NL170068C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.Info
- Publication number
- NL170068C NL170068C NL7008349A NL7008349A NL170068C NL 170068 C NL170068 C NL 170068C NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 170068 C NL170068 C NL 170068C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- area
- semiconductor body
- type
- concentration
- doper
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83188369A | 1969-06-10 | 1969-06-10 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7008349A NL7008349A (es) | 1970-12-14 |
NL170068B NL170068B (nl) | 1982-04-16 |
NL170068C true NL170068C (nl) | 1982-09-16 |
Family
ID=25260092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL7008349A NL170068C (nl) | 1969-06-10 | 1970-06-09 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE751635A (es) |
DE (1) | DE2028632C3 (es) |
ES (2) | ES380358A1 (es) |
FR (1) | FR2045944B1 (es) |
GB (1) | GB1271896A (es) |
MY (1) | MY7300409A (es) |
NL (1) | NL170068C (es) |
SE (1) | SE361555B (es) |
YU (1) | YU36240B (es) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5967670A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS5988871A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | バ−・ブラウン・コ−ポレ−ション | 高安定低電圧集積回路表面下降状ダイオ−ド構造体及びその製造方法 |
IT1221019B (it) * | 1985-04-01 | 1990-06-21 | Ates Componenti Elettron | Dispositivo elettronico integrato per il comando di carichi induttivi,con elemento di ricircolo |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3305913A (en) * | 1964-09-11 | 1967-02-28 | Northern Electric Co | Method for making a semiconductor device by diffusing impurities through spaced-apart holes in a non-conducting coating to form an overlapped diffused region by means oftransverse diffusion underneath the coating |
FR1529360A (fr) * | 1966-10-05 | 1968-06-14 | Rca Corp | Dispositifs semi-conducteurs |
FR1559607A (es) * | 1967-06-30 | 1969-03-14 | ||
FR1557080A (es) * | 1967-12-14 | 1969-02-14 |
-
1970
- 1970-02-25 SE SE242770A patent/SE361555B/xx unknown
- 1970-04-14 FR FR7013456A patent/FR2045944B1/fr not_active Expired
- 1970-06-02 GB GB2648870A patent/GB1271896A/en not_active Expired
- 1970-06-03 ES ES380358A patent/ES380358A1/es not_active Expired
- 1970-06-08 BE BE751635D patent/BE751635A/xx unknown
- 1970-06-09 YU YU147470A patent/YU36240B/xx unknown
- 1970-06-09 NL NL7008349A patent/NL170068C/xx not_active IP Right Cessation
- 1970-06-10 DE DE19702028632 patent/DE2028632C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-12-28 ES ES410121A patent/ES410121A1/es not_active Expired
-
1973
- 1973-12-30 MY MY7300409A patent/MY7300409A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7008349A (es) | 1970-12-14 |
DE2028632C3 (de) | 1982-01-21 |
ES380358A1 (es) | 1973-04-16 |
BE751635A (fr) | 1970-11-16 |
YU36240B (en) | 1982-02-25 |
ES410121A1 (es) | 1976-01-01 |
GB1271896A (en) | 1972-04-26 |
FR2045944A1 (es) | 1971-03-05 |
MY7300409A (en) | 1973-12-31 |
YU147470A (en) | 1981-04-30 |
FR2045944B1 (es) | 1974-02-01 |
DE2028632B2 (de) | 1981-04-16 |
DE2028632A1 (de) | 1970-12-17 |
NL170068B (nl) | 1982-04-16 |
SE361555B (es) | 1973-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL182604C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL152707B (nl) | Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. | |
NL144764B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen met twee op geringe afstand van elkaar gelegen elektrisch geleidende lagen, alsmede voorwerpen, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL145396B (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL153709B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL140659B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL162511C (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL141031B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL142714B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde voortbrengselen uit polyimide en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van de werkwijze. | |
NL142337B (nl) | Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting. | |
NL154062B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze. | |
NL168654B (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype. | |
NL155663B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL160988B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting. | |
NL170068C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. | |
NL145730B (nl) | Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor. | |
NL161515B (nl) | Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting. | |
NL174304C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld. | |
NL157323B (nl) | Werkwijze voor de bereiding van gelvrije etheen-propeen-5-ethylideen 2-norborneen terpolymere rubber en gevormd voortbrengsel van een dergelijke rubber. | |
NL140363B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL155119B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een instelbare spaartransformator, alsmede spaartransformator, vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V4 | Lapsed because of reaching the maxim lifetime of a patent |