RU2421544C2 - Технологическая печь или подобное оборудование - Google Patents

Технологическая печь или подобное оборудование Download PDF

Info

Publication number
RU2421544C2
RU2421544C2 RU2008143663/02A RU2008143663A RU2421544C2 RU 2421544 C2 RU2421544 C2 RU 2421544C2 RU 2008143663/02 A RU2008143663/02 A RU 2008143663/02A RU 2008143663 A RU2008143663 A RU 2008143663A RU 2421544 C2 RU2421544 C2 RU 2421544C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
furnace
gas
reaction chamber
heating zone
volume
Prior art date
Application number
RU2008143663/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2008143663A (ru
Inventor
Лоран ЛАНВИН (FR)
Лоран ЛАНВИН
Филипп ЖУАННАР (FR)
Филипп ЖУАННАР
Original Assignee
Месье-Бугатти
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Месье-Бугатти filed Critical Месье-Бугатти
Publication of RU2008143663A publication Critical patent/RU2008143663A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2421544C2 publication Critical patent/RU2421544C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T50/00Aeronautics or air transport
    • Y02T50/60Efficient propulsion technologies, e.g. for aircraft

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

Изобретение относится к печам для химической инфильтрации из газовой фазы или химического осаждения из газовой фазы. Печь содержит наружный кожух, реакционную камеру, расположенную в кожухе, нагревательную систему и систему циркуляции газа-реагента. Наружный кожух печи и реакционная камера ограничивают первый объем между внутренней стороной кожуха печи и наружной стороной реакционной камеры и второй объем внутри реакционной камеры. Первый объем разделен на первую часть, образующую зону нагревания, в которой размещена нагревательная система, и вторую часть, в которой присутствует газ-реагент. При этом зона нагревания герметично изолирована относительно второй части. Печь дополнительно содержит систему циркуляции инертного газа, выполненную и размещенную с возможностью подачи инертного газа в зону нагревания со скоростью, обеспечивающей положительный перепад давления по отношению к давлению газа-реагента внутри второй части первого объема, в которой присутствует газ-реагент для препятствования прохождению потока газа-реагента в зону нагревания. Конструкция позволяет предотвратить контакт газа-реагента с нагревательной системой, что повышает надежность и долговечность устройства. 12 з.п. ф-лы, 2 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение в наиболее общем виде относится к термокамерам, печам, технологическим камерам и подобному оборудованию, в котором газ-реагент вводится как часть технологической операции. В частном примере осуществления изобретение относится к печам для химической инфильтрации из газовой фазы/химического осаждения из газовой фазы (CVI/CVD-печам), в которые вводится газ-реагент в качестве составляющей способа уплотнения пористых элементов, таких как пористые заготовки для тормозов.
Уровень техники
Общеизвестно использование термокамер, печей, технологических камер и другого подобного оборудования, в которое как часть технологической операции вводится газ-реагент. В дальнейшем встречающийся в описании термин "печь" следует понимать как термин, в равной степени применимый к термокамерам и другим технологическим камерам этого типа в целом. Примером в этом отношении может служить инфильтрация из газовой фазы, где представляющий собой прекурсор газ-реагент вводится в печь, в которую помещают пористые элементы, такие как, например, пористые заготовки тормозных дисков, но не ограничиваясь данными элементами.
Как правило, традиционная печь включает в себя наружный кожух печи, предусмотренное в нем рабочее пространство или реакционную камеру, куда помещают подлежащие обработке объекты или элементы, систему для перемещения газа-реагента в печь и из печи, а также нагревательную систему для нагревания по меньшей мере внутренней части реакционной камеры.
Газ-реагент известным способом заставляют просачиваться (обеспечивают его инфильтрацию) в пористую структуру пористых элементов. Газ-реагент может представлять собой углеводородный газ, такой как пропан.
В одном из известных примеров газ-реагент вводится во внутренний объем, определяемый стопкой по существу выровненных кольцевых заготовок тормозных дисков, помещенных в реакционную камеру печи. Вообще говоря, газ заставляют двигаться из внутреннего объема стопки к наружной части стопки путем диффундирования через пористую (например, волокнистую) структуру заготовок и/или через промежутки между соседними заготовками.
С помощью нагревательной системы нагревается по меньшей мере внутренняя часть реакционной камеры. Таким образом, из-за относительно высокой температуры заготовок тормозных дисков газ-реагент подвергается пиролизу и оставляет продукт распада на внутренних поверхностях пористой структуры. В случае углеводородного газа, например, продуктом распада является пироуглерод, так что в результате получается углеродный композитный материал (такой, как материал системы углерод-углерод).
Примером традиционной нагревательной системы для таких печей может служить индукционная нагревательная система. В такой системе реакционная камера может быть изготовлена из такого материала, как графит, с тем, чтобы играть роль сусцептора. Предусматривается также система для обеспечения необходимого магнитного поля, например, в виде одной или большего количества электрических обмоток, функционально примыкающих по меньшей мере к части сусцептора. Когда на электрические обмотки подается достаточный переменный ток, получающееся магнитное поле известным образом вызывает индукционный нагрев сусцептора.
