EA009888B1 - Способ получения чистого кремния - Google Patents

Способ получения чистого кремния Download PDF

Info

Publication number
EA009888B1
EA009888B1 EA200700341A EA200700341A EA009888B1 EA 009888 B1 EA009888 B1 EA 009888B1 EA 200700341 A EA200700341 A EA 200700341A EA 200700341 A EA200700341 A EA 200700341A EA 009888 B1 EA009888 B1 EA 009888B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
silicon
slag
aluminum
aqueous solution
loaded
Prior art date
Application number
EA200700341A
Other languages
English (en)
Other versions
EA200700341A1 (ru
Inventor
Нуралы Султанович БЕКТУРГАНОВ
Борис Анатольевич Бекетов
Марат Фатыхович Тамендаров
Булат Нигметулы Мукашев
Хабибулла Абдуллаевич Абдуллин
Жаксыбек Абрахметович Кулекеев
Original Assignee
Министерство Образования И Науки Республики Казахстан Республиканское Государственное Предприятие "Центр Химико-Технологических Исследований" Дочернее Государственное Предприятие "Физико-Технический Институт"
Тоо "Кремниевые Технологии"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Министерство Образования И Науки Республики Казахстан Республиканское Государственное Предприятие "Центр Химико-Технологических Исследований" Дочернее Государственное Предприятие "Физико-Технический Институт", Тоо "Кремниевые Технологии" filed Critical Министерство Образования И Науки Республики Казахстан Республиканское Государственное Предприятие "Центр Химико-Технологических Исследований" Дочернее Государственное Предприятие "Физико-Технический Институт"
Publication of EA200700341A1 publication Critical patent/EA200700341A1/ru
Publication of EA009888B1 publication Critical patent/EA009888B1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation
    • C01B33/023Preparation by reduction of silica or free silica-containing material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Способ получения чистого кремния алюминотермическим восстановлением диоксида кремния в кремнийсодержащих фосфорных шлаках для фотоэлектронной промышленности, в т.ч. для изготовления солнечных батарей. Фосфорный шлак загружают в графитовый тигель, доводят до плавления индукционным нагревом при эвтектической температуре, после чего добавляют алюминий. Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций, отделяется от шлака и всплывает на его поверхность. На него загружают новую порцию шлака и алюминия. Операцию повторяют несколько раз до полного осаждения прореагировавшего шлака и разделения с кремнием, который заполняет верхнюю часть реактора. Кремний сливают в графитовую изложницу отдельно от шлака, где он медленно охлаждается для образовния зерен не более 1,0 мм, измельчают, просеиванием удаляют мелкие частицы и подвергают гидрохимической очистке водными растворами минеральных кислот в два этапа. В результате получают порошок кремния чистотой 99,99%. Для увеличения растворимости в шлаке образующегося оксида алюминия в шлак добавляют до 30 мол.% фторидов щелочно-земельных металлов.

