US3125532A
(en)
*
|
|
1964-03-17 |
|
Method of doping semiconductor |
NL180311B
(nl)
*
|
1952-08-01 |
|
Ciba Geigy |
Werkwijze voor het bereiden van n-halogeenacylanilinoalkaancarbonzuuresters alsmede werkwijze voor het bereiden van microbicide preparaten ter bestrijding van fytopathogene schimmels en bacterien op basis van dergelijke esters.
|
US2798018A
(en)
*
|
1952-09-29 |
1957-07-02 |
Carnegie Inst Of Technology |
Method of removing gaseous segregation from metals
|
US3060123A
(en)
*
|
1952-12-17 |
1962-10-23 |
Bell Telephone Labor Inc |
Method of processing semiconductive materials
|
DE1061527B
(de)
*
|
1953-02-14 |
1959-07-16 |
Siemens Ag |
Verfahren zum zonenweisen Umschmelzen von Staeben und anderen langgestreckten Werkstuecken
|
US3234009A
(en)
*
|
1953-02-14 |
1966-02-08 |
Siemens Ag |
Method and device for the successive zone melting and resolidifying of extremely pure substances
|
DE1056840B
(de)
*
|
1953-02-14 |
1959-05-06 |
Siemens Ag |
Verfahren zum Verteilen von Fremdstoffkomponenten in Halbleiterstaeben durch ein tiegelloses Zonenschmelzverfahren
|
US2972525A
(en)
*
|
1953-02-26 |
1961-02-21 |
Siemens Ag |
Crucible-free zone melting method and apparatus for producing and processing a rod-shaped body of crystalline substance, particularly semiconductor substance
|
US2836520A
(en)
*
|
1953-08-17 |
1958-05-27 |
Westinghouse Electric Corp |
Method of making junction transistors
|
BE531626A
(fr)
*
|
1953-09-04 |
|
|
|
US2933384A
(en)
*
|
1953-09-19 |
1960-04-19 |
Siemens Ag |
Method of melting compounds without decomposition
|
US2861017A
(en)
*
|
1953-09-30 |
1958-11-18 |
Honeywell Regulator Co |
Method of preparing semi-conductor devices
|
DE1301862B
(de)
*
|
1953-10-21 |
1969-08-28 |
Allg Elek Zitaets Ges Aeg Tele |
Verfahren zum Herstellen eines Drifttransistors
|
US2845371A
(en)
*
|
1953-11-27 |
1958-07-29 |
Raytheon Mfg Co |
Process of producing junctions in semiconductors
|
US2792317A
(en)
*
|
1954-01-28 |
1957-05-14 |
Westinghouse Electric Corp |
Method of producing multiple p-n junctions
|
DE1175447B
(de)
*
|
1954-01-29 |
1964-08-06 |
Licentia Gmbh |
Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-kristallen durch tiegelfreies Zonenschmelzen
|
DE1188042B
(de)
*
|
1954-01-29 |
1965-03-04 |
Siemens Ag |
Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines stabfoermigen kristallinen Halbleiterkoerpers
|
US2826666A
(en)
*
|
1954-02-15 |
1958-03-11 |
Tung Sol Electric Inc |
Improvement in apparatus for growing single crystals
|
DE1178611B
(de)
*
|
1954-02-20 |
1964-09-24 |
Siemens Ag |
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
|
US3010857A
(en)
*
|
1954-03-01 |
1961-11-28 |
Rca Corp |
Semi-conductor devices and methods of making same
|
GB781795A
(en)
*
|
1954-03-12 |
1957-08-28 |
Gen Electric |
Improvements relating to the manufacture of p-n junction devices
|
NL111118C
(fr)
*
|
1954-04-01 |
|
|
|
US2964396A
(en)
*
|
1954-05-24 |
1960-12-13 |
Siemens Ag |
Producing semiconductor substances of highest purity
|
DE1253235B
(de)
*
|
1954-05-25 |
1967-11-02 |
Siemens Ag |
Verfahren zum Herstellen stabfoermiger Halbleiterkristalle
|
GB797950A
(en)
*
|
1954-06-10 |
1958-07-09 |
Rca Corp |
Semi-conductor alloys
|
DE1184971B
(de)
*
|
1954-06-22 |
1965-01-07 |
Siemens Ag |
Verfahren zum tiegellosen Schmelzen von stabfoermigen Koerpern aus reinstem Halbleitermaterial
|
DE1215649B
(de)
*
|
1954-06-30 |
1966-05-05 |
Siemens Ag |
Verfahren zum Herstellen eines extrem reinen, stabfoermigen Halbleiterkristalls
|
US2835612A
(en)
*
|
1954-08-23 |
1958-05-20 |
Motorola Inc |
Semiconductor purification process
|
DE1029803B
(de)
*
|
1954-09-18 |
1958-05-14 |
Siemens Ag |
Verfahren zur Herstellung einer Verbindung oder einer Legierung in kristalliner Form durch Zusammen-schmelzen der Komponenten in einem abgeschlossenen System
|
US2892739A
(en)
*
|
1954-10-01 |
1959-06-30 |
Honeywell Regulator Co |
Crystal growing procedure
|
NL103256C
(fr)
*
|
1954-10-29 |
|
|
|
US2825549A
(en)
*
|
1954-12-28 |
1958-03-04 |
Itt |
Mold for semi-conductor ingots
|
GB831305A
(en)
*
|
1955-01-11 |
1960-03-30 |
Ass Elect Ind |
Improvements relating to the refining of heavy metals by zone melting
|
US2999776A
(en)
*
|
1955-01-13 |
1961-09-12 |
Siemens Ag |
Method of producing differentiated doping zones in semiconductor crystals
|
US2950219A
(en)
*
|
1955-02-23 |
1960-08-23 |
Rauland Corp |
Method of manufacturing semiconductor crystals
|
NL107344C
(fr)
*
|
1955-03-23 |
|
|
|
US2822308A
(en)
*
|
1955-03-29 |
1958-02-04 |
Gen Electric |
Semiconductor p-n junction units and method of making the same
|
US2907715A
(en)
*
|
1955-04-04 |
1959-10-06 |
Texas Instruments Inc |
Method for producing single-crystal semiconductor material
|
US2841509A
(en)
*
|
1955-04-27 |
1958-07-01 |
Rca Corp |
Method of doping semi-conductive material
|
US2817608A
(en)
*
|
1955-05-02 |
1957-12-24 |
Rca Corp |
Melt-quench method of making transistor devices
|
US2931743A
(en)
*
|
1955-05-02 |
1960-04-05 |
Philco Corp |
Method of fusing metal body to another body
|
DE1051013B
(de)
*
|
1955-06-17 |
1959-02-19 |
Western Electric Company, Incorporated, New York, N. Y. (V. St. A.) |
Verfahren zum Freischwebendhalten von Flüssigkeiten, insbesondere von Schmelzen
|
US2824030A
(en)
*
|
1955-07-21 |
1958-02-18 |
Canadian Patents Dev |
Method of preparing semiconductive materials
|
BE548227A
(fr)
*
|
1955-07-22 |
|
|
|
US2855334A
(en)
*
|
1955-08-17 |
1958-10-07 |
Sprague Electric Co |
Method of preparing semiconducting crystals having symmetrical junctions
|
US2944975A
(en)
*
|
1955-09-14 |
1960-07-12 |
Siemens Ag |
Method for producing and re-melting compounds having high vapor pressure at the meltig point
|
US2829994A
(en)
*
|
1955-10-06 |
1958-04-08 |
Hughes Aircraft Co |
Method for preparing silicon-germanium alloys
|
US3046164A
(en)
*
|
1955-10-18 |
1962-07-24 |
Honeywell Regulator Co |
Metal purification procedures
|
US2835614A
(en)
*
|
1955-11-30 |
1958-05-20 |
Raulaud Corp |
Method of manufacturing crystalline material
|
US2809905A
(en)
*
|
1955-12-20 |
1957-10-15 |
Nat Res Dev |
Melting and refining metals
