RU2008143663A - Технологическая печь или подобное оборудование - Google Patents
Технологическая печь или подобное оборудование Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008143663A RU2008143663A RU2008143663/02A RU2008143663A RU2008143663A RU 2008143663 A RU2008143663 A RU 2008143663A RU 2008143663/02 A RU2008143663/02 A RU 2008143663/02A RU 2008143663 A RU2008143663 A RU 2008143663A RU 2008143663 A RU2008143663 A RU 2008143663A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas
- furnace
- reaction chamber
- heating
- volume
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 28
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000001171 gas-phase infiltration Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02T—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
- Y02T50/00—Aeronautics or air transport
- Y02T50/60—Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
1. Печь для химической инфильтрации из газовой фазы/химического осаждения из газовой фазы, содержащая наружный кожух (12, 12') печи; реакционную камеру (14, 14'), расположенную в кожухе печи и предназначенную для приема подлежащего обработке элемента; нагревательную систему (22) для нагревания по меньшей мере реакционной камеры; и систему циркуляции газа-реагента, предназначенную для введения газа-реагента в реакционную камеру извне кожуха печи и для передачи газа-реагента из реакционной камеры вовне кожуха печи, ! отличающаяся тем, что наружный кожух печи и реакционная камера ограничивают первый объем между внутренней стороной кожуха печи и наружной стороной реакционной камеры и второй объем внутри реакционной камеры, причем первый объем разделен на первую часть, образующую зону нагревания, в которой размещена нагревательная система, и вторую часть, в которой присутствует газ-реагент, при этом зона нагревания герметично изолирована относительно второй части с газом-реагентом, а также тем, что дополнительно содержит систему (34) циркуляции инертного газа, выполненную и размещенную с возможностью подачи инертного газа в зону нагревания со скоростью, обеспечивающей положительный перепад давления по отношению к давлению газа-реагента внутри остальной части первого объема, в которой присутствует газ-реагент, для препятствования прохождению потока газа-реагента в зону нагревания, тем самым предотвращения контакта газа-реагента с нагревательной системой. ! 2. Печь по п.1, отличающаяся тем, что содержит первый датчик (38) давления, выполненный и размещенный с возможностью определения давления (Р1) в зоне нагревания, при э
Claims (13)
1. Печь для химической инфильтрации из газовой фазы/химического осаждения из газовой фазы, содержащая наружный кожух (12, 12') печи; реакционную камеру (14, 14'), расположенную в кожухе печи и предназначенную для приема подлежащего обработке элемента; нагревательную систему (22) для нагревания по меньшей мере реакционной камеры; и систему циркуляции газа-реагента, предназначенную для введения газа-реагента в реакционную камеру извне кожуха печи и для передачи газа-реагента из реакционной камеры вовне кожуха печи,
отличающаяся тем, что наружный кожух печи и реакционная камера ограничивают первый объем между внутренней стороной кожуха печи и наружной стороной реакционной камеры и второй объем внутри реакционной камеры, причем первый объем разделен на первую часть, образующую зону нагревания, в которой размещена нагревательная система, и вторую часть, в которой присутствует газ-реагент, при этом зона нагревания герметично изолирована относительно второй части с газом-реагентом, а также тем, что дополнительно содержит систему (34) циркуляции инертного газа, выполненную и размещенную с возможностью подачи инертного газа в зону нагревания со скоростью, обеспечивающей положительный перепад давления по отношению к давлению газа-реагента внутри остальной части первого объема, в которой присутствует газ-реагент, для препятствования прохождению потока газа-реагента в зону нагревания, тем самым предотвращения контакта газа-реагента с нагревательной системой.
2. Печь по п.1, отличающаяся тем, что содержит первый датчик (38) давления, выполненный и размещенный с возможностью определения давления (Р1) в зоне нагревания, при этом система циркуляции инертного газа содержит регулятор (36) потока, функционирующий в соответствии с давлением, определенным в зоне нагревания, таким образом, чтобы задавать расход инертного газа, обеспечивающий заранее заданное давление в зоне нагревания.
3. Печь по п.2, отличающаяся тем, что содержит второй датчик (40) давления, выполненный и размещенный с возможностью определения давления (Р2) во второй части первого объема, в которой присутствует газ-реагент, при этом регулятор потока системы циркуляции инертного газа выполнен и размещен с возможностью управления потоком инертного газа в зону нагревания по меньшей мере частично на основе давления (Р2), определенного во второй части первого объема, таким образом, чтобы получать заранее заданный положительный перепад давления между зоной нагревания и второй частью первого объема.
4. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что содержит устройство тревоги для сигнализации об изменении потока инертного газа, необходимого для поддержания заданного давления в зоне нагревания.
5. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что нагревательная система представляет собой индуктивную нагревательную систему.
6. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что нагревательная система представляет собой резистивную нагревательную систему.
7. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что реакционная камера содержит один или большее количество элементов (16) стенки, элемент (18) пола и верхний элемент (20).
8. Печь по п.7, отличающаяся тем, что содержит трубопровод (26) для впуска газа-реагента, расположенный с возможностью передачи газа-реагента извне кожуха печи к отверстию (24) для впуска газа-реагента, выполненному в реакционной камере.
9. Печь по п.7, отличающаяся тем, что снабжена отверстием (28) для выпуска газа-реагента, выполненным в реакционной камере.
10. Печь по п.8, отличающаяся тем, что снабжена отверстием (28) для выпуска газа-реагента, выполненным в реакционной камере.
11. Печь по п.9, отличающаяся тем, что содержит выпуск (30) газа-реагента, выполненный в кожухе печи.
12. Печь по п.2 или 3, отличающаяся тем, что содержит контроллер для автоматического управления регулятором потока на основе давления, определенного в зоне нагревания, или давления, определенного во второй области первого объема, либо на основе обоих указанных давлений.
13. Печь по п.1, отличающаяся тем, что содержит разделяющую стенку (32) для отделения зоны нагревания от второй части первого объема, причем разделяющая стенка включает в себя по меньшей мере один керамический слой.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0651455A FR2900226B1 (fr) | 2006-04-25 | 2006-04-25 | Four de traitement ou analogue |
| FR0651455 | 2006-04-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008143663A true RU2008143663A (ru) | 2010-05-27 |
| RU2421544C2 RU2421544C2 (ru) | 2011-06-20 |
Family
ID=37116170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008143663/02A RU2421544C2 (ru) | 2006-04-25 | 2007-04-24 | Технологическая печь или подобное оборудование |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070256639A1 (ru) |
| EP (1) | EP1849889A1 (ru) |
| JP (1) | JP5567332B2 (ru) |
| KR (1) | KR20080111154A (ru) |
| CN (1) | CN101063195A (ru) |
| AU (1) | AU2007242730B2 (ru) |
| BR (1) | BRPI0711411A2 (ru) |
| CA (1) | CA2649986A1 (ru) |
| FR (1) | FR2900226B1 (ru) |
| IL (1) | IL194837A0 (ru) |
| MX (1) | MX2008013643A (ru) |
| RU (1) | RU2421544C2 (ru) |
| TW (1) | TW200746876A (ru) |
| UA (1) | UA94098C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007122225A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101178046B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2012-08-29 | 한국실리콘주식회사 | 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기 |
| CN102374780A (zh) * | 2010-08-12 | 2012-03-14 | 北京大方科技有限责任公司 | 一种平焰炉的结构设计方案 |
| WO2013055967A1 (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Integrated Photovoltaic, Inc. | Photovoltaic substrate |
| CN102534567B (zh) | 2012-03-21 | 2014-01-15 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法 |
| FR2993044B1 (fr) * | 2012-07-04 | 2014-08-08 | Herakles | Dispositif de chargement et installation pour la densification de preformes poreuses tronconiques et empilables |
| FR2993555B1 (fr) * | 2012-07-19 | 2015-02-20 | Herakles | Installation d'infiltration chimique en phase vapeur a haute capacite de chargement |
| CN102889791B (zh) * | 2012-09-27 | 2014-11-19 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 炉体排风控制装置 |
| CN105862013B (zh) * | 2016-06-17 | 2018-07-06 | 南京大学 | 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置 |
| CN107151779B (zh) * | 2017-05-27 | 2019-04-16 | 西华大学 | 渗氮可控的零污染离子氮化装置 |
| CN109197927B (zh) * | 2018-08-31 | 2020-12-04 | 东莞市华美食品有限公司 | 一种基于物联网控制的食品智能烘烤系统 |
| CN110242969B (zh) * | 2019-05-23 | 2020-12-01 | 北京科技大学 | 一种焚硫炉 |
| CN115094402B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-04-11 | 清华大学 | 一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
| FR2594119B1 (fr) * | 1986-02-10 | 1988-06-03 | Europ Propulsion | Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone |
| US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
| JPH07108836B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1995-11-22 | 株式会社日本生産技術研究所 | 減圧ｃｖｄ装置 |
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JPH05214540A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-24 | Hitachi Ltd | Ｃｖｄ反応のモニタ方法 |
