NL194087C - Plasma-werkwijze voor het bekleden van vlakke substraten. - Google Patents
Plasma-werkwijze voor het bekleden van vlakke substraten. Download PDFInfo
- Publication number
- NL194087C NL194087C NL8902089A NL8902089A NL194087C NL 194087 C NL194087 C NL 194087C NL 8902089 A NL8902089 A NL 8902089A NL 8902089 A NL8902089 A NL 8902089A NL 194087 C NL194087 C NL 194087C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- plasma
- coating
- substrate
- substrates
- reaction
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
1 194087
Plasma-werkwijze voor het bekleden van vlakke substraten
De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een plasma-CVD-werkwijze voor het simultaan aanbrengen van een diëlektrische bekleding op één of beide zijden van vlakke substraten, waarbij een gebied- of 5 volume-plasmazone, die het gehele gebied dat moet worden bekleed van één of meer substraten bedekt, wordt gegenereerd uit een aantal plasma-elektroden (CVD, chemical vapour deposition).
Een dergelijke werkwijze is bekend uit Amerikaans octrooischrift US-A-4.593.644. Dit octrooischrift openbaart een continu, in -lijn depositiesysteem voor het bekleden van grote substraten door middel van een chemisch of plasmaverdampingsdepositieproces. In het bijzonder heeft het bekende systeem betrekking 10 op een systeem voor de depositie van halfgeleide en isolerende films bij de fabricage van halfgeleider-inrichtingen.
Het bekende systeem omvat ’’load lock”-kamers voor het laden en ontladen van substraten die zijn ingericht in dragers. De dragers transporteren een aantal paren van substraten door het systeem waarbij de vlakken ervan die moeten worden bekleed in een vlak worden gehouden dat zowel parallel is aan de 15 richting van plasmavoortplanting en gasstroom als loodrecht op de bewegingsrichting door het systeem. De substraten zijn uitgelijnd met de oppervlakken die moeten worden bekleed uit elkaar geplaatst en naar elkaar toe gericht, waarbij de achtervlakken van twee van dergelijke tegenoverliggende substraten in contact zijn met het achteroppervlak van een ander gelijksoortig substraat. De plasma-elektroden en de gasinlaten zijn ingericht in paarsgewijze uitlijning aan tegenoverliggende zijden van de vacuümkamer - hierbij strekken 20 de plasma-elektroden die bestaan uit grote, platte of holle structuren zich parallel uit aan de richting van substraatbeweging - zodat de gassen en de plasmakolommen zullen passeren tussen, d.w.z. parallel aan, de vlakken die moeten worden bekleed.
Het is nu een nadeel van de bovengenoemde werkwijzen, dat het bekleden van substraten met een groot oppervlak gebonden is aan een kwetsbare relatieve beweging tussen plasma-generator en substraat. 25 Aangezien het alleen met hoge kosten mogelijk is, dat precisie-techniek voor het bewegen van substraat verenigbaar zijn met hoge temperaturen van het substraat, zijn de temperaturen van het substraat beperkt tot waarden, die te laag zijn voor veel toepassingen. Bovendien leidt een beweging van de substraten tijdens de bekledingswerkwijze in de reactieruimte dikwijls tot een ongewenste vorming van deeltjes. Het is eveneens van nadeel, dat het met de boven beschreven werkwijze niet mogelijk is een bekleding te 30 produceren met tevoren bepaalde bekledingseigenschappen aan elke zijde van het substraat Volgens de vermelde stand der techniek is het dus bijvoorbeeld niet mogelijk een bekleding van substraten met een groot oppervlak te bereiken, welke gelijkmatig is met betrekking tot de dikte, structuur en samenstelling over het totale te bekleden oppervlak, aangezien er gewoonlijk aan de substraat-randen hogere veldsterkten optreden, welke leiden tot hogere afzettingssnelheden aan de rand, in vergelijking met het midden van het 35 substraat. Aangezien in elk geval slechts één substraat met groot oppervlak alleen of anders een aantal substraten met een klein oppervlak tegelijkertijd bekleed kunnen worden, zijn de boven beschreven werkwijze bovendien eveneens kostbaar en niet economisch met betrekking tot het bekleden van vlakke substraten met een groot oppervlak.
De onderhavige uitvinding gaat er derhalve van uit een werkwijze te verschaffen van het type, dat 40 bovenstaand vermeld is, waarbij het mogelijk is op een eenvoudige wijze gelijkmatig een veelvoud van substraten te bekleden, met inbegrip van substraten met een groot oppervlak, waarbij het met elk substraat mogelijk is dat de bekledingseigenschappen doelbewust op elke plaats van het te bekleden oppervlak worden afgesteld.
Volgens de uitvinding wordt deze doelstelling bereikt met de werkwijze van de bij aanhef gedefinieerde 45 soort, verder omvattende de stappen van het in de reactiezone doen voortplanten vanuit de plasma-elektroden van overlappende plasmakolommen loodrecht op de oppervlakken die moeten worden bekleed aan één of beide zijden van de substraten, waarbij de plasma-elektroden en substraten stationair worden gehouden, en het afzonderlijk regelen van de sterkte en duur van elke plasmakolom.
Bij de werkwijze volgens de uitvinding wordt gebruik gemaakt van het feit, dat een aantal plasma-50 elektroden zo dicht naast elkaar kan worden opgesteld, dat de plasma-kolommen, die daarvoor worden ontwikkeld, elkaar overlappen, zonder dat dit echter leidt tot een verstorende wederzijdse invloed, bijvoorbeeld door interferentie-effecten in de velden van hoge frequentie. Dienovereenkomstig kunnen de plasma-elektroden onafhankelijk van elkaar worden geschakeld en geregeld. Volgens de uitvinding is het mogelijk, dat de plasma-elektroden via een elektrische krachtbron worden geschakeld en geregeld.
55 De werkwijze volgens de uitvinding heeft het voordeel, dat op zich bekende plasma-elektroden worden toegepast, die verschillende door een eenvoudig compact patroon, lage kwetsbaarheid en ook door eenvoudige niet gecompliceerd hanteren, welke echter vanwege de kleine grootte ervan gewoonlijk niet 194087 2 worden toegepast voor het bekleden van substraten met een groot oppervlak. De vorming van staande golven, die dikwijls waargenomen wordt met plasma-elektroden met een groot oppervlak en leidt tot inhomogeniteiten in de bekledingsplasma en derhalve ook in de afgezette bekleding, vindt niet plaats bij de werkwijze volgens de onderhavige uitvinding.
5 Aangezien willekeurig veel plasma-elektroden naast elkaar kunnen worden opgesteld zijn de grootte en de geometrie van de te bekleden oppervlakken praktisch onbeperkt. Alle diëlektrische materialen kunnen als substraten worden toegepast.
Bij voorkeur wordt kwartsglas toegepast. Het is mogelijk voor de bekleding alle diëlektrische materialen te gebruiken, die kunnen worden afgezet met behulp van een plasma-werkwijze. Bij voorkeur worden 10 glasachtige bekleding, bestaande uit een of meer oxiden uit de groep van Si02, B203, Ge02, P205, Ti02, Zr02, Hf02, Sn02, ZnO, Al203 en SiOxNy afgezet, waarbij bij voorkeur als reactiegassen de OH'-vrije chlorideverbindingen en/of vanwege de relatief hoge dampdruk ervan de organometaalverbindingen van de af te zetten stoffen worden gebruikt.
Volgens een verdere voorkeuringsuitvoeringsvorm van de uitvinding wordt er in voorzien, dat een 15 veelvoud van substraten wordt opgesteld boven elkaar voor een gelijktijdige bekleding in de reactieruimte. Aangezien diëlektrische plaat niet verhindert, dat hoogfrequentie plasma ontwikkelde velden erdoorheen gaan, is het voldoende om de plasma-elektroden in een vlak onder en/of boven de substraten op te stellen, hoofdzakelijk parallel aan of onder een lichte hoek ten opzichte van de gebieden die moeten worden bekleed, waarbij het noodzakelijk is dat de plasmagebieden die moeten worden gekleed, waarbij het 20 noodzakelijk is dat de plasmavoortplanting plaats heeft loodrecht op deze vlakken. Dezelfde opstelling van de plasma-elektroden kan eveneens worden toegepast bij het bekleden van een enkel substraat Bij voorkeur wordt een plasma-puls/CVD-proces toegepast. In dit geval is de reactieruimte of zijn de afzonderlijke reactiekamers in het eenvoudigste geval gevuld met een vers mengsel van reactiegassen en zij de gasinlaat- en gasuitlaat-openingen gesloten. Plasma-elektroden worden vervolgens aangezet en de 25 plasma’s worden geactiveerd, zodat het bekledingsmateriaal wordt afgezet op de te bekleden oppervlakken uit het mengsel van reactiegassen, aanwezig in de reactieruimte of in de reactiekamers. Na een korte inwerkingstijd van het plasma is het mengsel van reactiegassen verbruikt en wordt het plasma buiten werking gesteld. Vervolgens worden de gasinlaat- en gasuitlaat-openingen geopend en wordt het verbruikte mengsel van reactiegassen gewisseld voor een vers mengsel van reactiegassen teneinde een hernieuwde 30 bekleding te initiëren.
