JP5415433B2 - 偏光発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、第1の表面と、第2の表面と、前記第1の表面と前記第2の表面とを接続している少なくとも1つの側部小面とを持つLEDダイを有する発光装置に関する。更に、前記LEDダイは、光偏光層と光遮断層と光反射層とを有している。本発明は、更に、このようなLEDダイからの偏光された光を供給する方法にも関する。
ソリッドステート発光ダイオード(LED)は、様々な照明用途における従来の光源に置き換わるための見込みを調べられた明るい将来を有している。更に詳細には、高いブライトネスの無機LEDは、自動車の照明、カメラフラッシュ、表示投影及び表示バックライトのような市場に入っている。
これらのLEDを従来の光源の代わりに使用する利益は、これらの小さいボリューム、高度輝度及び高い色飽和度によって与えられる。
しかしながら、従来の光源として、LEDは、無偏光の光、即ち特定の偏光状態に対する著しい選択を有していない光を発する。従って、偏光を必要としている用途において、この光は、他の手段によって偏光されなければならない。
偏光が使用される用途の領域は、LCDバックライト及びLCD投影におけるもの、並びにLED点光源によって発される光線がLCセルによって操作されているLCビームステアリング装置のためのオプションにおけるものである。
更に、偏光された光は、屋内及び屋外照明の両方における利点を与える。線形に偏光された光が表面上の反射に影響を与え、グレアと、視力、観察されるコントラスト及び飽和度における照明されている周囲の観察のその後の影響との抑制を可能にするからである。この影響のため、偏光蛍光発光体が、視覚において要求される利益を備える商品として存在している。
LEDの作製のエキゾチックな結晶方位の方向を使用することによって、前記LEDからの偏光された光の放出を達成することが可能である。しかしながら、このようなLEDは製造するのが困難であり、効率的な光出力を得るのは難しい。更に、報告されている偏光されているコントラストは、小さい。
光を偏光させる一般的な方法は、望まれていない偏光状態を吸収するステップを含んでいる。この方法は、約45%の効率を有している。
米国特許第2006/0066192A1号は、LED及び反射偏光子を組み込んでいる照明システムを開示している。前記反射偏光子は、前記LEDから発される光の第1の部分を透過し、前記LEDから発される前記光の第2の部分を反射する。前記反射された光は、LED上に入射し、前記LEDによって反射される。更に、前記光の第2の部分は、反射された前記光の偏光状態が混合されるように、散乱される。従って、散乱された前記光の一部は、前記照明システムの全体的な効率が増大されるように、前記反射偏光子によって透過されることができる。
米国特許第2006/0066192A1号に開示されているシステムが、偏光の増大されている効率を示している場合でさえも、これは、多くの用途に充分なものではない。
本発明の目的は、上述の技術及び従来技術の改善を提供することにある。更に詳細には、本発明の目的は、増大された効率を備える偏光LEDを提供することにある。
上述の目的は、第1の表面、第2の表面、及び前記第1の表面と前記第2の表面とを接続している少なくとも1つの側部小面を持つLEDダイを有する発光装置によって本発明の第1の見地によって与えられる。前記発光装置は、更に、光偏光層、光遮断層及び光反射層を有しており、前記光偏光層は、前記第1の表面上に配されており、前記光遮断層は、前記少なくとも1つの側部小面上に配されており、前記光反射層は、前記LEDダイの前記第2表面上に配されている。前記発光装置は、高い効率によって偏光されている光を提供するという点において有利である。
前記光偏光層は、前記第1の表面全体を覆っていても良く、前記光遮断層は、(複数の)前記側部小面全体を覆っていても良く、前記光反射層は、前記第2の表面全体を覆っていても良い。このことは、高い分極化コントラストが達成されるという点において有利である。
前記光遮断層は、光偏光層であっても良く、このことは、この遮断層及び前記光偏光層が、1つの部品において製造されるという点において有利である。
前記光遮断層は、光反射層であっても良く、このことは、この遮断層及び前記光反射層が1つの部品において製造されるという点において有利である。
前記光偏光層は、反射偏光層であっても良く、前記LEDダイから高温の及び光束に耐えることができる。
前記光偏光層は、ワイアグリッド格子であっても良い。従って、これ自体は知られている従来の格子が、使用される。
前記発光装置は、更に、前記光の偏光状態を変化させるリサイクル層を有していても良く、前記光リサイクル層は、前記光偏光層と前記光反射層との間に配されている。このことは、より大きい量の偏光された光が発されるという点において有利である。
