DE19626094C2 - Anodenkörper für eine Röntgenröhre - Google Patents
Anodenkörper für eine RöntgenröhreInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen Anodenkörper für eine Röntgen
röhre, welcher einen Grundkörper und einen mit diesem verbun
denen Abschnitt eines röntgenemissiven Materials aufweist.
Derartige, beispielsweise aus der DE 17 89 048 B2 bekannte
Anodenkörper finden insbesondere in Drehanoden-Röntgenröhren
Verwendung. In Hochleistungs-Röntgenröhren muß ein solcher
Anodenkörper eine hohe Wärmekapazität, eine hohe Fähigkeit
zur Wärmeabstrahlung und ein geringes Massenträgheitsmoment
aufweisen.
Bekannte Anodenkörper der eingangs genannten Art weisen daher
einen aus Graphit gebildeten Grundkörper und ein hochschmel
zendes metallisches Target, und zwar vorzugsweise aus TZM
(mit geringen Mengen Wolfram (Tungsten) und Zirkon legiertes
Molybdän), auf, mit welchem Target eine Schicht eines rönt
genemissiven Materials, das z. B. im wesentlichen Wolfram und
Rhenium enthält, verbunden ist. Dabei wird Graphit als Mate
rial für den Grundkörper deshalb verwendet, weil Graphit eine
geringe Dichte, gute Fähigkeit zur Wärmeabstrahlung und eine
hohe Wärmekapazität aufweist.
Außerdem sind aus Patents Abstracts of Japan. E-427, 1986,
Vol. 10, No. 233. JP 61-66 349 A und Patents Abstracts of Ja
pan. E-640, 1988, Vol. 12, No. 277. JP 63-55 841 A Anodenkör
per bekannt, deren Grundkörper als aus Graphit- und Silizium
karbidschichten zusammengesetzte Verbundkörper ausgeführt
sind.
Grundkörper, die aus Graphit gebildet sind bzw. in aus den
beiden vorgenannten Druckschriften bekannter Weise Graphit
schichten enthalten, haben jedoch die unangenehme Eigen
schaft, daß sie selbst nach sorgfältiger Reinigung
Graphitpartikel abgeben, und zwar auch noch nach erfolgtem
Einbau des Anodenkörpers in die Röntgenröhre. Die Anwesenheit
von losen Graphitpartikeln im Vakuumgehäuse einer Röntgen
röhre gefährdet jedoch deren Hochspannungsfestigkeit.
In Patents Abstracts of Japan. E-1102, 1991, Vol. 15, No.
326. JP 3-12 29 55 A ist ein Anodenkörper beschrieben, dessen
aus Graphit gebildeter Grundkörper mit Siliziumkarbid be
schichtet ist. Weiter ist es aus der US 3 887 723 bekannt,
einen Grundkörper aus Graphit mit Niob-, Tantal-, Titan- oder
Zirkoniumkarbid zu beschichten. Außerdem ist es aus der
DE 31 34 196 A1 bekannt, einen Grundkörper aus Graphit mit
einer Beschichtung aus pyrolytischem Kohlenstoff zu versehen.
Aus der DE 41 32 118 C1 ist es bekannt, einen Grundkörper aus
Graphit mit einer Beschichtung aus einem metallischen Lot, z. B.
Zirkon, Niob, Vanadium oder Hafnium zu versehen. Die Be
schichtung des Grundkörpers ist jeweils vorgesehen, um die
Abgabe von Graphitpartikeln zu vermeiden, führt jedoch zu
einem erhöhten technischen und finanziellen Aufwand.
Aus der US 5 031 201 ist ein Anodenkörper bekannt, dessen
Grundkörper aus einer Keramikmatrix, z. B. Siliziumkarbid, ge
bildet ist, in die Keramikfasern, z. B. Siliziumkarbid, einge
bettet sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Anoden
körper der eingangs genannten Art so auszubilden, daß auf
einfache und kostengünstige Weise die Gefahr der Beeinträch
tigung der Hochspannungsfestigkeit einer
den Anodenkörper enthaltenden Röntgenröhre zumindest vermin
dert ist.
