RU2009148283A - Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки - Google Patents

Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки Download PDF

Info

Publication number
RU2009148283A
RU2009148283A RU2009148283/02A RU2009148283A RU2009148283A RU 2009148283 A RU2009148283 A RU 2009148283A RU 2009148283/02 A RU2009148283/02 A RU 2009148283/02A RU 2009148283 A RU2009148283 A RU 2009148283A RU 2009148283 A RU2009148283 A RU 2009148283A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum
vacuum processing
graphite
anode
processing method
Prior art date
Application number
RU2009148283/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2472869C2 (ru
Inventor
Юрген РАММ (CH)
Юрген РАММ
Бено ВИДРИГ (CH)
Бено ВИДРИГ
Штефан КАЗЕМАНН (AT)
Штефан КАЗЕМАНН
Марсело Дорнеллес ПИМЕНТА (CH)
Марсело Дорнеллес ПИМЕНТА
Орлав МАССЛЕР (LI)
Орлав МАССЛЕР
Барбара ХАНЗЕЛЬМАНН (CH)
Барбара ХАНЗЕЛЬМАНН
Original Assignee
Эрликон Трейдинг Аг,Трюббах (Ch)
Эрликон Трейдинг Аг,Трюббах
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=38222614&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2009148283(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Эрликон Трейдинг Аг,Трюббах (Ch), Эрликон Трейдинг Аг,Трюббах filed Critical Эрликон Трейдинг Аг,Трюббах (Ch)
Publication of RU2009148283A publication Critical patent/RU2009148283A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2472869C2 publication Critical patent/RU2472869C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/3255—Material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325—Electric arc evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32055—Arc discharge

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

1. Установка вакуумной обработки для проведения плазменного процесса, причем эта установка обработки включает в себя по меньшей мере одну вакуумную камеру, в которой размещены устройство для генерирования электрического низковольтного дугового разряда (НВДР), состоящее из катода и анода, электрически соединяемого с катодом через дуговой генератор, и электрически соединяемый с генератором напряжения смещения носитель изделия для приема и перемещения изделий, а также по меньшей мере один ввод для инертного и/или реакционного газа, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть поверхности анода изготовлена из графита. !2. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод включает в себя графитовую облицовку. ! 3. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка выполнена как графитовая вставка, графитовая накладка или как графитовый тигель. ! 4. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка размещена на охлаждаемом теле анода. ! 5. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод состоит из графита. ! 6. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод не охлаждают или охлаждают лишь косвенно, или в непосредственной близости от поверхности анода не предусмотрены никакие охлаждающие приспособления, в частности охлаждающие каналы для охлаждающих сред. ! 7. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть графитовой поверхности анода является нагреваемой. ! 8. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод размещен на или в одной стороне установки обработки, или о�

Claims (43)

