NL186048C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen.

Info

Publication number
NL186048C
NL186048C NLAANVRAGE7601576,A NL7601576A NL186048C NL 186048 C NL186048 C NL 186048C NL 7601576 A NL7601576 A NL 7601576A NL 186048 C NL186048 C NL 186048C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
manufacturing
semiconductor device
passivation layers
passivation
layers
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7601576,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL186048B (nl
NL7601576A (nl
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of NL7601576A publication Critical patent/NL7601576A/xx
Publication of NL186048B publication Critical patent/NL186048B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL186048C publication Critical patent/NL186048C/xx

Links

Classifications

    • H10P76/40—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P14/60—
    • H10W74/43—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/945—Special, e.g. metal
NLAANVRAGE7601576,A 1975-02-15 1976-02-16 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen. NL186048C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP50019353A JPS5193874A (en) 1975-02-15 1975-02-15 Handotaisochino seizohoho

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7601576A NL7601576A (nl) 1976-08-17
NL186048B NL186048B (nl) 1990-04-02
NL186048C true NL186048C (nl) 1990-09-03

Family

ID=11997006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7601576,A NL186048C (nl) 1975-02-15 1976-02-16 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen.

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4062707A (Direct)
JP (1) JPS5193874A (Direct)
AU (1) AU499549B2 (Direct)
CA (1) CA1059243A (Direct)
DE (1) DE2605830C3 (Direct)
FR (1) FR2301092A1 (Direct)
GB (1) GB1513332A (Direct)
NL (1) NL186048C (Direct)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4161744A (en) * 1977-05-23 1979-07-17 Varo Semiconductor, Inc. Passivated semiconductor device and method of making same
US4134125A (en) * 1977-07-20 1979-01-09 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Passivation of metallized semiconductor substrates
US4149307A (en) * 1977-12-28 1979-04-17 Hughes Aircraft Company Process for fabricating insulated-gate field-effect transistors with self-aligned contacts
US4148133A (en) * 1978-05-08 1979-04-10 Sperry Rand Corporation Polysilicon mask for etching thick insulator
US4174252A (en) * 1978-07-26 1979-11-13 Rca Corporation Method of defining contact openings in insulating layers on semiconductor devices without the formation of undesirable pinholes
US4219379A (en) * 1978-09-25 1980-08-26 Mostek Corporation Method for making a semiconductor device
US4242697A (en) * 1979-03-14 1980-12-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Dielectrically isolated high voltage semiconductor devices
JPS5640269A (en) * 1979-09-11 1981-04-16 Toshiba Corp Preparation of semiconductor device
US4317690A (en) * 1980-06-18 1982-03-02 Signetics Corporation Self-aligned double polysilicon MOS fabrication
JPS58100441A (ja) * 1981-12-10 1983-06-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US4990989A (en) * 1982-03-19 1991-02-05 At&T Bell Laboratories Restricted contact planar photodiode
US4894703A (en) * 1982-03-19 1990-01-16 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Restricted contact, planar photodiode
US4634474A (en) * 1984-10-09 1987-01-06 At&T Bell Laboratories Coating of III-V and II-VI compound semiconductors
JPS61222172A (ja) * 1985-03-15 1986-10-02 Sharp Corp Ｍｏｓｆｅｔのゲ−ト絶縁膜形成方法
US4714518A (en) * 1987-01-14 1987-12-22 Polaroid Corporation Dual layer encapsulation coating for III-V semiconductor compounds
US5460983A (en) * 1993-07-30 1995-10-24 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming isolated intra-polycrystalline silicon structures
DE4424420A1 (de) * 1994-07-12 1996-01-18 Telefunken Microelectron Kontaktierungsprozeß
US6068928A (en) * 1998-02-25 2000-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a polycrystalline silicon structure and polycrystalline silicon layer to be produced by the method
DE69923436T2 (de) * 1998-03-06 2006-01-05 Asm America Inc., Phoenix Verfahren zum beschichten von silizium mit hoher kantenabdeckung