In de praktijk verdient het echter de voorkeur te werken met een continue gasstroom. In dit geval wordt de tijd tussen de twee plasma-pulsen gelijk gemaakt aan de tijd voor een uitwisseling vein een vers tegen en verbruikt mengsel van reactiegassen in de reactieruimte of in de reactiekamers. In het belang van een hoge exploitatie van de mogelijk kostbare reactiegassen moet worden getracht een zo groot mogelijke hoeveel·-35 heid van de hoeveelheid gas, die in de reactieruimte of de reactiekamers stroomt, te laten stromen tussen de oppervlakken die moeten worden bekleed en de werkwijze zodanig te regelen, dat na de plasma-puls de omsloten inhoud van het mengsel van reactiegassen geheel is uitgeput aan bekledingsmateriaal. De lokale bekledingssnelheid is dan niet langer afhankelijk van de grootte van de elektrische energie, gekoppeld in het plasma, voor zover een drempelwaarde van de energie bijvoorbeeld afhankelijk van de gassamenstelling en 40 -druk, is overtreden, maar is in het bijzonder afhankelijk van het aantal moleculen van reactiegassen met betrekking tot het te bekleden oppervlak.
Het spreekt vanzelf, dat de werkwijze volgens de uitvinding eveneens kan worden toegepast, indien de substraten, evenals de plasma-elektroden opgesteld in vlakken, verticaal in plaats van horizontaal zijn opgesteld.
45
De uitvinding wordt onderstaand meer in detail beschreven onder verwijzing naar een paar voorkeursuitvoeringsvormen in samenhang met de tekeningen, waarin figuur 1 een schematische voorstelling in de vorm van een verticale doorsnede van een inrichting toont voor het uitvoeren van de werkwijze volgens de uitvinding volgens het plasma-puls/CVD-principe, waarin 50 een aantal plasma-elektroden in een vlak is opgesteld boven een substraat en de plasma-voortplanting plaatsvindt loodrecht op het te bekleden oppervlak; figuur 2 toont dezelfde inrichting als figuur 1 in een aanzicht over een doorsnede langs de lijn ll-ll in figuur 1; figuur 3 toont een voorstelling in verticale doorsnede van een inrichting voor het uitvoeren van de 55 werkwijze volgens de uitvinding, een aantal substraten, die afzonderlijk boven elkaar zijn opgesteld, welke op de vereiste substraattemperatuur zijn gebracht tijdens de bekleding door plasma-verhitting; figuur 4 toont een voorstelling in verticale doorsnede van een verdere substraat-opsteiling volgens de 3 194087 uitvinding voor een gelijktijdige bekleding van een aantal substraten; figuur 5 toont een voorstelling in horizontale doorsnede van een voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding, waarbij de plasma-elektroden in de vlakken tussen de substraten zijn opgesteld, en de plasma-voortplanting plaatsvindt parallel ten opzichte van deze vlakken; 5 figuur 6 toont een gedeeltelijk aanzicht van een doorsnede langs de lijn VI-VI in figuur 5; figuur 7 toont een voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding, waarbij het mengsel van reactiegassen in de reactieruimte stroomt door een aantal gasinlaatopeningen en de voortplanting van het plasma en van het mengsel van reactiegassen dezelfde richting hebben; figuur 8 toont een voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding, waarbij het substraat en een diêlektrische 10 plaat van het huis hellend zijn onder een hoek ten opzichte van elkaar.