1. Установка вакуумной обработки для проведения плазменного процесса, причем эта установка обработки включает в себя по меньшей мере одну вакуумную камеру, в которой размещены устройство для генерирования электрического низковольтного дугового разряда (НВДР), состоящее из катода и анода, электрически соединяемого с катодом через дуговой генератор, и электрически соединяемый с генератором напряжения смещения носитель изделия для приема и перемещения изделий, а также по меньшей мере один ввод для инертного и/или реакционного газа, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть поверхности анода изготовлена из графита.
2. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод включает в себя графитовую облицовку.
3. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка выполнена как графитовая вставка, графитовая накладка или как графитовый тигель.
4. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка размещена на охлаждаемом теле анода.
5. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод состоит из графита.
6. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод не охлаждают или охлаждают лишь косвенно, или в непосредственной близости от поверхности анода не предусмотрены никакие охлаждающие приспособления, в частности охлаждающие каналы для охлаждающих сред.
7. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть графитовой поверхности анода является нагреваемой.
8. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод размещен на или в одной стороне установки обработки, или охватывающим носитель изделия, или предпочтительно в середине осесимметричного держателя изделия.
9. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере два анода приданы одному катоду.
10. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере два катода приданы одному аноду.
11. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что генератор напряжения смещения представляет собой постоянно-токовый, переменно-токовый или униполярный или биполярный импульсный генератор.
12. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дуговой генератор представляет собой генератор постоянного тока, в частности генератор постоянного тока с переменно регулируемым выходным током.
13. Установка вакуумной обработки по п.11, отличающаяся тем, что параллельно или последовательно генератору постоянного тока подключен импульсный генератор.
14. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что катод низковольтного дугового разряда представляет собой горячий катод, НВД-дуговой катод или полый катод.
15. Установка вакуумной обработки по п.14, отличающаяся тем, что горячий катод включает в себя по меньшей мере одну нить накала, предпочтительно нагревательную спираль, которая размещена в ионизационной камере, отделенной от вакуумной камеры заслонкой.
16. Установка вакуумной обработки по п.14, отличающаяся тем, что НВД-дуговой катод включает в себя по меньшей мере одну катодно подключенную мишень, которая оптически отделена крышкой от вакуумной камеры, в частности от изделий.
17. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что устройство для генерирования низковольтного дугового разряда расположено соосно с одной или несколькими электромагнитными катушками для генерирования поля Гельмгольца.
18. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что эта установка обработки представляет собой установку вакуумного нанесения покрытий для проведения процесса плазменного CVD и/или PVD для осаждения плохо проводящих, изолирующих и/или алмазоподобных (DLC) слоев.
19. Установка вакуумной обработки по п.18, отличающаяся тем, что она представляет собой установку вакуумного нанесения покрытий, и в вакуумной камере размещены один или несколько источников-испарителей.
20. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что источник-испаритель включает в себя одно из следующих устройств: источник-распылитель, в частности магнетрон, дуговой источник, в частности катодно-дуговой источник, электронно-лучевой испаритель, графитовый тигель.
21. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что в источнике-испарителе размещен следующий материал для испарения: углерод, металл или сплав, в частности сплав из двух или нескольких элементов IV, V или VI группы Периодической системы, а также алюминий, бор или кремний.
22. Установка вакуумной обработки по п.21, отличающаяся тем, что материал для испарения присутствует как мишень.
23. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что материал для испарения представляет собой плотный высокочистый графит с предпочтительно изотропной структурой.
24. Способ вакуумной обработки для плазменной обработки изделий, при котором в вакуумной камере установки обработки зажигают и используют электрический низковольтный дуговой разряд (НВДР) между катодом и анодом, электрически соединенным с катодом через дуговой генератор, в то время как на изделия подают напряжение подложки с помощью генератора напряжения смещения и подводят рабочий газ из по меньшей мере одного источника газа, отличающийся тем, что применяют горячий анод, поверхность которого по меньшей мере частично состоит из графита.
25. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что этот способ обработки включает в себя по меньшей мере одну из следующих стадий: поддерживаемое плазмой нагревание, травление или нанесение покрытия.
26. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что по меньшей мере часть графитовой поверхности анода нагревают так, что температура нагретой графитовой поверхности повышается до температуры, при которой поддерживается электропроводность анода и/или предотвращается осаждение изолирующих отложений и/или изолирующих слоев.
27. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что низковольтный дуговой разряд направляют магнитным полем, предпочтительно магнитным полем Гельмгольца.
28. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что этот способ обработки представляет собой способ вакуумного нанесения покрытия для покрытия изделий по меньшей мере одним плохо проводящим, изолирующим и/или алмазоподобным (DLC) слоем.
29. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что он представляет собой способ вакуумного нанесения покрытия, и материал покрытия подводят из по меньшей мере одного источника газа и/или по меньшей мере одного источника-испарителя.
30. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что подводимый из источника-испарителя материал покрытия происходит из разряда источника-распылителя, в частности магнетрона, из разряда дугового источника, в частности катодно-дугового источника, из паров электронно-лучевого испарителя или из паров материала, испаряемого из графитового тигля посредством низковольтного дугового разряда.
31. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что слой осаждают за счет работы источника-распылителя и/или катодно-дугового источника с по меньшей мере одной мишенью из по меньшей мере одного из материалов из группы металлов, металлических сплавов, соединений металлов или из графита, предпочтительно при подводе реакционного газа.
32. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что слой осаждают за счет введения по меньшей мере одного реакционного газа из группы углеводородов, силанов, боранов, германов и/или металлоорганических соединений.
33. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что напряжение подложки, низковольтную дугу и/или источник-испаритель используют в импульсном режиме.
34. Способ вакуумной обработки по п.33, отличающийся тем, что подают биполярное импульсное напряжение подложки с положительными импульсами, короткими по сравнению с отрицательными импульсами, или, предпочтительно, униполярное импульсное напряжение подложки.
35. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет вариации мощности дуги, напряжения подложки и/или магнитного поля получают слои с различным напряжением в слое, предпочтительно в виде многослойного покрытия.
36. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что осаждают покрытие, включающее по меньшей мере один слой одного из следующих материалов: карбид, карбонитрид, нитрид, борид, борокарбид, боронитрид, предпочтительно в соединении с по меньшей мере одним переходным металлом из IV, V, VI группы Периодической системы, алюминием и/или кремнием.
37. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что покрытие осаждают в виде многослойного покрытия с различающимся составом, причем переходы между отдельными слоями покрытия предпочтительно выполняют плавными.
38. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет введения по меньшей мере одного углеводорода через источник газа осаждают по меньшей мере один алмазоподобный (DLC) слой.
39. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет работы источника-распылителя и/или катодно-дугового источника с графитовой мишенью осаждают по меньшей мере один алмазоподобный (DLC) слой.
40. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что алмазоподобный (DLC) слой осаждают с металло- или кремнийсодержащим адгезивным слоем и/или с по меньшей мере одним металло- или кремнийсодержащим промежуточным слоем в виде многослойного покрытия.
41. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что по меньшей мере графитовую поверхность анода нагревают до температуры в 200, предпочтительно 250°С, чтобы предотвратить осаждение изолирующих алмазоподобных (DLC) отложений.
42. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что по меньшей мере часть алмазоподобного (DLC) слоя осаждают как многослойное покрытие со слоями с различающимся напряжением в слое.
43. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что сначала на изделие наносят слой согласно способу по пунктам 36-37 и затем следующий слой согласно способу по пп.38-42.
RU2009148283/02A 2007-05-25 2008-04-22 Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки RU2472869C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00843/07 2007-05-25
CH8432007 2007-05-25
PCT/EP2008/054851 WO2008145459A1 (de) 2007-05-25 2008-04-22 Vakuumbehandlungsanlage und vakuumbehandlungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009148283A true RU2009148283A (ru) 2011-06-27
RU2472869C2 RU2472869C2 (ru) 2013-01-20

Family

ID=38222614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009148283/02A RU2472869C2 (ru) 2007-05-25 2008-04-22 Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки

Country Status (10)

Country Link
US (1) US8496793B2 (ru)
EP (1) EP2148939B1 (ru)
JP (1) JP5618824B2 (ru)
KR (1) KR101499272B1 (ru)
CN (1) CN101743338B (ru)
BR (1) BRPI0811241B1 (ru)
CA (1) CA2686445C (ru)
MX (1) MX2009012750A (ru)
RU (1) RU2472869C2 (ru)
WO (1) WO2008145459A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2618292C2 (ru) * 2011-10-21 2017-05-03 Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон Сверло с покрытием

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI399451B (zh) * 2008-09-05 2013-06-21 Yu Hsueh Lin 傳動機構之表面鍍膜方法
DE102009000821B4 (de) * 2009-02-12 2013-05-02 Surcoatec Ag Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung auf Werkstücke und/oder Werkstoffe aufweisend mindestens ein leicht oxidierbares Nichteisenmetall sowie Werkstück und/oder Werkstoff hergestellt nach dem Verfahren
DE102009003232A1 (de) * 2009-05-19 2010-12-02 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Gleitelement eines Verbrennungsmotors, insbesondere Kolbenring
JP6040028B2 (ja) 2009-08-07 2016-12-07 エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，トリュープバッハ 耐食性と組合わされたトライボロジー、新種のｐｖｄおよびｐａｃｖｄコーティング
ES2749354T3 (es) * 2009-09-25 2020-03-19 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon Procedimiento para la preparación de capas de óxido de zirconio cúbicas
CN102102181B (zh) * 2009-12-22 2013-10-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 镀膜装置
CN102244971A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 贵州翔明科技有限责任公司 一种大气压直流弧放电等离子体发生装置及阴极制作方法
NL2005847C2 (nl) * 2010-12-09 2012-06-12 Ten Cate Nederland B V Kunstgrasveld.
DE102011003254A1 (de) * 2011-01-27 2012-08-02 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Gleitelement, insbesondere Kolbenring, mit einer Beschichtung sowie Verfahren zur Herstellung eines Gleitelements
DE102011016681A1 (de) * 2011-04-11 2012-10-11 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Kohlenstofffunkenverdampfung
SG194537A1 (en) * 2011-04-20 2013-12-30 Oerlikon Trading Ag High power impulse magnetron sputtering method providing enhanced ionization of the sputtered particles and apparatus for its implementation
JP2013028851A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Kobe Steel Ltd プラズマｃｖｄ装置
DE102011083714A1 (de) * 2011-09-29 2013-04-04 Federal-Mogul Burscheid Gmbh Gleitelement mit DLC-Beschichtung
EP2587518B1 (en) * 2011-10-31 2018-12-19 IHI Hauzer Techno Coating B.V. Apparatus and Method for depositing Hydrogen-free ta C Layers on Workpieces and Workpiece
US9793098B2 (en) 2012-09-14 2017-10-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
US9412569B2 (en) 2012-09-14 2016-08-09 Vapor Technologies, Inc. Remote arc discharge plasma assisted processes
US10056237B2 (en) 2012-09-14 2018-08-21 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
JP6063816B2 (ja) * 2013-05-27 2017-01-18 株式会社デンソー 表面処理装置及び表面処理方法
RU2567770C2 (ru) * 2013-08-06 2015-11-10 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук Способ получения покрытий алмазоподобного углерода и устройство для его осуществления
CA2867451C (en) * 2013-10-28 2021-06-29 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
JP2017504955A (ja) 2013-11-06 2017-02-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Ｄｃバイアス変調による、粒子発生抑制装置
JP6533374B2 (ja) 2013-11-06 2019-06-19 Ｄｏｗａサーモテック株式会社 Ｄｌｃ皮膜の成膜方法
TWM475016U (zh) * 2013-11-13 2014-03-21 Mingdao University 複合式沉積系統
WO2015117991A1 (de) * 2014-02-06 2015-08-13 Kgt Graphit Technologie Gmbh Schutzschicht für pecvd-boote aus graphit
JP2016021344A (ja) * 2014-07-15 2016-02-04 中外炉工業株式会社 プラズマ処理装置、及びそのプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法
JP6650442B2 (ja) * 2014-09-18 2020-02-19 ティッセンクルップ スチール ヨーロッパ アーゲーＴｈｙｓｓｅｎｋｒｕｐｐ Ｓｔｅｅｌ Ｅｕｒｏｐｅ Ａｇ 構成部品、バンド状の材料又はツールの表面にコーティングを形成する装置
JP6396749B2 (ja) * 2014-10-03 2018-09-26 神港精機株式会社 硬質被膜およびその形成方法ならびに形成装置
JP6757793B2 (ja) * 2015-10-16 2020-09-23 エリコン サーフェス ソリューションズ アーゲー、 プフェフィコン Ｈｆ−ｂ−ｃの三元相を含んでなる新規コーティング材料
US20180334739A1 (en) * 2015-11-10 2018-11-22 Sandvik Intellectual Property Ab Method for pre-treating a surface for coating
CN107022741A (zh) * 2016-02-01 2017-08-08 沈阳科友真空技术有限公司 一种pems等离子体增强磁控溅射镀膜设备
MY189225A (en) * 2016-04-22 2022-01-31 Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaffikon Ticn having reduced growth defects by means of hipims
KR101888557B1 (ko) * 2016-11-16 2018-08-14 한국생산기술연구원 ta-C 복합 코팅층, ta-C 복합 코팅층 제조 장치 및 이를 이용한 제조방법
