層は、配線材料と絶縁材料の界面における剥れの防止を目的として、配線材料と絶縁材料間に、所定の材料を挿入する場合が多い。
【0004】
このようなバリア層、密着層は、側壁(垂直部)のみならず、コンタクトホール底(水平部)の下層配線上にもバリア層または密着層が形成される。
【0005】
これらの層は、その後の上部配線の形成によって、下層配線と上部(コンタクトホール内)配線に挟まれる。
【0006】
しかし、この挟み込まれた層は、上部配線と下層配線間の電気抵抗を上昇させるばかりか、この部分に電流が流れるとボイドを発生しやすくなる。ボイドが発生した場合、配線が断線もしくは、抵抗が高くなり、配線の信頼性を損ねる。
【0007】
この問題を解決するためには、コンタクトホールまたは溝の側壁(垂直部)のバリア層、もしくは密着層を残して、底部(水平部)のバリア層もしくは密着層を除去し、上部配線と下部配線を直接接合することが必要となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の方法では、コンタクトホールのまたは溝の底部に形成されたバリア層もしくは密着層は、除去できなかったり、側壁部(垂直部)及び底部(水平部)の両方が、一部もしくは全部除去されてしまうという問題があった。
これでは、バリア層や密着層を形成することが無駄になってしまう。
【0009】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、コンタクトホールや溝の側壁部を残して、底部のみをエッチングし、上部配線と下部配線とを直接接合することが可能な技術を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためになされた請求項1記載の発明は、基板上に形成されたWN薄膜に対し、真空中でプラズマを発生させ、該プラズマの活性種を用いた反応性イオンエッチングをするエッチング方法であって、反応ガスとして、ハロゲン化ガス、フッ素を含むガス、Ar、O 2 、H 2 、He、N 2 、H 2 O、NH 3 、NOxを用い、1Pa以下の真空中で、4×1010以上1.5×1011/cm3以下の電子密度のプラズマを前記基板の近傍に生成し、該プラズマの活性種を前記WN薄膜のコンタクトホール又は溝の底部に導くことによって当該コンタクトホール又は溝の底部のエッチングを行うことを特徴とする。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、反応ガスとして、NF 3 を用いてエッチングを行うことを特徴とする。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、NLDエッチング装置を用いてエッチングを行うことを特徴とする。
【0011】
本発明においては、1Pa以下の真空中で、4×1010/cm3以上1.5×1011/cm3以下の電子密度のプラズマを基板の近傍に生成し、このプラズマの活性種を薄膜のコンタクトホール又は溝の底部に導くことによって、生成された反応イオン種が基板電界によって直接当該底部に運動エネルギーを持って入射し、その結果、プラズマ活性種と薄膜との反応が促進されるため、プラズマが導かれる方向、すなわち、コンタクトホール又は溝の底部方向のエッチングレートを選択的に大きくすることが可能になる。
したがって、本発明によれば、コンタクトホールや溝の側壁部の薄膜を残しつつ底部の薄膜を除去することが可能になるとともに、薄膜に応じた最適のエッチングを行うことが可能になる。
この場合、反応ガスとしてNF3を用いることにより、薄膜に応じた最適のエッチングを行うことが可能になる。
また、このように底部が除去されたコンタクトホール等によれば、上部配線と下層配線間の電気抵抗を上昇させることなく、またボイドの発生を防止することができるので、配線の信頼性を向上させることが可能になる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るエッチング方法の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明のエッチング方法を実施するためのNLD(磁気中性線放電)エッチング装置の一例を示す概略構成図である。
【0013】
図1に示すように、このエッチング装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空槽2を有し、さらに、真空槽2内には、例えば小さな多数の孔を有するガスノズル3を介して所定の反応ガスが導入されるように構成されている。
【0014】
真空槽2内の下部には、冷却機構及び密着・脱離機構(図示せず)を有する基板保持部4が設けられ、この基板保持部4上に基板5が載置保持されるようになっている。
【0015】
真空槽2内において、基板5は、真空槽2の外部に設けられたバイアス印加用の高周波電源6に接続され、この高周波電源6から所定の高周波電力が印加されるようになっている。
【0016】
一方、真空槽2の上部の周囲には、プラズマ形成用の高周波電源7に接続されたアンテナ8が配設されている。
【0017】
さらに、アンテナ8の外周部には、磁気中性線放電形成用のコイル9が配設されている。このコイル9は、電流量を調整することによって基板5近傍に生成されるプラズマの密度分布を最適化するためのものである。
【0018】
このようなエッチング装置1を用いてエッチングを行う方法を説明する。
ここでは、基板5として、図2(a)に示すように、金属配線50上に形成された絶縁層51にコンタクトホール52を形成し、このコンタクトホール52にWN薄膜53を成膜したものを用いた。
【0019】
まず、真空槽2内に搬入した基板5を基板保持部4上に載置して基板保持部4上に密着させる。
【0020】
そして、真空槽2内の真空排気を行うとともに、基板5下部に冷却用の不活性ガスを導入して基板5の表面が温度が60℃以下、好ましくは、−10〜10℃となるように冷却する。
【0021】
その後、ガスノズル3から所定の反応ガスを100sccm程度基板5表面の近傍に導入し、これにより真空槽2内の圧力が1Pa以下となるように調整する。
【0022】
本発明において使用可能な反応ガスとしては、ハロゲン化ガス(例えば、NF3、BCl3、CF4、C3F8、C2F6、HF、XeF2、COF2等)、フッ素を含むガス(例えば、F2/Ar、F2/He、F2等)、Ar、O2、H2、He、N2、H2O、NH3、NOxのうち、いずれか一つ、または2種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0023】
これらのガスのうち、NF3は、成膜性ガスではなく、薄膜53をエッチングする上で、比較的容易にF(フッ素)ラジカルが得られやすいという点で特に好ましいものである。
【0024】
この状態で、高周波電源6から基板5に対して所定の周波数のバイアス高周波電力を印加する(例えば、周波数13.56MHz、電力0.5kW)。
【0025】
一方、アンテナ8に対して所定の電力を印加することによって、基板5の近傍に生成されるプラズマの電子密度が4×1010/cm3以上1.5×1011/cm3以下、好ましくは、4×1010以上1×1011/cm3以下となるように調整する。
【0026】
本発明にあっては、プラズマの電子密度(Ne)として、公知のラングミュアプローブ法によって計測された値を用いる。
【0027】
この場合、アンテナ8に印加される電力とプラズマの電子密度は、図3に示すような正の相関関係がある。
【0028】
以上述べたような本発明によれば、4×1010/cm3以上1.5×1011/cm3以下の電子密度のプラズマを基板5の近傍に生成し、このプラズマの活性種をコンタクトホール52の底方向に導くようにすることにより、生成された反応イオン種が基板電界によってWN薄膜53の底部53Bに運動エネルギーを持って入射する結果、プラズマ活性種と薄膜部分との反応が促進されるため、WN薄膜53の底部53Bのエッチングレートを選択的に大きくすることが可能になる。
【0029】
その結果、本発明によれば、図2(b)に示すように、WN薄膜53の側壁部53Sの薄膜を残しつつ底部53Bの薄膜を除去することが可能になる。
【0030】
そして、このように底部53Sが除去された薄膜10を用いて、コンタクトホール52中に配線金属(例えばCu)を埋込み、上部配線と下部配線を直接接合すれば、電気抵抗を小さくすることができ、またボイドの発生を防止することができるので、配線の信頼性を向上させることができる。
【0031】
なお、本発明の範囲を逸脱しない限り、薄膜の種類や反応ガスの種類に応じて電子密度、温度、圧力などの条件を適宜変更することが可能である。
【0032】
ただし、条件によっては、コンタクトホールの底部のみならず、フィールド部分もエッチングされるので、その場合には、底部よりフィールド部分の厚さを厚く形成しておくことが必要である。
【0033】
また、本発明は、例えば図4(a)(b)に示すように、段差を設けたコンタクトホールにも適用することができる。
【0034】
すなわち、2つの下層配線55、56を有するコンタクトホールに対して本発明を適用すれば、図4(a)におけるWN薄膜53の2つの底部53B1、53B2を同時にエッチングすることができ、これにより、WN薄膜53の側壁部53Sの薄膜を残しつつ底部53B1、53B2の薄膜を除去することができる。
【0035】
他方、上述の実施の形態では、NLDエッチングによってエッチングする場合を例にとって説明したが、本発明は、ICPやRIEにも適用することができるものである。
【0036】
【実施例】
以下、本発明に係るエッチング方法の実施例を比較例とともに詳細に説明する。
ここでは、上記エッチング装置1を用いてエッチングを行う方法を説明する。
このエッチング装置1のアンテナ電力と電子密度との関係は、図3に示すとおりである。また、基板としては、図2(a)及び図5に示すものを用いた。
【0037】
<実施例1>
まず、真空槽内に搬入した基板を静電チャック上に載置して静電チャック上に密着させ、真空槽内の真空排気を行うとともに、基板下部に冷却用の不活性ガスを導入して基板の表面が温度が30℃となるように冷却した。
【0038】
その後、ガスノズルからNF3を100sccm基板表面の近傍に導入し、これにより真空槽内の圧力が5mTorr(=0.67Pa)となるように調整した。
【0039】
この状態で、高周波電源からアンテナに対して周波数13.56MHz、電力0.5kWの高周波電力を60秒間印加し、これにより基板の近傍に生成されるプラズマの電子密度が4×1010/cm3となるように調整した。
【0040】
そして、所定時間経過後、バイアス印加用の高周波電源から基板に対して周波数2MHz、電力0.2KWの高周波電力を印加した。
【0041】
その結果、図6に示すように、開口部径:φ0.25μm、A/R:4.6を持つホールの、フィールド及び側壁部(垂直部分)のWN薄膜を残し、底部(水平部分)のWN薄膜を除去することができた。各膜厚は、フィールド部:100nm、側壁部:85nm、底部0nmであった。
【0042】
この場合、コンタクトホールの各部分のエッチングレートは、フィールド部:0.9nm/sec、側壁部:0nm/sec、底部:1.0nm/secとなった。
【0043】
すなわち、本実施例においては、コンタクトホールのWN薄膜の側壁部が削られておらず、側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は、ほぼ無限大であった。
【0044】
なお、コンタクトホールのフィールド部と底部のエッチングレート比については、従来技術ではフィールド部に対して底部のレートが小さくなるのに対し、本実施例では、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、ほぼ1.0であった。
【0045】
<実施例2>
アンテナに印加する電力を30秒1kWとし、基板の近傍に生成されるプラズマの電子密度が1.5×1011/cm3となるように調整した以外は実施例1と同一の条件でエッチングを行った。
【0046】
その結果、コンタクトホールの側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は1.8で、側壁部のエッチングレートよりかなり大きくなった(図7参照)。
【0047】
また、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、0.18であった。
【0048】
<比較例1>
アンテナに印加する電力を1.5kWとし、基板の近傍に生成されるプラズマの電子密度が2.65×1011/cm3となるように調整した以外は実施例2と同一の条件でエッチングを行った。
【0049】
その結果、コンタクトホールの側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のバリアメタルのエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は0.8で、側壁部のエッチングレートより小さかった(図8参照)。
【0050】
また、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、0.5であった。
【0051】
<比較例2>
アンテナに印加する電力を2.0kWとし、基板の近傍に生成されるプラズマの電子密度が3.8×1011/cm3となるように調整した以外は実施例2と同一の条件でエッチングを行った。
【0052】
その結果、コンタクトホールの側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のバリアメタルのエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は3.6で、側壁部のエッチングレートよりかなり小さかった(図9参照)。
【0053】
また、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、0.5であった。
【0054】
〔温度依存性試験〕
<実験例1>
基板の表面が温度が30℃となるように調整した。
そして、アンテナに印加する電力を30秒2kWとし、基板の近傍に生成されるプラズマの電子密度が3.8×1011/cm3となるように調整し、バイアス印加用の高周波電源から基板に対して周波数2MHz、電力0.1KWの高周波電力を印加して上記実施例1と同一の条件でエッチングを行った。
【0055】
その結果、コンタクトホールの側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のバリアメタルのエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は2.7で、側壁部のエッチングレートよりかなり大きくなった(図10参照)。
【0056】
また、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、0.6であった。
【0057】
<実験例2>
基板の表面が温度が55℃となるように調整した以外は実験例1と同一の条件でエッチングを行った。
【0058】
その結果、コンタクトホールの側壁部のエッチングレート(RS)に対する底部のバリアメタルのエッチングレート(RB)の比(RB/RS)は1.4で、側壁部のエッチングレートより若干大きくなった。
【0059】
また、フィールド部のエッチングレート(Rf)に対する底部のエッチングレート(RB)の比(RB/Rf)は、0.6であった。
【0060】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、コンタクトホールや溝の側壁部の薄膜を残しつつ底部の薄膜を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のエッチング方法を実施するためのNLDエッチング装置の一例を示す概略構成図
【図2】 (a)(b):コンタクトホールの底部のエッチング工程を示す断面説明図
【図3】 アンテナに印加される電力とプラズマの電子密度の関係を示すグラフ
【図4】 (a)(b):コンタクトホールの底部のエッチング工程を示す断面説明図
【図5】 実施例及び比較例に用いた基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図6】 実施例1の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図7】 実施例2の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図8】 比較例1の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図9】 比較例1の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図10】 実験例1の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【図11】 実験例2の基板の断面構造を示す電子顕微鏡写真
【符号の説明】
1…NLDエッチング装置 2…真空槽 5…基板 6、7…高周波電源 8…アンテナ 9…コイル
Claims (3)
- 基板上に形成されたWN薄膜に対し、真空中でプラズマを発生させ、該プラズマの活性種を用いた反応性イオンエッチングをするエッチング方法であって、
反応ガスとして、ハロゲン化ガス、フッ素を含むガス、Ar、O 2 、H 2 、He、N 2 、H 2 O、NH 3 、NOxを用い、
1Pa以下の真空中で、4×1010以上1.5×1011/cm3以下の電子密度のプラズマを前記基板の近傍に生成し、該プラズマの活性種を前記WN薄膜のコンタクトホール又は溝の底部に導くことによって当該コンタクトホール又は溝の底部のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。 - 反応ガスとして、NF 3 を用いてエッチングを行うことを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- NLDエッチング装置を用いてエッチングを行うことを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載のエッチング方法。
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