SE438309B - Forfarande for rening av kisel - Google Patents

Forfarande for rening av kisel

Info

Publication number
SE438309B
SE438309B SE7909115A SE7909115A SE438309B SE 438309 B SE438309 B SE 438309B SE 7909115 A SE7909115 A SE 7909115A SE 7909115 A SE7909115 A SE 7909115A SE 438309 B SE438309 B SE 438309B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
silicon
ppmw
hydroxide
oxide
purification
Prior art date
Application number
SE7909115A
Other languages
English (en)
Other versions
SE7909115L (sv
Inventor
L Pelosini
A Parisi
S Pizzini
Original Assignee
Montedison Spa
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Montedison Spa filed Critical Montedison Spa
Publication of SE7909115L publication Critical patent/SE7909115L/sv
Publication of SE438309B publication Critical patent/SE438309B/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/037Purification

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Description

~79o911sez 2 bestående av framställning av triklorsilan genom reak- tion med väte och klor från metallurgiskt kisel, och därefter rening och avsättning av kisel i form av stänger i motståndsuppvärmda reaktorer, avslöjar att mer än 90 % av energin konsumeras i kiselavsättningsprocessen. Som en följd härav framgår den praktiska betydelsen av proces- ser som medger rening av kisel av metallurgisk kvalitet till sådana kostnader som gör att den medelst fotoelek- trisk omvandling producerade energin kan tävla med den från andra källor.
De förfaranden som föreslås för framställning av kisel av solcellskvalitet med utgångspunkt från metallur- giskt kisel baseras i allmänhet på följande operationer: tvättning med syror, förslaggning, inblåsning av reage- rande gaser eller indunstning under vakuum. Dessa för- faranden har emellertid inte visat sig effektiva för avlägsnande av vissa typer av föroreningar som är sär- skilt skadliga i kisel av solcellskvalitet, såsom alu- minium, bor och fosfor.
Ett ändamål med föreliggande uppfinning är därför att åstadkomma ett enkelt och ekonomiskt förfarande som medger rening av metallurgiskt kisel för erhållande av ett kisel av solcellskvalitet.
Ett annat ändamål med uppfinningen är att åstad- komma ett förfarande för rening av metallurgiskt kisel, vilket kan vara särskilt effektivt gentemot sådana för- oreningar som aluminium, bor och fosfor.
Man har nu funnit att föroreningarna i det metallur- giska kislet (såsom t ex Al, P, B, Fe, Ti, Cr, V, Zr och Ni) effektivt kan avlägsnas om metallurgiskt kisel be- handlas i smält tillstånd med bariumkarbonat och/eller -oxid och/eller -bariumhydroxid och efter kylning och krossning lakas med utspädda oorganiska syror.
Särskilt har man funnit att det är möjligt att genom att operera på detta sätt reducera Al-halten till lO 7909115-3 3 mindre än 1 ppmw (viktmiljondel, parts per million by weight), P-halten till l ppmw (och t o m mindre) och B-halten till ppmw (och t o m mindre), varvid samtidigt den totala mängden av de andra ferroreningarna reduceras till mindre än 1,5 ppmw.
Föreliggande uppfinning omfattar därför ett sätt att åstadkomma ett förfarande för rening av kisel, vil- ket kännetecknas av att kisel i smält tillstånd omsättes med bariumkarbonat och/eller -oxid och/eller-hydroxid och därefter, efter kylning och krossning, lakas det med ett eller flera utspädda oorganiska syror.
I praktiken kan förfarandet enligt föreliggande uppfinning användas för rening av metallurgiskt kisel som framställes i ljusbågsugnar genom kolreducering.
Som exempel kan nämnas att de föroreningar som, finns i det metallurgiska kislet vanligen är följande: -40 ppmw, Al = 20 000-30 000 ppmw, P = 50-100 ppmw, 1000-2000 ppmw, V = 800-1200 ppmw, Cr 2000-2500 1500-1800 ppmw, B = Ti = ppmw. Fe = 30 ooo-4o ooo ppmw. Ni = Zr = 80-100 ppmw.
I den praktiska utföringsformen av förfarandet en- ligt föreliggande uppfinning kan tillsatsen av Ba-karbo- nat och/eller -oxid och/eller -hydroxid åstadkommas direkt i skopan, in i vilken det i ljusbågsugnen framställ- da kislet hälls.
Som ett alternativ är (let möjligt att utgå från fast metallurgiskt kisel, smälta detta i en lämplig ugn och hälla det i ett kärl, i vilket Ba-karbonat och/eller -oxid och/eller -hydroxid redan hartillsats eller till- Il sättes successivt.
I en alternativ utföringsform är det möjligt att blanda kislet i pulverform eller.i klumpar med barium- karbonatet och/eller -oxiden och/eller -hydroxiden och därefter smälta det så erhållna systemet.
Under behandlingen hålls-den smälta massans tempera- tur vid 1550-200000, företrädesvis vid 1600-1750°C. 7909115-3 4 Den tillsatta mängden bariumkarbonat och/eller -oxid och/eller -hydroxid beror på föroreningshalten i kislet. Vanligen ligger mängden inom området 5-30 vikt% avseende på vikten av det kisel som skall renas.
Under behandlingen skall den smälta massan lämp- ligen hållas under omröring och denna omröring skall företrädesvis uppnås genom inblåsning av en oxiderande gas, företrädesvis vattenånga eller syre, genom kärlets botten. I själva verket medger närvaron av en oxideran- de gas att man erhåller en högre rening.
Efter en behandlingstid i storleksordningen några få timmar, t ex l-6 h, hälls den smälta massan i en gjutform och får svalna, företrädesvis till rumstempera- mi.
De efter kylning erhållna göten utsättes för meka- nisk krossning. De resulterande klumparnas dimensioner är inte kritiska och i allmänhet uppnås goda resultat med storlekar på några centimeter, t ex 5-10 cm.
De så erhållna klumparna lakas med utspädda oorga- niska syror, såsom klorvätesyra, fluorvätesyra, sal- petersyra, svavelsyra eller blandningar därav.
Lakningen genomföres vid en temperaturínmnomfikbt fiån rumstemperatur till 80°C, vanligen med användning av I syror i en vattenlösning vid koncentrationer av 5-20 % och vid viktförhållanden mellan syralösningen och kislet av 1,5-5. Lakningens längd är en omvänd funktion av temperaturen och ligger vanligen inom området 20-50 h.
Vid avslutandetav lakningen, efter tvättning och filtrering, erhålles ett kisel, i vilket B finns i en mängd som ej överstiger 5 ppmw, P i en mängd som inte överstiger l ppmw och Al i en mängd som är lägre än 1 ppmw, medan den totala mängden av andra etallförore- ningar är mindre än 1,5 ppmw.
Förfarandet enligt föreliggande uppfinning reduce- rar drastiskt det framställda kislets “återbetalda tid" eftersom förfarandet medger eliminering av avsättnings- l5 7909115-3 processen som däremot krävs för framställning av kisel av elektronisk kvalitet. Kislet blir sålunda användbart för solcellstillämpningar.
Förfarandet enligt föreliggande uppfinning är sär- skilt intressant för tillverkningar i stor skala, koppla- de med tillverkning av kisel av metallurgisk kvalitet, men det kan även tillämpas vid ugnar med mindre kapa- citet.
Det enligt föreliggande uppfinning renade kislet kan utsättas för är direkt stelnande, varigenom poly- kristaller lämpliga för direkt tillverkning av solceller erhålles.
Följande exempel ges för att bättre illustrera fördelarna och egenskaperna hos föreliggande uppfin- ning utan att emellertid begränsa denna.
EXEMPEL l 200 kg metallurgiskt kisel hälldes i en skopa vid en temperatur av 155000.
Medelhalten av de huvudsakliga föroreningarna, be- stämda på ett prov medelst masspektrofotometri och ut- tryckt som ppmw, var följande: B = 26,1; Al = 22 600; P = 83,8; Ti = 1410; V = 938; Cr = 2240; Fe = 34 500; Ni = 1660; Zr = 90,3. 40 kg BaC03 hade tidigare införts i skopbottnen.
Omröring av den smälta produkten erhölls genom in- blåsning av syre genom bottnen. Reaktionen genomfördes i lh, varpå produkten hälldes i en gjutform och fick svalna.
Det så erhållna kislet krossades till en storlek av ca 20-50 mm. Bitarna bringades att smälta i 48 h i 400 liter av en vattenlösning innehållande 10 vikt% HCl och 10 vikt% HFi_Ett kiselpulver med en kornstorlek av 0,5-2 mm erhölls sålunda, vilket därefter tvättades och filtrerades.
Föroreningshalten, bestämd medelst masspektrofoto- metri och uttryckt i ppmw, var följande: '7909115-3 6 B = 4; A1 = 0,1; P = 0,1; Ti <0,018; V < 0,015; Cr < 0,04; Fe < 0,6; Ni < 0,5; zr < 0,07.
EXEMPEL 2 Man utgick från ett metallurgiskt kisel, i vilket halten av de huvudsakliga föroreningarna bestämda genom masspektrofotometri och uttryckt i ppmw, var följande: B = 20; A1 = 24 000; P = 60; Ti = 2200; V = 1000; 2600; Fe = 16 000; Ni = 1800; Zr = 110. 1000 g av detta kisel, malt till en storlek av mindre än 50 pm, blandades med 200 g BaO.
Cr = Den resulterande blandningen smältes vid en tempe- ratur av ca l6OOOC i en kvartsdegel medelst en radiofrek- vensugn och reaktionen fick fortskrida i 3 h.
Efter kylning och malning till en kornstorlek av -30 mm fick kislet smälta i 24 h under omröring i 2 liter av en vattenlösning innehållande 10 vikt% HCl och 10 vikt% HF.
Sålunda var det möjligt att erhålla ett kiselpulver med en kornstorlek av 0,5-2 mm, vilket tvättades och filtrerades. Halten föroreningar, mätt genom masspektro- fotometri och uttryckt i ppmw, var följande: B = 5; A1 = 0,2; P = 1; Ti < 0,018; V < 0,015; Br ( 0,04; Fe < 0,6; Ni < 0,5; Zr< 0,07.

Claims (5)

    10 15 20 79o911s-5 PATENTKRAV
  1. l. Förfarande för rening av kisel, k ä n n e - t e c k n a t av att kisel i ett smält tillstånd om- sättes med bariumkarbonat- och/eller oxid och/eller -hydroxid, varefter det efter kylning och krossning lakas med en eller flera utspädda oorganiska syror.
  2. 2. Förfarande enligt krav l, k ä n n e t e c k - n a t av att en oxiderande gas, vald bland syre och vattenânga,blåses in i den smälta massan under reak- tionen.
  3. 3. Förfarande enligt krav l eller 2, k ä n n e- t e c k n a t av att reaktionen med bariumkarbonat och/eller -oxid och/eller -hydroxid genomföres vid området 15 so-2ooo°c. enligt ett eller flera av de före- en temperatur inom
  4. 4. Förfarande n n e t e c k n a t av att barium- -oxid och/eller -hydroxid tillsät- området 5-30 vikt% med avseende på gående kraven, k ä karbonat och/eller tes i mängder inom kislet som skall renas.
  5. 5. Förfarande enligt ett eller flera av de före- gående kraven, k ä n n e t e c k n a t av att lakningen genomföres med en syra vald bland klorvätesyra, fluor- vätesyra, salpetersyra, svavelsyra eller blandningar därav.
SE7909115A 1978-11-09 1979-11-05 Forfarande for rening av kisel SE438309B (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT29622/78A IT1100218B (it) 1978-11-09 1978-11-09 Procedimento per la purificazione di silicio

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE7909115L SE7909115L (sv) 1980-05-10
SE438309B true SE438309B (sv) 1985-04-15

Family

ID=11228135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE7909115A SE438309B (sv) 1978-11-09 1979-11-05 Forfarande for rening av kisel

Country Status (15)

Country Link
US (1) US4241037A (sv)
JP (1) JPS5567519A (sv)
AU (1) AU528382B2 (sv)
BE (1) BE879913A (sv)
BR (1) BR7907218A (sv)
CA (1) CA1133681A (sv)
DE (1) DE2944975A1 (sv)
ES (1) ES485807A1 (sv)
FR (1) FR2440913A1 (sv)
GB (1) GB2036708B (sv)
IT (1) IT1100218B (sv)
NL (1) NL7908106A (sv)
NO (1) NO152208C (sv)
SE (1) SE438309B (sv)
ZA (1) ZA795987B (sv)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001042136A1 (en) * 1999-12-08 2001-06-14 Elkem Asa Refining of metallurgical grade silicon

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3123009A1 (de) * 1981-06-10 1982-12-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von fuer solarzellen verwendbarem silizium
DE3201312C2 (de) * 1982-01-18 1983-12-22 Skw Trostberg Ag, 8223 Trostberg Verfahren zur Reinigung von Silicium
NO152551C (no) * 1983-02-07 1985-10-16 Elkem As Fremgangsmaate til fremstilling av rent silisium.
DE3332447A1 (de) * 1983-09-08 1985-03-21 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur befreiung von siliciumbruchstuecken von verunreinigungen
US4777030A (en) * 1985-07-24 1988-10-11 Enichem, S.P.A. Process for recovery of silicon from a reaction mixture
GB2190368B (en) * 1986-04-16 1989-12-13 Westinghouse Electric Corp Method of removing film from dendritic web silicon
US4898960A (en) * 1986-12-22 1990-02-06 Dow Corning Corporation Method of direct process performance improvement via control of silicon manufacture
NO180532C (no) * 1994-09-01 1997-05-07 Elkem Materials Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium
CA2232777C (en) * 1997-03-24 2001-05-15 Hiroyuki Baba Method for producing silicon for use in solar cells
US20040043500A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-04 Rumps J Eric Wafer-scale microwave digestion apparatus and methods
EP1687240A1 (en) * 2003-12-04 2006-08-09 Dow Corning Corporation Method of removing impurities from metallurgical grade silicon to produce solar grade silicon
JP4766837B2 (ja) 2004-03-03 2011-09-07 新日鉄マテリアルズ株式会社 シリコンからのホウ素除去方法
JP4966560B2 (ja) * 2005-03-07 2012-07-04 新日鉄マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造方法
JP5140835B2 (ja) * 2005-03-07 2013-02-13 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造方法
JP4741860B2 (ja) * 2005-03-07 2011-08-10 新日鉄マテリアルズ株式会社 高純度のシリコンの製造方法
JP4850501B2 (ja) * 2005-12-06 2012-01-11 新日鉄マテリアルズ株式会社 高純度シリコンの製造装置及び製造方法
JP4920258B2 (ja) * 2006-01-17 2012-04-18 新日鉄マテリアルズ株式会社 シリコンのスラグ精錬方法及び高純度シリコンの製造装置
US7682585B2 (en) * 2006-04-25 2010-03-23 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Silicon refining process
BRPI0716934A2 (pt) * 2006-09-14 2013-09-17 Silicium Becancour Inc processo e aparelho para a purificaÇço de material de sÍlica de baixa qualidade
US9243311B2 (en) * 2007-03-13 2016-01-26 Silicor Materials Inc. Method for removing phosphorous and boron from aluminium silicon alloy for use in purifying silicon
ITMI20081085A1 (it) * 2008-06-16 2009-12-17 N E D Silicon S P A Metodo per la preparazione di silicio di grado metallurgico di elevata purezza.
NO331026B1 (no) * 2009-09-23 2011-09-12 Elkem Solar As Fremgangsmate for fremstilling av hoyrent silisium
CN101724900B (zh) * 2009-11-24 2012-05-23 厦门大学 一种多晶硅提纯装置及提纯方法
US20110126877A1 (en) * 2009-11-27 2011-06-02 Jinah Kim Solar cell
CN101792143B (zh) * 2010-03-24 2011-12-21 姜学昭 提纯硅的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1037713A (en) * 1911-06-26 1912-09-03 Carborundum Co Method of making silicon articles.
US2885364A (en) * 1955-05-31 1959-05-05 Columbia Broadcasting Syst Inc Method of treating semiconducting materials for electrical devices
US2866701A (en) * 1956-05-10 1958-12-30 Vanadium Corp Of America Method of purifying silicon and ferrosilicon
US3012865A (en) * 1957-11-25 1961-12-12 Du Pont Silicon purification process
NL134280C (sv) * 1959-05-13
LU39963A1 (sv) * 1960-04-01
GB1103329A (en) * 1964-09-15 1968-02-14 Gen Trustee Co Ltd Refining of silicon
US4092446A (en) * 1974-07-31 1978-05-30 Texas Instruments Incorporated Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4124410A (en) * 1977-11-21 1978-11-07 Union Carbide Corporation Silicon solar cells with low-cost substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001042136A1 (en) * 1999-12-08 2001-06-14 Elkem Asa Refining of metallurgical grade silicon

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5567519A (en) 1980-05-21
ZA795987B (en) 1980-10-29
DE2944975A1 (de) 1980-05-22
NO793552L (no) 1980-05-12
IT1100218B (it) 1985-09-28
AU528382B2 (en) 1983-04-28
GB2036708A (en) 1980-07-02
BE879913A (fr) 1980-05-08
FR2440913A1 (fr) 1980-06-06
NO152208C (no) 1985-08-21
US4241037A (en) 1980-12-23
SE7909115L (sv) 1980-05-10
AU5257079A (en) 1980-05-15
NO152208B (no) 1985-05-13
ES485807A1 (es) 1980-10-01
CA1133681A (en) 1982-10-19
FR2440913B1 (sv) 1982-01-29
BR7907218A (pt) 1980-07-08
NL7908106A (nl) 1980-05-13
GB2036708B (en) 1982-10-20
IT7829622A0 (it) 1978-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE438309B (sv) Forfarande for rening av kisel
CN101855391B (zh) 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
EP2171133B1 (en) Use of acid washing to provide purified silicon crystals
US4612179A (en) Process for purification of solid silicon
US4539194A (en) Method for production of pure silicon
US4837376A (en) Process for refining silicon and silicon purified thereby
US20110052475A1 (en) Production of High Purity Silicon from Amorphous Silica
CN101353167A (zh) 一种超纯冶金硅的制备方法
US20100233063A1 (en) Method for manufacturing high-purity silicon material
CN101362600B (zh) 一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法
CA1194679A (en) Semicontinuous process for the production of pure silicon
EA009888B1 (ru) Способ получения чистого кремния
CN111204801B (zh) 一种高硅含锆废弃物的氧化锆粉磷酸法生产工艺
CN102432020B (zh) 一种太阳能级多晶硅的制造方法
CN1042653C (zh) 一种锑的除铅精炼方法
CA1116832A (en) Method of purifying metallurgical-grade silicon
KR20120002677A (ko) 태양전지용 실리콘제조를 위한 acid leaching을 이용한 MG-Si중 불순물의 정련방법
CN101928983A (zh) 触媒法生产多晶硅和多晶硅薄膜的方法
CN105540601A (zh) 一种五水偏硅酸钠的生产方法
CN110562947A (zh) 一种阳离子金属除杂剂及其应用
Wang et al. Effects of Slag Treatment Conditions on Boron Removal from Metallurgical Silicon by United Gas-Slag Refining Technology
TWI741683B (zh) 以矽泥廢料製造高模數水玻璃之方法
RU2026814C1 (ru) Способ получения высокочистого кремния
JPS58156521A (ja) 太陽電池用シリコンの製造方法
CN117185330A (zh) 一种控温沉降氯化物熔盐净化制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed

Ref document number: 7909115-3

Effective date: 19891120

Format of ref document f/p: F