RU2008148301A - Устройство и способ хранения данных - Google Patents
Устройство и способ хранения данных Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008148301A RU2008148301A RU2008148301/09A RU2008148301A RU2008148301A RU 2008148301 A RU2008148301 A RU 2008148301A RU 2008148301/09 A RU2008148301/09 A RU 2008148301/09A RU 2008148301 A RU2008148301 A RU 2008148301A RU 2008148301 A RU2008148301 A RU 2008148301A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanowire
- nanowires
- along
- tail
- domain walls
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
- G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0841—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using electric current
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/71—Three dimensional array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/81—Array wherein the array conductors, e.g. word lines, bit lines, are made of nanowires
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/70—Nanostructure
- Y10S977/762—Nanowire or quantum wire, i.e. axially elongated structure having two dimensions of 100 nm or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Communication Control (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Magnetic Treatment Devices (AREA)
Abstract
1. Последовательное устройство хранения данных, содержащее ! подложку; ! массив нанопроводов магнитного материала, скомпонованных в трех измерениях на подложке, при этом нанопровода идут в y-направлении и разнесены друг от друга в x- и z-направлениях, формируя комплект слоев нанопроводов, причем каждый нанопровод сформирован так, чтобы допускать поддержку одиночных магнитных доменов вдоль своей длины, при этом магнитные домены разделены посредством доменных стенок, причем нанопровода имеют множество центров пиннинга доменных стенок вдоль своей длины; ! источник магнитного поля, выполненный с возможностью формировать воздействующее поле, способное перемещать доменные стенки вдоль нанопроводов между центрами пиннинга через действие компонента, который попеременно изменяется между совмещением и антисовмещением с первым направлением вдоль нанопровода; и !формирователь сигналов депиннинга, выполненный с возможностью попеременно применять сигнал депиннинга к центрам пиннинга, содержащим доменные стенки "голова к голове" и "хвост к хвосту", синхронно с совмещением и антисовмещением компонента воздействующего поля с первым направлением, чтобы тем самым перемещать магнитные домены вдоль нанопровода в первом направлении посредством попеременного перемещения доменных стенок "голова к голове" и "хвост к хвосту". ! 2. Устройство по п.1, в котором центры пиннинга создаются посредством размерных изменений вдоль нанопроводов. ! 3. Устройство по п.2, в котором размерными изменениями являются признаки локального сужения или расширения в нанопроводах, чтобы создавать выемки вовнутрь или наружу. ! 4. Устройство по п.3, в к
Claims (30)
1. Последовательное устройство хранения данных, содержащее
подложку;
массив нанопроводов магнитного материала, скомпонованных в трех измерениях на подложке, при этом нанопровода идут в y-направлении и разнесены друг от друга в x- и z-направлениях, формируя комплект слоев нанопроводов, причем каждый нанопровод сформирован так, чтобы допускать поддержку одиночных магнитных доменов вдоль своей длины, при этом магнитные домены разделены посредством доменных стенок, причем нанопровода имеют множество центров пиннинга доменных стенок вдоль своей длины;
источник магнитного поля, выполненный с возможностью формировать воздействующее поле, способное перемещать доменные стенки вдоль нанопроводов между центрами пиннинга через действие компонента, который попеременно изменяется между совмещением и антисовмещением с первым направлением вдоль нанопровода; и
формирователь сигналов депиннинга, выполненный с возможностью попеременно применять сигнал депиннинга к центрам пиннинга, содержащим доменные стенки "голова к голове" и "хвост к хвосту", синхронно с совмещением и антисовмещением компонента воздействующего поля с первым направлением, чтобы тем самым перемещать магнитные домены вдоль нанопровода в первом направлении посредством попеременного перемещения доменных стенок "голова к голове" и "хвост к хвосту".
2. Устройство по п.1, в котором центры пиннинга создаются посредством размерных изменений вдоль нанопроводов.
3. Устройство по п.2, в котором размерными изменениями являются признаки локального сужения или расширения в нанопроводах, чтобы создавать выемки вовнутрь или наружу.
4. Устройство по п.3, в котором признаки локального сужения или расширения сформированы на противостоящих сторонах нанопровода, чтобы предоставлять совпадающие признаки локального сужения или расширения.