Nach der Erfindung wird diese Aufgabe gelöst durch einen An
odenkörper für eine Röntgenröhre, welcher einen Grundkörper,
der aus kristallinem, mehrere chemische Elemente enthalten
dem, ausschließlich kovalent gebundenem, nichtmetallischem
Material gebildet ist, und eine mit dem Grundkörper verbunde
nen Schicht eines röntgenemissiven Materials aufweist. Dabei
besteht deshalb eine geringere Gefahr der Beeinträchtigung
der Hochspannungsfestigkeit von erfindungsgemäße Anodenkörper
enthaltenden Röntgenröhren, weil die Atome des Materials des
Grundkörpers infolge der kovalenten Bindung stabile drei
dimensionale Kristallgitter bilden, die eine Partikelabgabe
praktisch unmöglich machen. Demgegenüber handelt es sich bei
der Kristallstruktur von Graphit um ein Kohlenstoff-Schicht
gitter, bei dem nur innerhalb der Schichten kovalente Bin
dungen und somit entsprechend hohe Bindungskräfte zwischen
den Atomen vorliegen, während senkrecht zu den Schichtebenen
nur schwache von der Waals-Bindungen vorherrschen. Dies be
dingt eine sehr leichte Spaltbarkeit von Graphit längs der
Schichtebenen und damit eine hohe Neigung zur Partikelabgabe.
Wenn vorstehend die Rede davon ist, daß das Material des
Grundkörpers ausschließlich kovalent gebunden ist, so ist
hierunter zu verstehen, daß im wesentlichen ausschließlich
kovalente Bindungen vorliegen. An Fehlerstellen im Kristall
gitter sowie an Korngrenzen und dergleichen können aber sehr
wohl andere als kovalente Bindungen vorliegen.
Zwischen der Schicht des röntgenemissiven Materials und dem
Grundkörper kann ein Target aus einem hochschmelzenden Mate
rial vorgesehen sein, das einerseits die Schicht trägt und
andererseits fest mit dem Grundkörper verbunden ist. Das Tar
get weist eine Dicke auf, die wenigstens im mm-Bereich liegt,
während es genügt, wenn die Dicke der Schicht röntgenemissi
ven Materials wenigstens gleich der Eindringtiefe der zur
Röntgenstrahlenerzeugung auf den Anodenkörper auftreffenden
Elektronen ist. Die Schicht des röntgenemissiven Materials
kann aber auch unmittelbar auf dem Grundkörper vorgesehen
sein. Dabei bietet die Anbringung der Schicht direkt auf dem
Grundkörper gegenüber der Anbringung auf einem zusätzlichen
Target den Vorteil einer nochmals verringerten Masse des
Anodenkörpers.
Gemäß einer Variante der Erfindung ist vorgesehen, daß der
Grundkörper aus einem Material gebildet ist, dessen Strah
lungsemissionskoeffizient und Wärmekapazität die entsprechen
den Werte von Graphit nicht wesentlich unterschreiten und
dessen Dichte die von Graphit nicht wesentlich übersteigt.
Auf diese Weise ist sichergestellt, daß sich der erfindungs
gemäße Anodenkörper, abgesehen von seiner geringeren Neigung
zur Partikelabgabe, hinsichtlich seiner Eigenschaften nicht
wesentlich von einem herkömmlichen Anodenkörper unterschei
det, dessen Grundkörper aus Graphit gebildet ist.
Als Materialien für den Grundkörper sind gemäß einer Ausfüh
rungsform der Erfindung ein Material der Gruppe Borkarbid
(B4C), Siliziumkarbid (SiC) und Siliziumnitrid (Si3N4) vorge
sehen. Diese Materialien sind hochschmelzend, zeigen eine ge
ringe Dichte und hohe Wärmekapazität. Die Strahlungsemis
sionskoeffizienten übertreffen sogar die von Graphit. Außer
dem lassen sich diese Materialien zu paßgenauen, hochdichten
Sinterkörpern verarbeiten.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der beigefügten Zeich
nungen näher erläutert. es zeigen:
Fig. 1 einen erfindungsgemäßen Anodenkörper in schemati
scher Darstellung im Längsschnitt,
Fig. 2 in Form eines Diagrammes die Strahlungsemissions
koeffizienten verschiedener zur Herstellung erfin
dungsgemäßer Anodenkörper geeigneter Stoffe im Ver
gleich zu Graphit, und
Fig. 3 in zu der Fig. 1 analoger Darstellung einen weite
ren erfindungsgemäßen Anodenkörper.
Bei dem in der Fig. 1 gezeigten Anodenkörper einer Röntgen
röhre handelt es sich um den Anodenkörper einer Drehanode,
der rotationssymmetrisch zu seiner Mittelachse M ausgebildet
ist und eine zentrale Bohrung aufweist, die zur Aufnahme der
Welle der Drehanode dient.
Der Anodenkörper weist in an sich bekannter Weise einen
Grundkörper 1 auf, der durch Löten mit einem Target 2 verbun
den ist, das aus einem hochschmelzenden Material, nämlich
einer Legierung gebildet ist, die als wesentliche Bestand
teile Molybdän und Wolfram enthält. Das Target 2 weist eine
im Falle des dargestellten Ausführungsbeispiels kegelstumpf
förmige Auftrefffläche auf, auf die im Betrieb der Röntgen
röhre der von deren Kathode ausgehenden Elektronenstrahl auf
trifft. Im Bereich dieser Auftrefffläche ist das Target 2
durch ein geeignetes Verfahren, beispielsweise ein an sich
bekanntes PVD (Physical Vapor Deposition)- oder CVD (Chemical
Vapor Deposition)-Verfahren, mit einer Schicht 3 einer
Legierung, versehen, die im wesentlichen Wolfram und Rhenium
enthält. Während es genügt, wenn die Dicke der Schicht
röntgenemissiven Materials wenigstens gleich der
Eindringtiefe (µm-Bereich) der zur Röntgenstrahlenerzeugung
auf den Anodenkörper auftreffenden Elektronen ist, weist das
Target eine Dicke auf, die wenigstens im mm-Bereich liegt.
Der Grundkörper 1 ist aus einem kristallinen, mehrere chemi
sche Elemente enthaltenden, ausschließlich kovalent gebunde
nen nichtmetallischen Material gebildet.
Vorzugsweise ist der Anodenkörper, bei dem es sich im Falle
des dargestellten Ausführungsbeispiels um einen Sinterkörper
handelt, aus einem Material gebildet, das wenigstens einen
Stoff der Gruppe Borkarbid, Siliziumkarbid und Siliziumnitrid
enthält.
In der Regel wird das Material des Anodenkörpers nur einen
Stoff der genannten Gruppe enthalten. Insbesondere im Falle
der Ausbildung des Anodenkörpers als Sinterkörper ist es je
doch ohne weiteres auch möglich, vorzusehen, daß das Material
des Grundkörpers mehrere Stoffe, insbesondere auch Stoffe der
genannten Gruppe, enthält. Dies läßt sich dann leicht reali
sieren, indem der Anodenkörper aus einem Gemisch von Körnern
dieser Stoffe gesintert wird.
Wie aus der Tabelle 1 in Verbindung mit Fig. 2 ersichtlich
ist, unterschreiten die Strahlungsemissionskoeffizienten der
Stoffe der genannten Gruppe (gemessen bei 100°C bzw. im Be
reich um 100°C) die entsprechenden Werte von Graphit nicht
nur nicht, sondern übersteigen diese sogar. Weiter wird aus
Tabelle 1 deutlich, daß die Wärmekapazitäten (gemessen bei
500°C) der Stoffe der genannten Gruppe die entsprechenden
Werte von Graphit nicht wesentlich unterschreiten. Außerdem
zeigt Tabelle 1, daß die Dichten der Stoffe der genannten
Gruppe die von Graphit nicht wesentlich übersteigen.
Es wird also deutlich, daß der erfindungsgemäße Anodenkörper
hinsichtlich seiner maßgeblichen Eigenschaften einem Anoden
körper mit einem Grundkörper aus Graphit wenigstens im we
sentlichen gleichkommt, jedoch keine nennenswerte Neigung zur
Partikelabgabe aufweist.
Wie aus der Fig. 3 ersichtlich ist, kann das Target 2 auch
entfallen. Die Schicht 3' des röntgenemissiven Materials ist
dann unmittelbar auf dem Grundkörper 1' durch ein geeignetes
Verfahren, beispielsweise ein an sich bekanntes PVD (Physical
Vapor Deposition)- oder CVD (Chemical Vapor Deposition)-Ver
fahren, aufgebracht. Auch der Grundkörper 1' ist aus einem
kristallinen, mehrere chemische Elemente enthaltenden, aus
schließlich kovalent gebundenen und nichtmetallischen Mate
rial gebildet, das wenigstens einen Stoff der Gruppe Borkar
bid, Siliziumkarbid und Siliziumnitrid enthält.
