NO781742L - Fremgangsmaate ved rensing av silicium - Google Patents
Fremgangsmaate ved rensing av siliciumInfo
- Publication number
- NO781742L NO781742L NO78781742A NO781742A NO781742L NO 781742 L NO781742 L NO 781742L NO 78781742 A NO78781742 A NO 78781742A NO 781742 A NO781742 A NO 781742A NO 781742 L NO781742 L NO 781742L
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- silicon
- acid
- aqueous acid
- granules
- drum
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002386 leaching Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000004160 Ammonium persulphate Substances 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019395 ammonium persulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved rensing av metallurgisk rent silicium med et siliciuminnhold på over 95 vekt%, ved. utluting med en syreoppløsning som i dét. vesentlige ikke angriper silicium.
I den energidiskusjon som er blitt ført i de siste år, har
■strømfremstilling ved direkte omvandling av solenergi til elektrisk energi fått stadig økende betydning. For imidlertid at f.eks. siliciumsolceller skal kunne vinne innpass i økonomisk konkurranse-dyktige områder er det en forutsetning at dette grunnstoff som på jorden forekommer i uuttømmelige mengder, må bli vesentlige bil-ligere med den nødvendige renhet. Rensing via gassfase som idag er vanlig for utvinning av silicium for elektronikkindustrien,
er derved på forhånd utelukket da slike prosesser krever for meget energi og derved er altfor kostbare. Forøvrig stilles ikke så høye krav til renheten av silicium som er nødvendig for fremstilling av solceller, som til "wafer"-silicium for' fremstilling av høyverdige bygningselementer.
Det er riktignok kjent å rense metallurgisk rent silicium med etsende syrer eller syrekombinasjoner, men ved anvendelse av
de hittil kjente fremgangsmåter er det bare blitt oppnådd slike renhetsgrader som ikke tilfredsstiller kravene til materialet for videre bearbeidelse av dette til solceller, eller som krever usedvanlig lange bearbeidelsestider (se f.eks. L.P. Hunt og med-arbeidere "Purification of Metallurgical Grade Silicon To Solar Grade Quality", Solar Energy, Proe. Internat. Symp. 1976 og sveitsisk patentskrift nr. 567435).
Det tas derfor ved oppfinnelsen sikte på å rense metallurgisk rent silicium med et siliciuminnhold på over 95 vekt% til en så
høy renhet på så kort tid som mulig at siliciumet f.eks. kan anvendes for fremstilling av solceller.
Denne oppgave løses ifølge oppfinnelsen ved de særtrekk at en mekanisk behandling som fører til en kontinuerlig kornreduksjon av det siliciumgranulat som skal renses, utføres samtidig med det i og for seg kjente kjemiske rensetrinn.
Denne mekaniske behandling utføres fortrinnsvis ved maling, f.eks. i kule- eller trommelmøller som innvendig med fordel, kan være foret med polytetrafluorethylen, med polypropylen eller med andre egnede plaster som ikke frigjør fremmedstoffer som virker som et dopemiddel overfor silicium, og som er bestandige mot syrer.
Som malelegemer kan f.eks. kule- eller sylinderformige legemer av keramikk eller fortrinnsvis siliciumcarbid hhv. polykrystallinsk silicium anvendes.
Ifølge oppfinnelsen kan malingen av det tilførte siliciumgranulat under innvirkning av vandige syrer" også utføres f.eks. med i motsatt retning roterende valsepar laget av stål som er belagt med de ovennevnte plaster.
Siliciumet som skal renses, anvendes fortrinnsvis i form av et granulat med en kornstørrelsesfordeling innen området 2-0,1 mm. Det er da gunstigst å anvende et granulat som allerede på i og for seg kjent måte er blitt forbehandlet ved innvirkning av en vandig syre.
Til det i de fortrinnsvis anvendte kule- eller trommelmøller innførte siliciumgranulat tilsettes 0,5-2 ganger, fortrinnsvis 0,8-1,2 ganger,-så meget vandig syreoppløsning i forhold til vekten av siliciumgranulatet. Som vandige syreoppløsninger.anvendes da slike som inneholder 3-10 mol, fortrinnsvis 4-7 mol, ren syre pr. liter. Som syrer er da f.eks. svovelsyre eller hydrohalogensyrer, spesielt saltsyre og flussyre, som kan anvendes alene eller i blanding med hverandre, egnede.
Under den kjemisk-mekaniske rensing'av siliciumgranulatet reguleres trykket i møllen med fordel til 1-5 bar, fortrinnsvis 1-1,8 bar, og temperaturen til 1.0-90°C, fortrinnsvis 20-80°C. Møllens rotasjonshastighet er da 0,5-50 o/min, fortrinnsvis 5-15 o/min.
Rensevirkningen kan av og til økes ved tilsetning av oxydasjonsmidler, som f.eks. hydrogenperoxyd, ammoniumpersulfat eller andre oxyderende materialer, som Ikke fører til en doping av siliciumgranulatet som skal renses, og som blir tilbake i opp-løsningen i spaltet eller uspaltet form eller avgis som en gass. Slike kjemiske oxydasjonsmidler anvendes i en mengde av høyst 2 mol%, basert på siliciumgranulatet, fortrinnsvis i en mengde av 0,8-1,3 mol%. Luft har vist seg som et foretrukket oxydasjonsmiddel og kan med fordel blåses inn i en mengde av 0,2-5 Nm 3 pr. time og møllevolum, fortrinnsvis 0,4-0,8 Nm 3 pr. time og møIle-volum. Den fordelaktige virkning av luften beror spesielt på at den fører til en ytterligere gjennomblanding av reaksjonsmassen,
og dessuten er luft selvfølgelig rimeligere å anvende enn de ovennevnte kjemiske oxydasjonsmidler.
Oppfinnelsen vil bli nærmere forklart nedenfor ved hjelp av et eksempel og i forbindelse med tegningen som skjematisk viser en trommelmølle av den type som kan anvendes for utførelse av den foreliggende' fremgangsmåte.
Siliciumgranulat 8 som skal. renses, malelegemer 9 og en syre-oppløsning 10 fylles gjennom en.åpning 7 i en ståltrommel 1 inntil trommelen er blitt nesten halvfylt. Trommelen er omgitt av en varmekappe 2 som en varmevæske kan pumpes gjennorrvvia rørledninger 3 og 4 som via midtaksen står i forbindelse med en tilførsels-ledning 5 og en uttømningsledning 6. Trommelen kan ved hjelp av en elektromotor 11 og et tannhjulsdrev 12 dreies rundt sin lengde-akse. Trommelens 1 sylindergrunnflate som ligger overfor drevet 12, er via midtaksen forsynt med et koaksia.lrør med et innvendig rør 13 som luft kan blåses inn i trommelen gjennom og med et ytre rør 14 som luft hhv..avgasser kan fjernes fra trommelen gjennom.
Trommelen 1 er med lågere 15 og 16 understøttet på støttene 17 og 18 som på sin side er fast forankret i fundamentet 19. Be-handlingstiden for den tilførte råsiliciumcharge i trommelen er avhengig av råsiliciumchargens forurensningstilstand. På grunn av at trommelen hele tiden omdreies, reduseres det tilførte råsilicium-granulats størrelse av malelegemene som f.eks. kan bestå av polykrystallinsk silicium, hvorved det stadig dannes ferske korngrenser som forurensningene preferensielt. vil komme ut til og omsettes med den etsende syreblanding.
Éfter at den kjemisk-mekaniste behandling er over, tømmes hele chargen ut efter at den er blitt avkjølt, og siliciumet fra-skilles ved filtrering. Malelegemene som er langt større enn dé
største deler av det behandlede siliciumgranulat, blir også fjernet, og det således rensede silicium bearbeides videre efter at det er blitt tørket. For denne videre bearbeidelse kan det enten smeltes og støpes til plater eller stenger eller andre formlegemer eller det kan anvendes som utgangsprodukt for påfølgende seigringspro-sesser, f.eks. for digel- eller sonetrekkingsprosesser. Selv uten disse ytterligere renseprosesser kan siliciumet anvendes direkte overalt der hvor dets elektriske egenskaper ikke spiller noen rolle, f.eks. som bestanddel i legeringer.
Eksempel 1
En begerformig innsats av tetrafluorethylen med et volum av ca. 250 cm 3 og med et lokk ble innpasset i et målebeger av rust-fritt stål i en kulemølle. Tre polykrystallinske, sylindriske'siliciumstangstykker med en diameter av 30 mm og en høyde av 35 mm og med avslipte kanter ble tilsatt som malelegemer. Derefter ble siliciumgranulat med en kornstørrelse av 1,5-0,2 mm tilført. Siliciumgranulatet var allerede blitt utsatt for en forhåndsrensing ved utluting med saltsyre og inneholdt som forurensninger 400 vektdeler pr. million (ppm) jern og 250 ppm aluminium foruten de vanlige forurensninger av bor, fosfor, titan, krom, vanadium, mangan, nikkel, kobber, kalsium og magnesium. Til siliciumgranulatet ble 100 ml av en 18 vekt%-ig vandig saltsyre og 5 ml av en 40 vekt%-ig vandig flussyre derefter tilsatt. Møllen ble derefter omdreid med en hastighet av ca. 30 o/min. Syreopp-løsningen hadde da en temperatur av 20-25°C. Efter ca. 5 timer ble møllen stanset og siliciumet fraskilt. Efter at det fraskilte silicium var blitt tørket, ble dets innhold av jern dg aluminium bestemt analytisk. Jerninnholdet hadde sunket til 20 ppm og aluminiuminnholdet til 50 ppm.
Eksempel 2
En tilpasset sylinder av polypropylen med et volum av 2,12 cm 3 ble innført i en ståltrommel med en innvendig diameter av 100 cm og en lengde av 270 cm. Polypropylensylinderen ble derefter beskikket med 500 kg granulert råsilicium ined en gjennom-snittlig kornstørrelse av 1,5-0,2 mm, 500 kg 18 vekt%-ig vandig saltsyre og 25 kg- 40 vekt%-ig vandig flussyre og med ca. 500 malelegemer av polykrystallinske siliciumsylindere med forskjellige dimensjoner med en diameter av 18-75 mm og en lengde av 20-50 mm. Derefter ble trommelen omdreid med en hastighet av 12 o/min. Temperaturen i trommelen ble under omdreiingen regulert til ca. 80°Cved hjelp av varmekappen. 1 cm^ luft pr. time ble blåst inn i trommelen gjennom det aksiale luftinnløo. Efter en behandlings-tid av 6 timer ble renseprose.ssen stanse<t>, siliciumet fraskilt og tørket og dets innhold av hovedforurensningene jern og aluminium igjen analytisk bestemt. Jerninnholdet var på forhånd 400 ppnv og hadde sunket til ca. 10 ppm, og aluminiuminnholdet var på forhånd 250 ppm og hadde sunket til under 20 ppm..
Claims (13)
- I. Fremgangsmåte ved rensing av metallurgisk rent silicium med-et siliciuminnhold på over 95 vekt%, ved. utluting med en syre-oppløsning som i det vesentlige ikke angriper silicium, karakterisert ved at en mekanisk, behandling som fører til en kontinuerlig reduksjon av kornstørrelsen for siliciumgranulatet som skal renses, overlagres på det i og for seg kjente kjemiske rensetrinn.
- 2 i Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at siliciumgranulatet males under innvirkning av den vandige syre-oppløsning .
- 3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 eller 2, karakterisert ved at malelegemer av polykrystallinsk silicium anvendes.
- 4. Fremgangsmåte ifølge krav 1-3, karakterisert ved at en roterende maletrommel anvendes.
- 5. Fremgangsmåte ifølge krav 4, karakterisert ved at maletrommelen omdreies med en hastighet av 5-15 o/min.
- 6. Fremgangsmåte ifølge krav 1-5, karakterisert ved at den kjemisk-mekaniske rensing av siliciumgranulatet ut-føres ved et trykk av 1-1,8 bar.
- 7. Fremgangsmåte ifølge krav 1-6, karakterisert ved at den kjemisk-mekaniske rensing av siliciumgranulatet ut-føres ved en temperatur av 20-80°C.
- 8. Fremgangsmåte ifølge krav 1-7, karakterisert ved at det til den vandige syreoppløsning tilsettes et oxydasjonsmiddel som ikke vil dope siliciumet.