|
US2809165A
(en)
*
|
1956-03-15 |
1957-10-08 |
Rca Corp |
Semi-conductor materials
|
US2852420A
(en)
*
|
1956-06-28 |
1958-09-16 |
Rauland Corp |
Method of manufacturing semiconductor crystals
|
NL98843C
(fr)
*
|
1956-07-02 |
|
|
|
US2979386A
(en)
*
|
1956-08-02 |
1961-04-11 |
Shockley William |
Crystal growing apparatus
|
US2977256A
(en)
*
|
1956-08-16 |
1961-03-28 |
Gen Electric |
Semiconductor devices and methods of making same
|
US2912321A
(en)
*
|
1956-09-04 |
1959-11-10 |
Helen E Brennan |
Continuous casting and refining of material
|
NL221194A
(fr)
*
|
1956-10-01 |
|
|
|
NL104388C
(fr)
*
|
1956-11-28 |
|
|
|
US2990439A
(en)
*
|
1956-12-18 |
1961-06-27 |
Gen Electric Co Ltd |
Thermocouples
|
US2932562A
(en)
*
|
1956-12-27 |
1960-04-12 |
Bell Telephone Labor Inc |
Zone-melting with joule heat
|
NL236919A
(fr)
*
|
1957-03-07 |
1900-01-01 |
|
|
US2962363A
(en)
*
|
1957-07-09 |
1960-11-29 |
Pacific Semiconductors Inc |
Crystal pulling apparatus and method
|
US2980560A
(en)
*
|
1957-07-29 |
1961-04-18 |
Rca Corp |
Methods of making semiconductor devices
|
US2990257A
(en)
*
|
1957-10-28 |
1961-06-27 |
Fisher Scientific Co |
Zone refiner
|
US2992903A
(en)
*
|
1957-10-30 |
1961-07-18 |
Imber Oscar |
Apparatus for growing thin crystals
|
DE1092576B
(de)
*
|
1957-11-15 |
1960-11-10 |
Siemens Ag |
Stromzufuehrung fuer die bewegliche Heizspule einer tiegelfreien Zonenziehvorrichtung im Innern eines Gefaesses
|
NL235481A
(fr)
*
|
1958-02-19 |
|
|
|
NL237383A
(fr)
*
|
1958-04-23 |
|
|
|
DE1164680B
(de)
*
|
1958-05-21 |
1964-03-05 |
Siemens Ag |
Verfahren zum Herstellen von stabfoermigen Halbleiterkoerpern hoher Reinheit
|
US2974072A
(en)
*
|
1958-06-27 |
1961-03-07 |
Ibm |
Semiconductor connection fabrication
|
US2967095A
(en)
*
|
1958-07-25 |
1961-01-03 |
Gen Electric |
Method and apparatus for forming single crystal in cylindrical form
|
US3043725A
(en)
*
|
1958-11-06 |
1962-07-10 |
Texas Instruments Inc |
Photo transistor
|
US3121630A
(en)
*
|
1958-11-12 |
1964-02-18 |
Heraeus Gmbh W C |
Method and apparatus for sintering premolded objects
|
US2996374A
(en)
*
|
1958-11-13 |
1961-08-15 |
Texas Instruments Inc |
Method of zone refining for impurities having segregation coefficients greater than unity
|
NL245568A
(fr)
*
|
1958-11-28 |
|
|
|
DE1164681B
(de)
*
|
1958-12-24 |
1964-03-05 |
Siemens Ag |
Verfahren zur Herstellung eines gleichmaessig dotierten Stabes aus Halbleitermaterial durch tiegelfreies Zonenschmelzen
|
NL236245A
(fr)
*
|
1959-02-17 |
|
|
|
US3031275A
(en)
*
|
1959-02-20 |
1962-04-24 |
Shockley William |
Process for growing single crystals
|
DE1227874B
(de)
*
|
1959-04-10 |
1966-11-03 |
Itt Ind Ges Mit Beschraenkter |
Verfahren zum Herstellen von n-dotierten Siliciumeinkristallen
|
DE1130414B
(de)
*
|
1959-04-10 |
1962-05-30 |
Elektronik M B H |
Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
|
US3154381A
(en)
*
|
1959-04-20 |
1964-10-27 |
Haskiel R Shell |
Progressive melting and crystallization of synthetic mica
|
NL250835A
(fr)
*
|
1959-04-30 |
|
|
|
US3036898A
