RU2009115685A - Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме - Google Patents

Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме Download PDF

Info

Publication number
RU2009115685A
RU2009115685A RU2009115685/28A RU2009115685A RU2009115685A RU 2009115685 A RU2009115685 A RU 2009115685A RU 2009115685/28 A RU2009115685/28 A RU 2009115685/28A RU 2009115685 A RU2009115685 A RU 2009115685A RU 2009115685 A RU2009115685 A RU 2009115685A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
integrated circuit
acoustic
package
circuit package
substrate
Prior art date
Application number
RU2009115685/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2449418C2 (ru
Inventor
Эндрю Л. РОБИНСОН (US)
Эндрю Л. РОБИНСОН
Ричард Е. ДЭВИДСЕН (NL)
Ричард Е. ДЭВИДСЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Publication of RU2009115685A publication Critical patent/RU2009115685A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2449418C2 publication Critical patent/RU2449418C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
    • G01S7/521—Constructional features
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S15/00—Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
    • G01S15/88—Sonar systems specially adapted for specific applications
    • G01S15/89—Sonar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S15/8906—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques
    • G01S15/8909—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration
    • G01S15/8915—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array
    • G01S15/8925—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array the array being a two-dimensional transducer configuration, i.e. matrix or orthogonal linear arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/0557—Disposition the external layer being disposed on a via connection of the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

1. Акустический блок, содержащий: ! пакет интегральной схемы, содержащий электропроводящее сквозное отверстие, выполненное так, чтобы идти от активной части пакета интегральной схемы через нижнюю часть пакета интегральной схемы, причем нижняя часть является нижней стороной подложки пакета интегральной схемы; и ! акустический элемент, расположенный на нижней стороне подложки, причем сквозное отверстие устроено так, чтобы электрически соединять активную часть пакета интегральной схемы с акустическим элементом. ! 2. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент является акустическим стеком, и причем акустический блок нарезают через акустический стек и в подложку. ! 3. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент соединен со сквозным отверстием межсоединением по инвертированному методу перевернутого кристалла. ! 4. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент соединен со сквозным отверстием токопроводящим адгезивом. ! 5. Акустический блок по п. 1, содержащий устройство межсоединения, расположенное на верхней стороне пакета интегральной схемы вблизи активной части и электрически соединен с соединениями системы ввод/вывод (I/O) пакета интегральной схемы. ! 6. Акустический блок по п. 5, причем устройство межсоединения соединено с соединениями системы I/O посредством соединения по методу перевернутого кристалла. ! 7. Акустический блок по п. 5, причем устройство межсоединения является гибкой схемой, содержащей печатную плату (PCB). ! 8. Акустический блок по п. 1, причем пакет интегральной схемы является микроформирователем луча ASIC. ! 9. Способ получения акустического блока, причем способ включает д

Claims (16)

1. Акустический блок, содержащий:
пакет интегральной схемы, содержащий электропроводящее сквозное отверстие, выполненное так, чтобы идти от активной части пакета интегральной схемы через нижнюю часть пакета интегральной схемы, причем нижняя часть является нижней стороной подложки пакета интегральной схемы; и
акустический элемент, расположенный на нижней стороне подложки, причем сквозное отверстие устроено так, чтобы электрически соединять активную часть пакета интегральной схемы с акустическим элементом.
2. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент является акустическим стеком, и причем акустический блок нарезают через акустический стек и в подложку.
3. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент соединен со сквозным отверстием межсоединением по инвертированному методу перевернутого кристалла.
4. Акустический блок по п. 1, причем акустический элемент соединен со сквозным отверстием токопроводящим адгезивом.
5. Акустический блок по п. 1, содержащий устройство межсоединения, расположенное на верхней стороне пакета интегральной схемы вблизи активной части и электрически соединен с соединениями системы ввод/вывод (I/O) пакета интегральной схемы.
6. Акустический блок по п. 5, причем устройство межсоединения соединено с соединениями системы I/O посредством соединения по методу перевернутого кристалла.
7. Акустический блок по п. 5, причем устройство межсоединения является гибкой схемой, содержащей печатную плату (PCB).
8. Акустический блок по п. 1, причем пакет интегральной схемы является микроформирователем луча ASIC.
9. Способ получения акустического блока, причем способ включает действия:
получение пакета интегральной схемы;
образование электропроводящего сквозного отверстия в пакете интегральной схемы, идущего от активной части пакета интегральной схемы насквозь к нижней части пакета интегральной схемы, причем нижняя часть является нижней стороной подложки пакета интегральной схемы;
помещение акустического элемента на нижней стороне подложки; и
электрическое соединение акустического элемента с активной частью пакета интегральной схемы через сквозное отверстие.
10. Способ по п. 9, причем акустический элемент является акустическим стеком, и способ включает этап нарезания акустического блока через акустический стек и через часть подложки.
11. Способ по п. 9, причем соединение включает этап проведения процесса соединения инвертированным методом перевернутого кристалла.
12. Способ по п. 9, включающий действия:
травление верхней стороны пакета интегральной схемы вблизи активной части, открывая соединение системы ввод/вывод (I/O); и
осаждение контактной площадки, электрически соединенной с соединением системы I/O.
13. Способ по п. 12, включающий действия:
помещение устройства межсоединения на верхнюю сторону; и
электрического соединения устройства межсоединения с соединениями системы I/O.
14. Способ по п. 13, причем этап электрического соединения устройства межсоединения с соединениями системы I/O включает этап проведения процесса соединения по методу перевернутого кристалла.
15. Способ по п. 13, причем устройство межсоединения является гибкой схемой, содержащей печатную плату (PCB).
16. Способ по п. 15, причем пакет интегральной схемы является микроформирователем луча ASIC.
RU2009115685/28A 2006-09-25 2007-09-18 Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме RU2449418C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US82681506P 2006-09-25 2006-09-25
US60/826,815 2006-09-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009115685A true RU2009115685A (ru) 2010-11-10
RU2449418C2 RU2449418C2 (ru) 2012-04-27

Family

ID=39060260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009115685/28A RU2449418C2 (ru) 2006-09-25 2007-09-18 Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме

Country Status (9)

Country Link
US (1) US8242665B2 (ru)
EP (1) EP2070114B1 (ru)
JP (1) JP5175853B2 (ru)
CN (1) CN101517737B (ru)
AT (1) ATE454713T1 (ru)
DE (1) DE602007004242D1 (ru)
RU (1) RU2449418C2 (ru)
TW (1) TW200826209A (ru)
WO (1) WO2008038183A1 (ru)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120179044A1 (en) 2009-09-30 2012-07-12 Alice Chiang Ultrasound 3d imaging system
US10080544B2 (en) * 2008-09-15 2018-09-25 Teratech Corporation Ultrasound 3D imaging system
US8207652B2 (en) * 2009-06-16 2012-06-26 General Electric Company Ultrasound transducer with improved acoustic performance
US8659148B2 (en) 2010-11-30 2014-02-25 General Electric Company Tileable sensor array
US8575558B2 (en) 2010-11-30 2013-11-05 General Electric Company Detector array with a through-via interposer
WO2012112540A2 (en) 2011-02-15 2012-08-23 Fujifilm Dimatix, Inc. Piezoelectric transducers using micro-dome arrays
EP2688686B1 (en) * 2011-03-22 2022-08-17 Koninklijke Philips N.V. Ultrasonic cmut with suppressed acoustic coupling to the substrate
US9230908B2 (en) 2011-10-17 2016-01-05 Koninklijke Philips N.V. Through-wafer via device and method of manufacturing the same
US8659212B2 (en) * 2012-02-16 2014-02-25 General Electric Company Ultrasound transducer and method for manufacturing an ultrasound transducer
US8742646B2 (en) * 2012-03-29 2014-06-03 General Electric Company Ultrasound acoustic assemblies and methods of manufacture
TWI624678B (zh) 2013-03-15 2018-05-21 美商蝴蝶網路公司 超音波裝置和系統
US9667889B2 (en) 2013-04-03 2017-05-30 Butterfly Network, Inc. Portable electronic devices with integrated imaging capabilities
TWI682817B (zh) 2013-07-23 2020-01-21 美商蝴蝶網路公司 可互連的超音波換能器探頭以及相關的方法和設備
CN106461767B (zh) 2014-04-18 2019-05-28 蝴蝶网络有限公司 单衬底超声成像装置的架构、相关设备和方法
AU2015247501B2 (en) 2014-04-18 2018-11-29 Butterfly Network, Inc. Ultrasonic imaging compression methods and apparatus
EP3028772B1 (en) * 2014-12-02 2022-12-28 Samsung Medison Co., Ltd. Ultrasonic probe and method of manufacturing the same
KR102373132B1 (ko) * 2014-12-26 2022-03-11 삼성메디슨 주식회사 초음파 프로브 장치 및 초음파 촬영 장치
JP5923205B1 (ja) * 2015-07-07 2016-05-24 日立アロカメディカル株式会社 超音波探触子
CN105097747B (zh) * 2015-09-01 2018-07-06 上海伊诺尔信息技术有限公司 智能卡芯片封装结构及封装方法
US11471911B2 (en) * 2016-05-16 2022-10-18 Baker Hughes, A Ge Company, Llc Phased array ultrasonic transducer and method of manufacture
JP6681784B2 (ja) * 2016-05-20 2020-04-15 新光電気工業株式会社 バッキング部材及びその製造方法と超音波探触子
KR102227329B1 (ko) * 2016-07-26 2021-03-12 지멘스 메디컬 솔루션즈 유에스에이, 인크. 초음파 트랜스듀서 및 그 제조 방법
JP6825290B2 (ja) * 2016-09-29 2021-02-03 Tdk株式会社 圧電素子
CN106558649B (zh) * 2016-11-08 2019-11-26 广东奥迪威传感科技股份有限公司 超声波传感器及其制造方法
US10499509B1 (en) * 2018-12-31 2019-12-03 General Electric Company Methods and systems for a flexible circuit
WO2021014222A2 (en) * 2019-07-24 2021-01-28 Vermon Sa Panel transducer scale package and method of manufacturing the same
CN111359861A (zh) * 2020-01-15 2020-07-03 中国科学院微电子研究所 一种超声换能器阵列

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744898A (en) 1992-05-14 1998-04-28 Duke University Ultrasound transducer array with transmitter/receiver integrated circuitry
JP3288815B2 (ja) * 1993-06-30 2002-06-04 株式会社東芝 ２次元アレイ超音波プローブ
US5655538A (en) 1995-06-19 1997-08-12 General Electric Company Ultrasonic phased array transducer with an ultralow impedance backfill and a method for making
US6015652A (en) 1998-02-27 2000-01-18 Lucent Technologies Inc. Manufacture of flip-chip device
US6605043B1 (en) * 1998-11-19 2003-08-12 Acuson Corp. Diagnostic medical ultrasound systems and transducers utilizing micro-mechanical components
US6491634B1 (en) * 2000-10-13 2002-12-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sub-beamforming apparatus and method for a portable ultrasound imaging system
GB2368123A (en) * 2000-10-14 2002-04-24 Jomed Imaging Ltd Electrostrictive ultrasonic transducer array suitable for catheter
US6669644B2 (en) 2001-07-31 2003-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Micro-machined ultrasonic transducer (MUT) substrate that limits the lateral propagation of acoustic energy
US6784600B2 (en) * 2002-05-01 2004-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Ultrasonic membrane transducer for an ultrasonic diagnostic probe
US6859984B2 (en) 2002-09-05 2005-03-01 Vermon Method for providing a matrix array ultrasonic transducer with an integrated interconnection means
US7053530B2 (en) * 2002-11-22 2006-05-30 General Electric Company Method for making electrical connection to ultrasonic transducer through acoustic backing material
EP1575429A1 (en) 2002-12-11 2005-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Miniaturized ultrasonic transducer
RU2248644C1 (ru) * 2003-11-28 2005-03-20 Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" Способ изготовления индиевых микросфер для сборки интегральных схем
WO2005053863A1 (en) * 2003-12-04 2005-06-16 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Ultrasound transducer and method for implementing flip-chip two dimensional array technology to curved arrays
JP2008509774A (ja) * 2004-08-18 2008-04-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ２次元超音波トランスデューサアレイ
CN101061392A (zh) * 2004-11-22 2007-10-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于超声束形成器探头的混合集成电路
US7518251B2 (en) 2004-12-03 2009-04-14 General Electric Company Stacked electronics for sensors
JP4016984B2 (ja) * 2004-12-21 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、回路基板、及び電子機器
JP4969456B2 (ja) * 2005-01-11 2012-07-04 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マイクロビームフォーマ及び医用超音波システム用再配布相互接続
US7449821B2 (en) * 2005-03-02 2008-11-11 Research Triangle Institute Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer with air-backed cavities
CN101237947B (zh) * 2005-08-05 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 弯曲的二维阵列换能器

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008038183A1 (en) 2008-04-03
TW200826209A (en) 2008-06-16
JP2010504639A (ja) 2010-02-12
CN101517737A (zh) 2009-08-26
CN101517737B (zh) 2012-10-31
EP2070114B1 (en) 2010-01-06
DE602007004242D1 (de) 2010-02-25
ATE454713T1 (de) 2010-01-15
RU2449418C2 (ru) 2012-04-27
JP5175853B2 (ja) 2013-04-03
US20100025785A1 (en) 2010-02-04
US8242665B2 (en) 2012-08-14
EP2070114A1 (en) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009115685A (ru) Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме
JP4553043B2 (ja) 音響的トランスデューサユニット
TW200711068A (en) Semiconductor device and method for making the same, circuit board and method for making the same
TW200610110A (en) LSI package possessing interface function with exterior, circuit device including the same, and manufacturing method of circuit device
US7378776B2 (en) Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric elements using the same
EP1653503A3 (en) Semiconductor device, circuit board, electro-optic device, electronic device
EP1603114A2 (en) Packaged piezoelectric exciter module
MY147728A (en) Process for manufacturing circuit board
TW200802834A (en) Semiconductor device and method for making same
ATE358333T1 (de) Integration optoelektronischer bauelemente
TW200723972A (en) Circuit board module and forming method thereof
EP1764843B1 (en) Piezoelectric ceramic element and piezoelectric components using the same
JPH11508411A (ja) 電子部品、特に弾性表面波により作動する部品―ｓａｗ部品
WO2007061996A3 (en) Ball grid attachment
CN100413386C (zh) 向印刷布线基板安装晶片的方法
KR20100115641A (ko) 연성기판 및 연성기판 결합구조
JP4571012B2 (ja) 台座付水晶振動子
JP2016072305A (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置
JP2007134618A5 (ru)
RU2013104933A (ru) Ультразвуковой датчик для ценных документов, преобразовательный модуль для него и способ изготовления ультразвукового датчика
CN107172565B (zh) 一种可避免在陶瓷片焊接引线的压电蜂鸣片
TW200833206A (en) Electronic component device and method of mounting electronic component
JP2010216991A (ja) プローブカード
ATE418764T1 (de) Anschliessbares gehäuse für ein tragbares objekt
JP2007300173A5 (ru)