| KR100251873B1 (ko) * | 1993-01-21 | 2000-04-15 | 마쓰바 구니유키 | 종형 열처리 장치 |
| FR2714076B1 (fr) * | 1993-12-16 | 1996-03-15 | Europ Propulsion | Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium. |
| US6284312B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-09-04 | Gt Equipment Technologies Inc | Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon |
| US6228174B1 (en) * | 1999-03-26 | 2001-05-08 | Ichiro Takahashi | Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements |
| DE1257684T1 (de) * | 2000-02-18 | 2003-06-26 | Gt Equipment Technologies Inc | Cvd-verfahren und -vorrichtung zum abscheiden von polysilizium |
| US7220312B2 (en) * | 2002-03-13 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Methods for treating semiconductor substrates |
| JP4263024B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2009-05-13 | 株式会社ヒューモラボラトリー | 炭素薄膜の製造方法および製造装置 |
-
2006
- 2006-04-25 FR FR0651455A patent/FR2900226B1/fr active Active
-
2007
- 2007-04-23 US US11/738,532 patent/US20070256639A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-24 KR KR1020087028502A patent/KR20080111154A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-04-24 BR BRPI0711411-7A patent/BRPI0711411A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-04-24 UA UAA200812518A patent/UA94098C2/ru unknown
- 2007-04-24 WO PCT/EP2007/053973 patent/WO2007122225A1/en active Application Filing
- 2007-04-24 MX MX2008013643A patent/MX2008013643A/es active IP Right Grant
- 2007-04-24 AU AU2007242730A patent/AU2007242730B2/en not_active Ceased
- 2007-04-24 CA CA002649986A patent/CA2649986A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-24 JP JP2009507056A patent/JP5567332B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-24 RU RU2008143663/02A patent/RU2421544C2/ru active
- 2007-04-25 EP EP07106956A patent/EP1849889A1/en not_active Withdrawn
- 2007-04-25 TW TW096114641A patent/TW200746876A/zh unknown
- 2007-04-25 CN CNA2007101047077A patent/CN101063195A/zh active Pending
-
2008
- 2008-10-22 IL IL194837A patent/IL194837A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101063195A (zh) | 2007-10-31 |
| CA2649986A1 (en) | 2007-11-01 |
| JP2009534541A (ja) | 2009-09-24 |
| KR20080111154A (ko) | 2008-12-22 |
| BRPI0711411A2 (pt) | 2011-11-01 |
| AU2007242730A1 (en) | 2007-11-01 |
| AU2007242730B2 (en) | 2012-02-23 |
| EP1849889A1 (en) | 2007-10-31 |
| IL194837A0 (en) | 2009-08-03 |
| US20070256639A1 (en) | 2007-11-08 |
| FR2900226B1 (fr) | 2017-09-29 |
| WO2007122225A1 (en) | 2007-11-01 |
| UA94098C2 (ru) | 2011-04-11 |
| TW200746876A (en) | 2007-12-16 |
| RU2421544C2 (ru) | 2011-06-20 |
| JP5567332B2 (ja) | 2014-08-06 |
| MX2008013643A (es) | 2008-11-10 |
| FR2900226A1 (fr) | 2007-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008143663A (ru) | Технологическая печь или подобное оборудование | |
| TWI378207B (ru) | ||
| US8162298B2 (en) | Method for vaporizing liquid material capable of vaporizing liquid material at low temperature and vaporizer using the same | |
| KR20110020731A (ko) | 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 기억 매체 | |
| CN104011478A (zh) | 即热式热水器 | |
| KR20010031096A (ko) | 게터안전장치를 갖는 반도체제조시스템 | |
| KR102447439B1 (ko) | 수처리 장치용 온수생성모듈 | |
| KR20150112874A (ko) | 프리커서의 벌크 기화를 위한 시스템들 및 방법들 | |
| US5785762A (en) | External combustion oxidation apparatus | |
| CN108389770B (zh) | 臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法 | |
| US20150013604A1 (en) | Chamber pressure control apparatus for near atmospheric epitaxial growth system | |
| JPH10176272A (ja) | クリーニング方法及びクリーニング装置 | |
| JP2007314863A (ja) | ガス分離装置及び成膜装置 | |
| JP2000072405A (ja) | 水分発生用反応炉 | |
| US12000043B2 (en) | Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus | |
| JP2016119012A (ja) | マスフローコントローラ及び気化システム | |
| KR101502081B1 (ko) | 반응로 내의 압력 변동폭을 감소시킬 수 있는 가스화기 장치 | |
| CN215327246U (zh) | 液体混合设备 | |
| KR20100129287A (ko) | 배출 열 에너지를 절약하기 위한 시스템 및 방법 | |
| KR20140006252U (ko) | 정수기용 히터모듈 | |
| JP2006313857A (ja) | ゲル状物質の処理方法、および処理装置 | |
| JP2006112712A (ja) | 減圧気化冷却装置 | |
| JPH10135142A (ja) | 不純物拡散装置 | |
| JP5054325B2 (ja) | 縦型炉用マニホールド及び縦型炉 | |
| JP2005087823A (ja) | 中和処理器および熱交換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20130610 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |