NL170068C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.

Info

Publication number
NL170068C
NL170068C NL7008349A NL7008349A NL170068C NL 170068 C NL170068 C NL 170068C NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 7008349 A NL7008349 A NL 7008349A NL 170068 C NL170068 C NL 170068C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
area
semiconductor body
type
concentration
doper
Prior art date
Application number
NL7008349A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7008349A (nl
NL170068B (nl
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL7008349A publication Critical patent/NL7008349A/xx
Publication of NL170068B publication Critical patent/NL170068B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL170068C publication Critical patent/NL170068C/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/866—Zener diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NL7008349A 1969-06-10 1970-06-09 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd. NL170068C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US83188369A 1969-06-10 1969-06-10

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7008349A NL7008349A (nl) 1970-12-14
NL170068B NL170068B (nl) 1982-04-16
NL170068C true NL170068C (nl) 1982-09-16

Family

ID=25260092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7008349A NL170068C (nl) 1969-06-10 1970-06-09 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.

Country Status (9)

Country Link
BE (1) BE751635A (nl)
DE (1) DE2028632C3 (nl)
ES (2) ES380358A1 (nl)
FR (1) FR2045944B1 (nl)
GB (1) GB1271896A (nl)
MY (1) MY7300409A (nl)
NL (1) NL170068C (nl)
SE (1) SE361555B (nl)
YU (1) YU36240B (nl)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967670A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Toshiba Corp 半導体装置
JPS5988871A (ja) * 1982-11-12 1984-05-22 バ−・ブラウン・コ−ポレ−ション 高安定低電圧集積回路表面下降状ダイオ−ド構造体及びその製造方法
IT1221019B (it) * 1985-04-01 1990-06-21 Ates Componenti Elettron Dispositivo elettronico integrato per il comando di carichi induttivi,con elemento di ricircolo

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305913A (en) * 1964-09-11 1967-02-28 Northern Electric Co Method for making a semiconductor device by diffusing impurities through spaced-apart holes in a non-conducting coating to form an overlapped diffused region by means oftransverse diffusion underneath the coating
FR1529360A (fr) * 1966-10-05 1968-06-14 Rca Corp Dispositifs semi-conducteurs
FR1559607A (nl) * 1967-06-30 1969-03-14
FR1557080A (nl) * 1967-12-14 1969-02-14

Also Published As

Publication number Publication date
NL7008349A (nl) 1970-12-14
DE2028632C3 (de) 1982-01-21
ES380358A1 (es) 1973-04-16
BE751635A (fr) 1970-11-16
YU36240B (en) 1982-02-25
ES410121A1 (es) 1976-01-01
GB1271896A (en) 1972-04-26
FR2045944A1 (nl) 1971-03-05
MY7300409A (en) 1973-12-31
YU147470A (en) 1981-04-30
FR2045944B1 (nl) 1974-02-01
DE2028632B2 (de) 1981-04-16
DE2028632A1 (de) 1970-12-17
NL170068B (nl) 1982-04-16
SE361555B (nl) 1973-11-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL182604C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met ten minste een paar complementaire veldeffecttransistoren met een stuurelektrode van polykristallijn of amorf silicium en een met de werkwijze vervaardigde geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL152707B (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL144764B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen met twee op geringe afstand van elkaar gelegen elektrisch geleidende lagen, alsmede voorwerpen, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL145396B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL153709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140659B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142714B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van gevormde voortbrengselen uit polyimide en gevormde voortbrengselen, vervaardigd onder toepassing van de werkwijze.
NL142337B (nl) Werkwijze en inrichting voor het bekleden van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerpen bekleed volgens deze werkwijze of met behulp van deze inrichting.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL168654B (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleider- lichaam van een eerste geleidingstype met een door dif- fusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede gelei- dingstype.
NL155663B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL160988B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, be- vattende ten minste een eerste veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze voor de vervaar- diging van de halfgeleiderinrichting.
NL170068C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij binnen een aan een oppervlak van een halfgeleiderlichaam grenzend eerste gebied met het aan het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam tegengestelde geleidingstype, bestaande uit een eerste deelgebied met een hoge maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie en uit een aangrenzend tweede deelgebied met een aanmerkelijk lagere maximumwaarde van de doteringsstofconcentratie een tweede gebied met het geleidingstype van het halfgeleiderlichaam wordt gevormd.
NL145730B (nl) Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL161515B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL174304C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, die uit complementaire veldeffecttransistors met een geisoleerde stuurelektrode is samengesteld.
NL157323B (nl) Werkwijze voor de bereiding van gelvrije etheen-propeen-5-ethylideen 2-norborneen terpolymere rubber en gevormd voortbrengsel van een dergelijke rubber.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL155119B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een instelbare spaartransformator, alsmede spaartransformator, vervaardigd volgens deze werkwijze.

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Lapsed because of reaching the maxim lifetime of a patent