Другим видом традиционной нагревательной системы является резистивное нагревание, где электрический ток проходит через резистивный элемент, который в результате нагревается. Использование резистивного нагревания обычно влечет использование резистивного элемента дополнительно к конструкции, задающей реакционную камеру.
Для увеличения теплового КПД как в случае индукционной нагревательной системы, так и в случае резистивной нагревательной системы вокруг наружной части реакционной камеры может быть предусмотрена теплоизоляция.
Однако газ-реагент, введенный в реакционную камеру, стремится просочиться или диффундировать из реакционной камеры в пространство, находящееся в пределах печи, но вне реакционной камеры.
В частности, в процессе CVI/CVD газ-реагент является прекурсором для осаждаемого продукта распада (такого, как карбидное или углеродистое отложение). Если газ-реагент будет доходить до изоляции или нагревательной системы, то на этих конструкциях могут образовываться и накапливаться осаждения, что вызывает ухудшение функционирования, надежности и/или долговечности.
Раскрытие изобретения
В свете вышеизложенного, в CVI/CVD-печи желательно по существу изолировать нагревательную систему (и соответствующую теплоизоляцию при ее наличии) от используемого в печи газа-реагента.
С этой целью настоящее изобретение предполагает задание зоны в кожухе CVI/CVD-печи, в которой нагревательная система (включая соответствующую теплоизоляцию при ее наличии) по существу изолирована от контакта с газом-реагентом, используемым в CVI/CVD-процессе.
В одном аспекте изолированная зона (иногда называемая в настоящем документе "зоной нагревания") в кожухе печи физически изолирована элементом стенки, расположенным в пределах кожуха печи так, чтобы задавать зону нагревания.
В дополнительном аспекте настоящее изобретение предполагает введение потока инертного газа в зону нагревания так, чтобы установить незначительный положительный перепад давления по отношению к давлению газа-реагента внутри реакционной камеры. Данный перепад давления дополнительно сдерживает проникновение газа-реагента в зону нагревания.
Краткое описание чертежей
Настоящее изобретение можно понять лучше при рассмотрении прилагаемых чертежей, где
фиг.1 представляет собой схематический вид поперечного сечения технологической печи по настоящему изобретению, в которой используется индукционная система нагревания; и
фиг.2 представляет собой частичный вид поперечного сечения, иллюстрирующий альтернативное использование резистивной нагревательной системы, как предусмотрено в настоящем изобретении.
Осуществление изобретения
Для упрощения описания изобретения сначала будет изложен пример индукционно нагреваемой печи. Далее, со ссылкой на фиг.2 будет проиллюстрирована возможность применения настоящего изобретения для печи, использующей резистивное нагревание.
Вообще говоря, печь 10, используемая для процесса CVI/CVD, содержит наружный кожух 12 печи, отделяющий внутреннюю часть печи 10 от внешнего окружения и задающий в ней некоторый объем.
Внутри объема печи 10 предусмотрен сусцептор 14. Как хорошо известно в данной области техники, сусцептор, как правило, представляет собой конструкцию, которая нагревается в присутствии магнитного поля, создаваемого переменным током. Сусцептор 14 в CVI/CVD-печи может содержать, например, одну или большее количество стенок 16, пол 18 и верхний элемент 20, которые совместно определяют другой объем или реакционную камеру в пределах общего объема внутри печи 10. Подлежащие обработке объекты, такие как пористые заготовки тормозных дисков, помещают в объем 21, задаваемый сусцептором 14.
Система для нагревания печи в общем виде показана под ссылочным обозначением 22. Например, в случае индукционно нагреваемой печи нагревательная система 22 представляет собой одну или большее количество обычных электрических обмоток, присоединенных к наружному источнику электроснабжения соответствующей мощности. Предполагается, что электрические обмотки такого типа хорошо известны специалистам в данной области техники и поэтому здесь не иллюстрируются и подробно не описываются.
Чтобы увеличить эффективность нагревания сусцептора 14, на наружной части одной или большего количества поверхностей сусцептора 14 предусмотрена теплоизоляция 23. Берется изоляция, обычно используемая в данной области техники, такая как теплоизоляционный материал с керамической основой или изоляция из углеродных волокон, в особенности, углеродные волокна, образующие последовательно сложенные слои.
В сусцепторе 14 предусмотрены одно или большее количество отверстий 24 для впуска газа (с целью упрощения изображения на фиг.1 показано одно отверстие 24 для впуска газа). Газ-реагент, например углеводородный газ, вводится в печь 10 посредством трубопровода 26, который пересекает стенку 12 печи с наружной стороны. Трубопровод 26 по меньшей мере совпадает с отверстием 24 для впуска газа и может прикрепляться к нему или относительно него любым подходящим способом, например болтами или посредством сварки. В общем смысле предпочтительно, чтобы на границе между трубопроводом 26 и сусцептором 14 было лишь незначительное просачивание газа-реагента или не было вообще никакого просачивания. Поток газа-реагента через трубопровод 26 показан на фиг.1 стрелкой, обозначенной как А.
Как правило, газ-реагент выпускается (с помощью обычных способов перемещения газа, таких как вентиляторы, всасывающие газодувки и т.п., которые не показаны) или выходит каким-либо иным способом из рабочего пространства посредством одного или большего количества отверстий 28 для выпуска газа, как показано стрелками В. Далее, газ-реагент выходит или принуждается к выходу из печи 10 посредством одного или большего количества выпусков 30 печи, как в целом показано стрелками С.
В соответствии с примером осуществления настоящего изобретения внутренний объем печи, определяемый кожухом 12, может быть поделен таким образом, чтобы определить границы вышеупомянутой зоны нагревания. Например, как видно на фиг.1, предусмотрена кольцевая «планка», или стенка 32, которая проходит в радиальном направлении между внутренней поверхностью кожуха 12 и наружной поверхностью сусцептора 14. Стенка 32 неподвижно фиксируется с помощью обычных способов фиксации, подходящих для условий функционирования внутри печи 10. Если говорить более конкретно, то стенка 32 герметизируется (например, с помощью сварки или использования физических герметизирующих элементов) как на ее внутреннем крае, так и на внешнем крае по радиальному направлению так, чтобы вследствие этого получалось полностью газонепроницаемое уплотнение, препятствующее прохождению газа. Желательно, чтобы стенка 32 содержала сборку из слоев, например, в виде стопки жестких и/или гибких керамических слоев.
Инертный газ, такой как аргон или азот, подается в зону нагревания посредством трубопровода 34 для подачи инертного газа, как показано на фиг.1 стрелкой D.
Поток (расход) D инертного газа может регулироваться традиционным клапаном 36. С помощью данной регулировки клапана 36 можно получить поток D газа, который будет поддерживать в зоне нагревания заранее заданное давление Р1 (определяемое схематически изображенным датчиком 38 давления).
Параллельно этому, другим датчиком 40 давления измеряется давление Р2 в другой части объема, заданного в кожухе 32 печи, в которой присутствует газ-реагент (иногда называемой в настоящем документе "зоной реагента").
Определенные таким образом значения давления Р1 и Р2 могут быть вместе переданы на клапанный контроллер 42 (предпочтительно автоматический клапанный контроллер), так чтобы поток D инертного газа поддерживал заданный положительный перепад давления в зоне нагревания относительно остального объема в кожухе 10 печи. Например, поддерживаемый перепад давления может составлять от приблизительно +0,5 до приблизительно +5 миллибар в пользу зоны нагревания, а точнее от приблизительно +1 до приблизительно +2 миллибар в пользу зоны нагревания. Это незначительное избыточное давление в зоне нагревания также препятствует любому просачиванию или иному поступлению газа-реагента в зону нагревания.
Как упоминалось выше, предпочтительно автоматическое определение давлений Р1 и Р2. Например, перепад давлений между давлениями, определенными каждым из датчиков 38, 40 давления, может автоматически вычисляться через равные интервалы и передаваться на клапанный контроллер 42. Там этот результат может быть использован для автоматического регулирования потока В инертного газа в зону нагревания.
Следует понимать, что поток инертного газа, кроме того, можно контролировать. При этом необычно высокий расход инертного газа с целью поддержания заданного давления в зоне нагревания следует воспринимать как признак утечки газа в цельной конструкции зоны нагревания, в частности через стенку 32. Это определение может использоваться для подачи тревожного сигнала, воспринимаемого пользователем, или же оно может быть использовано как сигнал для запуска системы управления с целью автоматического запуска процедуры реагирования.
Применение настоящего изобретения в отношении печи, которая вместо этого нагревается с помощью резистивной нагревательной системы, по существу не отличается от применения в случае индуктивно нагреваемой печи. Фиг.2 представляет собой частичный вид поперечного сечения, иллюстрирующий пример размещения элементов в резистивной нагревательной системе, однако, в принципе, здесь применимы те же самые идеи, что и объясненные выше. Именно часть объема, определяемого кожухом 12' печи, в котором расположена резистивная нагревательная система, отделена с обеспечением газонепроницаемости от остального объема кожуха 12' печи, где присутствует газ-реагент. Реакционная камера 14' расположена в кожухе 12' печи, туда помещаются объекты, подлежащие обработке. Затем один или большее количество резистивных элементов 25 могут быть размещены в контакте с наружной частью реакционной камеры 14' или по меньшей мере рядом с ней. Резистивные элементы 25 могут иметь различные традиционные конструкции. В одном характерном примере резистивные элементы представляют собой вытянутые элементы.
Так же как и в индукционно нагреваемой печи, для увеличения теплового КПД печи может быть предусмотрен слой теплоизоляции 23'.
Однако, несмотря на иное расположение системы нагревания в случае использования резистивного нагрева, внутри кожуха 12' применима точно такая же общая конфигурация, как и у индукционно нагреваемой печи. Именно элементы резистивной нагревательной системы аналогичным образом изолируются от части печи, содержащей газ-реагент, поэтому описание размещения разделяющей стенки и системы инертного газа здесь не повторяется.
Несмотря на то что настоящее изобретение было описано выше со ссылкой на определенные конкретные примеры в целях иллюстрации и объяснения, следует понимать, что изобретение не ограничено ссылками на специфические детали этих примеров. Точнее говоря, специалист в данной области техники легко должен понять, что в предпочтительных вариантах осуществления могут быть выполнены модификации и изменения без выхода за рамки изобретения, охарактеризованного в формуле.

Claims (13)

1. Печь для химической инфильтрации из газовой фазы или химического осаждения из газовой фазы, содержащая наружный кожух (12, 12') печи, реакционную камеру (14, 14'), расположенную в кожухе печи и предназначенную для приема подлежащего обработке элемента, нагревательную систему (22) для нагревания, по меньшей мере, реакционной камеры и систему циркуляции газа-реагента, предназначенную для введения газа-реагента в реакционную камеру извне кожуха печи и для передачи газа-реагента из реакционной камеры вовне кожуха печи,
отличающаяся тем, что наружный кожух печи и реакционная камера ограничивают первый объем между внутренней стороной кожуха печи и наружной стороной реакционной камеры и второй объем внутри реакционной камеры, причем первый объем разделен на первую часть, образующую зону нагревания, в которой размещена нагревательная система, и вторую часть, в которой присутствует газ-реагент, при этом зона нагревания герметично изолирована относительно второй части с газом-реагентом, причем печь дополнительно содержит систему (34) циркуляции инертного газа, выполненную и размещенную с возможностью подачи инертного газа в зону нагревания со скоростью, обеспечивающей положительный перепад давления по отношению к давлению газа-реагента внутри второй части первого объема, в которой присутствует газ-реагент, для препятствования прохождению потока газа-реагента в зону нагревания и предотвращения контакта газа-реагента с нагревательной системой.
2. Печь по п.1, отличающаяся тем, что содержит первый датчик (38) давления, выполненный и размещенный с возможностью определения давления (Р1) в зоне нагревания, при этом система циркуляции инертного газа содержит регулятор (36) потока, функционирующий в соответствии с давлением, определенным в зоне нагревания, таким образом, чтобы задавать расход инертного газа, обеспечивающий заранее заданное давление в зоне нагревания.
3. Печь по п.2, отличающаяся тем, что содержит второй датчик (40) давления, выполненный и размещенный с возможностью определения давления (Р2) во второй части первого объема, в которой присутствует газ-реагент, при этом регулятор потока системы циркуляции инертного газа выполнен и размещен с возможностью управления потоком инертного газа в зону нагревания по меньшей мере частично на основе давления (Р2), определенного во второй части первого объема, таким образом, чтобы получать заранее заданный положительный перепад давления между зоной нагревания и второй частью первого объема.
4. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что содержит устройство тревоги для сигнализации об изменении потока инертного газа, необходимого для поддержания заданного давления в зоне нагревания.
5. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что нагревательная система представляет собой индуктивную нагревательную систему.
6. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что нагревательная система представляет собой резистивную нагревательную систему.
7. Печь по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что реакционная камера содержит один или большее количество элементов (16) стенки, элемент (18) пола и верхний элемент (20).
8. Печь по п.7, отличающаяся тем, что содержит трубопровод (26) для впуска газа-реагента, расположенный с возможностью передачи газа-реагента извне кожуха печи к отверстию (24) для впуска газа-реагента, выполненному в реакционной камере.
9. Печь по п.7, отличающаяся тем, что снабжена отверстием (28) для выпуска газа-реагента, выполненным в реакционной камере.
10. Печь по п.8, отличающаяся тем, что снабжена отверстием (28) для выпуска газа-реагента, выполненным в реакционной камере.
11. Печь по п.9, отличающаяся тем, что содержит выпуск (30) газа-реагента, выполненный в кожухе печи.
12. Печь по п.2 или 3, отличающаяся тем, что содержит контроллер для автоматического управления регулятором потока в зависимости от давления, определенного в зоне нагревания, или давления, определенного во второй области первого объема, или в зависимости обоих указанных давлений.
13. Печь по п.1, отличающаяся тем, что содержит разделяющую стенку (32) для отделения зоны нагревания от второй части первого объема, причем разделяющая стенка включает в себя по меньшей мере один керамический слой.
RU2008143663/02A 2006-04-25 2007-04-24 Технологическая печь или подобное оборудование RU2421544C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0651455A FR2900226B1 (fr) 2006-04-25 2006-04-25 Four de traitement ou analogue
FR0651455 2006-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008143663A RU2008143663A (ru) 2010-05-27
RU2421544C2 true RU2421544C2 (ru) 2011-06-20

Family

ID=37116170

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008143663/02A RU2421544C2 (ru) 2006-04-25 2007-04-24 Технологическая печь или подобное оборудование

Country Status (15)

Country Link
US (1) US20070256639A1 (ru)
EP (1) EP1849889A1 (ru)
JP (1) JP5567332B2 (ru)
KR (1) KR20080111154A (ru)
CN (1) CN101063195A (ru)
AU (1) AU2007242730B2 (ru)
BR (1) BRPI0711411A2 (ru)
CA (1) CA2649986A1 (ru)
FR (1) FR2900226B1 (ru)
IL (1) IL194837A0 (ru)
MX (1) MX2008013643A (ru)
RU (1) RU2421544C2 (ru)
TW (1) TW200746876A (ru)
UA (1) UA94098C2 (ru)
WO (1) WO2007122225A1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013055921A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Integrated Photovoltaic, Inc. Deposition system
RU2634826C2 (ru) * 2012-07-04 2017-11-03 Геракл Загрузочное устройство и установка для уплотнения пористых штабелируемых преформ, имеющих форму усеченного конуса
RU2635051C2 (ru) * 2012-07-19 2017-11-08 Геракл Устройство химической инфильтрации в паровой фазе с высокой загрузочной способностью

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101178046B1 (ko) * 2009-03-23 2012-08-29 한국실리콘주식회사 폴리실리콘 제조용 화학기상증착 반응기
CN102374780A (zh) * 2010-08-12 2012-03-14 北京大方科技有限责任公司 一种平焰炉的结构设计方案
CN102534567B (zh) * 2012-03-21 2014-01-15 中微半导体设备(上海)有限公司 控制化学气相沉积腔室内的基底加热的装置及方法
CN102889791B (zh) * 2012-09-27 2014-11-19 北京七星华创电子股份有限公司 炉体排风控制装置
CN105862013B (zh) * 2016-06-17 2018-07-06 南京大学 一种应用于小型mocvd系统的高温加热装置
CN107151779B (zh) * 2017-05-27 2019-04-16 西华大学 渗氮可控的零污染离子氮化装置
CN109197927B (zh) * 2018-08-31 2020-12-04 东莞市华美食品有限公司 一种基于物联网控制的食品智能烘烤系统
CN110242969B (zh) * 2019-05-23 2020-12-01 北京科技大学 一种焚硫炉
CN115094402B (zh) * 2022-06-24 2023-04-11 清华大学 一种立式双温区-双通道化学气相沉积设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
FR2594119B1 (fr) * 1986-02-10 1988-06-03 Europ Propulsion Installation pour l'infiltration chimique en phase vapeur d'un materiau refractaire autre que le carbone
US5062386A (en) * 1987-07-27 1991-11-05 Epitaxy Systems, Inc. Induction heated pancake epitaxial reactor
JPH07108836B2 (ja) * 1991-02-01 1995-11-22 株式会社日本生産技術研究所 減圧cvd装置
US5536918A (en) * 1991-08-16 1996-07-16 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers
JPH05214540A (ja) * 1992-02-05 1993-08-24 Hitachi Ltd Cvd反応のモニタ方法
US5447294A (en) * 1993-01-21 1995-09-05 Tokyo Electron Limited Vertical type heat treatment system
FR2714076B1 (fr) * 1993-12-16 1996-03-15 Europ Propulsion Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium.
WO2000049199A1 (en) * 1999-02-19 2000-08-24 Gt Equipment Technologies Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US6228174B1 (en) * 1999-03-26 2001-05-08 Ichiro Takahashi Heat treatment system using ring-shaped radiation heater elements
CA2386382A1 (en) * 2000-02-18 2001-08-23 G.T. Equipment Technologies, Inc. Method and apparatus for chemical vapor deposition of polysilicon
US7220312B2 (en) * 2002-03-13 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods for treating semiconductor substrates
JP4263024B2 (ja) * 2003-06-05 2009-05-13 株式会社ヒューモラボラトリー 炭素薄膜の製造方法および製造装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013055921A1 (en) * 2011-10-12 2013-04-18 Integrated Photovoltaic, Inc. Deposition system
RU2634826C2 (ru) * 2012-07-04 2017-11-03 Геракл Загрузочное устройство и установка для уплотнения пористых штабелируемых преформ, имеющих форму усеченного конуса
RU2635051C2 (ru) * 2012-07-19 2017-11-08 Геракл Устройство химической инфильтрации в паровой фазе с высокой загрузочной способностью

Also Published As

Publication number Publication date
FR2900226A1 (fr) 2007-10-26
US20070256639A1 (en) 2007-11-08
JP5567332B2 (ja) 2014-08-06
TW200746876A (en) 2007-12-16
WO2007122225A1 (en) 2007-11-01
CN101063195A (zh) 2007-10-31
JP2009534541A (ja) 2009-09-24
AU2007242730B2 (en) 2012-02-23
MX2008013643A (es) 2008-11-10
RU2008143663A (ru) 2010-05-27
BRPI0711411A2 (pt) 2011-11-01
IL194837A0 (en) 2009-08-03
EP1849889A1 (en) 2007-10-31
KR20080111154A (ko) 2008-12-22
AU2007242730A1 (en) 2007-11-01
FR2900226B1 (fr) 2017-09-29
UA94098C2 (ru) 2011-04-11
CA2649986A1 (en) 2007-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2421544C2 (ru) Технологическая печь или подобное оборудование
US6758909B2 (en) Gas port sealing for CVD/CVI furnace hearth plates
EP1718783B1 (en) Pressure gradient cvi/cvd apparatus and method
KR970707316A (ko) 압력 증감 화학 증기 침투 및 화학 증착 장치, 방법 및 이에 의한 생성물(prssure grandient cvi/cvd apparatus, process and product)
US9845534B2 (en) CVI densification installation including a high capacity preheating zone
TWI497023B (zh) 立式熱處理設備及此設備之冷卻方法
CA2268729A1 (en) Densification of substrates arranged in ring-shaped stacks by chemical infiltration in vapour phase with temperature gradient
CN101490491B (zh) 用以加热半导体处理腔室的设备和方法
UA78733C2 (en) Method and device for densifying of porous substrate by gaseous phase infiltration
US7476419B2 (en) Method for measurement of weight during a CVI/CVD process
JP2005533232A (ja) 低温から高温の範囲のための可変ヒータエレメント
KR20160048124A (ko) 냉각된 진공 격납부를 갖는 고온 벽 반응기
KR19980080809A (ko) 열처리 장치
US6744023B2 (en) Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace
US11766718B2 (en) Compound furnace
KR20080106541A (ko) 오븐 등으로의 가스 입구용 밀봉장치
EP1063319B1 (en) Method and apparatus for cooling a CVI/CVD furnace

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20130610

PD4A Correction of name of patent owner