このリサイクル層は、リターディング層(retarding layer)又は偏光解消層(depolarization layer)であっても良く、このことは、従来の技術及び材料が使用されるという点において有利である。
波長変換層は、前記光偏光層と前記LEDダイとの間に配されても良く、例えば、緑、琥珀又は赤色の光の効率が、増大されるという点において有利である。
波長変換層は、蛍光体層であっても良く、一般的に知られている材料である。
本発明の第2の見地によれば、本発明の第1の見地による少なくとも1つの発光装置を有する光源が、提供される。本発明の第1の見地の利点は、本発明のこの第2の見地にも適用可能である。
前記発光装置は、前記ダイを覆っているドーム形のレンズを有していても良い。このことは、増大された量の光が前記LEDから抽出されるという点において有利である。
上述の目的は、第1の表面と、第2の表面と、前記第1の表面と前記第2の表面とを接続している少なくとも1つの側部小面とを持つLEDダイからの偏光された光を供給する方法によって、本発明の第3の見地によって提供される。当該方法には、前記LEDダイの前記第1の表面から第1の量の光を発するステップと、前記LEDダイの(複数の)前記側部小面から第2の量の光を発するステップと、(複数の)前記側部小面に配されている遮断層によって前記第2の量の光の第1の部分を遮断するステップと、前記第1の表面上に配されている偏光層によって前記第1の量の光の第1の部分を遮断するステップと、前記偏光層を通過する前記第1の量の光の第2の部分を透過するステップと、前記第1の量の光の偏光状態を変換するステップと、前記偏光層によって前記第1の量の光の変換された前記第1の部分を透過するステップとを有する。本発明の第2の見地の利点は、本発明のこの第3の見地にも適用可能である。
本発明の他の目的、フィーチャ及び有利な点は、以下の詳細な開示、添付の従属請求項及び添付の図面から明らかになるであろう。
従来技術による偏光子の基本的な原理を示している。 本発明の第1の実施例による発光装置の側面図である。 本発明の他の実施例による発光装置の斜視図である。 本発明による発光装置の一実施例を示している。 本発明による発光装置の一実施例を示している。 本発明による発光装置の一実施例を示している。 本発明による発光装置の一実施例を示している。 本発明による発光装置の一実施例を示している。 本発明による発光装置の一実施例を示している。
本発明の実施例は、今、例として、添付の模式的な図面を参照して記載されている。
図1において、偏光要素の基本的な原理が、示されている。伝播している光の波が、示されており、偏光要素4上に入射している。この光の波は、実線及び点線によって示されているように偏光の特定の状態を有しておらず、偏光要素4を透過されている。しかしながら、実線で示されているように、或る偏光状態を有している光の波の一部分のみが、透過されている。前記光の波の他の部分は、後方に反射される、又は偏光要素4によって吸収される。
図1に示されているように、偏光要素4は、平行に配されている複数のスリットを有している格子である。この格子の周期は、前記光の波の波長未満である。このような偏光要素は、ワイアグリッド偏光子として一般的に知られている。ワイアグリッド偏光子は、しばしば、空気又は誘電材料によって分離されている、金属(例えばアルミニウム)の小さいストライプから成る。前記格子の周期は、典型的には、100〜200nmのオーダーである。間隙に対する金属の典型的なデューティサイクルは1:1であるが、他の割合(例えば、1:2)も適用可能である。各金属ストライプの高さは、典型的には、100nmのオーダーである。
図2は、何らかの既知の種類の基板5上に取り付けられている発光装置100を示している。基板5は、プリント回路基板及びソケット等であっても良い。発光装置100は、LEDダイ10、光反射層40、光偏光層20及び光遮断層30を有している。光偏光層20は、LEDダイ10の第1の表面12に隣接して配されている。光反射層40は、基板5とLEDダイ10の第2の表面14との間に配されている。光遮断層30は、LEDダイ10の側部小面16に隣接して配されている。