CN106856165B (zh) * 2016-12-29 2019-12-13 浙江合特光电有限公司 一种硅锗低温外延方法
CN107130213B (zh) * 2017-05-03 2019-04-09 成都真锐科技涂层技术有限公司 多元合金复合薄膜制备设备和制备方法
DE102017213404A1 (de) * 2017-08-02 2019-02-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anordnung zur Beschichtung von Substratoberflächen mittels elektrischer Lichtbogenentladung
RU2671522C1 (ru) * 2017-08-14 2018-11-01 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" Способ плазменного упрочнения внутренней цилиндрической поверхности
CN108559956B (zh) * 2018-04-11 2024-02-09 深圳市正和忠信股份有限公司 一种强辉光放电沉积类金刚石碳膜设备及加工方法
CN108588659A (zh) * 2018-05-04 2018-09-28 京磁材料科技股份有限公司 高效低耗的镀膜设备
CN108682637B (zh) * 2018-05-21 2020-10-13 深圳市希迈科科技有限公司 一种半导体芯片等离子刻蚀机
CN108774728B (zh) * 2018-08-06 2023-04-11 法德(浙江)机械科技有限公司 一种离子源多弧柱弧复合pvd镀膜系统及镀膜方法
JP7159694B2 (ja) * 2018-08-28 2022-10-25 日本電産株式会社 プラズマ処理装置
DE102019110642A1 (de) 2019-04-25 2020-10-29 Vtd Vakuumtechnik Dresden Gmbh Anode für PVD-Prozesse
CN110205589B (zh) * 2019-07-12 2023-12-08 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种脉冲碳离子激发源装置
RU195652U1 (ru) * 2019-08-05 2020-02-03 Ооо «Инноватехпром» Устройство для распыления металла в вакууме
CN112323034B (zh) * 2019-08-05 2023-10-17 武汉光谷创元电子有限公司 真空处理装置
CN111074222B (zh) * 2019-12-12 2022-11-18 广东汇成真空科技股份有限公司 一种应用于pvd镀膜的弧光电子源增强辉光放电加热工艺
CN111394689A (zh) * 2020-04-15 2020-07-10 辽宁北宇真空科技有限公司 一种镀膜基片的等离子清洗装置及其使用方法
US11821075B2 (en) * 2020-06-15 2023-11-21 Vapor Technologies, Inc. Anti-microbial coating physical vapor deposition such as cathodic arc evaporation
CN111748789B (zh) * 2020-07-10 2022-06-24 哈尔滨工业大学 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯dlc的装置及其方法
CN112030127B (zh) * 2020-07-28 2022-08-16 温州职业技术学院 一种采用增强辉光放电复合调制强流脉冲电弧制备的ta-C涂层及制备方法
CN112063975B (zh) * 2020-07-28 2022-08-12 温州职业技术学院 一种通过调制强流脉冲电弧制备ta-C涂层的方法
CN111893455B (zh) * 2020-09-08 2023-10-03 河北美普兰地环保科技有限公司 金属基材碳纳米膜材料制造设备及其制备方法
RU2754338C1 (ru) * 2020-12-29 2021-09-01 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ модификации поверхностей пластин паяного пластинчатого теплообменника
CN113564540B (zh) * 2021-07-30 2023-10-03 江苏徐工工程机械研究院有限公司 电弧离子镀膜装置及镀膜方法
CN114411099B (zh) * 2021-12-30 2023-12-08 广东鼎泰高科技术股份有限公司 一种真空镀膜系统及镀膜方法
CN114875376A (zh) * 2022-04-16 2022-08-09 黄石全洋光电科技有限公司 一种连续性真空镀膜生产线及镀膜工艺
CN115198240B (zh) * 2022-06-07 2024-02-20 深圳元点真空装备有限公司 一种大尺寸真空镀膜设备及其使用方法
CN115637418A (zh) * 2022-10-12 2023-01-24 中微半导体设备(上海)股份有限公司 形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB896122A (en) * 1959-09-08 1962-05-09 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the coating of surfaces with thin films of aluminium oxide
CH631743A5 (de) * 1977-06-01 1982-08-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zum aufdampfen von material in einer vakuumaufdampfanlage.
SU695074A1 (ru) * 1978-05-11 1981-12-07 Предприятие П/Я А-3959 Способ изготовлени неплав щегос электрода
US4673477A (en) * 1984-03-02 1987-06-16 Regents Of The University Of Minnesota Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus
CH664768A5 (de) * 1985-06-20 1988-03-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer.
US4620913A (en) * 1985-11-15 1986-11-04 Multi-Arc Vacuum Systems, Inc. Electric arc vapor deposition method and apparatus
DE3941202A1 (de) * 1989-12-14 1990-06-07 Krupp Gmbh Verfahren zur erzeugung von schichten aus harten kohlenstoffmodifikationen und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE4440521C1 (de) * 1994-11-12 1995-11-02 Rowo Coating Ges Fuer Beschich Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit einem Materialdampf im Unterdruck oder Vakuum
DE19626094C2 (de) * 1996-05-02 2000-10-19 Siemens Ag Anodenkörper für eine Röntgenröhre
DE19826259A1 (de) * 1997-06-16 1998-12-17 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Einrichtung zum Vakuumbeschichten eines Substrates
DE19841012C1 (de) * 1998-09-08 2000-01-13 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen im Vakuum
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
US6391164B1 (en) * 2000-06-23 2002-05-21 Isak I. Beilis Deposition of coatings and thin films using a vacuum arc with a non-consumable hot anode
US20030234176A1 (en) * 2000-07-17 2003-12-25 Jawad Haidar Production of carbon and carbon-based materials
RU2219033C1 (ru) * 2002-11-04 2003-12-20 Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Центральный Научно-Исследовательский Институт Конструкционных Материалов "Прометей" Экономнолегированный электрод для износостойкой наплавки
US9997338B2 (en) * 2005-03-24 2018-06-12 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Method for operating a pulsed arc source