Volgens figuur 1 is een gasbron 1 verbonden via een gasinlaatopening 2 in de wand van een huis 3 met een reactieruimte 4 in het huis 3. Aan de tegenovergestelde wand van het huis 3 is een gasuitlaatopening 5 aanwezig, die via een smoorklep 6 de verbinding levert tussen de reactieruimte 4 en een vacuümpomp 7.
15 Het zuigvermogen van de vacuümpomp 7 en het instellen van de smoorklep 6 worden geregeld op zodanige wijze, dat een tevoren bepaalde stroom van de gasmassa in de reactieruimte 4 resulteert onder een gewenst verminderde druk van 10 tot 200 la, welke geschikt is voor de generatie van plasma-puls-ladingen. Een substraat 8 wordt in de reactieruimte 4 vastgehouden door middel van een substraathouder 9. Een aantal plasma-elektroden 10, hier in de vorm van hoom-antennes van platina of van een ander 20 thermisch stabiel metaal, is opgesteld in een vlak boven het substraat 8 in de reactieruimte 4. Teneinde overslagen te vermijden is de opstelling van de plasma-elektroden 10 gescheiden van de reactieruimte 4 door een huis met een diêlektrische plaat 11. De ruimte in dit huis kan worden geëvacueerd met behulp van een vacuümpomp 12. De plasma-elektroden 10 zijn verbonden met een microgolf-generator 14 via controlemiddelen 13, waardoor ze afzonderlijk kunnen worden geschakeld en geregeld. Voor het verwarmen 25 van het substraat 8 is de gehele inrichting opgeven door een oven 15, met het doel de kwaliteit van de bekleding te verbeteren.
Tijdens het bedrijf gaan van de microgolf-gebieden door de diêlektrische plaat 11 en activeren een aantal rijen van plasma-koiommen 16, die elkaar overlappen, in de reactieruimte 4 tussen de plaat 11 en het substraatoppervlak dat moet worden bekleed. Door elke plasma-puls wordt een laag van een bekleding 17 30 afgezet op het oppervlak, dat moet worden bekleed, en op de diêlektrische plaat 11, waarbij de bekledings-eigenschappen ervan aan elke zijde van het substraat worden ingesteld door afzonderlijke regeling van de afzonderlijke plasma-elektroden 10, die boven de bijzondere plaats zijn opgesteld. De afmeting en de geometrie van de te bekleden oppervlakken wordt bepaald door het aantal en de opstelling van de plasma-elektroden.
35 In figuur 2 zijn de plasma-elektroden 10 in een roosterachtige vorm boven het substraat opgesteld, zoals is aangegeven door de stippellijnen 18. Elke andere opstelling, waarbij de plasma-koiommen elkaar overlappen, is eveneens geschikt.
In de opstelling van figuur 3 is een aantal substraten 8 afzonderlijk boven elkaar opgesteld. De gebieden van de twee te bekleden substraten zijn tegen elkaar gericht en begrenzen reactiekamers 19 in de 40 reactieruimte 4, in welke kamers de bekleding plaatsvindt. Elke reactiekamer 19 bevat in elk geval zijn eigen gasinlaatopening 2 en een gasuitlaatopening 5. De plasma-elektroden 10 zijn in elk geval in een vlak boven en onder de substraatopstelling aangebracht en genereren plasma-koiommen 16 die door de substraten passeren. De kamers 20, begrensd door de achteroppervlakken van de substraten 8 zijn op gelijke wijze voorzien van gasinlaatopeningen 21 en gasuitlaatopeningen 22. De kamers 20 kunnen worden geëvacueerd 45 door middel van een vacuümpomp 23 via de gasuitlaatopeningen 22. Het niet-reactieve gas, dat UV-straling uitzendt in een plasma, in deze uitvoeringsvorm zuurstof, wordt in de kamers 20 via de gasinlaatopeningen 21 geleid. In bedrijf reiken de plasma-koiommen 16 door de kamers 19 en 20. Het zuurstofgas wordt geëxciteerd in het plasma waarbij het UV-straling uitzendt, dat wordt geabsorbeerd door de naburige substraten en verhit deze tot de gewenste substraattemperatuur.
50 In de substraatopstelling, getoond in figuur 4, liggen de substraten 8 op elkaar in de vorm van een passende vorm met hun achteroppervlakken. In vergelijking met de opstelling in figuur 3 heeft deze opstelling het voordeel, dat minder ruimte wordt ingenomen en dat een groot aantal substraten tegelijkertijd kan worden bekleed. Teneinde verschillende bekledingssnelheden te genereren zijn de substraatparen op verschillende wijze gescheiden. Het verhitten van het substraat heeft in dit geval plaats van buitenaf, 55 bijvoorbeeld door een oven.
In de uitvoering in figuur 5 zijn de plasma-elektroden 10 in elk geval in een vlak aangebracht tussen de oppervlakken van twee substraten 8, die moeten worden bekleed, op zodanige wijze, dat de plasma-
Claims (4)
1. Plasma-CVD-werkwijze voor het simultaan aanbrengen van een diëlektrische bekleding op één of beide zijden van vlakke substraten, waarbij een gebied- of volume-plasmazone, die het gehele gebied dat moet worden bekleed van één of meer substraten bedekt, wordt gegenereerd uit een aantal plasma-elektroden, 5 194087 gekenmerkt door: het in de reactiezone, doen voortplanten vanuit de plasma-eiektroden van overlappende plasmakolommen loodrecht op de oppervlakken die moeten worden bekleed aan één of beide zijden van de substraten, waarbij de plasmaelektroden en substraten stationair worden gehouden, en het afzonderlijk regelen van de sterkte en duur van elke plasmakolom.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarin enige substraten die worden bekleed, de een boven de ander wordt gebracht waarbij de plasmakolommen worden gegenereerd uit de plasma-eiektroden die boven en/of onder de substraten zijn geplaatst.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarin het mengsel van reactiegassen wordt onderworpen aan een plasmapuls gedurende een periode die voldoende is om in hoofdzaak alle reactiegassen te laten reageren. 10
4. Werkwijze volgens conclusie 3, waarin een mengsel van reactiegassen continu door de reactiezone wordt geleid en de gasmassastroom wordt aangepast zodanig dat in het interval tussen plasmapulsen het gehele gespendeerde mengsel van reactiegassen wordt teruggehaald uit de reactiezone en vervangen door een vers mengsel van reactiegassen. Hierbij 4 bladen tekening
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3830249 | 1988-09-06 | ||
DE3830249A DE3830249A1 (de) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | Plasmaverfahren zum beschichten ebener substrate |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8902089A NL8902089A (nl) | 1990-04-02 |
NL194087B NL194087B (nl) | 2001-02-01 |
NL194087C true NL194087C (nl) | 2001-06-05 |
Family
ID=6362369
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL8902089A NL194087C (nl) | 1988-09-06 | 1989-08-17 | Plasma-werkwijze voor het bekleden van vlakke substraten. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5017404A (nl) |
JP (1) | JP2542438B2 (nl) |
DE (1) | DE3830249A1 (nl) |
FR (1) | FR2636079B1 (nl) |
GB (1) | GB2224289B (nl) |
NL (1) | NL194087C (nl) |
Families Citing this family (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4010663C2 (de) * | 1990-04-03 | 1998-07-23 | Leybold Ag | Vorrichtung und Verfahren zur plasmagestützten Beschichtung von Werkstücken |
DE4114108C1 (nl) * | 1991-04-30 | 1991-12-19 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
DE4029268C2 (de) * | 1990-09-14 | 1995-07-06 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur gleichspannungs-bogenentladungs-unterstützten, reaktiven Behandlung von Gut und Vakuumbehandlungsanlage zur Durchführung |
JPH04144992A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-19 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | マイクロ波プラズマ発生装置およびそれを利用するダイヤモンド膜の製造方法 |
DE4137606C1 (nl) * | 1991-11-15 | 1992-07-30 | Schott Glaswerke, 6500 Mainz, De | |
JPH05267186A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置および該装置を用いた気相成長方法 |
US6007878A (en) * | 1993-05-27 | 1999-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing an optical recording medium having a protective layer formed using a plasma processing device |
JP2611732B2 (ja) * | 1993-12-13 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | プラズマ処理装置 |
DE69524671T2 (de) * | 1994-06-14 | 2002-08-14 | Sumitomo Metal Ind | Mikrowellenplasma-Bearbeitungssystem |
DE4443608C1 (de) * | 1994-12-07 | 1996-03-21 | Siemens Ag | Plasmareaktor und Verfahren zu dessen Betrieb |