Da die Dichte dieser Stoffe (s. Tabelle 1) deutlich geringer
als die von TZM (ρ = 10 g/cm3)oder anderen als Targetmaterial
geeigneten hochschmelzenden Metallen ist, ergibt sich gegen
über dem Anodenkörper gemäß Fig. 1 eine deutliche Gewichts
einsparung.
Im Zusammenhang mit Drehanoden-Röntgenröhren macht sich dies
in einer verkürzten Hochlaufzeit bis zum Erreichen der Nenn
drehzahl und einer verringerten Belastung der zur drehbaren
Lagerung der Drehanode vorgesehenen Lager positiv bemerkbar.
Wird eine einen Anodenkörper gemäß Fig. 3 enthaltende Rönt
genröhre in einem Computertomographen eingesetzt - hier wird
die Röntgenröhre bekanntermaßen auf einer Kreisbahn um den
Patienten herumbewegt - ist eine deutliche Erhöhung der Um
laufgeschwindigkeit möglich, ohne daß dies infolge der dabei
wirkenden Kreiselkräfte zu unzulässigen Lagerbelastungen
führt. Im Zusammenhang mit der Computertomographie kommt
hinzu, daß sich durch die Gewichtsverringerung des Anoden
körpers mit verringertem Aufwand gewährleisten läßt, daß die
infolge elastischer Verformung der Lagerungswelle des Anoden
körpers und der Lager auftretenden Verkippungen des Anoden
körpers im zulässigen Bereich bleiben und somit keine unzu
lässige Verlagerung des Fokus der Röntgenstrahlung nach sich
ziehen.
Um im Falle des Anodenkörpers gemäß Fig. 3 den Fluß des Röh
renstromes über die in die zentrale Öffnung des Anodenkörpers
eingesetzte, nicht dargestellte Lagerungswelle zu ermögli
chen, ist die Wandung der Öffnung dadurch mit einer Leiter
bahn 4 versehen, daß bei der Beschichtung der Auftrefffläche
mit dem röntgenemissiven Material auch die Wandung der Öff
nung mit diesem Material beschichtet wurde. - Eine derartige
Maßnahme ist übrigens im Falle des Anodenkörpers gemäß Fig. 1
nicht erforderlich, sofern dessen Target 2 aus einem Material
ausreichender elektrischer Leitfähigkeit (z. B. TZM) gebildet
ist.
Die Leiterbahn 4 kann auch durch eine Schicht eines von dem
röntgenemissiven Material verschiedenen Materials gebildet
sein, sofern sichergestellt ist, daß die Leiterbahn 4 in
elektrisch leitender Verbindung mit der Schicht 3' steht.
Bei den Anodenkörpern gemäß den vorstehend beschriebenen Aus
führungsbeispielen handelt es sich um die Anodenkörper von
Drehanoden; es können aber auch Anodenkörper für Festanoden
erfindungsgemäß ausgebildet werden.
Claims (5)
1. Anodenkörper für eine Röntgenröhre, welcher einen Grund
körper (1), der aus kristallinem, mehrere chemische Elemente
enthaltendem, ausschließlich kovalent gebundenem, nichtmetal
lischem Material gebildet ist, und eine mit dem Grundkörper
verbundene Schicht (3) eines röntgenemissiven Materials auf
weist.
2. Anodenkörper nach Anspruch 1, bei dem zwischen der Schicht
(3) des röntgenemissiven Materials ein Target (2) vorgesehen
ist, das einerseits die Schicht (3) trägt und andererseits
fest mit dem Grundkörper (1) verbunden ist.
3. Anodenkörper nach Anspruch 1, bei dem die Schicht (3) des
röntgenemissiven Materials unmittelbar auf dem Grundkörper
vorgesehen ist.
4. Anodenkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dessen
Grundkörper (1) aus Material gebildet ist, dessen Strahlungs
emissionskoeffizient und Wärmekapazität die entsprechenden
Werte von Graphit nicht wesentlich unterschreiten und dessen
Dichte die von Graphit nicht wesentlich übersteigt.
5. Anodenkörper nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dessen
Grundkörper (1) aus einem Material gebildet ist, das wenig
stens einen Stoff der Gruppe Borkarbid (B4C), Siliziumkarbid
(SiC) und Siliziumnitrid (Si3N4) enthält.
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- 1996-06-28 DE DE19626094A patent/DE19626094C2/de not_active Expired - Fee Related
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