5. Устройство по п.1, в котором центры пиннинга создаются посредством перекрестий, сформированных между упомянутыми нанопроводами, простирающимися в y-направлении, и дополнительными нанопроводами, простирающимися в x-направлении.
6. Устройство по любому из пп.1-4, в котором формирователь сигналов депиннинга содержит первую, вторую и третью группу электродов, и в котором формирователь сигналов депиннинга выполнен с возможностью выборочного возбуждения первой, второй и третьей группы электродов.
7. Устройство по п.6, в котором формирователь сигналов депиннинга выполнен с возможностью выборочного возбуждения первой, второй и третьей группы электродов с помощью тока, чтобы вызывать локальный нагрев центров пиннинга.
8. Устройство по п.7, в котором формирователь сигналов депиннинга выполнен с возможностью применять сигнал депиннинга как первое напряжение, поданное к одной из групп электродов, и второе напряжение, поданное к другим группам электродов, с тем, чтобы ток, протекающий через группу электродов, к которой подается первое напряжение, превышал ток, протекающий через другие группы электродов, тем самым предпочтительно нагревая группу электродов, к которой подается первое напряжение.
9. Устройство по п.6, в котором каждая группа электродов содержит первые электродные элементы и вторые электродные элементы, которые проходят мимо какой-либо из сторон центров пиннинга, и в котором формирователь сигналов депиннинга выполнен с возможностью формировать первый и второй токи с различными абсолютными величинами через первый и второй электродные элементы, с тем, чтобы результирующее магнитное поле формировалось вдоль нанопроводов, чтобы предоставлять сигнал депиннинга.
10. Устройство по п.9, в котором первый и второй электродный элементы имеют различное электрическое удельное сопротивление, так что первый и второй токи могут быть сформированы с помощью общего сигнала возбуждения.
11. Устройство по п.1, дополнительно содержащее множество формирователей полей доменообразования, по одному для каждого нанопровода, выполненных с возможностью выборочно создавать новые магнитные домены в нанопроводах посредством локальной подачи поля, по меньшей мере, одного поля доменообразования в позиции ввода.
12. Устройство по п.1, дополнительно содержащее сторону ввода данных, сформированную посредством множества террас, простирающихся в x-направлении, сформированном посредством пошагового завершения каждого слоя нанопроводов.
13. Устройство по п.12, в котором слой нанопроводов, который завершается так, чтобы сформировать каждую террасу, в каждом случае является самым нижним слоем нанопроводов.
14. Устройство по п.12, в котором слой нанопроводов, который завершается так, чтобы сформировать каждую террасу, в каждом случае является самым верхним слоем нанопроводов.
15. Устройство по п.1, дополнительно содержащее множество детекторов магнитных полей, по одному для каждого нанопровода, выполненных с возможностью измерять магнитное поле нанопроводов в позиции считывания.
16. Устройство по п.1, дополнительно содержащее сторону вывода данных, сформированную посредством множества террас, простирающихся в x-направлении, сформированных посредством пошагового завершения каждого слоя нанопроводов.
17. Устройство по п.16, в котором слой нанопроводов, который завершается так, чтобы сформировать каждую террасу, в каждом случае является самым нижним слоем нанопроводов.
18. Устройство по п.16, в котором слой нанопроводов, который завершается так, чтобы сформировать каждую террасу, в каждом случае является самым верхним слоем нанопроводов.
19. Устройство по п.12, в котором террасы сторон ввода и вывода данных, ассоциативно связанные с одним и тем же слоем нанопроводов, имели одинаковый размер в y-направлении.
20. Способ последовательного сохранения данных, кодированных в магнитных доменах нанопровода, причем каждый магнитный домен ограничен посредством доменной стенки "лицом к лицу" и доменной стенки "хвост к хвосту", и нанопровод имеет множество центров пиннинга доменных стенок вдоль его длины, при этом способ содержит этапы, на которых
(a) прикладывают воздействующее поле, которое имеет компонент, который попеременно изменяется между совмещением и несовмещением с первым направлением вдоль нанопровода; и
(b) попеременно подает энергию депиннинга к центрам пиннинга, содержащим доменные стенки "голова к голове" и "хвост к хвосту", синхронно с совмещением и антисовмещением компонента воздействующего поля с первым направлением, с тем, чтобы магнитные домены перемещались вдоль нанопровода в первом направлении посредством попеременного перемещения доменных стенок "голова к голове" и "хвост к хвосту".