(en)
*
|
1959-04-30 |
1962-05-29 |
Ibm |
Semiconductor zone refining and crystal growth
|
DE1142153B
(de)
*
|
1959-05-02 |
1963-01-10 |
Wacker Chemie Gmbh |
Verfahren zum tiegellosen Reinigen und Umkristallisieren von festen Stoffen
|
NL239785A
(fr)
*
|
1959-06-02 |
|
|
|
US3101257A
(en)
*
|
1959-08-17 |
1963-08-20 |
Lawrence M Hagen |
Preparation of high purity silicon by decomposition of silicon nitride powder having a graphite target buried therein
|
NL244298A
(fr)
*
|
1959-10-13 |
|
|
|
US3072504A
(en)
*
|
1959-10-20 |
1963-01-08 |
Texas Instruments Inc |
Junction growing technique
|
DE1207341B
(de)
*
|
1960-06-11 |
1965-12-23 |
Siemens Ag |
Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen von Germanium- oder Siliciumstaeben
|
BE605031A
(fr)
*
|
1960-06-15 |
|
|
|
NL266156A
(fr)
*
|
1960-06-24 |
|
|
|
NL104013C
(fr)
*
|
1960-06-28 |
|
|
|
US3141849A
(en)
*
|
1960-07-04 |
1964-07-21 |
Wacker Chemie Gmbh |
Process for doping materials
|
DE1205955B
(de)
*
|
1960-11-30 |
1965-12-02 |
Siemens Ag |
Verfahren zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines mit Phosphor dotierten Siliciumstabes im Vakuum
|
DE1156384B
(de)
*
|
1960-12-23 |
1963-10-31 |
Wacker Chemie Gmbh |
Verfahren zum Dotieren von hochreinen Stoffen
|
DE1227424B
(de)
*
|
1961-03-01 |
1966-10-27 |
Philips Nv |
Verfahren und Vorrichtung zum Zonenschmelzen eines aus einer Metallverbindung bestehenden stabfoermigen Koerpers
|
NL276635A
(fr)
*
|
1961-03-31 |
|
|
|
DE1419656B2
(de)
*
|
1961-05-16 |
1972-04-20 |
Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München |
Verfahren zum dotieren eines stabfoermigen koerpers aus halbleitermaterial, insbesondere aus silicium, mit bor
|
US3162526A
(en)
*
|
1961-10-26 |
1964-12-22 |
Grace W R & Co |
Method of doping semiconductor materials
|
NL285816A
(fr)
*
|
1962-01-26 |
|
|
|
US3254955A
(en)
*
|
1962-08-28 |
1966-06-07 |
George R Bird |
Method of preparing a tantalum carbide crystal
|
US3245761A
(en)
*
|
1962-10-11 |
1966-04-12 |
Norton Co |
Apparatus for making magnesium oxide crystals
|
US3301660A
(en)
*
|
1963-10-22 |
1967-01-31 |
Dojindo & Co Ltd |
Metal purification process
|
US3170882A
(en)
*
|
1963-11-04 |
1965-02-23 |
Merck & Co Inc |
Process for making semiconductors of predetermined resistivities
|
DE1277828B
(de)
*
|
1963-11-12 |
1968-09-19 |
Fuji Electric Co Ltd |
Verfahren zum Entfernen von unerwuenschten Verunreinigungen aus einem Halbleiterkoerpr
|
DE1276331B
(de)
*
|
1963-11-21 |
1968-08-29 |
Gen Electric |
Verfahren zur Herstellung eines homogenen halbleitenden Einkristalls
|
US3249425A
(en)
*
|
1964-08-17 |
1966-05-03 |
Joseph R Mares |
Process for freeze-refining a metal
|
FR1420509A
(fr)
*
|
1964-10-27 |
1965-12-10 |
Commissariat Energie Atomique |
Procédé de fabrication d'alliage germanium-silicium
|
DE1519868B2
(de)
*
|
1965-03-18 |
1971-07-29 |
Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München |
Verfahren zum herstellen einer faserstruktur in einem koerper aus einer halbleitenden verbindung
|
DE1264399B
(de)
*
|
1965-06-10 |