- 9. Fremgangsmåte ifølge'krav 8, karakterisert ved at luft innblåses som oxydasjonsmiddel.
- 10. Fremgangsmåte ifølge krav 1-9, karakterisert ved at det anvendes en vandig syre som inneholder 4-7 mol syre pr. liter.
- II. Fremgangsmåte ifølge krav 10, karakterisert ved at. saltsyre anvendes -som vandig syre.
- 12. Fremgangsmåte ifølge krav 10 eller 11, karakterisert ved at en blanding av saltsyre og flussyre anvendes som vandig syre.
- 13. Fremgangsmåte ifølge krav 1-12, karakterisert v e d. at det til siliciumgranulatet tilsettes vandig syre i en mengde av 0,8-1,2 ganger vekten av siliciumgranulatet.'
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772722783 DE2722783A1 (de) | 1977-05-20 | 1977-05-20 | Verfahren zum reinigen von silicium |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO781742L true NO781742L (no) | 1978-11-21 |
Family
ID=6009446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO78781742A NO781742L (no) | 1977-05-20 | 1978-05-19 | Fremgangsmaate ved rensing av silicium |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS53144819A (no) |
BE (1) | BE867204A (no) |
DE (1) | DE2722783A1 (no) |
FR (1) | FR2391157A1 (no) |
GB (1) | GB1581418A (no) |
IT (1) | IT1104837B (no) |
NL (1) | NL7804064A (no) |
NO (1) | NO781742L (no) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2933164A1 (de) * | 1979-08-16 | 1981-02-26 | Consortium Elektrochem Ind | Verfahren zum reinigen von rohsilicium |
DE3128979C2 (de) * | 1981-07-22 | 1986-10-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von für Solarzellen verwendbarem Silizium |
DE3210141A1 (de) * | 1982-03-19 | 1983-09-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen von fuer insbesondere solarzellen verwendbarem silicium |
DE3317286A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung |
DE3332447A1 (de) * | 1983-09-08 | 1985-03-21 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur befreiung von siliciumbruchstuecken von verunreinigungen |
JPS61178414A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-11 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカおよびその製造方法 |
JPS6212608A (ja) * | 1985-07-11 | 1987-01-21 | Nippon Chem Ind Co Ltd:The | 高純度シリカ及びその製造方法 |
JPH0429952Y2 (no) * | 1986-05-14 | 1992-07-20 | ||
JP2553476Y2 (ja) * | 1993-09-27 | 1997-11-05 | 涌井工業株式会社 | 焼却器 |
NO180188C (no) * | 1994-03-30 | 1997-03-05 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for opparbeiding av residuer fra direkte syntese av organoklorsilaner og/eller klorsilaner |
DE19531031C2 (de) * | 1995-08-23 | 1997-08-21 | Ictop Entwicklungsgesellschaft | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
US5714203A (en) * | 1995-08-23 | 1998-02-03 | Ictop Entwicklungs Gmbh | Procedure for the drying of silicon |
JP4686824B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2011-05-25 | Jfeスチール株式会社 | シリコンに付着した石英除去方法及び除去装置 |
JP4689373B2 (ja) * | 2005-07-04 | 2011-05-25 | シャープ株式会社 | シリコンの再利用方法 |
GB2436520B (en) * | 2006-03-28 | 2010-06-23 | Hts Hans Torgersen & Sonn As | Reclining group |
CN101597063A (zh) * | 2008-06-06 | 2009-12-09 | 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 | 冶金硅中杂质硼的去除方法 |
DE102010053693A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Adensis Gmbh | Verfahren zur chemischen Reinigung von metallurgischem Silizium und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