電圧がLEDダイ10のp/n接合部の両端に印加されている場合、光は、前記LEDダイの第1の表面12及び側部小面16に向かって発される。通常のLEDと同様に、発せられた前記光は、特定の偏光角を有していないが、幾つかの異なる角の混合である。第1の量の前記発せられた光は、光偏光層20上に入射し、第2の量の前記発せられた光は、光遮断層30上に入射する。前記第1の量の前記発せられた光が光偏光層20に当たる場合、前記第1の量の光の第1の部分は反射され、前記第1の量の光の第2の部分は透過される。前記第2の量の前記発せられた光が光遮断層30に当たる場合、少なくとも第1の部分は、反射又は吸収の何れかによって遮断される。反射の後、前記第1の量の光の前記第1の部分は前記LEDダイに向かって伝搬して戻り、光反射層40に当たった場合、この偏光状態は影響を受ける。従って、前記第1の量の発せられた光の前記第1の部分が、2回目に光偏光層20上に入射した場合、前記光の一部は透過されるであろう。反射された光は、もう一度、光反射層40に反射され戻され、自身の偏光状態を僅かに変化させ、従って、光偏光層20との3回目、4回目、5回目の相互作用における更なる透過に至る。
偏光層20は、円形偏光されている光を透過し、逆回りの円偏光(opposite circular handedness of polarization)を反射しても良い。例えば、偏光層20は、左回り円偏光を透過し、右回り円偏光を反射しても良い。このような偏光層20は、コレステリック液晶反射性偏光子であることができる。
図3において、LEDのダイ10及び光偏光層20の斜視図が示されている。この実施例において、光偏光層20及び光遮断層30は、1つの単層として設計されている。ワイアグリッド格子20及び光遮断層30は、平行に配されている金属ストライプ22から成る。光遮断層30は、光の第1の部分を反射し、光の第2の部分を透過する。光遮断層30及び光偏光層20は、LEDダイ10の第1の表面12全体と側部小面16とを覆っている。
図4は、発光装置100を示している。LEDダイ10は、光反射層40に隣接しており、透明薄膜50が、LEDダイ10の上部に配されている。前記LEDダイは、例えば紫外線及び青色光のためのInGaN、赤色光のためのAlGaAs、緑色光のためのAlGaP又はGaN等のような、これら自体は知られている如何なる適切な材料であっても良い。GaNを有するLED(LED)ダイの場合、透明薄膜50は、製造の間、GaNの適切な堆積を提供するように、サファイア又はシリコンカーバイドを有していても良い。光リサイクル層60は、薄膜50の上部に配されており、光偏光層20は、光リサイクル層60の上部に取り付けられているガラス板70上に配されている。光遮断層30は、発光装置100の側部小面上に配されている。図4に示されているような発光装置100は、以下のように動作する。
LEDダイ10は、全ての方向に特定の波長(例えば、400nm)において光を発する。下方への方向を有している前記光の量は、反射層40によって下に反射され、前記光の量は光遮断層30に当たり、更に反射され、この結果、光は、光遮断層30又は反射層40を透過されない。光遮断層30及び光反射層40は、単層として(例えば、反射金属の薄い薄膜として)配されても良い。上方の方向を有している前記光の量(即ち直接的に発せられた光又は反射された光)は、透明薄膜50を透過され、光リサイクル層60を通って伝搬する。光リサイクル層60は、固定されている角度だけ前記偏光状態を回転させるか、又は偏光角の不規則分布を与えるかの何れかによって、前記光の偏光状態を変化させるように設計されている。従って、前記光リサイクル層60は、リターディング層(即ち四分の一波長薄膜)か又は散乱層かの何れであっても良い。前記光が、ガラス板70及び光偏光層20上に入射した場合、光の第1の部分は透過され、光の第2の部分は、LEDダイ10に向かって後方に反射される。透過された前記光は、光偏光層20の金属ストライプ22に垂直な偏光角を有しており、反射された前記光は、反射された前記光の金属ストライプ22と平行な偏光角を有している。前記反射された光は、光遮断層30及び光反射層40と相互作用し、複数の内部反射の後、前記光は、光リサイクル層60を通って、もう一度、透過される。この時、前記光の偏光角は変化され、この結果、前記光の新しい部分は、光偏光層20を透過される。この手順が繰り返され、毎回、透過される偏光の累積量は増大される。光遮断層30は、LEDダイ10の側部小面から透過されるのに望ましくない偏光角を有する光を阻止する。従って、第1の偏光状態の前記光の量と第2の偏光状態の前記光の量との間のコントラストが、増大される。
光リサイクル層60は、制御されたマクロスコピックの複屈折、又は、代替的には、マクロスケールスケールで制御されていない局所的な複屈折を有する材料から成り得る。リターディング四分の一波長薄膜(QWF)のような、マクロスコピックの複屈折を有する典型的な層は、典型的には、伸張されたポリカーボネートのような、伸張されたポリマ薄膜から成るが、これらは、液晶ポリマー(LCPのもの)からも作られることができる。このリターダ(retarder)は、一軸のもの又はねじられているものかの何れかであり得る。異なる光軸の方向を有する複数の層の前記リターダも、存在し得る。例えば、QWFリターダと半波長リターダとの組み合わせは、広帯域の四分の一波長リターダとして一緒に振る舞うことができる。
