NL145730B - Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor. - Google Patents

Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.

Info

Publication number
NL145730B
NL145730B NL63297602A NL297602A NL145730B NL 145730 B NL145730 B NL 145730B NL 63297602 A NL63297602 A NL 63297602A NL 297602 A NL297602 A NL 297602A NL 145730 B NL145730 B NL 145730B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
field effect
effect transistor
manufacturing
gate electrode
insulated gate
Prior art date
Application number
NL63297602A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Rca Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rca Corp filed Critical Rca Corp
Publication of NL145730B publication Critical patent/NL145730B/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/181—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers
    • H03F3/183—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/185—Low-frequency amplifiers, e.g. audio preamplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/043—Dual dielectric
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/053—Field effect transistors fets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
NL63297602A 1962-09-07 1963-09-06 Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor. NL145730B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US222129A US3233186A (en) 1962-09-07 1962-09-07 Direct coupled circuit utilizing fieldeffect transistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL145730B true NL145730B (nl) 1975-04-15

Family

ID=22830968

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL297602D NL297602A (nl) 1962-09-07
NL63297602A NL145730B (nl) 1962-09-07 1963-09-06 Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL297602D NL297602A (nl) 1962-09-07

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3233186A (nl)
AT (1) AT249746B (nl)
BE (1) BE637065A (nl)
BR (1) BR6352316D0 (nl)
CH (1) CH416752A (nl)
DE (1) DE1212159B (nl)
ES (1) ES291422A1 (nl)
GB (1) GB1030124A (nl)
NL (2) NL145730B (nl)
SE (1) SE313602B (nl)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL299911A (nl) * 1951-08-02
US3289093A (en) * 1964-02-20 1966-11-29 Fairchild Camera Instr Co A. c. amplifier using enhancement-mode field effect devices
US3455020A (en) * 1966-10-13 1969-07-15 Rca Corp Method of fabricating insulated-gate field-effect devices
NL152707B (nl) * 1967-06-08 1977-03-15 Philips Nv Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
USRE31580E (en) * 1967-06-08 1984-05-01 U.S. Philips Corporation Insulated gate field-effect transistor comprising a mesa channel and a thicker surrounding oxide
US3528168A (en) * 1967-09-26 1970-09-15 Texas Instruments Inc Method of making a semiconductor device
US3512099A (en) * 1967-09-28 1970-05-12 Tokyo Shibaura Electric Co Semiconductor amplifier wherein several metal oxide semiconductor field effect transistors are coupled on a substrate
US3544838A (en) * 1968-06-06 1970-12-01 Bendix Corp Headlamp time delay circuit and means for adjustment thereof
US3714575A (en) * 1970-08-07 1973-01-30 Amalgamated Music Ets Code controlled broadcasting system
US4032838A (en) * 1972-12-20 1977-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device for generating variable output voltage

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2762875A (en) * 1952-11-15 1956-09-11 Rca Corp Stabilized cascade-connected semi-conductor amplifier circuits and the like
US2790856A (en) * 1953-08-24 1957-04-30 Motorola Inc Frequency selective transistor amplifier
US3030586A (en) * 1955-02-18 1962-04-17 Philco Corp Transistor circuit
US2822430A (en) * 1956-08-15 1958-02-04 Rca Corp Transistor amplifier circuit
FR1257194A (fr) * 1960-02-18 1961-03-31 Perfectionnements aux montages électriques à éléments semi-conducteurs dits tecnetrons
NL130600C (nl) * 1960-03-22
NL267831A (nl) * 1960-08-17
US3135926A (en) * 1960-09-19 1964-06-02 Gen Motors Corp Composite field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
ES291422A1 (es) 1964-02-16
GB1030124A (en) 1966-05-18
US3233186A (en) 1966-02-01
AT249746B (de) 1966-10-10
BR6352316D0 (pt) 1973-09-18
CH416752A (de) 1966-07-15
DE1212159B (de) 1966-03-10
SE313602B (nl) 1969-08-18
BE637065A (nl)
NL297602A (nl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL151839B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode, alsmede aldus vervaardigde transistor.
NL154366B (nl) Elektrisch buscontact met veerkrachtige draden, alsmede een werkwijze en inrichting voor het maken van zulk een buscontact.
NL145980B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde eletrische geleider, en elektrische geleider verkregen door toepassen van deze werkwijze.
NL142293B (nl) Elektrische keten met een veldeffecttransistor.
NL175772B (nl) Veldeffectgeheugentransistor met geisoleerde stuurelektrode die door een samengestelde isolatielaag wordt gescheiden van de kanaalzone.
NL152707B (nl) Halfgeleiderinrichting bevattende een veldeffecttransistor van het type met geisoleerde poortelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL141330B (nl) Veldeffecttransistor met een besturingspoortelektrode, aangebracht op een dielektrische oxydelaag.
NL185483C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidereenheid met veldeffecttransistors met geisoleerde poort van de verarmingssoort en de verrijkingssoort.
NL149859B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140659B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde poort en een veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL161306C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van veldeffecttransis- toren met geisoleerde stuurelektrode.
NL154619B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode onder toepassing van ionenimplantatie en volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL156542B (nl) Veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL150950B (nl) Veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL159532B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor van het verrijkingstype, alsmede veldeffecttransistor, vervaardigd met deze werkwijze.
NL144853B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een laselektrode en laselektrode, verkregen door deze werkwijze.
NL158657B (nl) Veldeffecttransistor met geisoleerde stuurelektrode.
NL164158C (nl) Schakeling met een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode voorzien van een beveiligingsdiode.
NL145730B (nl) Elektrische keten voorzien van een veldeffecttransistor met geisoleerde poortelektrode, alsmede een werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffecttransistor en een volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffecttransistor.
NL154876B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrisch werkzame inrichtingen met monokorrellagen met actieve korrels in een isolerende vulstof, alsmede volgens deze werkwijze verkregen elektrisch werkzame inrichting.
NL142018B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleidende inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL154869B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een veldeffecttransistor met een geisoleerde stuurelektrode, benevens veldeffecttransistor vervaardigd volgens deze werkwijze.
CA934478A (en) Method of manufacturing a semiconductor device having at least one insulated gate field effect transistor, and semiconductor device manufactured by using the method
NL162790C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van veldeffect- transistoren met een geisoleerde stuurelektrode.