NL8903191A - Geintegreerde logische keten met statische inductietransistorlogica. - Google Patents

Geintegreerde logische keten met statische inductietransistorlogica. Download PDF

Info

Publication number
NL8903191A
NL8903191A NL8903191A NL8903191A NL8903191A NL 8903191 A NL8903191 A NL 8903191A NL 8903191 A NL8903191 A NL 8903191A NL 8903191 A NL8903191 A NL 8903191A NL 8903191 A NL8903191 A NL 8903191A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductivity type
region
highly doped
transistor
static induction
Prior art date
Application number
NL8903191A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Zaidan Hojin Handotai Kenkyu
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zaidan Hojin Handotai Kenkyu filed Critical Zaidan Hojin Handotai Kenkyu
Publication of NL8903191A publication Critical patent/NL8903191A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/091—Integrated injection logic or merged transistor logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0214—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L
    • H01L27/0218—Particular design considerations for integrated circuits for internal polarisation, e.g. I2L of field effect structures
    • H01L27/0225—Charge injection in static induction transistor logic structures [SITL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0711—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0716—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors in combination with vertical bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0711—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
    • H01L27/0722—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors in combination with lateral bipolar transistors and diodes, or capacitors, or resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
    • H01L29/0808—Emitter regions of bipolar transistors of lateral transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • H01L29/7327—Inverse vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/735—Lateral transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Description

Geïntegreerde logische keten met statische inductietransis-torlogica.
De uitvinding heeft betrekking op geïntegreerde halfgeleiderketen met tenminste één logische structuur van het statische inductietransistortype, voorzien van tenminste één statische inductietransistor en tenminste één andere transistor, waarin de logicastructuur van het statische inductietransistortype is gevormd in een halfgeleiderwafel met een eerste en een tweede hoofdvlak, welke wafel een zwak gedoteerd halfgeleidergebied heeft van een eerste geleidingstype, waarbij nabij het eerste hoofdvlak tenminste één sterk gedoteerd halfgeleidergebied van het tweede geleidingstype, tegengesteld aan het genoemde eerste geleidingstype aanwezig is, dat het stroomelektrodegebied van de andere transistor vormt, waarbij tenminste één zwak gedoteerd kanaalgebied van het eerste geleidingstype door het genoemde eerste sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype gaat, welke kanaal bij het eerste hoofdvlak is voorzien van een sterk gedoteerd afvoergebied van het eerste geleidingstype door de statische inductietransistor, waarbij een sterk gedoteerd halfgeleidergebied van het eerste geleidingstype aanwezig is tussen het zwak gedoteerde halfgeleidergebied van het eerste geleidingstype en het tweede hoofdvlak.
Een dergelijke inrichting is beschreven in de Nederlandse octrooiaanvrage 7707382, die op de priori-teitsdatum van de Nederlandse octrooiaanvrage 7708526, waarvan de onderhavige aanvrage een afsplitsing is niet was gepubliceerd.
De uitvinding beoogt een dergelijke inrichting te verbeteren in die voege, dat de schakelsnelheid sterk verbeterd wordt, evenals de uitwaaiering (fan-out).
De bovengenoemde doeleinden worden volgens de uitvinding bereikt door erin te voorzien dat het sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype uitbreidingen heeft, die in het kanaalgebied van het zwak gedoteerde gebied van het eerste geleidingstype steken aan de zijde, die van het eerste hoofdvlak afligt, zodat het kanaalgebied een grotere dwarsdoorsnede heeft in de nabijheid van het eerste hoofdvlak dan ter plaatse van de uitbreidingen.
Volgens een nadere uitwerking hiervan wordt erbij een logische keten, waardin een tweede sterk gedoteerd gebied van het tweede geleidingstype aanwezig is in het zwak gedoteerde gebied van het eerste geleidingstype nabij het eerste hoofdvlak, dat een ander stroomelektrodegebied van de andere transistor vormt, e^in voorzien dat het genoemde tweede gebied van het tweede geleidingstype eveneens voorzien is van uitbreidingen, die naar het eerste sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype uitsteken, dat eveneens aan de zijde,die naar het tweede sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype is toegericht, voorzien is van een uitbreiding.
Bij toepassing van de uitvinding heeft men het voordeel, dat het poortgebied geconcentreerd is in een gebied van geringere hoogte, zodat de weerstand kleiner is. Tevens is de capaciteit tussen afvoer en stuurelektrodegebieden kleiner, omdat het sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype in de onmiddellijke nabijheid van het eerste hoofdvlak verder van het toevoer-gebied afligt.
Tevens wordt bij toepassing van de uitvinding een vermindering verkregen van het combineren van ladingsdragers, die bij de uitvinding niet zo gemakkelijk het hoofdvlak van het halfgeleiderlichaam bereiken en aldaar door de veelvuldige kristalfouten van een dergelijk oppervlak recombineren.
In het bijzonder wanneer het eerste hoofdvlak in het gebied tussen het eerste en het tweede sterk gedoteerde gebieden van het tweede geleidingstype bedekt zijn met een isolerend materiaal, wordt deze recombinatie nog verder tegengegaan door erin te voorzien dat een ondiep sterk gedoteerd aanvullend gebied van het eerste geleidingstype aanwezig is bij het overgangsvlak van het zwak gedoteerde gebied van het eerste geleidingstype en het genoemde isolerende materiaal.
Voor : een regelmatige constructie met in een wafel van bepaalde dikte gelijke stroom- en spanningsverhoudingen wordt er bij voorkeur in voorzien dat de uitbreidingen van het eerste en tweede gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype op dezelfde afstand van het eerste hoofdvlak zijn gelegen.
De uitvinding wordt in het volgende nader toegelicht aan de hand van de tekening, waarin schematisch een doorsnede door een logische keten volgens de uitvinding is weergegeven.
De wafel bestaat in hoofdzaak uit een bovenste laag 113 van een zwak gedoteerd halfgeleidermateriaal van het eerste geleidingstype, hier n, en daaronder een laag 113' van hetzelfde geleidingstype, doch sterk gedoteerd.
Aan de benedenzijde van de laag 113' is een elektrode 213 aangebracht met een aansluiting 13.
Aan de bovenzijde is een isolerende laag aangebracht, die uit een enkele of meerdere lagai kan bestaan van bijvoorbeeld siliciumoxyde (S1O2)> siliciumnitride (SI3N4), aluminiumoxyde (AI2O3) en/of mengsels of combinaties hiervan.
In de tekening is een principeconstructieschema getoond van een gunstige uitvoeringsvorm van de MTL keten met statische inductietransistorlogica volgens de uitvinding. In deze uitvoeringsvorm wordt de belastings-transistor gevormd door een van een aantal collectoren voorziene bipolaire pnp transistor en worden een aantal inverteertransistoren elk gevormd door een van een aantal afvoerelektroden voorziene statische inductietransistor.
In de tekening zijn twee van dergelijke statische induc-tietransistoren weergegeven, waarvan er één de elementen 112 als poortelektroden voor de afvoeren 114-1 en 114-2 bevat, en de andere de poortelektroden 112' en de afvoerelektroden 114'-1, 114'-2. Uiteraard kan het aantal afvoerelektroden groter zijn dan één. In de getekende constructie worden de afvoerelektroden gevormd door een ondiep gebied van sterk gedoteerd halfgeleidermateriaal van het andere geleidingstype, die verbonden zijn met een metalen aansluitdeel, waarvan er één is aangeduid met 214-1. De aansluitingen van deze afvoeren zijn aangegeven met 14-2, 14-1, 14'-1 en 14'-2. Zij vormen de aansluitingen van de afvoeren 114-2, 114-1, 114'-1 resp. 114'-2.
Het p-geleidende gebied 111, de gebieden 113 ter weerszijden daarvan van het geleidbaarheidstype n“ en de p-geleidende gebieden 112, 112* vormen de emitter, de basis resp. de collectors van de door deze elementen gevormde belastingstransistor.
Zoals duidelijk zichtbaar is hebben de gebieden 111, 112 en 112' elk uitsteeksels, die zich in hoofdzaak evenwijdig aan het hoofdvlak van de wafel uitbreiden en op afstand liggen van dit eerste of bovenste hoofdvlak dat bedekt is met de isolatielaag 12.
Deze uitbreidingen of uitsteeksels van de p-gebieden 112 leiden ertoe, dat het eigenlijke kanaalgebied, waarin het afknijpen van de stroom naar de afvoeren plaats heeft een geringe hoogte heeft en daardoor ook een geringere weerstand. Bovendien is, doordat de p-gebieden aan hun bovenzijden smaller zijn dan de afstand tussen de afvoeren en deze gebieden aan de bovenzijden groter, - de capaciteit tussen stuur- en afvoerelektroden kleiner .. Dit betekent dat het de traagheid bepalende produkt van de stuurelektrode-afvoercapaciteit en de kanaalweerstand beduidend kleiner wordt, waardoor de mogelijke werksnelheid groter wordt.
Een verder voordeel van de uitbreidingen aan de benedenzijde van de p-gebieden is, dat minder gaten het oppervlak van de laag 113 kunnen bereiken, al waar zij gemakkelijk kunnen recombineren.
Teneinde dit recombineren nog verder tegen te gaan is voorzien in de p-gebieden 114-A en 114'-A, die er voor zorgen, dat ook recombinatie van gaten die uitgaan van de p-gebieden 111 en de daaraangrenzende p-gebieden 112 en 112' minder kans hebben te recombineren.
-Conclusies-

Claims (4)

1. Geïntegreerde halfgeleiderketen met tenminste één logische structuur van het statische inductietransis-tortype, voorzien van tenminste één statische inductie-transistor en tenminste één andere transistor, waarin de logicastructuur van het statische inductietransistor-type is gevormd in een halfgeleiderwafel met een eerste en een tweede hoofdvlak, welke wafel een zwak gedoteerd halfgeleidergebied heeft van een eerste geleidingstype, waarbij nabij het eerste hoofdvlak tenminste één sterk gedoteerd halfgeleidergebied van het tweede geleidingstype, tegengesteld aan het genoemde eerste geleidingstype aanwezig is, dat het stroomelektrodegebied van de andere transistor vormt, waarbij tenminste één zwak gedoteerd kanaalgebied van het eerste geleidingstype door het genoemde eerste sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype gaat, welk kanaal bij het eerste hoofdvlak is voorzien van een sterk gedoteerd afvoergebied van het eerste geleidingstype door de statische inductietransistor, waarbij een sterk gedoteerd halfgeleidergebied van het eerste geleidingstype aanwezig is tussen het zwak gedoteerde halfgeleidergebied van het eerste geleidingstype en het tweede hoofdvlak, met het kenmerk, dat het sterk gedoteerde gebied (112) van het tweede geleidingstype uitbreidingen heeft, die in het kanaalgebied van het zwak gedoteerde gebied (113) van het eerste geleidingstype steken aan de zijde, die van het eerste hoofdvlak afligt, zodat het kanaalgebied een grotere dwarsdoorsnede heeft in de nabijheid van het eerste hoofdvlak dan ter plaatse van de uitbreidingen.
2. Inrichting volgens conclusie 1, waarin een tweede sterk gedoteerd gebied van het tweede geleidingstype aanwezig is in het zwak gedoteerde gebied van het eerste geleidingstype nabij het eerste hoofdvlak, dat een ander stroomelektrodegebied van de andere transistor vormt, met het kenmerk, dat het genoemde tweede gebied (111) van het tweede geleidingstype eveneens voorzien is van uitbreidingen, die naar het eerste sterk gedoteerde gebied (112) van het tweede geleidingstype uitsteken, dat eveneens aan de zijde die naar het tweede sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype is toegericht, voorzien is van een uitbreiding.
3. Inrichting volgens conclusie 2, waarin het eerste hoofdvlak in het gebied tussen het eerste en het tweede sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype bedekt is met een isolerend materiaal, met het kenmerk, dat een ondiep sterk gedoteerd aanvullend gebied van het eerste gelei-dingstype aanwezig is bij het overgangsvlak van het zwak gedoteerde gebied van het eerste geleidingstype en het genoemde isolerende materiaal.
4. Inrichting volgens conclusie 2 of 3, m e t het kenmerk, dat de uitbreidingen van het eerste en tweede sterk gedoteerde gebied van het tweede geleidingstype op dezelfde afstand van het eerste hoofdvlak zijn gelegen.
NL8903191A 1976-08-03 1989-12-29 Geintegreerde logische keten met statische inductietransistorlogica. NL8903191A (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51092467A JPS5838938B2 (ja) 1976-08-03 1976-08-03 半導体集積回路
JP9246776 1976-08-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8903191A true NL8903191A (nl) 1990-04-02

Family

ID=14055136

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7708526,A NL186282C (nl) 1976-08-03 1977-08-02 Geintegreerde schakeling omvattende ten minste een halfgeleiderpoortschakeling van het injektietype met een statische inductietransistor.
NL8903191A NL8903191A (nl) 1976-08-03 1989-12-29 Geintegreerde logische keten met statische inductietransistorlogica.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7708526,A NL186282C (nl) 1976-08-03 1977-08-02 Geintegreerde schakeling omvattende ten minste een halfgeleiderpoortschakeling van het injektietype met een statische inductietransistor.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4811064A (nl)
JP (1) JPS5838938B2 (nl)
DE (1) DE2734997A1 (nl)
FR (1) FR2360994A1 (nl)
GB (1) GB1599177A (nl)
IT (1) IT1085678B (nl)
NL (2) NL186282C (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5335477A (en) * 1976-09-14 1978-04-01 Toshiba Corp Semiconductor unit
US4284997A (en) 1977-07-07 1981-08-18 Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai Static induction transistor and its applied devices
JPS5466080A (en) * 1977-11-05 1979-05-28 Nippon Gakki Seizo Kk Semiconductor device
JPS5936832B2 (ja) * 1978-03-14 1984-09-06 株式会社日立製作所 半導体スイッチング素子
JPH01106029U (nl) * 1988-01-08 1989-07-17
JP2538984B2 (ja) * 1988-04-20 1996-10-02 株式会社豊田自動織機製作所 静電誘導形半導体装置
US5177029A (en) * 1989-03-28 1993-01-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Method for manufacturing static induction type semiconductor device enhancement mode power
JPH0523362U (ja) * 1991-03-14 1993-03-26 株式会社カンセイ ハンドルスイツチ
JP3086713B2 (ja) * 1991-05-10 2000-09-11 株式会社豊田自動織機製作所 静電誘導形半導体装置
US5313234A (en) * 1991-07-26 1994-05-17 Sayett Group, Inc. Liquid crystal projector
US5612547A (en) * 1993-10-18 1997-03-18 Northrop Grumman Corporation Silicon carbide static induction transistor
US5498997A (en) * 1994-12-23 1996-03-12 Schiebold; Cristopher F. Transformerless audio amplifier
CA2525578A1 (en) * 2003-05-15 2004-12-02 Applianz Technologies, Inc. Systems and methods of creating and accessing software simulated computers

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3354362A (en) * 1965-03-23 1967-11-21 Hughes Aircraft Co Planar multi-channel field-effect tetrode
US3430113A (en) * 1965-10-04 1969-02-25 Us Air Force Current modulated field effect transistor
DE1764911A1 (de) * 1968-09-02 1971-12-02 Telefunken Patent Unipolaranordnung
NL7107040A (nl) * 1971-05-22 1972-11-24
US3827034A (en) * 1972-09-14 1974-07-30 Ferranti Ltd Semiconductor information storage devices
US4199775A (en) * 1974-09-03 1980-04-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Integrated circuit and method for fabrication thereof
JPS5342676B2 (nl) * 1974-11-12 1978-11-14
JPS5811102B2 (ja) * 1975-12-09 1983-03-01 ザイダンホウジン ハンドウタイケンキユウシンコウカイ 半導体集積回路
JPS52128082A (en) * 1976-04-20 1977-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5923114B2 (ja) * 1976-06-17 1984-05-30 松下電器産業株式会社 半導体装置
JPS6022504B2 (ja) * 1976-06-18 1985-06-03 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JPS608628B2 (ja) * 1976-07-05 1985-03-04 ヤマハ株式会社 半導体集積回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE2734997A1 (de) 1978-02-16
IT1085678B (it) 1985-05-28
NL186282C (nl) 1990-10-16
JPS5838938B2 (ja) 1983-08-26
NL7708526A (nl) 1978-02-07
FR2360994B1 (nl) 1983-11-04
JPS5318392A (en) 1978-02-20
GB1599177A (en) 1981-09-30
NL186282B (nl) 1990-05-16
FR2360994A1 (fr) 1978-03-03
DE2734997C2 (nl) 1993-07-01
US4811064A (en) 1989-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8903191A (nl) Geintegreerde logische keten met statische inductietransistorlogica.
US4801986A (en) Vertical double diffused metal oxide semiconductor VDMOS device with increased safe operating area and method
US8294206B2 (en) Integrated circuit device and method for its production
US4779126A (en) Optically triggered lateral thyristor with auxiliary region
US4823176A (en) Vertical double diffused metal oxide semiconductor (VDMOS) device including high voltage junction exhibiting increased safe operating area
US6049109A (en) Silicon on Insulator semiconductor device with increased withstand voltage
US20050258464A1 (en) Field effect power transistor
US20030160281A1 (en) Semiconductor high-voltage devices
GB1254302A (en) Improvements in insulated gate field effect transistors
Nezar et al. Breakdown voltage in LDMOS transistors using internal field rings
US8932946B2 (en) Power semiconductor device
US20160240639A1 (en) Semiconductor device
US20190027561A1 (en) Semiconductor device
US6388280B2 (en) Semiconductor device
US10892351B2 (en) Semiconductor device
US11658179B2 (en) Semiconductor device with insulated-gate bipolar transistor region and diode region
CN105609487B (zh) 半导体器件和绝缘栅双极晶体管
US11394194B2 (en) Semiconductor device with surge current protection
US4543596A (en) Insulated-gate field-effect transistor (IGFET) with injector zone
JP3412599B2 (ja) 半導体装置
JP7022148B2 (ja) 縦型ｆｅｔ構造
JP2622524B2 (ja) ターンオフ機構及び過電圧保護手段を備えたサイリスタ
JP2020047675A (ja) 半導体装置
US3644799A (en) Semiconductor element having at least one control electrode
GB1297851A (nl)

Legal Events

Date Code Title Description
A1A A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
BV The patent application has lapsed