向上されている安定性を備える代替的な材料は、可能である。更に安定なポリマは、フルオロポリマである。テトラフルオロエチレン及びヘキサフルオロプロピレンポリマのポリマ(FEP)が、使用されても良い。他の類似の材料は、テトラフルオロエチレン及びパーフルオロビニルエーテルのポリマ(PFA)、テトラフルオロエチレン及びエチレンのポリマ(ETFE)、又はテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン及びフッ化ビニリデンのポリマ(THV)を含んでいる。全てのこれらの材料は、これらの優れた熱安定性、化学安定性及び光安定性に関して知られている。ポリテトラフルオロエチレン(テフロン)も、使用されることができる。
サファイアのような、他の材料は、複屈折性のものであることが知られている。形状複屈折の材料も、リターダとして使用されることができ、ナノサイズの形状による複屈折性を示す。サブ波長周期性を有する誘電格子は、複屈折を示すことができ、これらは、例えば、1/4波長リターダとして使用されることができる。ナノワイヤも、異方性のフォトニック材料として使用されることができ、これらの誘起複屈折のために使用されることができる。
LEDダイ10に向かって後方へ指向されている前記光の最大反射率のために、LEDダイ10の第2の表面14は、高い反射率を有さなければならない。通常、反射層40は、pドープGaNのような、LED電極のための接触領域として振舞う開口を含んでいる。ここで、光は、損失され得る。従って、前記開口の損失は、接触孔の前記数を減らすことによって、又は反射層40のこれらの孔をできるだけ小さくすることによって、最小にされるべきである。更に、前記反射層の反射率は、最大にされるべきである。一実施例において、反射層40は散乱層である。
以下において、発光装置100の複数の実施例が、記載される。図5において、図4に示されている透明な板50が、取り除かれている。代わりに、光偏光層20が、光リサイクル層60に隣接して配されている。
図6において、光リサイクル層60は、LEDダイ10の粗い表面として設計されている。平面化層80が、LEDダイ10の上部に配され、光偏光層20を担持しているガラス板70は、平面化層80の上部に配されている。
図7において、光偏光層20は、直接的に平面化層80上に配されている。
更なる実施例において、偏光層20は、LEDから発される青色又は紫外線光の蛍光体変換によって白色又は有色発光を得る蛍光体変換LEDに利用される。図8及び9に示されているように、光偏光層20は、蛍光体層90の上部に配さている。この偏光状態が、リン光工程(phosphorescence process)において保持されないからである。図9において、光リサイクル層60が、蛍光体層90と光偏光層20との間に配されている。図8及び9に関して、発光装置100は、サファイア層50のような、透明な層であっても良く、又はこのようなサファイア層50を有さなくても良い。蛍光体層90は、サファイア層50上に又は直接的にLEDダイ10上に結合されても良い。光偏光層20は、蛍光体層90上に設けられ、LEDダイ10の側部小面上にも設けられている。光偏光層20は、前記表面上に直接的に処理されることもでき、又は基板によって支持され蛍光体層90に接着されても良い。更に、光遮断層30は、光が、向上された性能のために光偏光層20を通って発されるようにするために、金属のような、リフレクタを含んでいても良い。蛍光体層90は、例えば、楔形において成形されることができる。光リサイクル層60は、光偏光層20の下方に又は蛍光体層90の下方に配されることができる。付加的な散乱層(図示略)が、反射された光の偏光を解消するために、例えば、例えば、蛍光体層90の上部に、又は蛍光体90の下方に組み込まれても良い。蛍光体層90は透明であっても良いが、向上された偏光解消のための散乱体(scattering centers )を含んでいても良い。
光偏光層20は、LEDダイ10上には蛍光体層90上に直接的に生成され、好ましくはウェハのスケールにおいて生成され、この後、ダイシングされても良い。代替的には、光偏光層20は、従来、薄いガラス(例えば、0.2mm)のような、担体基板に生成され、ダイシングされ、この後、適切な接着剤によって又は光学的接触を有することなくの何れかにおいて、LEDダイ20又は蛍光体層90に結合される。
これ自体は知られている何らかの種類の球面状のドームは、開示されている何れの実施例の発光装置100にも配されることができる。このことは、発光装置100からの光抽出を向上させ、反射損失を最小化し、そうでない場合に平坦な光学スタック内に導波される光を抽出する。
