NO155926B - Transportoeranordning for et lagersystem. - Google Patents
Transportoeranordning for et lagersystem. Download PDFInfo
- Publication number
- NO155926B NO155926B NO820824A NO820824A NO155926B NO 155926 B NO155926 B NO 155926B NO 820824 A NO820824 A NO 820824A NO 820824 A NO820824 A NO 820824A NO 155926 B NO155926 B NO 155926B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- glass
- percent
- mgo
- per cent
- approx
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 51
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 31
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 28
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 24
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 24
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000006121 base glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 11
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 10
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 claims description 8
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 210000004127 vitreous body Anatomy 0.000 claims description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 5
- 239000010987 cubic zirconia Substances 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 2
- 229910020169 SiOa Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 claims 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 16
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 9
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- -1 (3-quartz) Chemical compound 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001306288 Ophrys fuciflora Species 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052642 spodumene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000010001 Silicosis Diseases 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000029142 excretion Effects 0.000 description 1
- 238000007572 expansion measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000006025 fining agent Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 229910001676 gahnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012332 laboratory investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001760 lithium mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000001331 nose Anatomy 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000012089 stop solution Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G1/00—Storing articles, individually or in orderly arrangement, in warehouses or magazines
- B65G1/02—Storage devices
- B65G1/04—Storage devices mechanical
- B65G1/0407—Storage devices mechanical using stacker cranes
- B65G1/0414—Storage devices mechanical using stacker cranes provided with satellite cars adapted to travel in storage racks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
Description
Transparente glass-keramiske legemer og fremgangsmåte for deres fremstilling.
Oppfinnelsen vedrører fremstilling av transparente glass-keramiske legemer som har meget høy styrke og stor motstands-evne mot termiske sjokk.
Søkingen etter en semikrystallinsk eller glass-keramisk artikkel, dvs., en artikkel sammensatt av finkornede krystaller vesentlig homogent dispergert i en glassmatriks og utviklet in situ i et glasslegeme, har sin opprinnelse i det minste så langt tilbake som Reamur's klassiske eksperi-menter med porselen. Med hensyn til praktisk anvendelse imidlertid, er fremstillin-gen av semikrystallinske artikler bare 10 år gammel. U.S. patent nr. 2 920 971, åpnet en ny vei på glassområdet og forklarer de teoretiske grunnlag og de nødvendige mekaniske prosesser for å overføre et glasslegeme til et glasskeramisk eller semikrystallinsk legeme. I dette patent diskuteres basismekanismen som muliggjør fremstil-lingen av slike legemer, dvs. den kontrol-lerte varmebehandling av spesielle glassblandinger for å bevirke utfelling og vekst av den krystallinske fase in situ. Den fundamentale teori for virkningen av et kjernedannende stoff i utvikling av krystallinske faser angis heri med spesiell henvisning til effektiviteten av titan som kjernedannende stoff. I sammendrag omfatter fremstillin-gen av glass-keramiske artikler trinnet med å smelte et glassformende bad, deretter avkjøle smeiten og forme en glassartikkel herav, og etterfølgende varmebehandling av denne glassartikkel innen. et. spesielt temperaturområde i en tilstrekkelig tid til å utvikle den ønskede interne krystallisering. Titandioksyd antas å virke som et kjernedannende stoff. Således antas det at ved begynnelsen av varmebe-handlingstrinnet utvikles submikroskop-iske partikler først i glasslegemet, og disse partikler danner punkter, hvorpå krystallinske faser vokser ettersom varmebehandlingen fortsetter. Effektiviteten av TiO, som et kjernedannende stoff for glassblandinger er vesentlig universell, som det fremgår av de flere enn 100 eksempler som er beskrevet i ovennevnte patent. Produkter fremstillet av Ti02 kjernedannet glassblandinger innbefatter servise, kjøk-kentøy og rakettnese og romfartøyer. Imidlertid er det klart at enskjønt disse produkter har vist seg å være meget tilfredsstillende for disse formål har det sta-dig pågått forsøk for å utvikle semikrystallinske legemer som har ennu bedre egenskaper for en spesiell anvendelse.
En spesiell egenskap som man har søkt etter er legemets transparens. De vanlige semikrystallinske handelsartikler er opake. Det er funnet at et transparent legeme som ville ha den høye mekaniske styrke, lav termisk ekspansjonskoeffisient og andre ønskelige egenskaper ved glasskeramikk ville være spesielt anvendelig, som f. eks. auto-mobil- og flymaskinvinduer, kokeutstyr, ovnsvinduer og lignende.
Det er derfor en hovedhensikt med oppfinnelsen å tilveiebringe et transparent semikrystallinsk material, som har meget høy mekanisk styrke og stor motstand overfor termiske sjokk.
En annen hensikt med oppfinnelsen er å tilveiebringe en fremgangsmåte til fremstilling av semikrystallinske materialer som er transparente og har høye mekaniske styrker og god motstand mot termisk sjokk.
For å klargjøre fremgangsmåten og artiklene ifølge oppfinnelsen henvises til teg-ningen hvor
fig. 1 viser et ternært diagram som angir den antatte basisblanding og krystall-fasene som utvikles i produktene fremstillet ifølge oppfinnelsen, og
fig. 2 viser en tids-temperaturkurve for en spesiell utførelse av fremgangsmåten for fremstilling av produktene ifølge oppfinnelsen.
Fig. 3 viser en tids-temperaturkurve for en annen spesiell utførelse av fremgangsmåten for fremstilling av produktene ifølge oppfinnelsen.
Det er funnet at de ovennevnte hen-sikter kan oppnås i et semikrystallinsk legeme utledet fra et spesielt snevert område av basisglasskomposis joner, hvori zirkoniumoksyd inkorporeres som kjernedannende stoff. Denne gruppe av basis-glass-blandinger består vesentlig i vektsprosent på oksydbasis av 60—80 pst. Si02, 15—30 pst. A120.„ og 2—20 pst. XO, hvori XO representerer summen av 0—15 pst. MgO + 0—4 pst. Li20 + 0—12 pst. ZnO, idet i det minste 2 pst. MgO er nødvendig, hvor hverken Li20 eller ZnO er tilstede og minst 2 pst. Li20 + i det minste 4 pst. ZnO er nødvendig hvor MgO er tilstede i en mengde mindre enn 2 pst. Zr02 tilsettes til det glassformede bad i en mengde på 2— 15 pst., basert på basisglassblandingens totale vekt.
Effektiviteten av Zr02 som kjernedannende stoff ved fremstilling av glasskeramiske legemer omtales i tysk patent nr.
1 099 135. Imidlertid er de spesielle fordel-aktige egenskaper som er tilstede i semikrystallinske artikler fremstillet fra den spesielle basisglassblanding ifølge oppfinnelsen ikke nevnt her, og det er heller ikke nevnt eksempler som faller innen det spesielle område av basisglassblandinger. I henhold til oppfinnelsen tilveiebringes et semikrystallinsk legeme som er transparent, har eksepsjonelle mekaniske styrker, og utmerket motstand mot termisk sjokk. Et slikt legeme fremstilles fra et meget begrenset område av basisglassblandinger, som litterært ligger innen den brede ram-me av påstandene i det tyske patent, men som i realiteten ligger utenfor det som an-
gis i dette tyske patent slik det er angitt ved eksemplene også. Det er dette ene område av basisblandinger med den univer-selle effektivitet av Zr02 som kjernedannende stoff, som er funnet å gi transparente, semikrystallinske artikler med over-legne fysikalske egenskaper ved egnet varmebehandling.
I U.S. patent nr. 3 006 775 omtales også anvendelsen av Zr02 i glass-keramiske blandinger med spesielt hensyn til glass i Li20 . A1203. Si02 området, idet det her angis som «flussmiddel» og det fastslåes at disse glassblandinger ikke behøver noe kjernedannende stoff for å danne kjerner eller krystallvekst under glassets varmebehandling. Imidlertid er det ikke angitt noe om sirkonoksydets funksjon, og blan-dingene ifølge foreliggende oppfinnelse angis heller ikke i dette patent. Det omtales heller ingen transparente semikrystallinske legemer som har høy mekaniske styrke og lav termisk ekspansjonskoeffisient.
Den heksagonalt trapezoedriske modi-fikasjon av Si02, dvs. (3-kvarts, som er sta-bilt fra 573°—870°C, er kjent for å utøve en svakt negativ termisk ekspansjonskoeffisient. Dertil har denne krystallfase meget lav optisk anisotropi. Disse to karakteri-stika fører til undersøkelser innen området faste oppløsninger som kunne induseres i denne fase for å danne lav ekspansjon og lystransmitterende krystallinske materialer. Fullstendig fast oppløsning eksisterer mellom ren (3-kvarts og |3-eucryptit, LijO. A120:). Si02, det eneste annet mineral som er kjent for å ha en negativ termisk eks-pensjonskoffisient. Inntil nylig ble disse serier antatt å omfatte alle blandinger som var i stand til å danne mineraler som er isostrukturelle med |3-kvarts. Disse faste oppløsninger er kalt «pakkede derivater» av (3-kvarts (Buerger, M. J., Thee Stuffed deri-vatives of the Silica Structures, Am. Mineral., 39, 600-14 (1954)), fordi de kan tenkes som et resultat fra erstatning av noen av de tetraedriske silikonioner i (3-kvarts med aluminium, idet ladningsmankoen utgjøres av «pakking» av de indre mangler i dob-belt helikoid silika struktur med litium-ioner. Det er nylig blitt vist (W. Schreyer, og J. F. Schairer, Metastable Solid Solutions with Quartz-Type Structures on the Join SiOg-MgAlgO^, Geophys, Lab. No. 1357
(1961)) at en serie av metastabile |3-kvarts-oppløsninger også kan dannes langs forbindelsen Si02-MgAl204. I dette tilfelle føl-ges aluminium for silikonsubstituering, ved magnesiumpakning av (3-kvarts innlei-ringsfrie. Bare en Mg2+ ion er nødvendig pr. 2A13+ for 2Si4+ substituering i dette tilfelle, mens 2Li + -ioner er nødvendig i (3-eucryptie tilfellet. Denne magnesiumok-sydserie refereres hertil som «mu-cordierite» seriene etter det opprinnelige navn som var gitt til en da ukjent metastabil fase syntetisert ved cordierite støkiometri av Karkhanavala og Hummel (The Cordierite-Spodumene Join, J. Am. Ceram. Soc, 36, 393-7 (1953)). Dette mineral var i vir-keligheten et pakket (3-kvarts ennskjønt disse forfattere feilaktig anga det for å være isostrukturelt med litiummineralet spodumene. Schreyer og Schairer, i den ovennevnte artikkel har vist at røntgen-diffraksjonstopper angitt av Karkhanavala og Hummel er analoge til disse for høy kvarts (|3-kvarts), som enskjønt noe til-svarende til dette for spodumene ikke er distinkt.
I lys av dette arbeide ble det igangsatt undersøkelser for å bestemme om et semikrystallinsk legeme kunne utvikles, hvori «pakket» |3-kvarts ville danne krystallfa-sen således at legemet ville bli vesentlig transparent med en liten termisk ekspansjonskoeffisient. Disse to fysikalske egenskaper pluss den ekstra karakteristikk med høy mekanisk styrke ble iakttatt innen et meget snevert område av pakket (3-kvarts faste oppløsninger hvor pakningsionet er magnesium, litium og sink. Magnesium kan benyttes alene, men en kombinasjon av litium og sink må anvendes når magnesium er fraværende. Således er det funnet at et komposisjonsområde for transparent (3-kvarts glasskeramikk opptrer innen det kvinære system Si02-Al203-MgO-Li20-ZnO. Generelt ligger (3-kvarts faste oppløsnings-blandinger mellom ca. 60 og 80 vektsprosent Si02-nivået med mindre enn ca. 15 vektsprosent ZnAl204 kan gjøres transparent forutsatt at det er nok zirkoniumoksyd tilstede til å kjernedanne et meget finkornet legeme. Denne glass-keramikk er hovedsakelig farveløs og fri for uklarhet, hvis varmebehandlingen og zirkoniumok-sydnivået er passe. Kornstørrelse øker med avtagende Zr02 nivå og med forlenget varmebehandling i overskudd av det minimum som er nødvendig for utvikling av høykrystallitet. Slik økning i krystallstør-relsen danner ofte uklarhet. Transparenten skyldes primært den meget lille optiske anisotropi i de (3-kvarts faste oppløsnin-ger langs Si02-MgAl204 forbindelsen. Den optiske anisotropi gjøres til et minimum ved ca. 70 vektsprosent Si02 (Schreyer og Schairer i ovennevnte artikkel), det nøy-aktige senter for glasskeramikk-transpa-rentsonen langs denne binding. Nødvendig-heten for å utvikle krystaller med meget liten størrelse er meget klar og hvis krystallene er tilstrekkelig små kan transparens fremkomme på tross av optisk anisotropi eller refraksjonsindeks partforskyv-ning mellom forskjellige faser. Således fo-rekommer transparens i ultrafinkornet (ca. 500 Å krystallstørrelse) |3-eucryptite-kvarts på tross av noe optisk anisotropi. Kubistk Zr02, vil på tross av en refraksjonsindeks som er meget høyere enn |3-kvarts-fastopp-løsning ikke innvirke på transparens på grunn av dets lille krystallstørrelse (av størrelsesorden 100 Å). Ren magnesium-oksyd (3-kvartskrystaller derimot vokser litt mindre enn 1 mikron i diameter ifølge elektronmikrografi må i det vesentlige av-henge av lav optisk anisotropi for transparens. Maksimil kornstørrelse for transparens i |3-kvarts-holdige legemer synes å være ca. 10 mikron.
De transparente semikrystallinske ke-rafikkartikler ifølge oppfinnelsen fremstilles ved å smelte et glassformende bad som består vesentlig beregnet i vektprosent på oksydbasis av 60—80 pst. SiOs, 15—30 pst. A1203 og 2—20 pst. XO, hvor XO representerer den totale mengde av 0—15 pst. MgO
-f- 0—4 pst. Li20 + 0—12 pst. ZnO, minst 2 pst. MgO er nødvendig hvor hverken Li20
eller ZnO er tilstede og minst 2 pst. Li20 + 4 pst., ZnO er nødvendig hvor MgO er tilstede i en mengde mindre enn 2 pst., hvortil det er satt 2—15 pst. Zr02, basert på den totale vekt av basisglassblandingen, som kjernedannende stoff, samtidig avkjøling og forming av smeiten i et glasslegeme av den ønskede konfigurasjon, idet denne av-kjøling fortsetter til i det minste under overføringspunktet dvs. den temperatur hvor den væskeformede smelte går over til et amorft eller glassaktig fast legeme, idet temperaturen generelt er i nærheten av glassets kjølepunkt (700°C til 800°C for glasset ifølge oppfinnelsen); deretter be-handling av glasslegemet ved å utsette det for temperaturer på minst ca. 750°C, men ikke over ca. 1150°C, opprettholdes det
innen dette temperaturområde for en tilstrekkelig lang tid til å sikre den ønskede krystallisering under bibehold av transparens, og endelig å avkjøle legemet til værelsetemperatur. Denne tid kan variere fra få minutter f. eks. 15 minutter ved 1150°C til 6—24 timer og ofte lengere ved den nedre ende av området. Dtte tidstemperatur-forhold er relativt fleksibelt og lengere ti-der kan vanligvis utnyttes ved enhver spesiell temperatur, men det er generelt ingen praktisk fordel ved å gjøre det. Imidlertid, ekstra oppholdsperioder ved det høyeste ekstreme av temperaturområdet, dvs. peri-
oder fra 6—12 timer bør unngås da legemet taper sin fullstendige transparens og blir translucent eller sogar opakt hvis oppvar-mingen fortsettes i en tilstrekkelig lang tid. Ved temperaturer mindre enn ca. 750°C er krystalliseringen sparsom og langsomt for-mende, hvis den overhodet er tilstede. Ved temperaturer over ca. 1150°C er legemet translucent eller opakt i steden for transparent og det foreligger fare for mykning og smeltning av det semikrystallinske legeme. Endelig hvis oppvarmingsgraden for glasslegemet er relativt langsom og slutt-temperaturen er nær den øvre grense av varmebehandlingsområdet er det ikke nød-vendig med noen oppholdstid ved den spe-sifikke temperatur. Imidlertid er det funnet at en totrinns oppvarmningsbehand-lingstabell er fordelaktig for å danne artikler med god transparens. Således blir glasslegemet først oppvarmet til en temperatur i den nedre del av oppvarmnings-behandlingsområdet og oppvarmet her i en viss periode og deretter øket til en høyere temperatur for en viss oppholdsperiode. Det er funnet at en to-trinns-varmebehandling omfattende en oppholdsperiode for ca. 2—6 timer ved temperaturer fra ca. 780°—820°C etterfulgt av en annen oppholdsperiode for ca. 2—6 timer ved temperaturer som varierer fra 880°C til 920°C gir meget tilfredsstillende krystalliserte legemer. I noen tilfelle er det funnet at meget lange oppholdsperioder f. eks. opptil 20 timer, i det lavere eller kjernedannende temperaturområdet er fordelaktig for å danne meget finkornede krystaller, når temperaturen økes til det foretrukkede krystalliseringsområdet. Den lengre oppholdsperiode ved de lavere temperaturer antas å gi flere krystallseter, hvorpå de ønskede krystaller kan vokse.
En indikasjon på oppnåelse av den ønskede krystallisering fremgår ved en skarp økning i temperaturen av avspenningspunktet når krystallisering utvikles in situ i basisglasset. Følgelig har glasslegemene av foreliggende blanding avspenningspunkt (strain point) i nærheten av 600—650°C, mens de semikrystallinske legemer av samme blandinger har avspen-ningspunkter på minst ca. 750°C, og er generelt høyere. Derfor er de glasskeramiske artikler ifølge oppfinnelsen karakterisert ved å ha et avspenningspunkt på minst 750°C. Avspenningspunktet angir den temperatur hvor viskositeten av et glass er 1014>5 poises og er ekvivalente til den nedre grense av kjølingsintervallet, bestemt ifølge ASTM:C336-54T).
Sequensen av kjernedannelse og kry-
stallisering er bestemt til å bli følgende: Typiske, kubisk zirkonoksyd er den første fase til å krystallisere ved å øke temperaturen av et (3-kvarts-zirkoniumoksydglass, og danner utallige tynne kjerner, som bestemt fra røntgenstråle-diffraksjonslinje-utvidelse, er mindre enn 100Å i diameter. Hvis det er utilstrekkelig Zr02 i glasset går [3-kvarts foran kubisk Zr02 i krystallisering fra glasset, idet denne krystallisering be-gynner fra dettes overflate. Dette kan på-hjelpes ved å sette til mere zirkonoksyd til badet som senker temperaturen for zir-konoksydutskillelse.
Fortsatt varmebehandling etter utfelling av Zr02 resulterer i fast oppløsning som har |3-kvarts krystallstruktur på Zr02 kjernen. Første spor av |3-kvarts som dannes er uten unntagelse mere høypakket (lavest i Si02) enn [3-kvartsen som resulterer fra ytterligere krystallisering. En serie av røntgenstråledif f raks jonsf lekker av flere blandinger under krystalliseringsområdet for (3-kvarts viste en kontinuerlig nedgang i det mellom rommene av røntgen-stråledif f raksjonstoppene som angir ned-gangen i enhet cellevolum med medføl-gende økende Si02-innhold. Når |3-kvarts-krystalliseringen er avsluttet nåes en metastabil likevektstilstand med det mikro-krystallinske legemet oppbygget for det meste bare av fast oppløsning som har p-kvarts krystallstruktur og små mengder høysilisiumresiduglass og kubisk zirkonoksyd.
I de følgende eksempler som er vist i tabell I, ble badingrediensene kulemøllet sammen før smelting for å oppnå bedre glasshomogenitet og mere effektiv smelting. Smeltingen ble utført i åpne digler ved temperaturer fra 1600°—1800°C, idet de høyere temperaturer anvendes ved de blandinger som er høyt i silisiumoksyd og sirkoniumoksyd og sirkoniumoksydinnhol-det. Hver sats ble holdt ved smeltetempera-tur i det minste i fire timer i åpne digler. Lavtemperatursmeltene ble omrørt mens høytemperatursmeltene ikke ble omrørt. Hver smelte ble helt i en form (og i noen tilfelle ble også rør trukket) og deretter overført til en avkjøler som arbeidet ved 700°C, hvori legemene ble avkjølet som glass til værelsetemperatur. Disse glass-legemer ble avkjølet til værelsetemperatur før varmebehandling for å muliggjøre en visuell undersøkelse av glasskvaliteten og mulig fastslåelse av avglassing. Slik krystallisering som opptrer mens smeiten av-kjøles hindrer utvikling av et jevnt, finkornet semikrystallinsk legeme ved varmebehandling. Glassformene ble deretter varmebehandlet overensstemmende med den ovenfor omtalte 2-trinnsprosess. Således ble glasslegemene plasert i en ovn og oppvarmet med ca. 5°C/minutt til det første krystalliseringsnivå, som gjengitt i tabell II, deretter holdt i en på forhånd bestemt tid, hvoretter ovnstemperaturen ble øket med omtrent 5°C/minutt til varmebehand-lingens annet nivå og holdt her for en annen tidsperiode. Tilslutt blir de semikrystallinske former avkjølet til værelsetemperatur ved å fjerne dem fra ovnen og av-kjøling i luften.
Det skal understrekes at oppvarmnings-graden som påføres glassartiklene ifølge oppfinnelsen bestemmes ved glassets mot-standsevne mot termisk sjokk, størrelsen og konfigurasjonen av glassartikkelen og hastigheten hvorved krystallisering utvikles inni glasset under varmebehandlingen. Glassene ifølge oppfinnelsen har en relativt lav termisk ekspansjonskoeffisient, og når de er tilstede i former med med lite tverrsnitt kan de oppvarmes i en grad som er meget hurtigere enn 5°C pr. minutt uten fare for sprekking eller brekkasje. Når imidlertid glassartikkelen oppvarmes over overføringsområdet (transformation range) kan bløtgjøring av legemet og følgelig deformasjon opptre. Men myk-ningspunktet (Softening point) og følgelig overføringspunktet av glasskeramikklege-met er betraktelig høyere enn for basisglasset. Hvor graden av oppvarmning av glassartiklen over overføringsområdet ba-lansex-es mot graden, hvorved krystaller utvikles, vil det følgelig dannes en krystallinsk struktur som vil hindre legemet fra deformasjon. For hurtig oppvarmning vil hindre utvikling av tilstrekkelig krystalli-sasjon for å bære legemet og sammenfal-ling vil finne sted, I vesentlig alle steder skrider krystallisering hurtigere frem når temperaturen av legemet når solidustem-peraturen (den temperatur hvor først smelting opptrer for stabile krystallinske aggregater av samme bulk-blanding som glasset). Følgelig er i kommersiell praksis artiklene varmebehandlet ved temperaturer betraktelig høyere enn den hvor krystallisering først fremtrer. Imidlertid, en-skjønt mere hurtig oppvarmningsgrader kan anvendes, spesielt når det anvendes en relativt lang holdeperiode ved den nedre ende av krystalliseringsområdet, foretrekkes det å øke temperaturen med ikke over ca. 5°C/minutt for å oppnå tett krystallisering med liten, hvis overhodet noen de-formering når legemet oppvarmes over glassets mykningspunkt. Hurtigere oppvarmningsgrader er selvsagt praktiske når det tilveiebringes bærere, som forskjellige former av ovnsutstyr.
Da den termiske lineære ekspansjonskoeffisient ved semikrystallinske legemer ifølge oppfinnelsen er meget lav er avkjø-lingshastigheten til værelsetemperatur etter varmebehandlingen vesentlig uten betydning. Således kan artikkelen fjernes di-rekte fra ovnen og tillates å avkjøles i luft eller ofte er varmen til ovnen avbrutt og ovnen tillatt å avkjøle med artiklene inni.
Blandingsforholdene er av avgjørende betydning for oppfinnelsen. Hvor kompo-nentene av basisk glass er tilstede i mengder utenfor dem som er angitt dannes det semikrystallinske keramiske legemer som enskjønt de er nyttig for mange anvendel-ser ikke vil ha den ønskelige transparens som oppnås ifølge oppfinnelsen.
Minst 2 pst. Zr02 må tilsettes til badet for å starte kj ernedannelse i legemet og dermed gi et jevnt finkornet krystallinsk legeme. Videre hvis det er utilstrekkelig ZrCX tilstede vil p-kvarts utfelles før zir-konoksydkjernen. Denn krystallisering be-gynner med overflaten og bevirker stripet overflate og/eller overflateujevnheter. Mer enn 15 pst. ZrO, bevirker legemet å tape transparens på grunn av utvikling av Zr02 opalisering som opptrer når smeiten herdes ved bråavkjøling til glass.
Tabell I angir glass-dannende bad, ut-trykt i vektprosent på oksydbasis fra mindre forurensninger som kan være tilstede i badmaterialene, som når behandlet overensstemmende med den foretrukne utførel-sesform ifølge oppfinnelsen gir transparente glass-keramiske artikler med meget god styrke og motstand mot termiske sjokk. Badingrediensene kan bestå av hvilke som helst materialer, enten oksyder eller andre forbindelser som ved glødning sammen i smeiten overføres til den ønskede oksyd-blanding i det riktige forhold. Mengden av Zr02 fastslåes adskilt fra blandingen av basisk glass, idet den antas tilstedeværende i overskudd herav. Tabell I angir også temperaturen som anvendes ved å smelte badet.
Tabell II angir varmebehandlingsskjema, visuell beskrivelse av de glass-keramiske legemer, krystallfaser som er tilstede bestemt ved røntgendiffraksjonsanalyse og noen koeffisienter av termisk ekspansjons-målinger (xl0-<7>/°C). Disse målinger av ekspansjbnskoeffisienter ble oppnådd på vanlig måte. Modulus av bruddmålinger ut-ført på vanlig måte på prøver som hadde blitt ripet med 30 grit silikonkarbidpapir, anga styrken av denne glass-keramikk til å være ca. to ganger vanlig slepet avkjølet glass, idet det strakk seg fra ca. 10 000 til 15 000 psi.
Hvis ønskes kan et ferskningsstoff (fining agent) som As2Os settes til badet, enskjønt disse smelter er av lav viskositet. I normal praksis tilsettes bare ca. 0,3—2,0 vektsprosent av ferskningsstoff, da mengden som blir tilbake i glasset etter badet er smeltet, er for liten til å ha noen vesentlig effekt på glassets fundamentale egenskaper, så var slike tilsetninger ikke innbefattet i tabell I. I de foreliggende glass-typer utvikles et gulaktig skjær, ved krystalliseringen hvis det som ferskningsstoff benyttes en mengde over 1 vektprosent av As20-. For å unngå denne tilstand må derfor mengden av ferskningsstoff være mindre enn 1 vektsprosent når det hertil benyttes As2Os.
Av tabell II fremgår klart evnen av blandingen ifølge oppfinnelsen når de var-mebehandles på riktig måte til å danne semikrystallinske legemer som er transparente, sterke og motstandsdyktige overfor termiske sjokk. Laboratorieundersøkelser har vist at disse artiklers krystallinnhold kan variere til en viss grad avhengig av den grad hvor badingrediensene er i stand til dannelsen av krystallfaser. Ikke desto-mindre antas det at krystallinnholdet av legemet er minst 50 volumprosent målt ved elektron mikrografteknikk, og er vanligvis over 75 pst., idet det høyere krystallinnhold vanligvis foretrekkes. Krystallene selv, er relativt jevne finkornede, vesentlig alle er mindre enn 10 mikron og tilfeldig dispergert i glassmatriksen. Dette kritiske med finkornet størrelse i forhold til transparens er blitt forklart i detalj ovenfor. Enkelt-trinnsvarmebehandling i eksemplene 2 og 12 er opptatt for å vise effektiviteten av slike, enskjønt det antas at to-trinnsbe-handlingen gir mere jevnt krystallinsk legeme.
Tretrinns varmebehandlingsskjema som er gjengitt i denne tabell i forbindelse med eksempel 9 har gitt produkter med eksepsjonell klarhet med disse og andre blandinger. Således er glasset først oppvarmet i det lavere eller kjernedannende område hvoretter temperaturen har øket noe, således at |3-kvarts krystalliserer på kjernen av kubisk zirkoniumoksyd ved en lavere temperatur, og deretter ved en saktere grad. Denne langsomme vekst av |3-kvarts påskynder utviklingen av ekstremt finkornet [3-kvarts-legeme ved flere kubiske ZrOa krystallseter vil bli utnyttet. Legemets temperatur er til slutt øket til det tredje temperaturnivå for å bevirke vekst av (3-kvarts krystallene, og derved oppnå maksimal krystallitet.
Blandingens figur 1 viser et ternært diagram som angir de primære krystallfaser som utvikles og blandingsområdene av hovedkonstituentene innbefattet i pro-duktet ifølge oppfinnelsen, dvs. Si02, Al2Os, og XO, hvor XO angir mengden av MgO -f- Li20 -f- ZnO, idet denne mengde varierer fra et minimum på 2 pst. MgO til en maksimum kombinasjon av disse ingre-dienser på 20 pst. Zr02 antas å være i overskudd av basis glassblandingen. Figur 2 viser en tidstemperatur-kurve for to-trinns oppvarmningsbehandlingen av en foretrukket blanding ifølge oppfinnelsen, dvs. eksempel 9. Etterat badet er dannet, smeltet, formet og avkjølet som et glasslegeme til værelsetemperatur, ble dette legemet plasert i en ovn og utsatt for følgende varmebehandling: Temperaturen ble øket med 5°C/min til 810°C, opprett-holde her i 4 timer, deretter ble temperaturen øket med 5°C/minutt til 900°C, og opprettholdt her i 6 timer, og deretter ble legemet fjernet fra ovnen og avkjølet i om-givelsenes luft. Figur 3 viser en tidstemperatur-kurve for tre-trinns varmebehandling som har dannet legemer med eksepsjonell klarhet av blandingen i eksempel 9. Etter at det vanlige bad var sammensatt, smeltet, formet og avkjølet som et glasslegeme til værelsetemperatur, ble glasslegemet plasert i en ovn og utsatt for følgende varmebehandling: temperaturen ble øket med 5°C/ minutt til 800°C og opprettholdt her i 4 timer, deretter ble temperaturen øket med
5°C/min. til 840°C, og holdt her i 6 timer, I
hvoretter temperaturen ble øket med 5°C/
min. til 920°C/min. til 920°C, og opprettholdt her i 6 timer, hvoretter legemet ble
fjernet fra ovnen og avkjølet i omgivende
luft.
Claims (7)
1. Et transparent semikrystallinsk keramisk legeme, karakterisert ved
at det vesentlig består av et multiplum av fin-kornede, tilfeldig orienterte uorganiske krystaller vesentlig jevnt dispergert i en glassmatriks, hvor i det vesentlige alle krystaller er mindre enn 10 mikron i diameter, og utgjør minst 50 volumprosent av legeme, og idet krystallene formes ved krystallisering in situ fra et glasslegeme fremstillet av en glassdannende smelte i det vesentlige bestående av i vektsprosent på oksydbasis 60—80 pst. SiOa, 15—30 pst. AlgO,, og 2—20 pst. XO, hvor XO representerer 0—15 pst. MgO + 04 pst. Li,0 + 0—12 pst. ZnO, idet minst 2 pst. MgO er nødven-dig når det er tilstede alene og minst 2 pst. Li2 -f minst 4 pst. ZnO er nødvendig når MgO er tilstede i en mengde mindre enn 2 pst., og hvortil det er satt 2—15 pst. Zr02, basert på den totale vekt av basisglassblandingen.
2. Transparent semikrystallinsk keramisk legeme ifølge påstand 1, karakterisert ved at det har et avspenningspunkt (strain point) på minst 750°C.
3. Transparent semikrystallinsk keramisk legeme ifølge påstand 4, karakterisert ved at de uorganiske krystaller er sammensatt av fast oppløsning som har |3-kvarts krystallstruktur og kubisk zirkonoksyd.
4. Fremgangsmåte for fremstilling av et transparent semikrystallinsk keramisk legeme ifølge påstandene 1—3, karakterisert ved at smelting av et glass-dannende bad som vesentlig består av i vektprosent på oksydbasis 60—80 pst. Si02, 15—30 pst. Al2Os og 2—20 pst. XO, idet XO betyr den "totale mengde av 0—15 pst. MgO -f 0—4 pst. Li20 + 0—12 pst. ZnO, idet minst 2 pst. MgO er nødvendig når det er tilstede alene og minst 2 pst. Li,0 -f-minst 4 pst. ZnO er nødvendig når MgO er tilstede i en mengde mindre enn 2 pst., og hvortil det settes 2—15 pst ZrO:„ basert på basisglassblandingens totale vekt, avkjø-kjøling av smeiten til minst under smeltens overføringspunkt (transformation point) og forming av et legeme herav, hvor
etter glasslegemet oppvarmes til en temperatur på minst 750°C, men ikke over 1150°C, i en tilstrekkelig tid til å utvikle den ønskede krystallisering in situ, hvoretter legemet avkjøles til værelsetemperatur.
5. Fremgangsmåte ifølge påstand 4, karakterisert ved at den tilstrek-kelige tid til å utvikle den ønskede kry-stallisasjon varierer fra ca. 15 minutter ved den øvre grense av nevnte varmebehand-lingsområde til ca. 6—24 timer ved den nedre grense.
6. Fremgangsmåte for fremstilling av et transparent semikrystallinsk keramisk legeme, karakterisert ved smelting av et glassformende bad som vesentlig består av i vektprosent på oksydbasis, 60—80 pst., SiO,, 15—30 pst. A1203, Og 2—20 pst.
XO, hvori XO representerer den totale mengde av 0—15 pst. MgO + 0—4 pst. Li^O +0—12 pst. ZnO, idet minst 2 pst. MgO er nødvendig når det er tilstede alene og minst 2 pst. Li20 -j- minst 4 pst. ZnO er nødvendig når MgO er tilstede i en mengde mindre enn 2 pst. og hvortil det settes 2—15 pst. Zr02 basert på glassblandingens totale vekt, samt avkjøling av smeiten til minst under smeltens overføringspunkt og forming av et glasslegeme herav, hvoretter glasslegemet oppvarmes til et temperaturområde på ca. 780°—820°C, og opprettholdes her for ca. 2—6 timer, hvoretter legemets temperatur økes til ca. 880°—920°C, og opprettholdes her for ca. 2—6 timer, hvoretter det avkjøles til værelsetemperatur.
7. Fremgangsmåte for fremstilling av et transparent semikrystallinsk, keramisk legeme, karakterisert ved at et glass-dannende bad smeltes som i det vesentlige består av i vekt på oksydbasis 74 pst. Si02, 19 pst. A120;1> 5 pst. MgO og 2 pst. LL20, hvortil det settes 4 pst. ZrO,, basert på basis-glassblandingens totale vekt, samt avkjøling av smeiten til minst under overføringspunktet og forming av et glasslegeme herav, hvoretter glasslegemet oppvarmes til 800°C og opprettholdes her i 4 timer, med etterfølgende oppvarming av legemet til 840°C, og opprettholdes her i 6 timer, hvoretter legemet oppvarmes til 920° C, og oppretholdes her i 6 timer for endelig å avkjøles til værelsetemperatur.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT20348/81A IT1136819B (it) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Dispositivo trasportatore per un impianto di magazzinaggio |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO820824L NO820824L (no) | 1982-09-14 |
| NO155926B true NO155926B (no) | 1987-03-16 |
| NO155926C NO155926C (no) | 1987-06-24 |
Family
ID=11165929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO820824A NO155926C (no) | 1981-03-13 | 1982-03-12 | Transportoeranordning for et lagersystem. |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4459078A (no) |
| JP (1) | JPS57160804A (no) |
| AT (1) | AT386177B (no) |
| BE (1) | BE892445A (no) |
| CA (1) | CA1171001A (no) |
| CH (1) | CH651272A5 (no) |
| DE (1) | DE3207860A1 (no) |
| DK (1) | DK151706C (no) |
| ES (1) | ES8301820A1 (no) |
| FR (1) | FR2501649A1 (no) |
| GB (1) | GB2094770B (no) |
| IT (1) | IT1136819B (no) |
| NL (1) | NL8200975A (no) |
| NO (1) | NO155926C (no) |
| SE (1) | SE440063B (no) |
| ZA (1) | ZA821408B (no) |
Families Citing this family (110)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2535293A1 (fr) * | 1982-10-28 | 1984-05-04 | Socar | Procede et installation pour le stockage d'objets a manutention automatisee |
| BE899938A (nl) * | 1984-06-18 | 1984-12-18 | Delva Pieter R M | Paletvrij; volautomatisch transporteren van verpakkings-loze grondstoffen, (afvalstoffen), in een produktieproces, zonder volume wijziging door een speciaal ontwikkelde volautomat. freq-gestuurde wagen. |
| CH667252A5 (de) * | 1985-02-07 | 1988-09-30 | Grapha Holding Ag | Lager fuer speichervorrichtungen von druckbogen. |
| JPS62222908A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Okura Yusoki Co Ltd | 搬入収納搬出装置 |
| JPS62222907A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Okura Yusoki Co Ltd | 搬入収納搬出装置 |
| DE3636917A1 (de) * | 1986-10-30 | 1988-05-05 | Kranert Werner Dipl Kaufm | Regal |
| FI874631A (fi) * | 1986-11-25 | 1988-05-26 | Seppo Kalervo Suominen | Arrangemang vid lindragningsanordning anordnad i aendan av en upplaeggnings- och/eller transportlinje. |
| US4971508A (en) * | 1987-06-29 | 1990-11-20 | Tsubakimoto Chain Co. | Storage and conveyance of heavy articles |
| US5286157A (en) * | 1987-11-12 | 1994-02-15 | Frans Vainio | Method and apparatus for storing paper rolls in a storage shelving |
| JPH01242302A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | Motoda Electron Co Ltd | 宅内配設型自動倉庫 |
| JPH01166606U (no) * | 1988-05-17 | 1989-11-22 | ||
| DE3819008C1 (no) * | 1988-06-03 | 1989-12-21 | Veit Transpo Gmbh, 8910 Landsberg, De | |
| DE3825570A1 (de) * | 1988-07-28 | 1990-02-01 | Tepora Transportsysteme Entwic | Vorrichtung zur einlagerung von langgut |
| US5054986A (en) * | 1988-09-08 | 1991-10-08 | Tsubakimoto Chain Co. | Storage and conveyance of heavy articles |
| US4909696A (en) * | 1989-04-04 | 1990-03-20 | Wigley Freddy J | Method and apparatus for loading a product in an enclosed box |
| DE8905526U1 (no) * | 1989-05-02 | 1989-06-29 | Copla Foerder- Und Lagertechnik Gesellschaft Fuer Anlagenbau Mbh, 1000 Berlin, De | |
| US5030055A (en) * | 1989-05-22 | 1991-07-09 | Millard Manufacturing Corp. | Physically integrated manufacturing and materials handling system |
| DE3920405C1 (no) * | 1989-06-22 | 1990-03-29 | Goldschmidt, Sol, Zuerich, Ch | |
| US5174707A (en) * | 1989-06-30 | 1992-12-29 | Ohbayashi Corp. | Three-dimensional manufacturing and assembly plant |
| GB2236101B (en) * | 1989-09-21 | 1994-04-13 | Leung Lit Cheong | A method of and system for load storage and retrieval |
| US5228823A (en) * | 1991-05-06 | 1993-07-20 | Crook Thomas J | Mobile racking system |
| DE9107229U1 (no) * | 1991-06-12 | 1991-07-25 | Copla Foerder- Und Lagertechnik Gesellschaft Fuer Anlagenbau Mbh, 1000 Berlin, De | |
| DE4126718A1 (de) * | 1991-08-13 | 1993-02-18 | Siempelkamp Handling Sys Gmbh | Bedienungsanlage fuer ein lager fuer plattenstapel, insbesondere spanplattenstapel, faserplattenstapel, gipsplattenstapel u. dgl. |
| JPH0811630B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1996-02-07 | 日本鋼管株式会社 | 貨物搬出入用台車装置 |
| EP0556595B1 (de) * | 1992-02-17 | 1996-03-27 | Inventio Ag | Personen-Fördersystem |
| GB2297970A (en) * | 1993-04-05 | 1996-08-21 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Storage and retrieval of coiled sheet steel |
| DE4330795C2 (de) * | 1993-09-10 | 1996-05-30 | Eisenmann Foerdertech | Mobiles Lastaufnahmemittel |
| US5540532A (en) * | 1993-11-12 | 1996-07-30 | Transact International, Inc. | Apparatus for marine cargo container handling and storage |
| ATE170489T1 (de) * | 1993-11-24 | 1998-09-15 | Schenck Handling Systems Gmbh | Vorrichtung zum ein-oder aus-lagern bzw. umstapeln von trägern für fördergut |
| US6042321A (en) * | 1996-07-30 | 2000-03-28 | Westafalia Technologies, Inc. | Automated storage and retrieval system for palletless dairy cases |
| WO1998035891A1 (en) * | 1997-02-18 | 1998-08-20 | Transact International Inc. | Marine cargo container handling and storage |
| IT1294287B1 (it) * | 1997-07-30 | 1999-03-24 | Fata Automation | Magazzino a celle con carri di trasporto a movimentazione idropneumatica |
| US6223885B1 (en) * | 1997-11-25 | 2001-05-01 | Captial Engineering, Inc. | Shuttle car conveyor for conveyable material |
| US6415904B1 (en) | 1997-11-25 | 2002-07-09 | James S. Markiewicz | Shuttle car conveyor for conveyable material |
| DE19857886A1 (de) * | 1998-12-15 | 2000-06-29 | Johann W Grond | Verfahren und Lagersystem zum Ein- und Auslagern von Lasten |
| DE29905013U1 (de) * | 1999-03-18 | 2000-08-10 | Buck Martin | Anlage zum Fördern und Lagern von Paletten |
| FI990882A (fi) * | 1999-04-20 | 2000-10-21 | Permar Oy | Palletoidun tavaran varastojärjestelmä |
| FI20000501A0 (fi) * | 2000-03-03 | 2000-03-03 | Valmet Corp | Menetelmä ja sovitelma tampuurirullien käsittelemiseksi |
| US20030228208A1 (en) * | 2000-05-25 | 2003-12-11 | Grond Johann W. | Vertical conveyor and vertical conveyor system |
| US6652213B1 (en) * | 2000-09-08 | 2003-11-25 | California Natural Products | Automated warehousing system and method |
| DE10138619A1 (de) * | 2001-08-13 | 2003-03-20 | Christoph Keller | Vorrichtung zum Transportieren, Entnehmen und Belegen von Werkstückträgern |
| DE10227263B4 (de) * | 2002-06-19 | 2010-07-01 | Dr. Ing. H.C. F. Porsche Aktiengesellschaft | Verladesystem und Ladewagen für ein Verladesystem |
| SE524269C2 (sv) * | 2002-10-14 | 2004-07-20 | Eab Ab | Skenanordning |
| SE524006C2 (sv) * | 2002-10-31 | 2004-06-15 | Eab Ab | Vagn för transport av en last längs ett skenpar |
| DE10254647A1 (de) * | 2002-11-22 | 2004-06-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Bediengerät für Behälter-Läger und zugehöriges Fahrschienensystem |
| FI117860B (fi) * | 2003-01-02 | 2007-03-30 | Awa Advanced Warehouse Automat | Menetelmä ja laitteisto taakkojen käsittelemiseksi ja varastoimiseksi |
| US7073634B2 (en) * | 2003-11-28 | 2006-07-11 | California Natural Products | Automated warehouse row cart and lift |
| DE112005001402A5 (de) * | 2004-04-06 | 2007-05-24 | GEFAK Gesellschaft für Anlagentechnik, kommerzielle Dienstleistungen, Industrie, Handel und Verkehr mbH | Kanallager |
| US20060168917A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Yizhak Ashkenazi | System and machine for strapping articles |
| AT501494A1 (de) * | 2005-03-01 | 2006-09-15 | Isa Innovative Systemloesungen | Automatisches hochleistungskanallager |
| ITMI20061341A1 (it) * | 2006-07-11 | 2008-01-12 | Fata Spa | Carrello di insilaggio shuttle e impianto per la movimentqzione e immagazzinamento di container |
| FR2908399B1 (fr) * | 2006-11-15 | 2009-06-05 | Valente Soc Par Actions Simpli | Tour de stockage. |
| US7670736B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-03-02 | Xerox Corporation | Photoconductors |
| US20080240894A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Eric Reisenauer | Storage and retrieval system |
| US20080240900A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Eric Reisenauer | System for storage and retrieval |
| DE102008022323A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | SSI Schäfer AG | Shuttle-Kanallager, Shuttle-Bahnhof, Shuttle und Verfahren zum Betreiben des Shuttle-Kanallagers |
| DE102008037659B4 (de) * | 2008-08-14 | 2014-04-24 | Knapp Logistik Automation Gmbh | Versandregal in einer Kommissionieranlage |
| US8613582B2 (en) * | 2008-10-06 | 2013-12-24 | Unitronics Parking Solutions Ltd | Shuttle cars for use in automated parking |
| US9534410B2 (en) | 2008-10-06 | 2017-01-03 | Unitronics Automated Solutions Ltd | Vehicle shuttle |
| TWI680928B (zh) | 2009-04-10 | 2020-01-01 | 美商辛波提克有限責任公司 | 垂直升降系統及在多層儲存結構往返運送空的貨箱單元之方法 |
| US9321591B2 (en) | 2009-04-10 | 2016-04-26 | Symbotic, LLC | Autonomous transports for storage and retrieval systems |
| DE102010005591A1 (de) | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Koruna-Lc S.R.O. | Hochregallager zur Lagerung von Paletten, Regalbediengerät, Tandemshuttle, Übergaberegal sowie Verfahren zur Lagerung von Paletten in dem Hochregallager |
| AT509458B1 (de) * | 2010-06-29 | 2011-09-15 | Ltw Intralogistics Gmbh | Regallager mit regalbediengerät |
| US8965619B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-02-24 | Symbotic, LLC | Bot having high speed stability |
| US11078017B2 (en) | 2010-12-15 | 2021-08-03 | Symbotic Llc | Automated bot with transfer arm |
| US9561905B2 (en) | 2010-12-15 | 2017-02-07 | Symbotic, LLC | Autonomous transport vehicle |
| US8696010B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-04-15 | Symbotic, LLC | Suspension system for autonomous transports |
| US9187244B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-11-17 | Symbotic, LLC | BOT payload alignment and sensing |
| US9499338B2 (en) | 2010-12-15 | 2016-11-22 | Symbotic, LLC | Automated bot transfer arm drive system |
| US10822168B2 (en) | 2010-12-15 | 2020-11-03 | Symbotic Llc | Warehousing scalable storage structure |
| MX340079B (es) * | 2011-04-01 | 2016-06-24 | Foster Wheeler Corp | Metodo y sistema para levantar y manipular una carga. |
| MX345209B (es) * | 2011-11-20 | 2017-01-20 | Illinois Tool Works | Sistema y métodos de almacenamiento. |
| US9305815B2 (en) * | 2012-03-01 | 2016-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Automated material handling system and method for semiconductor manufacturing |
| DE102012206637A1 (de) * | 2012-04-23 | 2013-10-24 | Krones Ag | Umsetzgerät mit mehreren shuttles |
| SG11201407386YA (en) * | 2012-06-08 | 2015-03-30 | Murata Machinery Ltd | Conveyance system and temporary storage method of articles in conveyance system |
| CN102887319A (zh) * | 2012-09-25 | 2013-01-23 | 江苏绿蓝清环保设备有限公司 | 一种仓储输送系统及其输送方法 |
| US9725240B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-08-08 | Signode Industrial Group Llc | Storage system and methods |
| ITTO20130452A1 (it) * | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Icam S R L | Navetta di un magazzino automatizzato |
| KR101482519B1 (ko) | 2013-07-16 | 2015-01-22 | 주식회사 티에스피지 | Mdps 제어 시스템 구성 및 운용 방법 |
| DE102013014102A1 (de) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Eisenmann Ag | Verfahren und Anlagen zum Fördern von Ladungsträgern |
| JP6523296B2 (ja) | 2013-09-13 | 2019-05-29 | シムボティック エルエルシー | 自動保管および取出システム |
| CN103612857A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-03-05 | 机科发展科技股份有限公司 | 一种一体式货架 |
| DE102013020716A1 (de) * | 2013-12-10 | 2015-06-11 | Servus Intralogistics Gmbh | Verfahren zum Betrieb eines Regallagers mit schienengebundenen Transportrobotern nach dem Satelliten-Prinzip |
| DE102014012254A1 (de) * | 2014-08-19 | 2016-02-25 | Lisa-Marie Amminger | Lager- und/oder Kommissioniersysteme |
| DE102015001410A1 (de) | 2015-02-06 | 2016-08-11 | Gebhardt Fördertechnik GmbH | Palettentransportvorrichtung |
| US20160236865A1 (en) * | 2015-02-16 | 2016-08-18 | David Altemir | Automated Warehouse Storage and Retrieval System |
| KR101684406B1 (ko) | 2015-04-09 | 2016-12-20 | 주식회사 티에스피지 | 셔틀과 스태커 크레인 및 이를 구비한 자동창고시스템 |
| KR20160123728A (ko) | 2015-04-17 | 2016-10-26 | 주식회사 티에스피지 | 셔틀랙 자동창고시스템의 운영방법 |
| WO2016209976A1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Iron Mountain Incorporated | Storage system |
| US10207867B2 (en) * | 2015-07-01 | 2019-02-19 | Swisslog Logistics, Inc. | Automated pallet storage and retrieval system |
| CN105083832A (zh) * | 2015-09-02 | 2015-11-25 | 广运机电(苏州)有限公司 | 一种多层穿梭行走车 |
| CN105253512B (zh) * | 2015-09-22 | 2017-07-21 | 杭州德创能源设备有限公司 | 一种带移载小车的立体仓库 |
| US9999300B2 (en) | 2015-10-19 | 2018-06-19 | Frazier Industrial Company | Storage system and article retrieving method |
| DE102016108992A1 (de) * | 2016-05-14 | 2017-11-16 | Jörg Föller | Verfahren und Vorrichtung zum Lagern von Stückgut mit überbrückbaren Regalreihen |
| EP3421393A1 (de) * | 2017-06-27 | 2019-01-02 | MLOG Logistics GmbH | Mobiles lagerfahrzeug |
| DE202017004863U1 (de) * | 2017-09-20 | 2018-12-21 | Martin Buck | Anlage zum Lagern und Transportieren von Paletten |
| DE102017219431A1 (de) | 2017-10-30 | 2019-05-02 | FB Industry Automation GmbH | Regalsystem mit Shuttlefahrzeug |
| DE102017219432A1 (de) | 2017-10-30 | 2019-05-02 | FB Industry Automation GmbH | Regalsystem mit Shuttlefahrzeug |
| CN108086751A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-05-29 | 上海理工大学 | 并行运行巷道堆垛立体车库 |
| CN108316720B (zh) * | 2018-02-01 | 2024-02-13 | 广东伟创五洋智能设备有限公司 | 横列式立体车库 |
| US10947060B2 (en) | 2018-06-26 | 2021-03-16 | Symbolic Llc | Vertical sequencer for product order fulfillment |
| CN108584271A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-09-28 | 深圳市鲸仓科技有限公司 | 立体仓储系统 |
| DE102019106570B4 (de) * | 2018-12-10 | 2021-02-25 | MBA Instruments GmbH | Shuttle für eine Transporteinheit eines Hochregallagers |
| JP7347109B2 (ja) * | 2019-10-17 | 2023-09-20 | 村田機械株式会社 | 自動倉庫 |
| DE102020111980A1 (de) * | 2020-05-04 | 2021-11-04 | Rocket Solution Gmbh | Shuttle und Regalsystem |
| JP7189192B2 (ja) * | 2020-12-02 | 2022-12-13 | 住友重機械搬送システム株式会社 | 自動倉庫システム |
| CN113264321B (zh) * | 2021-04-30 | 2023-03-03 | 大通丰收农牧科技有限公司 | 一种用于地窖的物料自动传送装置 |
| JP7363856B2 (ja) * | 2021-05-20 | 2023-10-18 | 株式会社ダイフク | 物品搬送設備 |
| CN113335819B (zh) * | 2021-06-29 | 2022-11-18 | 重庆德凯实业股份有限公司 | 一种仓储机器人及智能立体仓 |
| JP7373136B2 (ja) * | 2022-03-15 | 2023-11-02 | フジテック株式会社 | 移動装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2923421A (en) * | 1955-04-13 | 1960-02-02 | Roumefort Francois De Senig De | Improvements in mechanized garages |
| US2915204A (en) * | 1956-12-24 | 1959-12-01 | Speed Park Inc | Transfer device |
| US3411642A (en) * | 1967-01-11 | 1968-11-19 | Speed Park Inc | Object storage and retrieval facility |
| AT293277B (de) * | 1967-06-16 | 1971-08-15 | Mannesmann Ag | Mechanisiertes regallager |
| FR2155787B1 (no) * | 1971-10-05 | 1974-06-21 | Cgms | |
| US3800963A (en) * | 1972-12-04 | 1974-04-02 | E Holland | Material storage and handling system |
| US3866767A (en) * | 1973-02-15 | 1975-02-18 | Rapistan Inc | Mobile tier picking apparatus for a warehousing system |
| US3973685A (en) * | 1973-12-17 | 1976-08-10 | Litton Systems, Inc. | Photoelectric sensing apparatus for pallet storage systems |
-
1981
- 1981-03-13 IT IT20348/81A patent/IT1136819B/it active
-
1982
- 1982-02-24 US US06/351,875 patent/US4459078A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-02-26 GB GB8205788A patent/GB2094770B/en not_active Expired
- 1982-02-26 AT AT0074382A patent/AT386177B/de not_active IP Right Cessation
- 1982-03-02 ES ES510035A patent/ES8301820A1/es not_active Expired
- 1982-03-03 ZA ZA821408A patent/ZA821408B/xx unknown
- 1982-03-05 DE DE19823207860 patent/DE3207860A1/de not_active Withdrawn
- 1982-03-08 CA CA000397858A patent/CA1171001A/en not_active Expired
- 1982-03-09 DK DK101182A patent/DK151706C/da not_active IP Right Cessation
- 1982-03-10 BE BE0/207530A patent/BE892445A/fr not_active IP Right Cessation
- 1982-03-10 NL NL8200975A patent/NL8200975A/nl not_active Application Discontinuation
- 1982-03-11 FR FR8204458A patent/FR2501649A1/fr active Granted
- 1982-03-12 CH CH1526/82A patent/CH651272A5/it not_active IP Right Cessation
- 1982-03-12 JP JP57038212A patent/JPS57160804A/ja active Pending
- 1982-03-12 SE SE8201553A patent/SE440063B/sv not_active IP Right Cessation
- 1982-03-12 NO NO820824A patent/NO155926C/no unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK101182A (da) | 1982-09-14 |
| NO155926C (no) | 1987-06-24 |
| SE440063B (sv) | 1985-07-15 |
| CA1171001A (en) | 1984-07-17 |
| ES510035A0 (es) | 1983-01-16 |
| IT8120348A0 (it) | 1981-03-13 |
| US4459078A (en) | 1984-07-10 |
| JPS57160804A (en) | 1982-10-04 |
| AT386177B (de) | 1988-07-11 |
| DK151706B (da) | 1987-12-28 |
| ES8301820A1 (es) | 1983-01-16 |
| GB2094770A (en) | 1982-09-22 |
| DK151706C (da) | 1988-07-04 |
| ATA74382A (de) | 1987-12-15 |
| NL8200975A (nl) | 1982-10-01 |
| ZA821408B (en) | 1983-01-26 |
| FR2501649A1 (fr) | 1982-09-17 |
| GB2094770B (en) | 1985-09-04 |
| IT1136819B (it) | 1986-09-03 |
| BE892445A (fr) | 1982-07-01 |
| NO820824L (no) | 1982-09-14 |
| CH651272A5 (it) | 1985-09-13 |
| DE3207860A1 (de) | 1982-09-30 |
| SE8201553L (sv) | 1982-09-14 |
| FR2501649B1 (no) | 1984-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO155926B (no) | Transportoeranordning for et lagersystem. | |
| US3252811A (en) | Glass-ceramic bodies and method of making them | |
| US3625718A (en) | New thermally crystallizable glasses and low expansion transparent translucent and opaque ceramics made therefrom | |
| US3380818A (en) | Glass composition and method and product | |
| US4687749A (en) | Refractory glass-ceramics containing enstatite | |
| Beall et al. | Crystallization and chemical strengthening of stuffed β‐quartz glass‐ceramics | |
| KR960004371B1 (ko) | 강화 유리 제품 및 그 제조 방법 | |
| US4042362A (en) | Production of glass-ceramic articles | |
| US3804608A (en) | Method for making glass ceramic materials | |
| US3681102A (en) | Transparent glass-ceramic articles comprising zinc spinel | |
| US3490984A (en) | Art of producing high-strength surface-crystallized,glass bodies | |
| US3637453A (en) | Glass-ceramic articles having an integral compressive stress surface layer | |
| JP2013544229A (ja) | フュージョン成形され、イオン交換されたガラスセラミック | |
| US3597179A (en) | Glass treatment and glass-ceramic article therefrom | |
| US4218512A (en) | Strengthened translucent glass-ceramics and method of making | |
| US3498775A (en) | Method for producing a glass-ceramic article | |
| US4310595A (en) | Peraluminious nepheline/kalsilite glass-ceramics | |
| JPS581056B2 (ja) | アツシユクヒヨウメンソウオユウスル ガラスセラミツクブツピンオヨビソノ セイゾウホウ | |
| JP4471075B2 (ja) | セラミック化できる鉱物ガラス、ガラスセラミック製品の調製、およびその製品 | |
| JPS61286237A (ja) | リングレ−ザ−ジヤイロに適するガラスセラミツク体およびその製造方法 | |
| US3313609A (en) | Method of making high strength nepheline crystalline glass | |
| US4047960A (en) | Refractory partially crystalline materials with good visible transparency | |
| US3992179A (en) | Glass ceramic and process therefor | |
| US4000998A (en) | Spontaneously-formed nepheline-carnegieite glass-ceramics | |
| US3801295A (en) | Mica glass-ceramics |