NL8600769A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. Download PDF

Info

Publication number
NL8600769A
NL8600769A NL8600769A NL8600769A NL8600769A NL 8600769 A NL8600769 A NL 8600769A NL 8600769 A NL8600769 A NL 8600769A NL 8600769 A NL8600769 A NL 8600769A NL 8600769 A NL8600769 A NL 8600769A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
layer
opening
conductive layer
electrode zone
doping
Prior art date
Application number
NL8600769A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL8600769A priority Critical patent/NL8600769A/nl
Priority to DE8787200371T priority patent/DE3783799T2/de
Priority to EP87200371A priority patent/EP0242893B1/de
Priority to ES198787200371T priority patent/ES2038986T3/es
Priority to CA000532339A priority patent/CA1288527C/en
Priority to KR87002631A priority patent/KR950010052B1/ko
Priority to JP62068126A priority patent/JPS62232164A/ja
Publication of NL8600769A publication Critical patent/NL8600769A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10D10/01—Manufacture or treatment
    • H10D10/051—Manufacture or treatment of vertical BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/01—Manufacture or treatment
    • H10D84/0112—Integrating together multiple components covered by H10D8/00, H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integrating multiple BJTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/40—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising inorganic materials

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
NL8600769A 1986-03-26 1986-03-26 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. NL8600769A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8600769A NL8600769A (nl) 1986-03-26 1986-03-26 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
DE8787200371T DE3783799T2 (de) 1986-03-26 1987-03-02 Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung.
EP87200371A EP0242893B1 (de) 1986-03-26 1987-03-02 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
ES198787200371T ES2038986T3 (es) 1986-03-26 1987-03-02 Metodo de fabricacion de un dispositivo semiconductor.
CA000532339A CA1288527C (en) 1986-03-26 1987-03-18 Method of manufacturing a semiconductor device having a contact opening derived from a doping opening
KR87002631A KR950010052B1 (en) 1986-03-26 1987-03-23 Method of manufacturing a semiconductor device
JP62068126A JPS62232164A (ja) 1986-03-26 1987-03-24 半導体装置およびその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8600769A NL8600769A (nl) 1986-03-26 1986-03-26 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL8600769 1986-03-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8600769A true NL8600769A (nl) 1987-10-16

Family

ID=19847771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8600769A NL8600769A (nl) 1986-03-26 1986-03-26 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0242893B1 (de)
JP (1) JPS62232164A (de)
KR (1) KR950010052B1 (de)
CA (1) CA1288527C (de)
DE (1) DE3783799T2 (de)
ES (1) ES2038986T3 (de)
NL (1) NL8600769A (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5247197A (en) * 1987-11-05 1993-09-21 Fujitsu Limited Dynamic random access memory device having improved contact hole structures
JPH01120847A (ja) * 1987-11-05 1989-05-12 Fujitsu Ltd 半導体装置
US6091129A (en) * 1996-06-19 2000-07-18 Cypress Semiconductor Corporation Self-aligned trench isolated structure
US5830797A (en) * 1996-06-20 1998-11-03 Cypress Semiconductor Corporation Interconnect methods and apparatus
US6004874A (en) * 1996-06-26 1999-12-21 Cypress Semiconductor Corporation Method for forming an interconnect
US5911887A (en) * 1996-07-19 1999-06-15 Cypress Semiconductor Corporation Method of etching a bond pad

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS567463A (en) * 1979-06-29 1981-01-26 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS5870570A (ja) * 1981-09-28 1983-04-27 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US4507171A (en) * 1982-08-06 1985-03-26 International Business Machines Corporation Method for contacting a narrow width PN junction region
JPS60163446A (ja) * 1984-02-02 1985-08-26 Pioneer Electronic Corp スル−ホ−ルの形成方法
JPS60194570A (ja) * 1984-03-16 1985-10-03 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3783799D1 (de) 1993-03-11
ES2038986T3 (es) 1993-08-16
EP0242893B1 (de) 1993-01-27
DE3783799T2 (de) 1993-07-01
EP0242893A1 (de) 1987-10-28
KR870009475A (ko) 1987-10-27
KR950010052B1 (en) 1995-09-06
JPS62232164A (ja) 1987-10-12
CA1288527C (en) 1991-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11721738B2 (en) Laterally diffused metal oxide semiconductor with gate poly contact within source window
NL8105920A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JPH07115192A (ja) 垂直形ｍｏｓトランジスタの製造方法
US9570441B2 (en) Semiconductor device with thermally grown oxide layer between field and gate electrode and method of manufacturing
US4845051A (en) Buried gate JFET
NL8003612A (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
JP2004520718A (ja) トレンチ−ゲート構造半導体装置及びその製造方法
NL8701251A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
JPH1197716A (ja) Ｍｏｓコントロールダイオード及びその製造方法
NL8600770A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US6153905A (en) Semiconductor component including MOSFET with asymmetric gate electrode where the drain electrode over portions of the lightly doped diffusion region without a gate dielectric
NL8402859A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van submicrongroeven in bijvoorbeeld halfgeleidermateriaal en met deze werkwijze verkregen inrichtingen.
NL8402856A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
EP0190423B1 (de) Planare Halbleitervorrichtung mit einer Feldplatte
WO2006107564A2 (en) Semiconductor power deviceand corrisponding manufacturing process
NL8002468A (nl) Veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode, en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL8600769A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
US4523368A (en) Semiconductor devices and manufacturing methods
US20010023957A1 (en) Trench-gate semiconductor devices
KR100300892B1 (ko) 반도체장치제조방법
JP2961692B2 (ja) 高圧素子およびその製造方法
JP2003530689A (ja) 高周波数半導体構造の製造方法、および高周波数半導体構造
JPH0936244A (ja) Ｃｍｏｓ構造を備えた集積回路及びその製造方法
JPS6195565A (ja) エミツタ直列抵抗を有するバイポーラトランジスタの製造方法
JP2001512629A (ja) パワー半導体デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed