JPH11309394A - ディスプレイパネルのタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法及びこの方法を実施するためのオ―ブン - Google Patents
ディスプレイパネルのタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法及びこの方法を実施するためのオ―ブンInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はディスプレイパネルのタイルの誘電
性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法
を提供する。 【解決手段】 熱分解によって誘電性表面上に、溶媒中
で溶解される有機金属マグネシウム化合物で構成される
エアロゾルを堆積することからなる。本方法では、誘電
性表面によってその下面が形成されるようにタイル（１
２）が配置され、エアロゾルがタイルの下面（１２Ａ）
に向かって注入され、タイルの上面側は加熱される（１
３）。本発明は、特にディスプレイパネルに適用され
る。
性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法
を提供する。 【解決手段】 熱分解によって誘電性表面上に、溶媒中
で溶解される有機金属マグネシウム化合物で構成される
エアロゾルを堆積することからなる。本方法では、誘電
性表面によってその下面が形成されるようにタイル（１
２）が配置され、エアロゾルがタイルの下面（１２Ａ）
に向かって注入され、タイルの上面側は加熱される（１
３）。本発明は、特にディスプレイパネルに適用され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイパネル
の製造方法に関し、特にプラズマパネルに関するもので
ある。本発明はさらに前記パネルを形成するタイルの誘
電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積することに関
する。また、本発明はこの方法を実施する為のオーブン
に関する。
の製造方法に関し、特にプラズマパネルに関するもので
ある。本発明はさらに前記パネルを形成するタイルの誘
電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積することに関
する。また、本発明はこの方法を実施する為のオーブン
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、プラズマパネルはガラス基材に
より形成される２つのタイルから成り、それらのそれぞ
れには誘電性材料で被覆された電極を成す配列が少なく
とも１つ形成されている。これらのタイルは前記電極配
列が略直角とされて、密封形式で互いに接続されてい
る。この２つのタイルはガスで満たされた空間を規定
し、それぞれの電極の交差部にはそのガス中で放電する
セルを規定する。電極を被覆する誘電性層はエナメルタ
イプの層であり、これは前記ガスから電極を分離し、イ
オン化により産生された電荷を蓄積することによる放電
電流を制限し、パネルにメモリ効果を付与する。この誘
電性層は一般に酸化鉛、二酸化ケイ素及び酸化ホウ素
（ＰｂＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ）上のエナメルからなっ
ている。パネルのタイル前面に配置される誘電層は、観
察者に見られ前面と称されるもので、一般に透明であ
る。一方、タイル背面側に配されるものは光を最大限に
反射させるために一般に白色である。ガスのイオンによ
り攻撃されることから防御するためにマグネシア（酸化
マグネシウムＭｇＯ）に基づいたコートでタイルの誘電
性表面を被覆することは、放電を産生させるために電圧
を低下させること及び放電のために長期に亘り電圧の安
定を保証することと共に公知である。
より形成される２つのタイルから成り、それらのそれぞ
れには誘電性材料で被覆された電極を成す配列が少なく
とも１つ形成されている。これらのタイルは前記電極配
列が略直角とされて、密封形式で互いに接続されてい
る。この２つのタイルはガスで満たされた空間を規定
し、それぞれの電極の交差部にはそのガス中で放電する
セルを規定する。電極を被覆する誘電性層はエナメルタ
イプの層であり、これは前記ガスから電極を分離し、イ
オン化により産生された電荷を蓄積することによる放電
電流を制限し、パネルにメモリ効果を付与する。この誘
電性層は一般に酸化鉛、二酸化ケイ素及び酸化ホウ素
（ＰｂＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 ）上のエナメルからなっ
ている。パネルのタイル前面に配置される誘電層は、観
察者に見られ前面と称されるもので、一般に透明であ
る。一方、タイル背面側に配されるものは光を最大限に
反射させるために一般に白色である。ガスのイオンによ
り攻撃されることから防御するためにマグネシア（酸化
マグネシウムＭｇＯ）に基づいたコートでタイルの誘電
性表面を被覆することは、放電を産生させるために電圧
を低下させること及び放電のために長期に亘り電圧の安
定を保証することと共に公知である。
【０００３】効果的なものとするために、このマグネシ
アに基づくコートは多くの特性を備えなければならな
い： ・すなわち、それが高い二次電子放出係数を有さなけれ
ばならないこと、 ・それがガスのイオンによる攻撃下で分離することが無
いほど化学的に十分に安定であること、 ・タイルの表面を完全に被覆すること、 ・劣化することなく大よそ４００℃の火に耐えること、 ・誘電性層と、所定外観の境界を形成し、透明性があ
り、電気的に伝導性でないこと。
アに基づくコートは多くの特性を備えなければならな
い： ・すなわち、それが高い二次電子放出係数を有さなけれ
ばならないこと、 ・それがガスのイオンによる攻撃下で分離することが無
いほど化学的に十分に安定であること、 ・タイルの表面を完全に被覆すること、 ・劣化することなく大よそ４００℃の火に耐えること、 ・誘電性層と、所定外観の境界を形成し、透明性があ
り、電気的に伝導性でないこと。
【０００４】上記の特性を得るために、高密度及び結晶
形態でマグネシアを堆積することが必要である。一般
に、マグネシアに基づくコートは数百ナノメータの厚さ
で酸化マグネシウムの層の真空蒸発によって堆積されて
いる。この操作では１０-5ヘクトパスカル以下の圧力と
いう高真空容器の操作が求められる。電子銃はその高真
空容器内に配置される。それがマグネシアを加熱し、そ
れを攻撃することによって、それが蒸発することにな
り、そして誘電性材で被覆されたタイル上に堆積され
る。堆積は基材温度が１００℃の領域で生じる。しか
し、この堆積を実施するための装置は高額であり、処理
されるべき基材の面積によって費用が顕著に増加する。
加えて、必要とする厚さのために堆積を継続する時間が
長く、そして製品化率を高くすることができない。
形態でマグネシアを堆積することが必要である。一般
に、マグネシアに基づくコートは数百ナノメータの厚さ
で酸化マグネシウムの層の真空蒸発によって堆積されて
いる。この操作では１０-5ヘクトパスカル以下の圧力と
いう高真空容器の操作が求められる。電子銃はその高真
空容器内に配置される。それがマグネシアを加熱し、そ
れを攻撃することによって、それが蒸発することにな
り、そして誘電性材で被覆されたタイル上に堆積され
る。堆積は基材温度が１００℃の領域で生じる。しか
し、この堆積を実施するための装置は高額であり、処理
されるべき基材の面積によって費用が顕著に増加する。
加えて、必要とする厚さのために堆積を継続する時間が
長く、そして製品化率を高くすることができない。
【０００５】上記問題を解決するために、エアロゾル熱
分解の堆積工程を使用するものとして、トムソンチュー
ブエレクトロニクス（ＴＨＯＭＳＯＮ ＴＵＢＥＳ Ｅ
ＬＥＣＴＲＯＮＩＱＵＥＳ）により、１９９７年６月２
４日付けでフランス特許出願第９７／０７８５３号がな
されている。この工程は、ブタノール又はメタノールの
ような有機溶媒に溶解された酢酸マグネシウム又はマグ
ネシウムアセチルアセトナートのような有機金属マグネ
シウム化合物からミストを形成し、空気、純酸素又は窒
素／酸素の混合のようなキャリアガスを使ってこのミス
トをタイルの誘電性表面に搬送し、約３８０℃から４５
０℃の温度に加熱されたタイルの誘電性表面の近くに溶
媒を蒸発させ、そして熱分解によって有機金属化合物を
堆積させ、すなわち上記化合物の有機遊離基を蒸発させ
ることによりタイルの表面上にマグネシアに基づくコー
トを与えること、により構成されている。ここで形成さ
れたコートは水に対して不透過性である。
分解の堆積工程を使用するものとして、トムソンチュー
ブエレクトロニクス（ＴＨＯＭＳＯＮ ＴＵＢＥＳ Ｅ
ＬＥＣＴＲＯＮＩＱＵＥＳ）により、１９９７年６月２
４日付けでフランス特許出願第９７／０７８５３号がな
されている。この工程は、ブタノール又はメタノールの
ような有機溶媒に溶解された酢酸マグネシウム又はマグ
ネシウムアセチルアセトナートのような有機金属マグネ
シウム化合物からミストを形成し、空気、純酸素又は窒
素／酸素の混合のようなキャリアガスを使ってこのミス
トをタイルの誘電性表面に搬送し、約３８０℃から４５
０℃の温度に加熱されたタイルの誘電性表面の近くに溶
媒を蒸発させ、そして熱分解によって有機金属化合物を
堆積させ、すなわち上記化合物の有機遊離基を蒸発させ
ることによりタイルの表面上にマグネシアに基づくコー
トを与えること、により構成されている。ここで形成さ
れたコートは水に対して不透過性である。
【０００６】現時点で、エアロゾルの熱分解による上記
堆積を実施するために、図１で示されたタイプのオーブ
ンが使用されている。図１に示されるオーブンは、連続
式のオーブン又はベルトオーブンで、処理される基材２
が配置されるコンベア１を含み、この基材の処理面は上
方側とされている。堆積それ自身は第１加熱部３の後に
実行され、エアロゾルを蒸発させるノズル４を使用して
いる。上記加熱部３とノズル４の間はガスを抜き取るた
めの通路である。他の加熱部５が上記ベルトの搬送方向
で前記ノズルの後に配置されている。数百ナノメータの
厚さを有する堆積コートのために、基材加熱ゾーンで分
割される複数のチャンバーが必要とされている。ここで
基材の加熱と堆積は同時に行われていない。
堆積を実施するために、図１で示されたタイプのオーブ
ンが使用されている。図１に示されるオーブンは、連続
式のオーブン又はベルトオーブンで、処理される基材２
が配置されるコンベア１を含み、この基材の処理面は上
方側とされている。堆積それ自身は第１加熱部３の後に
実行され、エアロゾルを蒸発させるノズル４を使用して
いる。上記加熱部３とノズル４の間はガスを抜き取るた
めの通路である。他の加熱部５が上記ベルトの搬送方向
で前記ノズルの後に配置されている。数百ナノメータの
厚さを有する堆積コートのために、基材加熱ゾーンで分
割される複数のチャンバーが必要とされている。ここで
基材の加熱と堆積は同時に行われていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た装置は多くの問題を有している。処理を受けるタイル
がその処理表面を上にして配置され、そしてエアロゾル
が上方から注入されるので、オーブン自体或いはタイル
の表面に接触する前に蒸気相となる複数のエアロゾルの
分解によって、その表面は必然的に堆積する粒子で汚染
されてしまう。さらに、加熱及び堆積操作が同時に行わ
れないので、堆積工程で温度変化が発生することにな
る。すなわち、タイルが堆積チャンバー内を進行する
時、温度が低下することになる。この温度変化は自然冷
却の割合で不可避なバラツキを発生させ、結局処理され
たタイルの堆積層の厚さ及び幅において不均一ものを与
えることになる。さらに、加熱部とノズルの交互配置で
はオーブンのサイズを増加させるという問題もある。
た装置は多くの問題を有している。処理を受けるタイル
がその処理表面を上にして配置され、そしてエアロゾル
が上方から注入されるので、オーブン自体或いはタイル
の表面に接触する前に蒸気相となる複数のエアロゾルの
分解によって、その表面は必然的に堆積する粒子で汚染
されてしまう。さらに、加熱及び堆積操作が同時に行わ
れないので、堆積工程で温度変化が発生することにな
る。すなわち、タイルが堆積チャンバー内を進行する
時、温度が低下することになる。この温度変化は自然冷
却の割合で不可避なバラツキを発生させ、結局処理され
たタイルの堆積層の厚さ及び幅において不均一ものを与
えることになる。さらに、加熱部とノズルの交互配置で
はオーブンのサイズを増加させるという問題もある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、前述し
た問題を解消した堆積工程及びオーブンを提供すること
にある。すなわち、本発明の目的はディスプレイパネル
のタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積
させるための工程であり、熱分解により上記誘電性表面
にエアロゾルを堆積させ、上記エアロゾルは溶媒中に溶
解された有機金属マグネシウム化合物からなるものであ
って、誘電性表面によってその下面が形成されるように
タイルを配置し、エアロゾルは上記タイルの上記下面に
向かって注入され、一方タイルの上面側が加熱されるこ
とを特徴としている。
た問題を解消した堆積工程及びオーブンを提供すること
にある。すなわち、本発明の目的はディスプレイパネル
のタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積
させるための工程であり、熱分解により上記誘電性表面
にエアロゾルを堆積させ、上記エアロゾルは溶媒中に溶
解された有機金属マグネシウム化合物からなるものであ
って、誘電性表面によってその下面が形成されるように
タイルを配置し、エアロゾルは上記タイルの上記下面に
向かって注入され、一方タイルの上面側が加熱されるこ
とを特徴としている。
【０００９】１の特有な実施例によると、エアロゾルは
少なくとも１つのノズルからなる注入システムを介して
注入される。好ましくは、この注入システムは被覆され
るべき誘電性表面に対応する領域を覆うように均一に配
置された複数のノズルからなる。好ましくは、タイルが
加熱される温度を制限するために、それぞれのノズルに
はエアロゾルを予備加熱するヒーターが設けられ、この
予備加熱は１５０から２５０℃の間となるように設定さ
れている。
少なくとも１つのノズルからなる注入システムを介して
注入される。好ましくは、この注入システムは被覆され
るべき誘電性表面に対応する領域を覆うように均一に配
置された複数のノズルからなる。好ましくは、タイルが
加熱される温度を制限するために、それぞれのノズルに
はエアロゾルを予備加熱するヒーターが設けられ、この
予備加熱は１５０から２５０℃の間となるように設定さ
れている。
【００１０】好ましい実施例によると、上面側は赤外線
加熱又は対流加熱タイプのヒーターで加熱される。この
ヒーターはタイルを３８０から４５０℃の温度に上げ
る。また、本発明は上記工程を実施するためのオーブン
に関し、このオーブンは、大気圧にあるチャンバー内
に、誘電性表面が下方に向けられているタイルを収容す
る少なくとも１つの窓を有したコンベアベルトが配設さ
れ、加熱手段が上記コンベアベルト上方に配置され、そ
してエアロゾル注入システムが上記コンベアベルトの下
方に配設されている。好ましくは、エアロゾル注入シス
テムはエアロゾルのための溶液を貯える容器に接続さ
れ、その溶液を霧化するための小滴発生装置を備えてい
る。通常、この小滴発生装置は超音波発生器である。
加熱又は対流加熱タイプのヒーターで加熱される。この
ヒーターはタイルを３８０から４５０℃の温度に上げ
る。また、本発明は上記工程を実施するためのオーブン
に関し、このオーブンは、大気圧にあるチャンバー内
に、誘電性表面が下方に向けられているタイルを収容す
る少なくとも１つの窓を有したコンベアベルトが配設さ
れ、加熱手段が上記コンベアベルト上方に配置され、そ
してエアロゾル注入システムが上記コンベアベルトの下
方に配設されている。好ましくは、エアロゾル注入シス
テムはエアロゾルのための溶液を貯える容器に接続さ
れ、その溶液を霧化するための小滴発生装置を備えてい
る。通常、この小滴発生装置は超音波発生器である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の更なる特徴と利点は、こ
こに添付された図面に基づき説明される好ましいオーブ
ンの実施例を理解することで明らかになる。ここで、既
に説明した図１は、従来技術の熱分解によるエアロゾル
を堆積するためのオーブンを示す。
こに添付された図面に基づき説明される好ましいオーブ
ンの実施例を理解することで明らかになる。ここで、既
に説明した図１は、従来技術の熱分解によるエアロゾル
を堆積するためのオーブンを示す。
【００１２】図２は本発明の熱分解によるエアロゾルを
堆積するためのオーブンを示す。そして、図３は本発明
において使用されるノズルの概要構成図である。図２は
本発明のオーブンを示している。このオーブンは大気圧
にあるチャンバー（図示せず）を備える。このチャンバ
ー内に配設されるのは、処理されるタイル（１２）を収
容するために支持枠（１１）で形成された窓（１０Ａ）
を少なくとも１つ有するコンベアベルト（１０）であ
る。このタイル（１２）は、図２に示されるように、誘
電性層であるその表面（１２Ａ）が下方に向けられるよ
うに配置される。上記ベルト（１０）は公知の手段によ
り、矢印Ｆの方向に駆動されている。本発明では、上記
ベルト（１０）の上方に加熱部（１３）が設けられてい
る。この加熱部（１３）には赤外線加熱手段或いは対流
加熱手段が採用できる。これらは３８０から４５０℃の
温度にタイル１２を加熱する。
堆積するためのオーブンを示す。そして、図３は本発明
において使用されるノズルの概要構成図である。図２は
本発明のオーブンを示している。このオーブンは大気圧
にあるチャンバー（図示せず）を備える。このチャンバ
ー内に配設されるのは、処理されるタイル（１２）を収
容するために支持枠（１１）で形成された窓（１０Ａ）
を少なくとも１つ有するコンベアベルト（１０）であ
る。このタイル（１２）は、図２に示されるように、誘
電性層であるその表面（１２Ａ）が下方に向けられるよ
うに配置される。上記ベルト（１０）は公知の手段によ
り、矢印Ｆの方向に駆動されている。本発明では、上記
ベルト（１０）の上方に加熱部（１３）が設けられてい
る。この加熱部（１３）には赤外線加熱手段或いは対流
加熱手段が採用できる。これらは３８０から４５０℃の
温度にタイル１２を加熱する。
【００１３】ベルト（１０）の下方に配設されるのはエ
アロゾル注入システム（１４）である。このエアロゾル
注入システムは複数のノズル（１４Ａ）、すなわち本実
施例では４つ、を備えている。これらのノズルは、ガラ
スタイルの誘電性表面（１２Ａ）に向けてエアロゾルを
噴射する。蒸気は穴（１４Ｂ）を介して放出される。好
ましくは、図２に示されるように、それぞれのノズルに
は該ノズルに巻き付けれられる金属性ワイヤ或いは熱交
換器よりなる予備加熱手段（１５）が配設される。予備
加熱は約１５０℃の温度とされ、タイルの表面（１２
Ａ）でのエアロゾルの蒸発を促進する。このノズルはタ
イル（１２）の全表面に亘り配列され、誘電性表面の全
体に亘る酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の均一な堆積を可
能とする。一例として、図３は好ましい寸法の具体的な
ノズルを示している。このノズルは矩形であり、詳細に
は約５ｃｍの幅とタイルの幅以上の長さを有している。
表面（１２Ａ）のコートを均一にするために、上記放出
穴は上記ノズルのそれぞれの端部から１０ｃｍの所とし
なければず、これによりそれぞれのノズルは互いに約３
０から４０ｃｍ離されることになる。
アロゾル注入システム（１４）である。このエアロゾル
注入システムは複数のノズル（１４Ａ）、すなわち本実
施例では４つ、を備えている。これらのノズルは、ガラ
スタイルの誘電性表面（１２Ａ）に向けてエアロゾルを
噴射する。蒸気は穴（１４Ｂ）を介して放出される。好
ましくは、図２に示されるように、それぞれのノズルに
は該ノズルに巻き付けれられる金属性ワイヤ或いは熱交
換器よりなる予備加熱手段（１５）が配設される。予備
加熱は約１５０℃の温度とされ、タイルの表面（１２
Ａ）でのエアロゾルの蒸発を促進する。このノズルはタ
イル（１２）の全表面に亘り配列され、誘電性表面の全
体に亘る酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の均一な堆積を可
能とする。一例として、図３は好ましい寸法の具体的な
ノズルを示している。このノズルは矩形であり、詳細に
は約５ｃｍの幅とタイルの幅以上の長さを有している。
表面（１２Ａ）のコートを均一にするために、上記放出
穴は上記ノズルのそれぞれの端部から１０ｃｍの所とし
なければず、これによりそれぞれのノズルは互いに約３
０から４０ｃｍ離されることになる。
【００１４】認識されているように、注入システム（１
４）はパイプを介して公知の装置に接続され、該装置に
よりエアロゾルが製造されている。この装置は容器を有
し、この容器は好ましくはブタノール或いはメタノール
のような有機溶媒中に溶解された酢酸マグネシウム或い
はマグネシウムアセチルアセトナートのような有機金属
マグネシウム化合物から形成された溶液を貯えている。
この溶液を霧化するために上記容器は小滴発生装置を備
えており、好ましくは超音波発生器が溶液を貯えた容器
の底部に浸漬されている。好ましくは、上記溶液は略安
定した温度に維持され、容器は自動温度調整されてい
る。超音波霧化の使用は、略同一サイズの小滴で、エア
ロゾルを形成するミストの優れた均一性を付与し、結果
として均一な厚さのコートを生じさせる。ただし、特に
機械的な技術について、他の霧化技術の適用も可能であ
る。
４）はパイプを介して公知の装置に接続され、該装置に
よりエアロゾルが製造されている。この装置は容器を有
し、この容器は好ましくはブタノール或いはメタノール
のような有機溶媒中に溶解された酢酸マグネシウム或い
はマグネシウムアセチルアセトナートのような有機金属
マグネシウム化合物から形成された溶液を貯えている。
この溶液を霧化するために上記容器は小滴発生装置を備
えており、好ましくは超音波発生器が溶液を貯えた容器
の底部に浸漬されている。好ましくは、上記溶液は略安
定した温度に維持され、容器は自動温度調整されてい
る。超音波霧化の使用は、略同一サイズの小滴で、エア
ロゾルを形成するミストの優れた均一性を付与し、結果
として均一な厚さのコートを生じさせる。ただし、特に
機械的な技術について、他の霧化技術の適用も可能であ
る。
【００１５】認識されているように、エアロゾルがタイ
ル（１２）の誘電性表面に搬送されることを確実にする
ために、空気、純酸素又は空気及び窒素の混合物のよう
なキャリアガスが容器の上部に注入される。
ル（１２）の誘電性表面に搬送されることを確実にする
ために、空気、純酸素又は空気及び窒素の混合物のよう
なキャリアガスが容器の上部に注入される。
【００１６】
【発明の効果】上述したオーブンの使用は多くの利点を
有している。タイルの処理面が下方を向いているので、
オーブンから発生した或いはエアロゾルの分解により産
生された粒子が、処理される表面の上に乗ることがなく
なる。したがって、基材汚染が大幅に減少する。従来の
オーブンのように、蒸発相での反応によって産生される
粉体を受ける部材を配設する必要がなくなる。これによ
って、堆積用のチャンバーの長さを減少させることがで
き、チャンバーのメートル当たりで計算されている堆積
率を制限できる。さらに、加熱と堆積操作が並行して実
施されるので、堆積チャンバーに沿い、かつチャンバー
の全幅に亘り所定温度を保持できる。したがって、上記
層の物理的特徴は該層の全体的な表面に亘り、そして厚
さにおいても均一なものとなる。上記装置に関して、オ
ーブンの単位長さ当たりで算出される、総合的な堆積率
は従来のオーブンの場合と比較して高くなり、これによ
り処理するタイルの数を増やすことが可能となる。
有している。タイルの処理面が下方を向いているので、
オーブンから発生した或いはエアロゾルの分解により産