1968-03-28 |
Siemens Ag |
Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen
|
US3485613A
(en)
*
|
1967-11-06 |
1969-12-23 |
Corning Glass Works |
Method of producing a vitreous body by crucibleless fluid zone treatment
|
DE2127968A1
(de)
*
|
1971-05-10 |
1972-11-16 |
Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie, Baden (Schweiz) |
Verfahren und Einrichtung zur Beeinflussung der kristallinen Struktur von Legierungen sowie Anwendung dieses Verfahrens
|
SE372753B
(fr)
*
|
1972-08-04 |
1975-01-13 |
Boliden Ab |
|
US4029500A
(en)
*
|
1975-03-11 |
1977-06-14 |
Nasa |
Method of growing composites of the type exhibiting the Soret effect
|
DE2607911A1
(de)
*
|
1976-02-26 |
1977-09-01 |
Siemens Ag |
Verfahren zur reinigung eines germaniumkoerpers
|
US4045181A
(en)
*
|
1976-12-27 |
1977-08-30 |
Monsanto Company |
Apparatus for zone refining
|
US4170491A
(en)
*
|
1978-12-07 |
1979-10-09 |
General Electric Company |
Near-surface thermal gradient enhancement with opaque coatings
|
US4257824A
(en)
*
|
1979-07-31 |
1981-03-24 |
Bell Telephone Laboratories, Incorporated |
Photo-induced temperature gradient zone melting
|
JPS5697897A
(en)
*
|
1980-01-07 |
1981-08-06 |
Hitachi Ltd |
Control rod
|
US4364778A
(en)
*
|
1980-05-30 |
1982-12-21 |
Bell Telephone Laboratories, Incorporated |
Formation of multilayer dopant distributions in a semiconductor
|
US4394183A
(en)
*
|
1981-11-18 |
1983-07-19 |
Bell Telephone Laboratories, Incorporated |
Solidification of molten materials
|
DE3311891A1
(de)
*
|
1983-03-31 |
1984-10-04 |
Bayer Ag, 5090 Leverkusen |
Bandfoermige folien aus metallen, verfahren und vorrichtung zu deren herstellung sowie ihre verwendung
|
US4900394A
(en)
*
|
1985-08-22 |
1990-02-13 |
Inco Alloys International, Inc. |
Process for producing single crystals
|
US4690725A
(en)
*
|
1985-11-22 |
1987-09-01 |
Cominco Ltd. |
Purification of Cd and Te by zone refining
|
JP3186096B2
(ja)
*
|
1990-06-14 |
2001-07-11 |
アジレント・テクノロジーズ・インク |
感光素子アレイの製造方法
|
CA2030483C
(fr)
*
|
1990-11-21 |
2000-09-12 |
Energie Atomique Du Canada |
Methode de fabrication acceleree de fils ou rubans de ceramique supraconductrice
|
US6800137B2
(en)
|
1995-06-16 |
2004-10-05 |
Phoenix Scientific Corporation |
Binary and ternary crystal purification and growth method and apparatus
|
US5993540A
(en)
*
|
1995-06-16 |
1999-11-30 |
Optoscint, Inc. |
Continuous crystal plate growth process and apparatus
|
US6402840B1
(en)
|
1999-08-10 |
2002-06-11 |
Optoscint, Inc. |
Crystal growth employing embedded purification chamber
|
DE102004063959B4
(de)
*
|
2004-06-15 |
2010-06-02 |
Infineon Technologies Ag |
Verfahren zur Herstellung einer niederohmigen Anschlusselektrode als vergrabene metallische Schicht in einem Halbleiterkörper für ein Halbleiterbauelement
|
WO2008026931A1
(fr)
*
|
2006-08-30 |
2008-03-06 |
Norsk Hydro Asa |
Procédé et équipement pour la fabrication d'un silicium multicristallin de grade solaire à partir de silicium métallurgique
|
JP6806199B1
(ja)
*
|
2019-08-08 |
2021-01-06 |
Tdk株式会社 |
磁気抵抗効果素子およびホイスラー合金
|