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2618292C2 (ru) * 2011-10-21 2017-05-03 Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон Сверло с покрытием

Also Published As

Publication number Publication date
RU2472869C2 (ru) 2013-01-20
WO2008145459A1 (de) 2008-12-04
KR20100018585A (ko) 2010-02-17
JP2010528179A (ja) 2010-08-19
CA2686445C (en) 2015-01-27
EP2148939A1 (de) 2010-02-03
US20080292812A1 (en) 2008-11-27
EP2148939B1 (de) 2017-06-14
CN101743338A (zh) 2010-06-16
US8496793B2 (en) 2013-07-30
JP5618824B2 (ja) 2014-11-05
BRPI0811241A2 (pt) 2014-11-04
CN101743338B (zh) 2013-10-16
KR101499272B1 (ko) 2015-03-05
CA2686445A1 (en) 2008-12-04
MX2009012750A (es) 2009-12-11
BRPI0811241B1 (pt) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009148283A (ru) Установка вакуумной обработки и способ вакуумной обработки
JP5694642B2 (ja) パルスアーク供給源を作動させる方法
CN101490305B (zh) 用于沉积电绝缘层的方法
EP1746178B1 (en) Device for improving plasma activity in PVD-reactors
EA030379B1 (ru) Способ нанесения тонкопленочных покрытий с использованием плазменно-химического осаждения из газовой фазы (варианты)
NO309920B1 (no) Lineær bueutladning ved plasmaprosessering
JP2005248322A (ja) 表面上への複合コーティングの蒸着プロセス
Kuzmichev et al. Evaporators with induction heating and their applications
KR100443232B1 (ko) 유도결합 플라즈마를 이용한 이온 플레이팅 시스템
JP3555033B2 (ja) 負圧又は真空中において材料蒸気によつて基板を被覆する装置
JPH03260054A (ja) 耐剥離性にすぐれたｃＢＮ被覆部材及びその製作法
TW201912820A (zh) 用於形成金屬/陶瓷鍍膜的蒸鍍方法
Takaki et al. Production of titanium-containing carbon plasma using shunting arc discharge for hybrid film deposition
CN114672774B (zh) 一种纳米复合MeSiCN涂层的制备装置及其制备方法
Takaki et al. Characteristics of magnetically driven shunting arc plasma for amorphous carbon film deposition
JP2004307936A (ja) 硬質窒化炭素膜の形成方法
JP2004084004A (ja) 硬質炭素膜の形成方法
KR20240021300A (ko) 중공 물품의 내부 표면을 코팅하기 위한 장치 및 방법
Andrew et al. Reduction of effects of rarefaction in ionized physical vapour deposition discharges
JP2003213412A (ja) プラズマイオン注入・成膜方法および装置
FY Plasma characteristics and dynamics in a high power pulsed magnetron sputtering discharge
Mattausch et al. THIN FILMS, BULK MATERIAL DEPOSITION, MODIFICATION OF SOLID SURFACES Gas discharge electron sources–Proven and novel tools for thin-film technologies
JP2004084005A (ja) 硬質窒化炭素膜の形成方法
JP2004084003A (ja) 硬質炭素膜の形成方法
JPH0727869B2 (ja) プラズマ蒸着装置