JPH08259386A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物薄膜の製造方法及びそれに用いる化学蒸着装置 |
US5702530A (en) * | 1995-06-23 | 1997-12-30 | Applied Materials, Inc. | Distributed microwave plasma reactor for semiconductor processing |
US5683548A (en) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Motorola, Inc. | Inductively coupled plasma reactor and process |
US5961851A (en) * | 1996-04-02 | 1999-10-05 | Fusion Systems Corporation | Microwave plasma discharge device |
US5789040A (en) * | 1997-05-21 | 1998-08-04 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Methods and apparatus for simultaneous multi-sided coating of optical thin film designs using dual-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition |
US5710079A (en) * | 1996-05-24 | 1998-01-20 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for forming dielectric films |
DE19622550A1 (de) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Schott Glaswerke | Glasbehälter insbesondere zur Aufbewahrung pharmazeutischer oder diagnostischer Lösungen |
DE19634795C2 (de) * | 1996-08-29 | 1999-11-04 | Schott Glas | Plasma-CVD-Anlage mit einem Array von Mikrowellen-Plasmaelektroden und Plasma-CVD-Verfahren |
DE19643865C2 (de) * | 1996-10-30 | 1999-04-08 | Schott Glas | Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben |
DE19740806C2 (de) * | 1997-09-17 | 1999-10-07 | Schott Glas | Mikrotiterplatte aus Kunststoff |
DE19754056C1 (de) * | 1997-12-05 | 1999-04-08 | Schott Glas | Verfahren zum Beschichten von Elastomerkomponenten |
US20020011215A1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-01-31 | Goushu Tei | Plasma treatment apparatus and method of manufacturing optical parts using the same |
DE19801320B4 (de) | 1998-01-16 | 2004-08-26 | Schott Glas | Befüllter und verschlossener Kunststoffbehälter und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6132552A (en) | 1998-02-19 | 2000-10-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling the temperature of a gas distribution plate in a process reactor |
FR2812665B1 (fr) * | 2000-08-01 | 2003-08-08 | Sidel Sa | Procede de depot de revetement par plasma, dispositif de mise en oeuvre du procede et revetement obtenu par un tel procede |
JP2002105641A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | Murakami Corp | 複合材およびその製造方法 |
US6689220B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-02-10 | Simplus Systems Corporation | Plasma enhanced pulsed layer deposition |
JP4595276B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2010-12-08 | 東洋製罐株式会社 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
DE10138697B4 (de) * | 2001-08-07 | 2005-02-24 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und Spritzblasen eines dreidimensionalen Körpers |
DE10141696A1 (de) * | 2001-08-25 | 2003-03-13 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer nanostruktuierten Funktionsbeschichtung und damit herstellbare Beschichtung |
DE10161469A1 (de) * | 2001-12-13 | 2003-07-03 | Schott Glas | Volumenoptimierter Reaktor zur beidseitig gleichzeitigen Beschichtung von Brillengläsern |
DE10216092A1 (de) * | 2002-04-11 | 2003-10-30 | Schott Glas | Verbundmaterial aus einem Substratmaterial und einem Barriereschichtmaterial |
EP1361437A1 (en) * | 2002-05-07 | 2003-11-12 | Centre National De La Recherche Scientifique (Cnrs) | A novel biological cancer marker and methods for determining the cancerous or non-cancerous phenotype of cells |
US7560657B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-07-14 | Btu International Inc. | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
US20060057016A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-16 | Devendra Kumar | Plasma-assisted sintering |
US7432470B2 (en) | 2002-05-08 | 2008-10-07 | Btu International, Inc. | Surface cleaning and sterilization |
US7445817B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-11-04 | Btu International Inc. | Plasma-assisted formation of carbon structures |
US20060233682A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-19 | Cherian Kuruvilla A | Plasma-assisted engine exhaust treatment |
US7638727B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-12-29 | Btu International Inc. | Plasma-assisted heat treatment |
US7494904B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-02-24 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted doping |
US7498066B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International Inc. | Plasma-assisted enhanced coating |
AU2003245264A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-11 | Dana Corporation | Plasma-assisted joining |
US20060237398A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-26 | Dougherty Mike L Sr | Plasma-assisted processing in a manufacturing line |
US20050233091A1 (en) * | 2002-05-08 | 2005-10-20 | Devendra Kumar | Plasma-assisted coating |
US7497922B2 (en) * | 2002-05-08 | 2009-03-03 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted gas production |
US20060062930A1 (en) * | 2002-05-08 | 2006-03-23 | Devendra Kumar | Plasma-assisted carburizing |
US7465362B2 (en) * | 2002-05-08 | 2008-12-16 | Btu International, Inc. | Plasma-assisted nitrogen surface-treatment |
WO2003095237A1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Method of decorating large plastic 3d objects |
US6838114B2 (en) | 2002-05-24 | 2005-01-04 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces |
US6821347B2 (en) | 2002-07-08 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces |
US6955725B2 (en) | 2002-08-15 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
JP4306218B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2009-07-29 | 株式会社Ihi | 薄膜形成システム |
US7189940B2 (en) | 2002-12-04 | 2007-03-13 | Btu International Inc. | Plasma-assisted melting |
US6926775B2 (en) * | 2003-02-11 | 2005-08-09 | Micron Technology, Inc. | Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces |
US7335396B2 (en) | 2003-04-24 | 2008-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7235138B2 (en) * | 2003-08-21 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces |
US7344755B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-03-18 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers |
US7422635B2 (en) * | 2003-08-28 | 2008-09-09 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces |
US7056806B2 (en) | 2003-09-17 | 2006-06-06 | Micron Technology, Inc. | Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces |
US7282239B2 (en) | 2003-09-18 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US7323231B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-01-29 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes |
US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7258892B2 (en) | 2003-12-10 | 2007-08-21 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition |
KR100657354B1 (ko) * | 2004-01-19 | 2006-12-14 | 염근영 | 상압에서 탄소나노튜브 형성 장치 및 방법 |
US7584942B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-09-08 | Micron Technology, Inc. | Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers |
US8133554B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces |
US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
WO2006127037A2 (en) * | 2004-11-05 | 2006-11-30 | Dana Corporation | Atmospheric pressure processing using microwave-generated plasmas |
DE102004061632B4 (de) * | 2004-12-17 | 2009-06-18 | Auer Lighting Gmbh | Innenbeschichtung von Entladungsgefäßen, Entladungsgefäße aus Quarzglas und deren Verwendung |
WO2007016688A1 (en) * | 2005-08-02 | 2007-02-08 | New Way Machine Components, Inc. | A method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner |
EP1918967B1 (en) * | 2006-11-02 | 2013-12-25 | Dow Corning Corporation | Method of forming a film by deposition from a plasma |
WO2009104379A1 (ja) * | 2008-02-18 | 2009-08-27 | 三井造船株式会社 | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
WO2010129277A2 (en) | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generator and methods therefor |
EP2263983A1 (fr) * | 2009-06-05 | 2010-12-22 | AGC Glass Europe | Procédé et installation pour le dépôt de couches sur un substrat. |
DE102009044496B4 (de) | 2009-11-11 | 2023-11-02 | Muegge Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mittels Mikrowellen |
WO2013016497A2 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generating array |
WO2013119313A2 (en) * | 2011-12-09 | 2013-08-15 | Trustees Of Tufts College | Microplasma generator with array of tapered microstrips |
US9117619B2 (en) * | 2013-11-07 | 2015-08-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Device for generating heavy-ion beam and method thereof |
US9478408B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-10-25 | Lam Research Corporation | Systems and methods for removing particles from a substrate processing chamber using RF plasma cycling and purging |
US10047438B2 (en) * | 2014-06-10 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Defect control and stability of DC bias in RF plasma-based substrate processing systems using molecular reactive purge gas |