Description

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к алюминотермическому методу получения чистого кремния для фотоэлектронной промышленности, в том числе для изготовления солнечных батарей.
Одной из наиболее важных и актуальных проблем мировой науки и техники является солнечная энергетика. В настоящее время в производстве солнечных элементов (СЭ) в основном применяется дорогостоящий кремний полупроводниковой чистоты, произведенный по хлорсилановой технологии.
В традиционном процессе металлургический кремний, полученный восстановлением кварца углеродом в дуговой печи, переводится в трихлорсилан путем взаимодействия с хлорводородом. Трихлорсилан очищается дистилляцией и разлагается в присутствии водорода с осаждением высокочистого поликристаллического кремния на нагретые стержни-носители. Кремний, полученный таким образом, отвечает требованиям чистоты для электронных приборов. Однако такая высокая чистота не требуется для кремния, предназначенного в качестве сырья для СЭ. Было сделано много попыток заменить классический метод получения кремния на процесс с более низкой себестоимостью, в котором исключалась бы газовая фаза очистки.
Обычный металлургический кремний содержит некоторое количество металлических и неметаллических примесей, которые делают невозможным его использование для изготовления СЭ. Неметаллические примеси, такие как бор и фосфор, могут быть уменьшены, главным образом, выбором подходящих сырьевых материалов для производства кремния, но это возможно только до определенной степени для большинства металлических примесей Ее, А1, Мп, Си, N1 и др. Исходное сырье высокой степени чистоты стоит дорого, поэтому желательно обеспечить простой и дешевый процесс получения кремния и его очистки, который позволит удалять металлические примеси и/или уменьшать их концентрацию до такой низкой степени, что очищенный кремний будет пригодным для изготовления СЭ.
Известно, что металлические примеси выделяются из кремния во время кристаллизации и что они кристаллизуются вдоль межзеренных границ кремния в виде интерметаллических соединений или как силициды. Поэтому очистка кремния может быть эффективной при управлении кристаллизацией так, что примеси могут быть собраны и удалены, например, вытягиванием кристалла из расплава, зонной плавкой или подобными методами либо растворением примесей минеральными кислотами, которые не действуют на кремний. Вытягивание кристалла из расплава, так же, как зонная плавка, является очень эффективным, но в то же время чрезвычайно дорогим методом очистки, и требуется многократное повторение процесса для металлургического кремния, чтобы получить солнечный кремний.
Согласно патенту США № 4457903, МКИ С01В 33/02 кварц может быть восстановлен алюминием до кремния в присутствии шлака в виде сульфида алюминия. В этом процессе алюминий ведет себя одновременно как восстановитель по отношению к кварцу и как растворитель для образующегося кремния, который впоследствии может быть выкристаллизован в чистом виде при охлаждении раствора алюминия до 600°С. Однако этот процесс требует большого количества алюминия и дополнительных защитных мер из-за запаха и высокой токсичности сульфида алюминия, связан с большими потерями кремния и не обеспечивает требуемой чистоты.
Наиболее близким к предлагаемому и взятым за прототип является способ получения кремния путем взаимодействия алюминия с кремнеземистым шлаком фосфорного производства при массовом соотношении шлака и алюминия 1:(0,3-0,5) при 1200-1300°С в присутствии добавки карбоната магния в количестве 5-20% и стеклобоя в количестве 5-16% от массы алюминия (см. предварительный патент РК № 4627, Бюл. № 2, 16.06.97 г., С01В 33/02). К недостаткам этого способа относятся трудность контроля реакции выщелачивания при кислотной очистке из-за большого тепловыделения и образование силана и газообразного водорода, которые могут вызвать самовозгорание или взрыв, а также недостаточная чистота полученного кремния. Кроме того, большое количество кальция в кремнии служит причиной больших потерь кремния в форме мелких частиц, которые теряются при промывке порошка после выщелачивания.
Технической задачей предлагаемого изобретения является разработка процесса, который может быть использован для производства кремния в промышленных масштабах и который путем использования в качестве сырья дешевых кремнеземистых шлаков фосфорного производства позволяет получать чистый кремний для солнечных батарей, избегая вовлечения дорогостоящей газовой фазы, и без недостатков ранее упомянутых процессов.
В соответствии с настоящим изобретением указанная цель достигается при помощи процесса, характеризуемого тем, что шлак загружают в реактор, нагревают до эвтектической температуры плавления и в расплав вводят алюминий в необходимом количестве для восстановления кремнезема в фосфорном шлаке. Для увеличения растворимости в шлаке образующегося оксида алюминия и снижения вязкости расплава в шихту добавляют до 30 мол.% фторидов щелочно-земельных металлов Кремний, образующийся в результате окислительно-восстановительных реакций в расплаве, легко отделяется от шлака и всплывает на поверхность из-за более низкой плотности по сравнению со шлаком. В отличие от прототипа, в котором для рафинации кремния используется стеклобой, в предлагаемом способе на поверхность расплава кремния загружают новую порцию шлака и алюминия. В результате повторного прохождения жидкого шлака через слой кремния в нижнюю часть реактора эффективность шлаковой очистки
- 1 009888 кремния возрастает. Кроме того, взаимодействие жидкого кремния со шлаком позволяет снизить в нем содержание кальция и алюминия, количество которых при обычном алюминотермическом процессе может достигать нескольких процентов. В данном случае примеси кальция и алюминия в кремнии могут выступать как восстановители кремнезема в новой порции шлака.
Таким образом, шихта в реакционный объем реактора вводится отдельными партиями. Процесс продолжается до полного осаждения прореагировавшего шлака и разделения с кремнием, который заполняет верхнюю часть реактора. После этого кремний сливается отдельно от шлака в графитовую изложницу и медленно охлаждается для получения закристаллизовавшегося слитка с размером зерен не более 1 мм. Затем кремний предварительно дробят, рассеивают, удаляют мелкие частицы и подвергают гидрохимической очистке в два этапа. На первом этапе используют водный раствор ЕеС13 и НС1, на втором - водный раствор НЕ и ΗΝΟ3. На финишном этапе порошок кремния промывают деионизованной водой и сушат.
Сопоставительный анализ заявляемого технического решения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного количественным составом используемой шихты, введением шихты в реакционную емкость отдельными партиями, что позволяет контролировать температуру расплава и устраняет необходимость ее дополнительного перемешивания, обеспечивает эффективный процесс шлаковой очистки кремния, устраняет образование силанов и возможность их самовоспламенения при кислотной очистке. Указанные отличия позволяют получить кремний с чистотой более 99,99%.
Особенным достоинством предлагаемого способа является то, что кремнеземистый шлак служит одновременно средой, в которой происходит реакция восстановления кремния, и средой, в которую происходит экстракция примесей. Многократное прохождение шлака через расплав металлического кремния при его осаждении в реакторе значительно усиливает эффект рафинации кремния. Введение шихты отдельными порциями обеспечивает полноту реакции без механического перемешивания и позволяет контролировать температуру расплава скоростью добавления компонетов.
Термодинамический анализ условий алюминотермического восстановления δίΟ2 в шлаковых расплавах показал, что в системе расплава алюминия и шлака, содержащего СаО, δίΟ2, МдО, Α12Ο3 и в небольших количествах другие окислы, алюминий будет вступать в реакцию, главным образом, с 8ίΟ2 расплава с восстановлением кремнезема до кремния. Сопоставление равновесной активности δίΟ2 с данными по активности кремнезема в системах Ο;·ιΟ-8ίΟ2-Α12Ο3 и СаΟ-δ^Ο2-Α12Ο3-ΜдΟ [см. В.Н. Всш. 1. СЫршаи. №аи8. Ме!а11итд. 8ос. ΑδΜΕ, 227, № 5, 1963] показало, что равновесие в системе «шлаковый расплавалюминий» наступит при содержании δίΟ2 около 0,5 мас.%. Это свидетельствует о высокой степени завершенности окислительно-восстановительных реакций в такой системе.
Алюминий, являясь восстановителем, не обязательно использовать как можно в более чистой форме, чтобы избежать попадания добавочных примесей. Если примеси - это вещества, которые преимущественно накапливаются в шлаке, то может быть использован алюминий более низкой чистоты. С другой стороны, алюминий должен быть как можно более чистым по отношению к примесям, которые плохо расстворяются шлаком и должны быть удалены с самого начала процесса, таким, например, как железо или фосфор. Использование электролитически очищенного алюминия с чистотой по крайней мере 99,9% показало особенную эффективность.
Ниже приводится пример конкретной реализации заявляемого способа.
Фосфорный шлак в количестве 4 кг загружают в графитовый тигель и нагревают в индукционной печи до температуры плавления (1300-1350°С). В расплав кремнеземистого шлака вносят 1 кг гранулированного алюминия чистотой 99,6%. Из-за экзотермического характера реакции фосфорного шлака с алюминием температура расплава поднимается до 1420-1600°С. В этом температурном интервале кремний находится в расплавленном состоянии и легко отделяется от шлака.
Внешний нагрев возобновляется, только когда реакция близка к завершению. Это необходимо, чтобы предотвратить понижение температуры ниже точки плавления продуктов реакции. Индикатором того, что весь реактивный материал полностью прореагировал, является падение температуры, при этом расплав начинает расслаиваться. Вторичный шлак погружается на дно тигля, в то время как кремний из-за меньшей плотности собирается на его поверхности.
После завершения окислительно-восстановительной реакции в расплав кремния последовательно вводят три партии шихты, содержащей 1000 г фосфорного шлака и 250 г гранулированного алюминия. Внешним нагревом графитового тигля температуру расплава поднимают до 1500-1550°С и поддерживают в течение 30 мин, после этого отделяют кремний от шлака. Вес металла - 1260 г.
Кремний сливают в изложницу, позволяющую поддерживать относительно медленную скорость охлаждения для образования зернистой структуры, где кристаллиты кремния отделены друг от друга границами, на которых происходит эффективная сегрегация примесей металлов. Затем проводят дробление и рассеивают для удаления частиц меньше 0,060 мм. Так как кремний обладает высокой твердостью, то при дроблении, в первую очередь, разрушается материал на межзеренных границах, и тем самым уже при механическом воздействии удаляется значительная доля примесных атомов.
- 2 009888
Процесс кислотной очистки происходит в два этапа. На первом этапе предварительно измельченный материал выщелачивается раствором, содержащим ГеС13 100 г/л (10%) и НС1 (2,5%). Условия обработки: Т:Ж=1:5, температура - 80°С. В присутствии ГеС13 в растворе не происходит образования газообразного силана, и поэтому устраняется опасность его самовозгорания. После промывки кремниевый порошок переходит на второй этап процесса выщелачивания, который проводится при комнатной температуре в течение 30 мин и включает обработку порошка водными растворами фтористо-водородной и азотной кислот, разведенными, например, 1-2% НГ, 4-5% ΗΝΟ3. Слишком высокие концентрации растворов приведут к большим потерям кремния при его растворении вместе с примесями. На этой стадии происходит растворение оксидной пленки, образующейся на поверхности кристаллов кремния, и частичное травление поверхностного слоя кремния. Оксидная пленка и поверхностный слой кремния загрязнены примесями, которые содержатся в кремнии в незначительном количестве, однако концентрируются на границе раздела фаз 8ί/8ίΟ2, а также адсорбируются полостями кристаллов и оксидной пленкой.
Кремний, очищенный на втором этапе выщелачивания, промывают водой и высушивают. Продукт просеивают на 1 мм грохоте и после этого тщательно промывают дистиллированной водой или водой, прошедшей через ионообменный фильтр. На всех этапах промывки декантацией удаляются мелкие частицы с размерами меньше 0,050 мм.
При помощи способа, заявленного в изобретении, был получен кремний следующей чистоты.
в% Р% А1% Са% Ге % Мп % %:Τΐ, Си, Ыи,Сг, V, Мо, Ζγ
0,0010 0,0002 0,0010 0,000006 0,00002 0,00001 0,00001
Такой кремний является исходным материалом для выращивания слитков «солнечного» кремния различными методами вытягивания из расплава и зонной плавки.

Claims (5)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Способ получения кремния путем восстановления алюминием диоксида кремния в фосфорном шлаке при температуре 1420-1600°С при содержании алюминия в шихте в молярном отношении к количеству диоксида кремния в шлаке 4:3, отличающийся тем, что загрузку шихты ведут отдельными партиями на расплав кремния, образовавшегося при загрузке предыдущей партии; кремний сливают в графитовую изложницу и медленно охлаждают для получения зернистой структуры с размерами кристаллитов не более 1,0 мм, структуру подвергают дроблению и затем выщелачивают в водном растворе минеральных кислот.
  2. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в шлак дополнительно вводят до 30 мол.% фторидов щелочно-земельных металлов для увеличения растворимости в шлаке образующегося оксида алюминия.
  3. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кремний подвергают дроблению и рассеву для удаления частиц меньше 0,060 мм.
  4. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что кремний выщелачивают в два этапа в водном растворе, содержащем ГеС13 и НС1, и в водном растворе, содержащем НГ и ΗΝΟ3 соответственно.
  5. 5. Способ по п.4, отличающийся тем, что кремний после выщелачивания промывают дистиллированной водой для удаления мелких частиц.
EA200700341A 2004-10-12 2005-10-12 Способ получения чистого кремния EA009888B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KZ20041443 2004-10-12
PCT/KZ2005/000007 WO2006041271A1 (en) 2004-10-12 2005-10-12 Method of production of pure silicon

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA200700341A1 EA200700341A1 (ru) 2007-08-31
EA009888B1 true EA009888B1 (ru) 2008-04-28

Family

ID=35810843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA200700341A EA009888B1 (ru) 2004-10-12 2005-10-12 Способ получения чистого кремния

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP1805106A1 (ru)
EA (1) EA009888B1 (ru)
WO (1) WO2006041271A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA029631B1 (ru) * 2016-09-15 2018-04-30 Геннадий Николаевич Чумиков Способ получения металлургического кремния повышенной чистоты из кремнийсодержащих полупродуктов (кварцевая мелочь, пыль кремниевого производства (микрокремнезем)) методом алюминотермии

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7964172B2 (en) 2009-10-13 2011-06-21 Alexander Mukasyan Method of manufacturing high-surface-area silicon
WO2012000428A1 (en) * 2010-06-29 2012-01-05 Byd Company Limited Method for preparing high purity silicon
WO2013078220A1 (en) * 2011-11-22 2013-05-30 Dow Corning Corporation Method for producing solar grade silicon from silicon dioxide
KR101306688B1 (ko) 2012-04-17 2013-09-17 연세대학교 산학협력단 슬래그로부터 실리콘을 회수하는 방법 및 장치
KR101595330B1 (ko) * 2014-02-21 2016-02-19 재단법인영월청정소재산업진흥원 고순도 메탈실리콘 제조를 위한 실리카의 물리적 및 화학적 처리방법
RU2648436C2 (ru) * 2016-01-25 2018-03-26 Общество с Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Предприятие "КЛИН" Способ получения порошка кремния высокой чистоты из смеси диоксида кремния и алюминия
GB201621609D0 (en) * 2016-12-19 2017-02-01 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Process for the production of commercial grade silicon

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4457903A (en) * 1982-03-11 1984-07-03 Heliotronic Forshungs Und Entwicklungsgesellschaft Fur Solarzellen Grundstoffe Mbh Semicontinuous process for the production of pure silicon
US4539194A (en) * 1983-02-07 1985-09-03 Elkem A/S Method for production of pure silicon

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4457903A (en) * 1982-03-11 1984-07-03 Heliotronic Forshungs Und Entwicklungsgesellschaft Fur Solarzellen Grundstoffe Mbh Semicontinuous process for the production of pure silicon
US4539194A (en) * 1983-02-07 1985-09-03 Elkem A/S Method for production of pure silicon

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MUKASHEV B.N. ET AL.: "A novel low cost process for the production of semiconductor polycrystalline silicon from recycled industrial waste", NATO SCIENCE SERIES, 3: HIGH TECHNOLOGY, 73 (PERSPECTIVES, SCIENCE AND TECHNOLOGIES FOR NOVEL SILICON ON INSULATOR DEVICES), 75-84 CODEN: NSSTFF; ISSN: 1388-6576, 2000, XP008060568, the whole document *
MUKASHEV B.N. ET AL.: "Development of a technology of silicon production by recycling phosphorous industry wastes", SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, AMSTERDAM, NL, vol. 72, no. 1-4, April 2002 (2002-04), pages 605-611, XP004339810, ISSN: 0927-0248, the whole document *
TAMENDAROV M.F. ET AL. COMMISSION OF THE EUROPEAN COMMUNITIES: "TECHNOLOGY AND THERMODYNAMIC MODELLING FOR SEMICOMDUCTOR SILICON PRODUCTION BY RECYCLING INDUSTRIAL WASTES", 16TH. E.C. PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE. GLASCOW, UNITED KINGDOM, MAY 1-5, 2000, PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, LONDON: JAMES & JAMES LTD., GB, vol. VOL. 2 OF 3. CONF. 16, 1 May 2000 (2000-05-01), pages 1631-1633, XP001138965, ISBN: 1-902916-18-2, the whole document *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA029631B1 (ru) * 2016-09-15 2018-04-30 Геннадий Николаевич Чумиков Способ получения металлургического кремния повышенной чистоты из кремнийсодержащих полупродуктов (кварцевая мелочь, пыль кремниевого производства (микрокремнезем)) методом алюминотермии

Also Published As

Publication number Publication date
EP1805106A1 (en) 2007-07-11
WO2006041271A1 (en) 2006-04-20
EA200700341A1 (ru) 2007-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4539194A (en) Method for production of pure silicon
EP2171133B1 (en) Use of acid washing to provide purified silicon crystals
US4312850A (en) Semicontinuous process for the manufacture of pure silicon
RU2445258C2 (ru) Способ очистки кремния
CN101855391B (zh) 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
EA009888B1 (ru) Способ получения чистого кремния
US4241037A (en) Process for purifying silicon
US20170057831A1 (en) Flux composition useful in directional solidification for purifying silicon
CA1194679A (en) Semicontinuous process for the production of pure silicon
KR101733325B1 (ko) 실리콘의 정제 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM

MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): RU