NL190254C - Halfgeleiderinrichting met geisoleerd gebied en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents
Halfgeleiderinrichting met geisoleerd gebied en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.Info
- Publication number
- NL190254C NL190254C NLAANVRAGE8202594,A NL8202594A NL190254C NL 190254 C NL190254 C NL 190254C NL 8202594 A NL8202594 A NL 8202594A NL 190254 C NL190254 C NL 190254C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- same
- insulated area
- insulated
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/763—Polycrystalline semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Element Separation (AREA)
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9860381 | 1981-06-25 | ||
JP9860281A JPS58182A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
JP9860381A JPS58149A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 半導体装置 |
JP9860281 | 1981-06-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL8202594A NL8202594A (nl) | 1983-01-17 |
NL190254B NL190254B (nl) | 1993-07-16 |
NL190254C true NL190254C (nl) | 1993-12-16 |
Family
ID=26439736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE8202594,A NL190254C (nl) | 1981-06-25 | 1982-06-25 | Halfgeleiderinrichting met geisoleerd gebied en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4800417A (nl) |
DE (1) | DE3223842A1 (nl) |
GB (1) | GB2104722B (nl) |
HK (1) | HK74086A (nl) |
NL (1) | NL190254C (nl) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4569701A (en) * | 1984-04-05 | 1986-02-11 | At&T Bell Laboratories | Technique for doping from a polysilicon transfer layer |
US5212109A (en) * | 1989-05-24 | 1993-05-18 | Nissan Motor Co., Ltd. | Method for forming PN junction isolation regions by forming buried regions of doped polycrystalline or amorphous semiconductor |
US5098862A (en) * | 1990-11-07 | 1992-03-24 | Gte Laboratories Incorporated | Method of making ohmic electrical contact to a matrix of semiconductor material |
KR940003070A (ko) * | 1992-07-10 | 1994-02-19 | 문정환 | 반도체소자의 단위소자간 격리방법 |
DE19706282A1 (de) * | 1997-02-18 | 1998-08-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Transistorstruktur |
KR100244271B1 (ko) | 1997-05-06 | 2000-02-01 | 김영환 | 반도체소자 구조 및 제조방법 |
FR2768555B1 (fr) | 1997-09-12 | 2001-11-23 | Commissariat Energie Atomique | Structure microelectronique comportant une partie de basse tension munie d'une protection contre une partie de haute tension et procede d'obtention de cette protection |
KR100285701B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2001-04-02 | 윤종용 | 트렌치격리의제조방법및그구조 |
US6245635B1 (en) * | 1998-11-30 | 2001-06-12 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating shallow trench isolation |
US6177317B1 (en) * | 1999-04-14 | 2001-01-23 | Macronix International Co., Ltd. | Method of making nonvolatile memory devices having reduced resistance diffusion regions |
JP5234886B2 (ja) * | 2004-10-25 | 2013-07-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3475661A (en) * | 1966-02-09 | 1969-10-28 | Sony Corp | Semiconductor device including polycrystalline areas among monocrystalline areas |
JPS4912795B1 (nl) * | 1968-12-05 | 1974-03-27 | ||
NL166156C (nl) * | 1971-05-22 | 1981-06-15 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een op een halfgeleidersubstraatlichaam aangebrachte halfge- leiderlaag met ten minste een isolatiezone, welke een in de halfgeleiderlaag verzonken isolatielaag uit door plaatselijke thermische oxydatie van het half- geleidermateriaal van de halfgeleiderlaag gevormd isolerend materiaal bevat en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan. |
US4026736A (en) * | 1974-01-03 | 1977-05-31 | Motorola, Inc. | Integrated semiconductor structure with combined dielectric and PN junction isolation including fabrication method therefor |
US4140558A (en) * | 1978-03-02 | 1979-02-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Isolation of integrated circuits utilizing selective etching and diffusion |
US4255207A (en) * | 1979-04-09 | 1981-03-10 | Harris Corporation | Fabrication of isolated regions for use in self-aligning device process utilizing selective oxidation |
US4252579A (en) * | 1979-05-07 | 1981-02-24 | International Business Machines Corporation | Method for making single electrode U-MOSFET random access memory utilizing reactive ion etching and polycrystalline deposition |
JPS5636143A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4309716A (en) * | 1979-10-22 | 1982-01-05 | International Business Machines Corporation | Bipolar dynamic memory cell |
US4255209A (en) * | 1979-12-21 | 1981-03-10 | Harris Corporation | Process of fabricating an improved I2 L integrated circuit utilizing diffusion and epitaxial deposition |
US4393391A (en) * | 1980-06-16 | 1983-07-12 | Supertex, Inc. | Power MOS transistor with a plurality of longitudinal grooves to increase channel conducting area |
US4409609A (en) * | 1981-03-18 | 1983-10-11 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JPS57204133A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor integrated circuit |
JPS5896751A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
US4473598A (en) * | 1982-06-30 | 1984-09-25 | International Business Machines Corporation | Method of filling trenches with silicon and structures |
JPS5961045A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS5965448A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS60124839A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US4569701A (en) * | 1984-04-05 | 1986-02-11 | At&T Bell Laboratories | Technique for doping from a polysilicon transfer layer |
US4528047A (en) * | 1984-06-25 | 1985-07-09 | International Business Machines Corporation | Method for forming a void free isolation structure utilizing etch and refill techniques |
US4554728A (en) * | 1984-06-27 | 1985-11-26 | International Business Machines Corporation | Simplified planarization process for polysilicon filled trenches |
JPS61158158A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61220353A (ja) * | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-06-21 GB GB08217904A patent/GB2104722B/en not_active Expired
- 1982-06-24 US US06/391,790 patent/US4800417A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-25 DE DE19823223842 patent/DE3223842A1/de active Granted
- 1982-06-25 NL NLAANVRAGE8202594,A patent/NL190254C/nl not_active IP Right Cessation
-
1986
- 1986-10-02 HK HK740/86A patent/HK74086A/xx not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-10-13 US US07/256,948 patent/US4833098A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3223842C2 (nl) | 1988-11-10 |
GB2104722A (en) | 1983-03-09 |
DE3223842A1 (de) | 1983-01-13 |
NL8202594A (nl) | 1983-01-17 |
GB2104722B (en) | 1985-04-24 |
US4800417A (en) | 1989-01-24 |
US4833098A (en) | 1989-05-23 |
NL190254B (nl) | 1993-07-16 |
HK74086A (en) | 1986-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL189380C (nl) | Halfgeleiderelement en werkwijze voor het vervaardigen ervan. | |
NL191424C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde schakeling. | |
DE3278871D1 (en) | Stacked semiconductor device and method for manufacturing the device | |
DE3175125D1 (en) | Semiconductor memory device and method for manufacturing the same | |
NL187508C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen. | |
NL187072B (nl) | Rubberachtig copolymeer en werkwijze voor het bereiden daarvan. | |
EP0051488A3 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
NL7701367A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het etsen. | |
NL7613893A (nl) | Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting. | |
NL188587C (nl) | Koper-nikkellegering en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL189102C (nl) | Transistor en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL188236C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van polypropeenspinvliezen met lage valcoeficient. | |
NL7806006A (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardi- gen ervan. | |
NL7902247A (nl) | Metaal-isolator-halfgeleidertype halfgeleiderinrich- ting en werkwijze voor het vervaardigen ervan. | |
NL190254C (nl) | Halfgeleiderinrichting met geisoleerd gebied en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL7710712A (nl) | Elektrochemische inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL185044B (nl) | Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
GB2104290B (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
NL7712388A (nl) | Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL189667B (nl) | Sulfobetainen en werkwijze voor het bereiden daarvan. | |
NL7713071A (nl) | Werkwijze en inrichting voor het ontstapelen. | |
NL189377B (nl) | Inrichting voor ruimtetemperatuurregeling en werkwijze voor het toepassen daarvan. | |
NL189317C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van staafvormig materiaal. | |
BE888825A (nl) | Verpakking voor lucifers, werkwijze en installatie voor het vervaardigen ervan | |
BE893719A (fr) | Verbinding met cerebrale eubolische activiteit, werkwijze voor het bereiden daarvan, farmaceutische samenstellingen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
BA | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Free format text: 20020625 |