RU2010120918A - Устройство для излучения поляризованного света - Google Patents
Устройство для излучения поляризованного света Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010120918A RU2010120918A RU2010120918/28A RU2010120918A RU2010120918A RU 2010120918 A RU2010120918 A RU 2010120918A RU 2010120918/28 A RU2010120918/28 A RU 2010120918/28A RU 2010120918 A RU2010120918 A RU 2010120918A RU 2010120918 A RU2010120918 A RU 2010120918A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- layer
- emitting device
- polarizing
- polarizing layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
Abstract
1. Светоизлучающее устройство, содержащее: ! - кристалл СИД, имеющий первую поверхность, вторую поверхность и, по меньшей мере, одну боковую грань, соединяющую первую и вторую поверхности, ! - светополяризующий слой, ! - светоблокирующий слой, ! - светоотражающий слой, ! при этом светополяризующий слой расположен на первой поверхности, светоблокирующий слой расположен, по меньшей мере, на одной боковой грани, а светоотражающий слой расположен на второй поверхности кристалла СИД. ! 2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светополяризующий слой полностью покрывает первую поверхность (12). ! 3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой полностью покрывает боковую грань (боковые грани). ! 4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоотражающий слой полностью покрывает вторую поверхность. ! 5. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой и светополяризующий слой представляют собой один и тот же слой. ! 6. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой и светоотражающий слой представляют собой один и тот же слой. ! 7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светополяризующий слой представляет собой отражающий поляризующий слой. ! 8. Светоизлучающее устройство по по п.1, в котором светополяризующий слой представляет собой решетку с проволочной сеткой. ! 9. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее слой обеспечения циркуляции, который изменяет поляризационное состояние света, при этом слой обеспечения циркуляции света расположен между светополяризующим слоем и светоотражающим слоем. ! 10. Светоизлучающее устройство по п.9, в к�
Claims (16)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
- кристалл СИД, имеющий первую поверхность, вторую поверхность и, по меньшей мере, одну боковую грань, соединяющую первую и вторую поверхности,
- светополяризующий слой,
- светоблокирующий слой,
- светоотражающий слой,
при этом светополяризующий слой расположен на первой поверхности, светоблокирующий слой расположен, по меньшей мере, на одной боковой грани, а светоотражающий слой расположен на второй поверхности кристалла СИД.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светополяризующий слой полностью покрывает первую поверхность (12).
3. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой полностью покрывает боковую грань (боковые грани).
4. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоотражающий слой полностью покрывает вторую поверхность.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой и светополяризующий слой представляют собой один и тот же слой.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоблокирующий слой и светоотражающий слой представляют собой один и тот же слой.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором светополяризующий слой представляет собой отражающий поляризующий слой.
8. Светоизлучающее устройство по по п.1, в котором светополяризующий слой представляет собой решетку с проволочной сеткой.
9. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее слой обеспечения циркуляции, который изменяет поляризационное состояние света, при этом слой обеспечения циркуляции света расположен между светополяризующим слоем и светоотражающим слоем.
10. Светоизлучающее устройство по п.9, в котором слой обеспечения циркуляции представляет собой задерживающий слой.
11. Светоизлучающее устройство по п.9, в котором слой обеспечения циркуляции представляет собой слой деполяризации (рассеивающий слой).
12. Светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащий слой преобразования длины волны, расположенный между светополяризующим слоем и кристаллом СИД.
13. Светоизлучающее устройство по п.12, в котором слой преобразования длины волны представляет собой слой люминофора.
14. Источник света, содержащий, по меньшей мере, одно светоизлучающее устройство по п.1.
15. Источник света по п.14, в котором светоизлучающее устройство содержит куполообразную линзу, покрывающую кристалл.
16. Способ обеспечения поляризованного света от кристалла СИД, имеющего первую поверхность, вторую поверхность и, по меньшей мере, одну боковую грань, соединяющую первую и вторую поверхности, при этом способ содержит этапы:
- испускания некоторого первого объема светового излучения от первой поверхности кристалла СИД,
- испускания некоторого второго объема светового излучения от боковой грани (боковых граней) кристалла СИД,
- блокирования первой части второго объема светового излучения посредством блокирующего слоя, расположенного на боковой грани (боковых гранях),
- блокирования первой части первого объема светового излучения посредством поляризующего слоя, расположенного на первой поверхности,
- пропускания второй части первого объема светового излучения через поляризующий слой,
- преобразования поляризационного состояния первой части первого объема светового излучения, а также
- пропускания преобразованной первой части первого объема светового излучения посредством поляризующего слоя.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP07119246.2 | 2007-10-25 | ||
| EP07119246 | 2007-10-25 | ||
| PCT/IB2008/054294 WO2009053881A1 (en) | 2007-10-25 | 2008-10-20 | Polarized light emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010120918A true RU2010120918A (ru) | 2011-11-27 |
| RU2479071C2 RU2479071C2 (ru) | 2013-04-10 |
Family
ID=40380174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010120918/28A RU2479071C2 (ru) | 2007-10-25 | 2008-10-20 | Устройство для излучения поляризованного света |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8399898B2 (ru) |
| EP (1) | EP2206166B1 (ru) |
| JP (1) | JP5415433B2 (ru) |
| KR (1) | KR101585239B1 (ru) |
| CN (1) | CN101836304B (ru) |
| RU (1) | RU2479071C2 (ru) |
| TW (1) | TWI451595B (ru) |
| WO (1) | WO2009053881A1 (ru) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140175377A1 (en) * | 2009-04-07 | 2014-06-26 | Soraa, Inc. | Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors |
| US9293644B2 (en) | 2009-09-18 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | Power light emitting diode and method with uniform current density operation |
| US8933644B2 (en) | 2009-09-18 | 2015-01-13 | Soraa, Inc. | LED lamps with improved quality of light |
| JP2011086867A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 発光素子、およびプロジェクター |
| JPWO2011145504A1 (ja) * | 2010-05-21 | 2013-07-22 | 日本電気株式会社 | 光源ユニットおよび画像表示装置 |
| DE102011017196A1 (de) | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Polarisierte Strahlung emittierender Halbleiterchip |
| TWI475729B (zh) * | 2011-07-14 | 2015-03-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | 偏極化白光發光二極體 |
| CN102997123B (zh) | 2011-09-13 | 2014-12-10 | 扬升照明股份有限公司 | 背光模块 |
| JP2013239673A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置、および車両用灯具 |
| US9761763B2 (en) | 2012-12-21 | 2017-09-12 | Soraa, Inc. | Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs |
| US9410664B2 (en) | 2013-08-29 | 2016-08-09 | Soraa, Inc. | Circadian friendly LED light source |
| CN105531535A (zh) * | 2013-09-13 | 2016-04-27 | 凸版印刷株式会社 | 波长转换片和背光单元 |
| CN113437206B (zh) | 2014-06-18 | 2024-03-08 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 微组装led显示器 |
| CN105006744B (zh) * | 2015-05-27 | 2019-02-05 | 西安交通大学 | 一种具有共振腔的线偏振出光激光二极管 |
| US10230048B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-03-12 | X-Celeprint Limited | OLEDs for micro transfer printing |
| US10199546B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Color-filter device |
| US11137641B2 (en) * | 2016-06-10 | 2021-10-05 | X Display Company Technology Limited | LED structure with polarized light emission |
| US10782002B2 (en) * | 2016-10-28 | 2020-09-22 | X Display Company Technology Limited | LED optical components |
| DE102019212944A1 (de) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Halbleiterbauelement, vorrichtung mit einem halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen |
| US11543676B2 (en) * | 2019-08-30 | 2023-01-03 | 3D Live, Inc. | Encapsulation of polarized light emitters |
| RU2721717C1 (ru) * | 2019-12-05 | 2020-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Устройство для получения поляризованного света на основе ориентированного массива нанопластинок gase/gaas |
| DE102020124921A1 (de) * | 2020-09-24 | 2022-03-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement sowie eine optoelektronische Anordnung |
| KR102504162B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2023-02-28 | 한국광기술원 | 편광화 발광 다이오드, 제조방법 및 이를 구비한 입체 화상 표시장치 |
| CN112987385A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-06-18 | Tcl王牌电器(惠州)有限公司 | 一种偏光芯片、背光模组及显示装置 |
| DE102021123818A1 (de) | 2021-09-15 | 2023-03-16 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials |
| KR20240046373A (ko) * | 2022-09-30 | 2024-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 차량 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2025833C1 (ru) * | 1991-04-22 | 1994-12-30 | Институт физики полупроводников АН Украины | Инфракрасный полупроводниковый излучатель |
| DE69841612D1 (de) | 1997-02-13 | 2010-05-27 | Honeywell Int Inc | Beleuchtungssystem mit wiederverwendung des lichts zur erhöhung der helligkeit |
| US5952681A (en) * | 1997-11-24 | 1999-09-14 | Chen; Hsing | Light emitting diode emitting red, green and blue light |
| US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
| JP4011292B2 (ja) | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
| US7057211B2 (en) * | 2001-10-26 | 2006-06-06 | Ammono Sp. Zo.O | Nitride semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| JP4538176B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2010-09-08 | アーベル・システムズ株式会社 | 発光ダイオード |
| KR100997929B1 (ko) * | 2002-08-03 | 2010-12-02 | 시베르타 인코퍼레이티드 | 밀봉된 일체식 멤스 스위치 |
| KR100576856B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
| JP4622253B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2011-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
| US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
| US7408201B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-08-05 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarized semiconductor light emitting device |
| US7497581B2 (en) | 2004-03-30 | 2009-03-03 | Goldeneye, Inc. | Light recycling illumination systems with wavelength conversion |
| US20060043400A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Erchak Alexei A | Polarized light emitting device |
| US20070284567A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-12-13 | Luminus Devices, Inc | Polarization recycling devices and methods |
| US7352124B2 (en) * | 2004-09-28 | 2008-04-01 | Goldeneye, Inc. | Light recycling illumination systems utilizing light emitting diodes |
| JP2006100500A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| WO2006035388A2 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling |
| JP4833537B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2011-12-07 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体発光素子 |
| US20060091412A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Wheatley John A | Polarized LED |
| US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| WO2007027186A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-08 | M.E.C. Technology, Inc. | A high brightness light emitting diode and method of making same |
| JP2007109689A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Seiko Epson Corp | 発光素子、発光素子の製造方法及び画像表示装置 |
| EP1887634A3 (de) * | 2006-08-11 | 2011-09-07 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
| KR100809236B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-03-05 | 삼성전기주식회사 | 편광 발광 다이오드 |
-
2008
- 2008-10-20 JP JP2010530594A patent/JP5415433B2/ja active Active
- 2008-10-20 RU RU2010120918/28A patent/RU2479071C2/ru active
- 2008-10-20 WO PCT/IB2008/054294 patent/WO2009053881A1/en active Application Filing
- 2008-10-20 US US12/738,312 patent/US8399898B2/en active Active
- 2008-10-20 CN CN200880113132.8A patent/CN101836304B/zh active Active
- 2008-10-20 KR KR1020107011418A patent/KR101585239B1/ko active IP Right Grant
- 2008-10-20 EP EP08841843.9A patent/EP2206166B1/en active Active
- 2008-10-22 TW TW097140513A patent/TWI451595B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2206166A1 (en) | 2010-07-14 |
| EP2206166B1 (en) | 2019-04-17 |
| TWI451595B (zh) | 2014-09-01 |
| TW200935630A (en) | 2009-08-16 |
| KR20100080937A (ko) | 2010-07-13 |
| RU2479071C2 (ru) | 2013-04-10 |
| KR101585239B1 (ko) | 2016-01-22 |
| CN101836304B (zh) | 2015-04-29 |
| US20100220459A1 (en) | 2010-09-02 |
| CN101836304A (zh) | 2010-09-15 |
| US8399898B2 (en) | 2013-03-19 |
| JP2011501460A (ja) | 2011-01-06 |
| WO2009053881A1 (en) | 2009-04-30 |
| JP5415433B2 (ja) | 2014-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010120918A (ru) | Устройство для излучения поляризованного света | |
| US7408201B2 (en) | Polarized semiconductor light emitting device | |
| CN1192254C (zh) | 偏振装置和偏振器 | |
| EP2064489B1 (en) | Brightness enhancement method and apparatus of light emitting diodes | |
| JP2008047906A5 (ru) | ||
| TW200731838A (en) | Polarized, multicolor LED-based illumination source | |
| WO2010044239A1 (ja) | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット | |
| JP2008047906A (ja) | 放射放出素子 | |
| JP2014071800A5 (ru) | ||
| WO2010082286A1 (ja) | 発光モジュールおよび灯具ユニット | |
| US20160327724A1 (en) | Backlight source and dislay device | |
| JP6748905B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2012530365A5 (ru) | ||
| CN101897044B (zh) | 发射偏振辐射的半导体器件 | |
| JP2010505250A (ja) | オプトエレクトロニクス素子 | |
| WO2013175706A1 (ja) | 光学素子、発光装置、及び投影装置 | |
| RU2011134870A (ru) | Источник оптического излучения, содержащий устройство рециркуляции световой энергии, и соответствующее устройство рециркуляции световой энергии | |
| RU2011153690A (ru) | Прозрачное светящееся оконное приспособление | |
| CN107209413A (zh) | 具有辐射转换元件的光电子装置和用于制造辐射转换元件的方法 | |
| JP5973944B2 (ja) | 円偏光照明装置 | |
| TW201032359A (en) | Light emitting device | |
| WO2021012883A1 (zh) | 一种照明装置及汽车大灯 | |
| WO2013175752A1 (ja) | 波長変換部材、光学素子、発光装置、及び投影装置 | |
| TW200501429A (en) | Omnidirectional one-dimensional photonic crystal and light emitting device made from the same | |
| JP6448892B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190823 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |