RU2000122450A

RU2000122450A - Кремнегерманиевый кристалл

Info

Publication number: RU2000122450A
Application number: RU2000122450/12A
Authority: RU
Inventors: Такао АБЕ; Итиро ЕНЕНАГА; Тецуя ИГАРАСИ
Original assignee: Син-Етцу Хандотай Ко., Лтд.
Priority date: 1998-11-26
Filing date: 1999-11-05
Publication date: 2002-08-20

Claims

1. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл, отличающийся тем, что кристаллические зерна, образующие кристалл, имеют объем 5•10^-5 мм³ и более.

2. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по п. 1, отличающийся тем, что кристалл изготовлен методом вытягивания.

3. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по п. 1 или 2, отличающийся тем, что абсолютное значение зеебековского коэффициента кристалла лежит в интервале от 100 до 700 μв/K.
4. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по п. 1 или 2, отличающийся тем, что значение удельной теплопроводности кристалла лежит в интервале от 1 до 20 вт/м•К.

5. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по п. 1 или 2, отличающийся тем, что значение удельной электропроводности кристалла лежит в интервале от 10¹ до 10⁵ вт/ом•м.

6. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по п. 1 или 2, отличающийся тем, что кристалл имеет абсолютное значение зеебековского коэффициента в интервале от 100 до 700 μв/K, значение удельной теплопроводности в интервале от 1 до 20 вт/м•К и значение удельной электропроводности в интервале от 10¹ до 10⁵ вт/ом•м.

7. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по любому одному из пп. 1-6, отличающийся тем, что значение х кристалла лежит в интервале от 0,6 до 0,8.

8. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по любому одному из пп. 1-7, отличающийся тем, что в кристалл введен один элемент из В, Al и Ga.

9. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по любому одному из пп. 1-7, отличающийся тем, что в кристалл введен один элемент из Р, As и Sb.

10. Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалл по любому одному из пп. 1-9, отличающийся тем, что кристалл является по существу монокристаллом.

11. Термоэлектрическое устройство, отличающееся тем, что изготовлено с применением Si_xGe_1-x (0<х<1) кристалла, соответствующего любому из пп. 1-10.