LEDダイ10の第1の表面12と側部小面16との間の角度は、90°であり得る。他の実施例において、LEDダイ10の第1の表面12と側部小面16との間の角度は、より小さいものであり得る(例えば、45°)。これらの層のうちの1つ(例えば、蛍光体層90又は光リサイクル層60)は、より小さい角度(例えば、45°)において側部小面を含むように成形されることができ、従って、結果として前記発光装置のピラミッド形状を与える。このような側部小面は、前記発光装置の外側に延在することができる、又はLEDダイ10又は光遮断層30と丁度適合することができる。光偏光層20(例えば、ワイアグリッド偏光子)は、(例えば、リソグラフィ工程によって)前記側部小面の上部に配されることができる。偏光層20は湾曲されていても良く、又は蛍光体層90が湾曲されていても良い。このドーム自体が、湾曲されている面を形成していても良く、この上に偏光層20が堆積されても良い。
本発明は、主に、2、3の実施例に関して上述された。しかしながら、当業者であれば直ちに理解できるように、上述で開示されている実施例以外の実施例が、添付請求項によって規定されている本発明の範囲において等しく実現可能である。

Claims (16)

  1. 第1の表面と、第2の表面と、前記第1の表面と前記第2の表面とを接続している少なくとも1つの側部小面とを持つLEDダイと、
    前記第1の表面上に配されている光偏光層と、
    前記少なくとも1つの側部小面上に配されている光遮断層と、
    前記第2の表面に配されている光反射層と、
    を有し
    前記光遮断層及び前記光偏光層が、前記光遮断層及び前記光偏光層の両方にそれぞれ配置された共通の格子ストライプを含む単層の一部である、発光装置。
  2. 前記光偏光層が、前記第1の表面全体を覆っている、請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記光遮断層は、1つ以上の前記側部小面全体を覆っている、請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記光反射層は、前記第2の表面全体を覆っている、請求項1乃至3の何れか一項に記載の発光装置。
  5. 前記光遮断層は、光偏光層である、請求項1乃至4の何れか一項に記載の発光装置。
  6. 前記光遮断層は光反射層である、請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記光偏光層は、反射偏光層である、請求項1乃至6の何れか一項に記載の発光装置。
  8. 前記光偏光層はワイアグリッド格子である、請求項1乃至7の何れか一項に記載の発光装置。
  9. 前記光の偏光状態を変化させる光リサイクル層を更に有しており、前記光リサイクル層は、前記光偏光層層と前記光反射層との間に配されている、請求項1乃至8の何れか一項に記載の発光装置。
  10. 前記光リサイクル層は、リターディング層である、請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記光リサイクル層は、偏光解消層又は散乱層である、請求項9に記載の発光装置。
  12. 波長変換層は、前記光偏光層と前記LEDダイとの間に配されている、請求項1乃至11の何れか一項に記載の発光装置。
  13. 前記波長変換層は、蛍光体層である、請求項12に記載の発光装置。
  14. 請求項1に記載の発光装置を少なくとも1つ有している、光源。
  15. 前記発光装置が前記LEDダイを覆っているドーム形のレンズを有している、請求項14に記載の光源。
  16. 第1の表面と、第2の表面と、前記第1の表面と前記第2の表面とを接続している及び少なくとも1つの側部小面とを持つLEDダイから偏光されている光を供給するための方法であって、
    前記LEDダイの前記第1の表面から第1の量の光を発するステップと、
    前記LEDダイの前記側部小面から第2の量の光を発するステップと、
    前記第2の量の光の第1の部分を前記側部小面に配される遮断層によって遮断するステップと、
    前記第1の表面に配される偏光層によって前記第1の量の光の第1の部分を遮断するステップと、を有し、
    前記遮断層及び前記偏光層が、前記遮断層及び前記偏光層の両方にそれぞれ配置された共通の格子ストライプを含む単層の一部であり、
    前記偏光層によって前記第1の量の光の第2の部分を透過させるステップと、
    前記第1の量の光の前記第1の部分の偏光状態を変換するステップと、
    前記偏光層によって前記第1の量の光の変換された前記第1の部分を透過させるステップと、
    を有する方法。
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