DE60005541T2 (de) * 2000-12-20 2004-07-01 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren zur Kontrollierung von Zwischenoxyd bei einer monokristallinischen/polykristallinischen Silizium-Zwischenschicht
US9837271B2 (en) 2014-07-18 2017-12-05 Asm Ip Holding B.V. Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids
US9443730B2 (en) 2014-07-18 2016-09-13 Asm Ip Holding B.V. Process for forming silicon-filled openings with a reduced occurrence of voids
US10460932B2 (en) 2017-03-31 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor device with amorphous silicon filled gaps and methods for forming
KR102591247B1 (ko) * 2023-04-13 2023-10-19 삼성엔지니어링 주식회사 한쌍의 마스트를 이용한 대용량 건설용 리프트와 로드 셀을 이용한 건설용 리프트 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2789258A (en) * 1955-06-29 1957-04-16 Raytheon Mfg Co Intrinsic coatings for semiconductor junctions
NL251064A (Direct) * 1955-11-04
GB1053046A (Direct) * 1963-02-25 1900-01-01
DE1514807B2 (de) * 1964-04-15 1971-09-02 Texas Instruments Inc., Dallas. Tex. (V.St.A.) Verfahren zum herstellen einer planaren halbleiteranordnung
GB1104935A (en) * 1964-05-08 1968-03-06 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound
SE300472B (Direct) * 1965-03-31 1968-04-29 Asea Ab
US3479237A (en) * 1966-04-08 1969-11-18 Bell Telephone Labor Inc Etch masks on semiconductor surfaces
US3422321A (en) * 1966-06-20 1969-01-14 Sperry Rand Corp Oxygenated silicon nitride semiconductor devices and silane method for making same
US3463715A (en) * 1966-07-07 1969-08-26 Trw Inc Method of cathodically sputtering a layer of silicon having a reduced resistivity
US3455020A (en) * 1966-10-13 1969-07-15 Rca Corp Method of fabricating insulated-gate field-effect devices
US3472689A (en) * 1967-01-19 1969-10-14 Rca Corp Vapor deposition of silicon-nitrogen insulating coatings
US3537921A (en) * 1967-02-28 1970-11-03 Motorola Inc Selective hydrofluoric acid etching and subsequent processing
DE1614455C3 (de) * 1967-03-16 1979-07-19 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen einer teils aus Siliciumoxid, teils aus Siliciumnitrid bestehenden Schutzschicht an der Oberfläche eines Halbleiterkörpers
US3475234A (en) * 1967-03-27 1969-10-28 Bell Telephone Labor Inc Method for making mis structures
US3549411A (en) * 1967-06-27 1970-12-22 Texas Instruments Inc Method of preparing silicon nitride films
GB1244013A (en) * 1967-10-13 1971-08-25 Gen Electric Fabrication of semiconductor devices
GB1239852A (en) * 1969-01-09 1971-07-21 Ferranti Ltd Improvements relating to semiconductor devices
JPS497870B1 (Direct) * 1969-06-06 1974-02-22
JPS5314420B2 (Direct) * 1973-05-14 1978-05-17
JPS523277B2 (Direct) * 1973-05-19 1977-01-27
US3862852A (en) * 1973-06-01 1975-01-28 Fairchild Camera Instr Co Method of obtaining high-quality thick films of polycrystalline silicone from dielectric isolation
JPS532552B2 (Direct) 1974-03-30 1978-01-28

Also Published As

Publication number Publication date
NL186048B (nl) 1990-04-02
FR2301092B1 (Direct) 1982-06-18
GB1513332A (en) 1978-06-07
AU1084076A (en) 1977-08-11
FR2301092A1 (fr) 1976-09-10
DE2605830B2 (de) 1980-11-06
JPS5193874A (en) 1976-08-17
US4062707A (en) 1977-12-13
AU499549B2 (en) 1979-04-26
DE2605830C3 (de) 1983-01-05
CA1059243A (en) 1979-07-24
NL7601576A (nl) 1976-08-17
DE2605830A1 (de) 1976-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL186048C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met twee passiveringslagen.
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL185376C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL161302C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL182603C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een uit ten minste twee geleidende bedradingslagen samengesteld geleiderstelsel.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7414007A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7413791A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL161619C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
BC A request for examination has been filed
A85 Still pending on 85-01-01
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 19950901