US10081869B2 (en) | 2014-06-10 | 2018-09-25 | Lam Research Corporation | Defect control in RF plasma substrate processing systems using DC bias voltage during movement of substrates |
WO2021069620A1 (en) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | Neocoat Sa | Cvd reactor for manufacturing synthetic films and methods of fabrication |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5930130B2 (ja) * | 1979-09-20 | 1984-07-25 | 富士通株式会社 | 気相成長方法 |
US4390789A (en) * | 1981-05-21 | 1983-06-28 | Control Data Corporation | Electron beam array lithography system employing multiple parallel array optics channels and method of operation |
US4525381A (en) * | 1983-02-09 | 1985-06-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Photochemical vapor deposition apparatus |
US4593644A (en) * | 1983-10-26 | 1986-06-10 | Rca Corporation | Continuous in-line deposition system |
JPH0644554B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1994-06-08 | 株式会社富士電機総合研究所 | プラズマcvd装置 |
JPH0746574B2 (ja) * | 1985-05-10 | 1995-05-17 | 株式会社東芝 | 陰極線管装置 |
JP2693419B2 (ja) * | 1986-01-22 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | カラー受像装置 |
JPH0666268B2 (ja) * | 1986-06-18 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | マイクロ波プラズマcvd装置 |
GB8620273D0 (en) * | 1986-08-20 | 1986-10-01 | Gen Electric Co Plc | Deposition of thin films |
-
1988
- 1988-09-06 DE DE3830249A patent/DE3830249A1/de active Granted
-
1989
- 1989-08-17 NL NL8902089A patent/NL194087C/nl not_active IP Right Cessation
- 1989-08-31 JP JP1226344A patent/JP2542438B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-05 GB GB8920049A patent/GB2224289B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-06 FR FR8911675A patent/FR2636079B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-09-06 US US07/403,429 patent/US5017404A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL8902089A (nl) | 1990-04-02 |
FR2636079B1 (fr) | 1994-02-25 |
GB8920049D0 (en) | 1989-10-18 |
FR2636079A1 (fr) | 1990-03-09 |
DE3830249C2 (nl) | 1990-07-12 |
US5017404A (en) | 1991-05-21 |
GB2224289A (en) | 1990-05-02 |
GB2224289B (en) | 1992-11-04 |
DE3830249A1 (de) | 1990-03-15 |
JPH02107779A (ja) | 1990-04-19 |
NL194087B (nl) | 2001-02-01 |
JP2542438B2 (ja) | 1996-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL194087C (nl) | Plasma-werkwijze voor het bekleden van vlakke substraten. | |
US5030475A (en) | Plasma-enhanced CVD coating process | |
KR100832273B1 (ko) | 적외선에 의해 기판을 고속으로 균일하게 가열하기 위한장치 | |
US5993614A (en) | Method of manufacturing substrate with thin film, and manufacturing apparatus | |
US20070148368A1 (en) | Apparatus for plasma treatment of dielectric bodies | |
TWI498442B (zh) | 物理氣相沈積用真空塗層設備 | |
JP2008507629A (ja) | 真空コーティング設備及び方法 | |
US5474611A (en) | Plasma vapor deposition apparatus | |
WO2008044474A1 (fr) | Procédé de formation de film transparent électroconducteur | |
KR101104802B1 (ko) | 하향식 노즐형 진공 증발원 장치 및 이를 이용한 하향식 노즐형 진공 증착 장치 | |
CN105420683B (zh) | 基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的装置 | |
CN101084570A (zh) | 一种在石英灯加热器的表面涂镀透射近红外线多层薄膜的装置与方法 | |
EP2935648B1 (en) | Pair of electrodes for dbd plasma process | |
KR100519873B1 (ko) | 이중면 샤워 헤드 전자관 | |
KR20200019130A (ko) | 세그먼트화된 중공 캐소드를 갖는 선형 플라즈마 소스 | |
JP2004043934A (ja) | プラズマスパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置 | |
EP0575055A2 (en) | Plasma vapour-deposition apparatus | |
TW200532933A (en) | Vacuum film forming system and method and solar cell material | |
CN105220130B (zh) | 基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的方法 | |
KR20070099381A (ko) | 평판 표시 소자 제조용 열처리로, 이를 포함하는 평판 표시소자 제조장치, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 평판 표시소자 | |
JPH07281006A (ja) | レンズをコーティングする方法および装置 | |
JP2003129231A (ja) | 真空蒸着装置及び真空蒸着方法 | |
JP2002180241A (ja) | 成膜装置 | |
JPH11309394A (ja) | ディスプレイパネルのタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法及びこの方法を実施するためのオ―ブン | |
JPS62216223A (ja) | 半導体処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
SNR | Assignments of patents or rights arising from examined patent applications |
Owner name: SCHOTT AG Effective date: 20060612 |
|
TNT | Modifications of names of proprietors of patents or applicants of examined patent applications |
Owner name: SCHOTT GLAS Effective date: 20060612 |
|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20090301 |