NO174569B - Fremsgangsmaate for fremstilling av solceller ved aa gjenanvende sil isium-basismateriale anvendt for solceller - Google Patents
Fremsgangsmaate for fremstilling av solceller ved aa gjenanvende sil isium-basismateriale anvendt for solceller Download PDFInfo
- Publication number
- NO174569B NO174569B NO883362A NO883362A NO174569B NO 174569 B NO174569 B NO 174569B NO 883362 A NO883362 A NO 883362A NO 883362 A NO883362 A NO 883362A NO 174569 B NO174569 B NO 174569B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- layer
- electrically conductive
- solar cell
- base material
- mis
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000004064 recycling Methods 0.000 title description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 21
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 20
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- -1 cesium ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001180873 Saposhnikovia divaricata Species 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/062—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the metal-insulator-semiconductor type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/928—Front and rear surface processing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/98—Utilizing process equivalents or options
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte for fremstilling av solceller ved å gjenanvende silisiumbasismateriale (S) fra en metall-isolator-halvleder-(MIS)-inversjonssjikt-solcelle, hvorved det på den ene side avvbasismaterialet er anordnet en første elektrisk ledende flateformet eller partielt formet kontakt og på den motsatte side et MIS-solcellespesifikt sjikt i form av et første isolatorsjikt , så som silisiumoxydsjikt, og en på dette plassert andre elektrisk ledende kontakt fortrinnsvis i gitter- eller fingerform, såvel som et andre isola-tors jikt, så som silisiumnitrid- eller silisiumoxynitridsjikt.
Den verdensomspennende utvikling av fotoelek-trisiteten for utnyttelse på jorden er kjennetegnet ved bestrebelsene på stadig å redusere omkostningene ved frem-stillingen av solceller. Spesielt for den f.eks. fra DE-PS 28 46 096 kjente MIS-inversjonsskikt-solcelle, hvor rimelig ' polykrystallinsk solcellesilisium kan benyttes, er det
opnådd stor fremgang, ettersom en høy virkningsgrad kan oppnås med gunstige fremstillingskostnader.
Basismaterialet for en slik celle består av én-eller polykrystallinsk p-ledende silisium. På baksiden er en
c første elektrisk ledende kontakt påført - partielt eller flateformet. På den motsatte side er det fortrinnsvis påført et omtrent 1,5 nm tykt silisiumoxydsjikt som isolatorsjikt ved hjelp av en kort termisk oxydasjonsprosess ved relativt lav temperatur (ca. 500° C). Deretter påføres frontkontakten som betegnes som den andre elektrisk ledende kontakt, og som bør oppvise finger- eller gitterstruktur. Etter påføring av denne kontakt belegges overflaten av silisiumoxydsjiktet med alkali-ioner, fortrinnsvis cesium-ioner, ved en påfølgende dykkeprosess i en alkalimetallholdig løsning, fortrinnsvis cesiumløsning. Deretter påføres et andre isolasjonssjikt,
fortrinnsvis i form av silisiumnitrid siler -oxynitrid.
Dette skjer med en plasmaunderstøttet CVD (chemical vapour deposition)-metode ved lave temperaturer (ca. 250° C), hvorved det utskilles et ca. 80 nm tykt silisiumnitrid- eller -oxy-nitridsjikt, som holder fast alkalioner, så som cesiumioner,
i deres posisjoner. Det nødvendige inversjonssjikt dannes i
silisium-basismaterialet gjennom influens. Silisiumnitrid-eller -oxynitridsjiktet virker samtidig som antirefleksjons-sj ikt.
Virkningsmåten for MIS-inversjonssjikt-solcelle-typen lar seg nå beskrive som følger.
Lyn som faller inn mellom områdene som danner den andre elektriske kontakt danner i silisiumbasismaterialet elektron-hullpar som blir adskilt i et elektrisk felt. Dette blir dannet ved eksistensen av en stedsmessig fast, positiv flateladning på nitrid-oxydgrensesjiktet som induserer en sammenlignbar ladning av bevegelige elektroner i den silisium-side som vender mot oxydet, og deretter induseres en påfølgende utarmingssone. Sjiktet med de bevegelige elektronene som oppviser en tykkelse på ca. 10 til 50 nm endrer eller inverterer ledningstypen i silisiumbasismaterialet. De separerte hull diffunderer til første elektrisk ledende kontakt, bakside-elektroden, mens elektronene innenfor det godt ledende inversjonsjikt vandrer til den fortrinnsvis i stige- eller gitterform dannede elektrisk ledende kontakt, tunnelerer gjennom silisiumoxydsjiktet og når den ytre strømkrets.
Solceller som ikke er i henhold til spesifika-sjonen - det være seg fremstillings- eller aldringsbetinget - behandles som avfall. Det ville imidlertid være ønskelig å kunne gjenanvende slike solceller eller i det minste områder av disse, hvorved de samlede kostnader ved fremstilling av denne type MIS-inversjonsjiktsolceller ville reduseres.
Den foreliggende oppfinnelses oppgave er derfor å stille til disposisjon en fremgangsmåte for gjenanvendeIse av silisiumbasismateriale fra en MIS-inversjonssjiktsolcelle som er rimelig og teknisk enkel å gjennomføre.
Denne fremgangsmåte er kjennetegnet ved at minst de deler av det MIS-solcellespesifikke sjikt sam omfatter det andre iso-lators jikt og den andre elektrisk ledende kontakt, fjernes-og erstattes med tilsvarende nye sjikt. Herigjennom oppnås den fordel at silisiumbasismateriale fra en solcelle som ikke er i henhold til spesifikasjonene, som er defekt eller aldret, kan brukes om igjen, noe som en vet kan innvirke inntil 30% på fremstil-lingskostnadene for en solcelle. Fortrinnsvis fjernes ikke bare det andre ledende isolatorsjikt og den andre elektrisk ledende kontakt, men minst også alkalimetallionene i det første isolatorsjikt og den første elektrisk ledende kontakt. Deretter påføres igjen tilsvarende sjikt på silisiumbasis-materialskiven, slik at en ny funksjonsdyktig MIS-inversjons-sj iktsolcelle stilles til disposisjon. Før dette kan basis-materialskiven etses for å fjerne eksisterende forurensninger og/eller feilsteder eller lignede. Sjiktene kan enten fjernes selektivt eller som enhet. Derved kan det benyttes en kjemisk eller plasmakjemisk etseprosess. For å oppnå et tidsbesparende prosessforløp kan det andre isolatorsjikt fjernes først og deretter fortrinnsvis den første og andre elektriske kontakt samtidig.
For fjerning av den første og andre elektrisk ledende kontakt såvel som det andre isolatorsjikt kan MIS-inversjonssj ikt solcellen neddykkes i en mineralsyre så som O-H3PO4 ved en temperatur mellom 50° C og 100° C.
Alternativt finnes muligheten til å fjerne det andre isolatorsjikt ved hjelp av plasmaetsing, f.eks. i C2F6/O2-gassfase eller ved hjelp av plasmakjemisk etsing, f.eks. i NF3~gassfase. Selvsagt er det også mulig å fjerne det MIS-solcellespesifikke sjikt som enhet, f.eks. mekanisk.
Endelig kan det sjikt av silisiumbasismateriale
som skal gjenanvendes, benyttes for en ny MIS-inversjonsjikt-solcelle ved at baksiden av den gamle celle blir forside i den nye og omvendt.
Oppfinnelsens videre detaljer og fordeler fremgår av kravene og de faktorer som kan tas ut fra disse alene og/eller i kombinasjon.
På grunnlag av den følgende beskrivelse av et utførelseseksempel som kan tas fra tegningen, fremgår ytterligere detaljer, fordeler og andre faktorer ved oppfinnelsen.
I den eneste figur er en MIS-inversjonssjiktsolcelle (10) fremstilt rent skjematisk. På forsiden av et p-dotert silisiumbasismateriale (12) er et første isolator-sj ikt (14) påført i form av silisiumoxyd. På dette befinner seg partielt, fortrinnsvis i form av fingre eller gitre, en elektrisk ledende kontakt (18) over hvilken de i halvleder-materialet gjennom lysinnstråling oppståtte minoritets-ladningsbærere avledes. Silisiumoxydsjiktet (14) og den elektriske kontakt (18) er videre dekket av et andre isola-torsj ikt (16) i form av silisiumnitrid eller silisiumoxynitrid. På baksiden er det dannet en videre elektrisk ledende kontakt (24) som i utførelseseksemplet er flat, men som også kan påbringes partielt - som frontkontakten. I silisiumnitrid- eller silisiumoxynitridsjiktet (16) må det befinne seg en høy tetthet av positive ladninger bestående av den naturlige ladning eller ladning innbrakt av fremmedioner, som induserer et inversjonsjikt (20) bestående av elektroner på overflaten av det p-doterte silisiumbasismaterialet (12). Elektroner dannet ved lys diffunderer så til forsiden, altså til den elektrisk ledende kontakt (18), og blir akselerert i det elektriske felt som dannes av de positive isolator-ladningene (22) og vandrer langs det godt ledende inversjonssjikt (20) til den elektrisk ledende kontakt (18), for så å avledes etter tunnelering gjennom silisiumoxydsjiktet (14).
Er en slik utført MIS-inversjonssjiktsolcelle
ikke lenger i henhold til spesifikasjonene, så kan etter fjerning av spesielt de MIS-solcelle spesifikke sjikt silisiumbasismaterialet (12) gjenanvendes for en solcelle som fremstilles på nytt.
Fjerningen av slike sjikt skal forklares nærmere på grunnlag av de etterfølgende eksempler.
Eksempel A:
Solcellen (10) neddykkes i O-H3PO4 ved temperaturer mellom 50° C og 150° C, fortrinnsvis i temperatur-området 100° C til 120° C. Etter kort tid - avhengig av den valgte temperatur i minuttområdet -' oppløses hele flaten av den elektrisk ledende bakkontakt (24), som består av aluminium, under hydrogenutvikling. Etter en ytterligere innvirk-ningstid i området timer løser seg så det andre isolatorsjikt (22) på frontsiden i form av silisiumoxynitrid opp sammen med den elektriske kontakt (18), som likeledes består av aluminium. Deretter følger fortrinnsvis en fjerning av de tilstedeværende ione-elementer fra første hovedgruppe, fortrinnsvis cesium, fra silisiumoxydsjiktet (14). Deretter kan silisiumbasismaterialet (12) som også betegnes som "wafer", underkastes en poleringsetsing, for så på vanlig måte å benyttes for fremstilling av en ny MIS-inversjonssjiktsolcelle. Poleretsemiddelet kan ha en sammensetning av 1
del HF (50%) og 6 deler HN03 (70%).
Eksempel B:
Den elektrisk ledende kontakt (24) kan fjernes tilsvarende eksempel A. For at prosessen skal gå hurtigere fjernes det andre isolatorsjikt (22) i form av silisiumnitrid med en plasmaetsemetode. Dette kan enten finne sted i en C2F6/O2- (forhold 60%/40%) eller i en NF3-plasmakjemisk etseprosess. Den elektrisk ledende kontakt (18) som består av aluminium kan likeledes fjernes på tilsvarende måte som fjerningen av kontakten (24). Fortrinnsvis er forløpet av
fremgangsmåten slik at sjikt (22) fjernes først, og så fraløses de elektriske kontakter (18) og (24) i en arbeids-gang. Poleretsingen av silisiumbasismaterialet (12) følger så tilsvarende eksempel A.
Eksempel C:
Silisiumnitridsjiktet (22) på frontsiden innbefattet alkalimetallionene og det elektrisk ledende kontaktsystem (18) underkastes en mekanisk avslipning. For dette anordnes solcellen (10) på en dreietallerken og blir behandlet ved hjelp av et abrasivmiddel. Fjerning av kontakten (24) og etsisng av silisiumbasismaterialet (12) følger så tilsvarende eksempel A. Alternativt kan kontakten (24) også fjernes ved mekanisk avslipning.
Eksempel D:
Er det andre isolatorsjikt (22) fjernet fra MIS-inversjonssj iktsolcellen (10) i form av silisiumnitrid, fjernes de elektriske kontakter (18) og (24) ved hjelp av en plasmakjemisk etsemetode. For dette blir cellen (10) som er befridd fra silisiumnitridsjiktet (22) tilført en plasma-reaktor og behandlet med klor som etsegass ved en plasmaytelse fra 50 til 100 watt, fortrinnsvis 150 til 250 watt. Det som fjernes ved etsingen skal typisk bevege seg i området fra 1 um pr. minutt.
Når basismaterialet (12) er befridd fra samtlige sjikt (14), (16), (18), (24), må ikke de nypåførte sjikt anordnes på den samme side som de før fjernede sjikt. Tvertimot kan den opprinnelige frontside på solcellen (10) benyttes som bakside på den nye solcelle og omvendt.
Claims (10)
1. Fremgangsmåte for fremstilling av solceller ved å gjenanvende silisiumbasismateriale (S) fra en metall-isolator-halv-leder-(MIS)-inversjonssjikt-solcelle (10), hvorved det på den ene side av basismaterialet er anordnet en første elektrisk ledende flateformet eller partielt formet kontakt (24) og på den motsatte side et MIS-solcellespesifikt sjikt i form av et første isolatorsjikt (14), så som silisiumoxydsjikt, og en på dette plassert andre elektrisk ledende kontakt (18) fortrinnsvis i gitter- eller fingerform, såvel som et andre isolatorsjikt (16) , så som silisiumnitrid- eller silisiumoxynitridsjikt, karakterisert ved åt minst de delér av det MIS-solcellespesifikke sjikt som omfatter det andre isolatorsjikt (16) og den andre elektrisk ledende kontakt (18), fjernes og erstattes av tilsvarende nye sjikt.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at innebyggede alkali-metallioner, så som cesiumioner, i det første isolatorsjikt (14) fjernes.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 1 , karakterisert ved at de enkelte sjikt fjernes selektivt.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 1,
:karakterisert ved at sjiktene fjernes ved
en kjemisk eller plasmakjemisk etseprosess.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 1,
karakterisert ved at det andre isolatorsjikt (16) fjernes først, og så fortrinnsvis samtidig den første og den andre elektrisk ledende kontakt (18, 24)
6. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at MIS-inversjonsjikt-solcellen (10) neddykkes i en mineralsyre, fortrinnsvis
O-H3PO4, ved en temperatur på mellom 50° C og 100° C for fjerning av den første og andre elektrisk ledende kontakt (18, 24) såvel som det andre isolatorsjikt (16).
7. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at det andre isolatorsjikt (16) fjernes ved hjelp av plasmaetsing i f.eks. C2F6/O2-gassfase eller ved hjelp av plasmakjemisk etsing i f.eks. NF3~gassfase.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 1 , karakterisert ved at detMIS-solcellespesifikke sjikt (14, 18) blir fjernet som en enhet f.eks. på mekanisk måte.
9. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at de elektrisk ledende kontakter(18, 24) fjernes plasmakjemisk med fortrinnsvis klor som etsegass.
10. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved atdesj ikt som skal påføres blir påført på en annen side av silisiumbasismaterialet (12) enn de tilsvarende fjernede sjikt.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19873725346 DE3725346A1 (de) | 1987-07-30 | 1987-07-30 | Verfahren zur wiederverwendung von silizium-basismaterial einer metall-isolator-halbleiter-(mis)-inversionsschicht-solarzelle |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO883362D0 NO883362D0 (no) | 1988-07-29 |
| NO883362L NO883362L (no) | 1989-01-31 |
| NO174569B true NO174569B (no) | 1994-02-14 |
| NO174569C NO174569C (no) | 1994-05-25 |
Family
ID=6332753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO883362A NO174569C (no) | 1987-07-30 | 1988-07-29 | Fremgangsmåte for fremstilling av solceller ved å gjenanvende silisiumbasismateriale anvendt for solceller |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4891325A (no) |
| EP (1) | EP0301471B1 (no) |
| JP (1) | JPS6444074A (no) |
| DE (2) | DE3725346A1 (no) |
| ES (1) | ES2032906T3 (no) |
| IN (1) | IN170013B (no) |
| NO (1) | NO174569C (no) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0460287A1 (de) * | 1990-05-31 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Neuartige Chalkopyrit-Solarzelle |
| EP0627763B1 (en) * | 1993-05-31 | 2004-12-15 | STMicroelectronics S.r.l. | Process for improving the adhesion between dielectric layers at their interface in semiconductor devices manufacture |
| US5656554A (en) * | 1994-07-29 | 1997-08-12 | International Business Machines Corporation | Semiconductor chip reclamation technique involving multiple planarization processes |
| DE19539699C2 (de) * | 1995-10-25 | 1998-03-19 | Siemens Solar Gmbh | Verfahren zur Verwertung von defekten, laminierten Solarmodulen |
| US5923946A (en) * | 1997-04-17 | 1999-07-13 | Cree Research, Inc. | Recovery of surface-ready silicon carbide substrates |
| US5920764A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-06 | International Business Machines Corporation | Process for restoring rejected wafers in line for reuse as new |
| US6037271A (en) * | 1998-10-21 | 2000-03-14 | Fsi International, Inc. | Low haze wafer treatment process |
| RU2274615C2 (ru) * | 2000-04-28 | 2006-04-20 | Мерк Патент Гмбх | Гравировальные пасты для неорганических поверхностей |
| JP4886116B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2012-02-29 | 本田技研工業株式会社 | 電界効果型の太陽電池 |
| US6774300B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-08-10 | Adrena, Inc. | Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure |
| DE10150040A1 (de) * | 2001-10-10 | 2003-04-17 | Merck Patent Gmbh | Kombinierte Ätz- und Dotiermedien |
| CN101305472B (zh) * | 2005-11-08 | 2011-07-13 | Lg电子株式会社 | 高效太阳能电池及其制备方法 |
| DE102007030957A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Siltronic Ag | Verfahren zum Reinigen einer Halbleiterscheibe mit einer Reinigungslösung |
| KR20150063581A (ko) * | 2008-01-23 | 2015-06-09 | 솔베이 플루오르 게엠베하 | 태양전지의 제조 방법 |
| US7749869B2 (en) * | 2008-08-05 | 2010-07-06 | International Business Machines Corporation | Crystalline silicon substrates with improved minority carrier lifetime including a method of annealing and removing SiOx precipitates and getterning sites |
| CN102522458A (zh) * | 2011-12-28 | 2012-06-27 | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 | 一种单晶色斑片返工方法 |
| CN102629644B (zh) * | 2012-04-21 | 2014-11-19 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种成品晶硅太阳能电池片的返工工艺 |
| US9466755B2 (en) * | 2014-10-30 | 2016-10-11 | International Business Machines Corporation | MIS-IL silicon solar cell with passivation layer to induce surface inversion |
| CN106981547A (zh) * | 2017-04-29 | 2017-07-25 | 无锡赛晶太阳能有限公司 | 一种处理单晶返工片的方法 |
| CN110444616B (zh) * | 2018-05-04 | 2022-12-09 | 南京航空航天大学 | 一种超薄晶硅太阳电池及其制备方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3559281A (en) * | 1968-11-27 | 1971-02-02 | Motorola Inc | Method of reclaiming processed semiconductior wafers |
| US4062102A (en) * | 1975-12-31 | 1977-12-13 | Silicon Material, Inc. | Process for manufacturing a solar cell from a reject semiconductor wafer |
| US4013485A (en) * | 1976-04-29 | 1977-03-22 | International Business Machines Corporation | Process for eliminating undesirable charge centers in MIS devices |
| US4253881A (en) * | 1978-10-23 | 1981-03-03 | Rudolf Hezel | Solar cells composed of semiconductive materials |
| US4255208A (en) * | 1979-05-25 | 1981-03-10 | Ramot University Authority For Applied Research And Industrial Development Ltd. | Method of producing monocrystalline semiconductor films utilizing an intermediate water dissolvable salt layer |
| JPS5693375A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-28 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric conversion device |
| US4322571A (en) * | 1980-07-17 | 1982-03-30 | The Boeing Company | Solar cells and methods for manufacture thereof |
| DE3135933A1 (de) * | 1980-09-26 | 1982-05-19 | Unisearch Ltd., Kensington, New South Wales | Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung |
| DE3110931A1 (de) * | 1981-03-20 | 1982-09-30 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Recyclingverfahren fuer mit cu(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)s beschichtete cds-schichten |
| US4640002A (en) * | 1982-02-25 | 1987-02-03 | The University Of Delaware | Method and apparatus for increasing the durability and yield of thin film photovoltaic devices |
| US4404421A (en) * | 1982-02-26 | 1983-09-13 | Chevron Research Company | Ternary III-V multicolor solar cells and process of fabrication |
| DE3234678A1 (de) * | 1982-09-18 | 1984-04-05 | Battelle-Institut E.V., 6000 Frankfurt | Solarzelle |
| DE3420347A1 (de) * | 1983-06-01 | 1984-12-06 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Gas und verfahren zum selektiven aetzen von siliciumnitrid |
| JPS6043871A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の劣化回復方法 |
| DE3536299A1 (de) * | 1985-10-11 | 1987-04-16 | Nukem Gmbh | Solarzelle aus silizium |
| US4806496A (en) * | 1986-01-29 | 1989-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Method for manufacturing photoelectric conversion devices |
-
1987
- 1987-07-30 DE DE19873725346 patent/DE3725346A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-07-14 US US07/219,449 patent/US4891325A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-07-15 IN IN595/CAL/88A patent/IN170013B/en unknown
- 1988-07-26 ES ES198888112008T patent/ES2032906T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-26 EP EP88112008A patent/EP0301471B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-26 DE DE8888112008T patent/DE3871456D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-29 NO NO883362A patent/NO174569C/no unknown
- 1988-07-29 JP JP63190505A patent/JPS6444074A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3725346A1 (de) | 1989-02-09 |
| EP0301471B1 (de) | 1992-05-27 |
| NO174569C (no) | 1994-05-25 |
| IN170013B (no) | 1992-01-25 |
| US4891325A (en) | 1990-01-02 |
| NO883362D0 (no) | 1988-07-29 |
| JPS6444074A (en) | 1989-02-16 |
| ES2032906T3 (es) | 1993-03-01 |
| EP0301471A3 (en) | 1990-01-31 |
| DE3871456D1 (de) | 1992-07-02 |
| NO883362L (no) | 1989-01-31 |
| EP0301471A2 (de) | 1989-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO174569B (no) | Fremsgangsmaate for fremstilling av solceller ved aa gjenanvende sil isium-basismateriale anvendt for solceller | |
| EP2257991B1 (en) | Fabrication method for back contact solar cell | |
| EP2650926B1 (en) | Solar cell and method of making a solar cell | |
| CN102343352B (zh) | 一种太阳能硅片的回收方法 | |
| JP6815532B2 (ja) | 光電変換効率を向上可能なｐｅｒｃ太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2010171464A (ja) | へテロ接合およびインターフィンガ構造を有する半導体デバイス | |
| WO2017058004A2 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| US9252302B2 (en) | Photovoltaic back contact | |
| US20120298192A1 (en) | Light to current converter devices and methods of manufacturing the same | |
| CN102157624A (zh) | 一种硅太阳能电池及其制备方法 | |
| US20120138139A1 (en) | Dry etching method of surface texture formation on silicon wafer | |
| CN113394308A (zh) | 半导体衬底层的处理方法及太阳能电池的形成方法 | |
| CN204680649U (zh) | 用于高能离子注入的复合掩膜 | |
| TWI650872B (zh) | 太陽能電池及其製造方法、太陽能電池模組及太陽能電池發電系統 | |
| CN110854222B (zh) | 一种漂移探测器的双面制备方法及漂移探测器 | |
| JP2005129714A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
| JP2661676B2 (ja) | 太陽電池 | |
| KR100537757B1 (ko) | 중공음극 플라즈마로 전극을 분리한 실리콘 태양전지의 제조방법 | |
| CN110785856B (zh) | 高效太阳能电池的制造方法 | |
| JP2005209726A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TWI741814B (zh) | 具鈍化層之太陽能電池 | |
| CN105304759A (zh) | 一种mis晶体硅太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2707555B2 (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| CN115938921A (zh) | 改善电子辐照后超结器件阈值电压稳定性的方法 | |
| KR101090124B1 (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 |