GB2563583A (en) | 2017-06-16 | 2018-12-26 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada As Represented By The Mini Of Natural Resources Canada | Combined grinding and leaching process for ores and wastes and apparatus thereof |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1386227A (en) * | 1919-09-26 | 1921-08-02 | Electro Metallurg Co | Process of refining crude electric-furnace silicon |
CH332463A (de) * | 1954-09-24 | 1958-09-15 | Lonza Ag | Verfahren zur Reinigung von Rohsilizium |
CH346532A (de) * | 1956-01-19 | 1960-05-31 | Lonza Ag | Verfahren zur Herstellung von reinem Siliziummetall |
AT200106B (de) * | 1956-12-24 | 1958-10-25 | Degussa | Verfahren zur Herstellung von reinstem Silizium |
DE1091590B (de) * | 1957-11-28 | 1960-10-27 | Joergen August Kolflaath | Verfahren zum Raffinieren von Ferro-Silizium und Silizium |
NO122241B (no) * | 1970-05-04 | 1971-06-07 | Spigerverk C |
-
1977
- 1977-05-20 DE DE19772722783 patent/DE2722783A1/de active Granted
-
1978
- 1978-04-17 NL NL7804064A patent/NL7804064A/xx not_active Application Discontinuation
- 1978-05-12 GB GB19261/78A patent/GB1581418A/en not_active Expired
- 1978-05-18 BE BE187802A patent/BE867204A/xx unknown
- 1978-05-18 IT IT49434/78A patent/IT1104837B/it active
- 1978-05-19 FR FR7814875A patent/FR2391157A1/fr active Granted
- 1978-05-19 JP JP5899478A patent/JPS53144819A/ja active Granted
- 1978-05-19 NO NO78781742A patent/NO781742L/no unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE867204A (fr) | 1978-11-20 |
JPS53144819A (en) | 1978-12-16 |
DE2722783C2 (no) | 1987-05-27 |
GB1581418A (en) | 1980-12-10 |
IT1104837B (it) | 1985-10-28 |
FR2391157A1 (fr) | 1978-12-15 |
DE2722783A1 (de) | 1978-11-30 |
JPS5648441B2 (no) | 1981-11-16 |
NL7804064A (nl) | 1978-11-22 |
IT7849434A0 (it) | 1978-05-18 |
FR2391157B1 (no) | 1980-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO781742L (no) | Fremgangsmaate ved rensing av silicium | |
EP2347998B1 (en) | Apparatus and process for producing industrial salt | |
CN102421706A (zh) | 高纯度含硅产物及制造方法 | |
JPS6031762B2 (ja) | 大交換容量を有する無機質結晶性塩基交換物質の製造方法 | |
SE438309B (sv) | Forfarande for rening av kisel | |
CN101161597A (zh) | 没食子酸生产废水的净化回收方法 | |
CN108558928B (zh) | 一种有机硅渣浆综合回收处理的方法及设备 | |
CN101914037B (zh) | 生产高纯度亚氨基二乙腈的工艺 | |
CN111392746A (zh) | 一种混合盐溶液的资源化处理系统及处理方法 | |
WO1990014309A1 (fr) | Procede de preparation par voie aqueuse de dihydrate de sulfate de calcium purifie | |
CN211515533U (zh) | 一种工业氯化钠资源化利用工艺装置 | |
CN104692391A (zh) | 多晶硅生产过程中含氯硅烷浆料的干法回收方法 | |
EP3759049B1 (en) | Sustainable silicates and methods for their extraction | |
Ramasamy et al. | Carbide sludge management in acetylene producing plants by using vacuum filtration | |
FR2618454A1 (fr) | Procede de desagregation de minerais contenant du tantale, du niobium, du zirconium et du titane | |
JPH05213605A (ja) | クロルシラン蒸留残渣の廃水を生じない後処理方法 | |
EP4134177B1 (en) | Apparaus for converting waste to biogas and method for converting waste to biogas | |
CN111547778A (zh) | 一种氯化亚铁溶液连续转化成硫酸亚铁溶液和晶体的装置及其方法 | |
CN101351408B (zh) | 再利用四氟化锆以形成氧化锆的方法 | |
CN107473271A (zh) | 一种聚合硫酸铝铁的制备方法 | |
CN114409157A (zh) | 一种废盐水电解制氯碱资源化方法 | |
FR2627481A1 (fr) | Procede pour epurer des eaux usees de l'industrie du verre | |
CN114433609A (zh) | 利用水热氧化法处理生活垃圾焚烧飞灰重金属的方法 | |
JP2000327488A (ja) | 太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
JP2665437B2 (ja) | 金属けい素の精製方法 |