生された粒子が、処理される表面の上に乗ることがなく
なる。したがって、基材汚染が大幅に減少する。従来の
オーブンのように、蒸発相での反応によって産生される
粉体を受ける部材を配設する必要がなくなる。これによ
って、堆積用のチャンバーの長さを減少させることがで
き、チャンバーのメートル当たりで計算されている堆積
率を制限できる。さらに、加熱と堆積操作が並行して実
施されるので、堆積チャンバーに沿い、かつチャンバー
の全幅に亘り所定温度を保持できる。したがって、上記
層の物理的特徴は該層の全体的な表面に亘り、そして厚
さにおいても均一なものとなる。上記装置に関して、オ
ーブンの単位長さ当たりで算出される、総合的な堆積率
は従来のオーブンの場合と比較して高くなり、これによ
り処理するタイルの数を増やすことが可能となる。
【００１７】本発明は例示したオーブンに基づき説明さ
れたが、特許請求の範囲から逸脱しない範囲で多くの変
更を加えることができることは当業者にとって自明であ
る。
れたが、特許請求の範囲から逸脱しない範囲で多くの変
更を加えることができることは当業者にとって自明であ
る。
【図１】従来技術の熱分解によるエアロゾルを堆積する
のためのオーブンが示された図である。
のためのオーブンが示された図である。
【図２】本発明の熱分解によるエアロゾルを堆積するの
ためのオーブンが示された図である。
ためのオーブンが示された図である。
【図３】本発明において使用されるノズルの概要構成図
である。
である。
１０ コンベアベルト １０Ａ 窓 １１ 支持枠 １２ タイル １２Ａ タイルの表面 １３ 加熱部 １４ エアロゾル注入システム １４Ａ ノズル １５ 予備加熱手段
Claims (13)
- 【請求項１】 熱分解により誘電性表面上にエアロゾル
を堆積し、該エアロゾルは溶媒中に溶解された有機金属
マグネシウム化合物からなる、ディスプレイパネルのタ
イルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積する
ための方法であって、 上記誘電性表面によってその下面が形成されるように上
記タイルが配置され、上記タイルの上面側は加熱され、
上記エアロゾルが上記タイルの上記下面に向かって注入
されることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 前記エアロゾルは少なくとも１つのノズ
ルを有する注入システムを介して注入されることを特徴
とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記注入システムは被覆される誘電性表
面に対応している領域を覆うように複数のノズルが均一
に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の方
法。 - 【請求項４】 前記ノズルのそれぞれに前記エアロゾル
を予備加熱するためのヒーターが設けられていることを
特徴とする請求項２又は３に記載の方法。 - 【請求項５】 前記予備加熱は１５０から２００℃の間
で行われることを特徴とする請求項４に記載の方法。 - 【請求項６】 前記タイルの上面側は赤外加熱又は対流
加熱タイプのヒーターにより加熱されることを特徴とす
る請求項１から４のいずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 前記ヒーターは前記タイルを３８０℃か
ら４５０℃の温度に上げることを特徴とする請求項６に
記載の方法。 - 【請求項８】 前記有機金属マグネシウム化合物は酢酸
マグネシウム又はマグネシウムアセチルアセトナートで
あることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項９】 前記溶媒はブタノール又はメタノールの
ような有機溶媒であることを特徴とする請求項１から８
のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１０】 前記エアロゾルは空気、純酸素又は空
気と窒素の混合物のようなキャリアガスを使用して前記
タイルの誘電性表面に搬送されることを特徴とする請求
項１から９のいずれかに記載の方法。 - 【請求項１１】 大気圧にあるチャンバー内に、その誘
電性表面（１２Ａ）が下方に向けられたタイル（１２）
を収容するための窓（１０Ａ）を少なくとも１つ配設し
たコンベアベルト（１０）と、上記コンベアベルトの上
方に配置される加熱手段（１３）と上記コンベアベルト
の下方に配置されるエアロゾル注入システム（１４）と
から構成されることを特徴とする請求項１から１０のい
ずれかに記載の方法を実施するためのオーブン。 - 【請求項１２】 前記エアロゾル注入システムはエアロ
ゾル用の溶液を貯えた容器に接続され、該容器は上記溶
液を霧化するための小滴発生装置を備えていることを特
徴とする請求項１１に記載のオーブン。 - 【請求項１３】 前記小滴発生装置は超音波発生器であ
ることを特徴とする請求項１２に記載のオーブン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9803745A FR2776673B1 (fr) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Procede de depot d'une couche a base de magnesie sur la surface dielectrique d'une dalle d'un panneau de visualisation et four pour la mise en oeuvre du procede |
| FR9803745 | 1998-03-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11309394A true JPH11309394A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=9524521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11078457A Pending JPH11309394A (ja) | 1998-03-26 | 1999-03-23 | ディスプレイパネルのタイルの誘電性表面上にマグネシアに基づく層を堆積するための方法及びこの方法を実施するためのオ―ブン |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0949351A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11309394A (ja) |
| KR (1) | KR19990077878A (ja) |
| FR (1) | FR2776673B1 (ja) |
| TW (1) | TW444068B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595148B1 (ko) * | 1999-04-12 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 증착 시스템 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0378815A3 (en) * | 1988-12-20 | 1991-07-31 | Texas Instruments Incorporated | Continuous chemical vapour deposition system |
| JPH0390579A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP3222518B2 (ja) * | 1991-12-26 | 2001-10-29 | キヤノン株式会社 | 液体原料気化装置および薄膜形成装置 |
-
1998
- 1998-03-26 FR FR9803745A patent/FR2776673B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-02-16 EP EP99400364A patent/EP0949351A1/en not_active Ceased
- 1999-03-12 TW TW088103788A patent/TW444068B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-15 KR KR1019990008576A patent/KR19990077878A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-03-23 JP JP11078457A patent/JPH11309394A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011246736A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Air Water Inc | 酸化マグネシウム膜の成膜方法、およびプラズマ生成電極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0949351A1 (en) | 1999-10-13 |
| TW444068B (en) | 2001-07-01 |
| FR2776673A1 (fr) | 1999-10-01 |
| KR19990077878A (ko) | 1999-10-25 |
| FR2776673B1 (fr) | 2000-06-02 |
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