21. Способ по п.20, дополнительно содержащий этап, на котором
(c) выборочно создают новые магнитные домены в нанопроводе посредством локальной подачи поля, по меньшей мере, одного поля доменообразования в позиции ввода при выполнении этапов (a) и (b), тем самым вводя данные последовательно в нанопровод в первом направлении.
22. Способ по п.21, в котором позиция ввода находится в конечной части нанопровода, объединенной с концом нанопровода, от которого доменные стенки перемещаются в первом направлении.
23. Способ по п.20 или 21, или 22, дополнительно содержащий этап, на котором
(d) многократно измеряют магнитное поле нанопровода в позиции считывания при выполнении этапов (a) и (b), тем самым выводя считанные данные последовательно из нанопровода в первом направлении.
24. Способ по п.23, в котором позиция считывания находится в конечной части нанопровода, ассоциативно связанной с концом нанопровода, к которому доменные стенки перемещаются в первом направлении.
25. Способ по п.20 или 21, или 22, дополнительно содержащий этап, на котором
(e) попеременно прикладывают энергию депиннинга к центрам пиннинга, содержащим доменные стенки "голова к голове" и "хвост к хвосту", синхронно с антисовмещением и совмещением компонента воздействующего поля с первым направлением, с тем, чтобы магнитные домены перемещались вдоль нанопровода во втором направлении, противоположном первому направлению, посредством попеременного перемещения доменных стенок "голова к голове" и "хвост к хвосту".
26. Способ по п.25, дополнительно содержащий этап, на котором
(f) многократно измеряют магнитное поле нанопровода в позиции считывания при выполнении этапов (a) и (e), тем самым выводя считанные данные последовательно из нанопровода во втором направлении.
27. Способ по п.26, в котором позиция считывания находится в конце нанопровода, в направлении которого доменные стенки перемещаются во втором направлении.
28. Способ по п.20, в котором энергия депиннинга подается посредством электрически вызываемого нагрева.
29. Способ по п.20, в котором энергия депиннинга подается с помощью электродных элементов, которые проходят мимо любой стороны центров пиннинга доменных стенок в направлении, поперечном нанопроводу, и посредством формирования токов различной абсолютной величины вдоль электродных элементов, чтобы наводить результирующее магнитное поле вдоль нанопровода.
30. Способ добавления, сохранения и вывода потоков последовательных данных с помощью нанопроводов магнитного материала, допускающих поддержку одиночных магнитных доменов вдоль их длины, при этом нанопровода имеют множество центров пиннинга доменных стенок вдоль длины, причем каждый нанопровод формируется так, чтобы доменная стенка была мобильной вдоль нанопровода под действием воздействующего поля, имеющего напряженность между полем распространения для нанопровода и локально усиленным полем распространения в центрах пиннинга, при этом способ содержит этапы, на которых
подают воздействующее поле, чтобы сделать доменные стенки мобильными в нанопроводе между соседними центрами пиннинга, при этом нанопровод активен, пока воздействующее поле подается;
выборочно добавляют доменные стенки в нанопровод в позиции добавления посредством подачи локального магнитного поля, по меньшей мере, одного поля доменообразования в позиции добавления, при этом доменные стенки или магнитные домены, заданные посредством их, используются для того, чтобы кодировать данные;
перемещают инжектированные доменные стенки вдоль нанопровода от направления инжектирования пошаговым способом из одного центра пиннинга к следующему посредством подачи энергии депиннинга к выбранным центрам пиннинга, пока нанопровод активирован, с тем, чтобы временно уменьшать локально усиленное поле распространения в выбранных центрах пиннинга до значения ниже воздействующего поля; и
измеряют магнитное поле нанопровода, по меньшей мере, в одной позиции считывания нанопровода, чтобы считывать данные, кодируемые посредством доменов или доменных стенок.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0609152A GB2438003B (en) | 2006-05-09 | 2006-05-09 | Data storage device and method |
| GB0609152.4 | 2006-05-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008148301A true RU2008148301A (ru) | 2010-06-20 |
Family
ID=36637150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008148301/09A RU2008148301A (ru) | 2006-05-09 | 2007-05-04 | Устройство и способ хранения данных |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2016592B1 (ru) |
| JP (1) | JP2009536420A (ru) |
| KR (1) | KR20090011013A (ru) |
| CN (1) | CN101438354A (ru) |
| AT (1) | ATE443331T1 (ru) |
| DE (1) | DE602007002494D1 (ru) |
| GB (2) | GB2438003B (ru) |
| IL (1) | IL194830A0 (ru) |
| RU (1) | RU2008148301A (ru) |
| TW (1) | TW200814070A (ru) |
| WO (1) | WO2007132174A1 (ru) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008139131A1 (en) * | 2007-05-09 | 2008-11-20 | Ingenia Holdings (Uk) Limited | Data storage device and method |
| US7710769B2 (en) | 2007-05-09 | 2010-05-04 | Ingenia Holdings Uk Limited | Data storage device and method |
| FR2930385B1 (fr) * | 2008-04-16 | 2011-10-14 | Commissariat Energie Atomique | Disositif magnetique pour la realisation d'une "fonction logique". |
| KR101430170B1 (ko) * | 2008-06-16 | 2014-08-13 | 삼성전자주식회사 | 자구벽 이동을 이용한 정보저장장치의 구동방법 |
| GB2465369B (en) * | 2008-11-13 | 2011-01-12 | Ingenia Holdings | Magnetic data storage device and method |
| KR101584099B1 (ko) | 2009-08-19 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 자성층을 구비한 트랙 및 이를 포함하는 자성소자 |
| US8331125B2 (en) | 2009-08-26 | 2012-12-11 | International Business Machines Corporation | Array architecture and operation for high density magnetic racetrack memory system |
| EP2378664A1 (en) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | Technische Universität München | Magnetic device |
| JP2014078637A (ja) * | 2012-10-11 | 2014-05-01 | Rohm Co Ltd | ホール素子、磁気センサ、および磁気記録装置 |
| US8772889B2 (en) | 2012-11-20 | 2014-07-08 | International Business Machines Corporation | Magnetic domain wall shift register memory device readout |
| EP2747086A1 (en) | 2012-12-24 | 2014-06-25 | Johannes Gutenberg-Universität Mainz | Magnetic device switchable by magnetic domain wall motion and method of operating the device |
| KR102144734B1 (ko) | 2013-10-25 | 2020-08-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 장치 제조 방법 |
| WO2015144049A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Magnetic domain wall filters |
| JP6397773B2 (ja) | 2015-01-30 | 2018-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気記憶装置及び磁気記憶方法 |
| KR101752287B1 (ko) * | 2015-03-13 | 2017-07-03 | 지스마트 주식회사 | 투명전광판 설치용 창호 프레임 |
| WO2016198886A1 (en) | 2015-06-10 | 2016-12-15 | The University Of Nottingham | Magnetic storage devices and methods |
| US10408896B2 (en) | 2017-03-13 | 2019-09-10 | University Of Utah Research Foundation | Spintronic devices |
| JP2021149769A (ja) | 2020-03-23 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | メモリシステムおよびシフトレジスタ型メモリ |
| JP7470599B2 (ja) * | 2020-08-19 | 2024-04-18 | Tdk株式会社 | 配線層、磁壁移動素子および磁気アレイ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195250A (ja) * | 1998-12-24 | 2000-07-14 | Toshiba Corp | 磁気メモリ装置 |
| EP1630819B1 (en) * | 2002-07-25 | 2009-01-14 | California Institute of Technology | Three-dimensional memory array |
| GB0304610D0 (en) * | 2003-02-28 | 2003-04-02 | Eastgate Invest Ltd | Magnetic logic system |
| US6834005B1 (en) * | 2003-06-10 | 2004-12-21 | International Business Machines Corporation | Shiftable magnetic shift register and method of using the same |
| JP2006005308A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 不揮発性磁気メモリ |
| US7236386B2 (en) * | 2004-12-04 | 2007-06-26 | International Business Machines Corporation | System and method for transferring data to and from a magnetic shift register with a shiftable data column |
| US20100157662A1 (en) * | 2005-04-26 | 2010-06-24 | Teruo Ono | Mram and method for writing in mram |
| KR100718153B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 마그네틱 도메인 이동을 이용한 자기메모리 |
-
2006
- 2006-05-09 GB GB0609152A patent/GB2438003B/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-04 JP JP2009508467A patent/JP2009536420A/ja not_active Ceased
- 2007-05-04 DE DE602007002494T patent/DE602007002494D1/de active Active
- 2007-05-04 CN CNA2007800166842A patent/CN101438354A/zh active Pending
- 2007-05-04 KR KR1020087029906A patent/KR20090011013A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-05-04 AT AT07732679T patent/ATE443331T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-05-04 GB GB0708737A patent/GB2438062B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-05-04 RU RU2008148301/09A patent/RU2008148301A/ru not_active Application Discontinuation
- 2007-05-04 EP EP07732679A patent/EP2016592B1/en not_active Not-in-force
- 2007-05-04 WO PCT/GB2007/001650 patent/WO2007132174A1/en active Application Filing
- 2007-05-09 TW TW096116535A patent/TW200814070A/zh unknown
-
2008
- 2008-10-22 IL IL194830A patent/IL194830A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB0609152D0 (en) | 2006-06-21 |
| JP2009536420A (ja) | 2009-10-08 |
| GB2438062B (en) | 2008-08-13 |
| IL194830A0 (en) | 2009-08-03 |
| ATE443331T1 (de) | 2009-10-15 |
| GB0708737D0 (en) | 2007-06-13 |
| EP2016592B1 (en) | 2009-09-16 |
| GB2438062A (en) | 2007-11-14 |
| WO2007132174A1 (en) | 2007-11-22 |
| DE602007002494D1 (de) | 2009-10-29 |
| GB2438003B (en) | 2008-05-14 |
| CN101438354A (zh) | 2009-05-20 |
| TW200814070A (en) | 2008-03-16 |
| EP2016592A1 (en) | 2009-01-21 |
| GB2438003A (en) | 2007-11-14 |
| KR20090011013A (ko) | 2009-01-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008148301A (ru) | Устройство и способ хранения данных | |
| CN100403447C (zh) | 磁阻随机存取存储器写入装置及方法 | |
| US11971462B2 (en) | Magnetic field sensor with increased SNR | |
| CN101026002B (zh) | 使用磁畴运动的磁存储器装置 | |
| CN106688041A (zh) | 应变辅助自旋力矩翻转自旋转移力矩存储器 | |
| CN101026001A (zh) | 利用磁畴运动的磁存储器 | |
| CN1745429A (zh) | 用于低功耗和高选择性的mram结构 | |
| CN103827969B (zh) | 反铁磁性存储设备 | |
| CN101647117A (zh) | 三维交叉杆阵列系统以及用于向三维交叉杆阵列结写信息和读取在其中存储的信息的方法 | |
| US20130208536A1 (en) | Magnetic random access memory device and method for producing a magnetic random access memory device | |
| JPWO2007116583A1 (ja) | 磁気センサー素子及び磁気センサー | |
| CN100585741C (zh) | 用于在铁磁导管中移动磁畴壁的驱动系统和方法 | |
| CN110418844A (zh) | 用于生物细胞注射的针操纵器的阵列 | |
| US10026431B2 (en) | Magnetic shift register | |
| KR100983511B1 (ko) | 나노 튜브 또는 나노 와이어의 네트워크를 이용하는 메모리소자 및 그 제조 방법 | |
| Carter et al. | Soliton switching and its implications for molecular electronics | |
| US9117523B1 (en) | Chainlink memory | |
| JP2009130197A (ja) | 磁気メモリ及びその製造方法 | |
| CN102339826B (zh) | 一种器件匹配的集成电路及其设计方法 | |
| WO2024058046A1 (ja) | 半導体量子装置 | |
| WO2015112214A2 (en) | Magnetic shift register | |
| Xing et al. | Field-driven skyrmion motion through velocity equipartition between skyrmions and a domain wall | |
| Lu et al. | Electric Field Guided Self-Assembly of Molecules | |
| CN107356189A (zh) | 一种时栅直线位移传感器 | |
| Eshaghian-Wilner | The Architectural Designs of a Nanoscale Computing Model |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20100505 |