NL168369C - Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleiderlichaam. - Google Patents

Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleiderlichaam.

Info

Publication number
NL168369C
NL168369C NLAANVRAGE6800382,A NL6800382A NL168369C NL 168369 C NL168369 C NL 168369C NL 6800382 A NL6800382 A NL 6800382A NL 168369 C NL168369 C NL 168369C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
conductor body
semi
manufacturing
semiconductor
manufactured
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE6800382,A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL168369B (nl
NL6800382A (it
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of NL6800382A publication Critical patent/NL6800382A/xx
Publication of NL168369B publication Critical patent/NL168369B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL168369C publication Critical patent/NL168369C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/662—Laminate layers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6928—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H10P14/6929—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6938—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides
    • H10P14/6939—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal
    • H10P14/69391—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal oxynitrides or metal oxycarbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
NLAANVRAGE6800382,A 1967-01-13 1968-01-11 Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleiderlichaam. NL168369C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US60920067A 1967-01-13 1967-01-13

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6800382A NL6800382A (it) 1968-07-15
NL168369B NL168369B (nl) 1981-10-16
NL168369C true NL168369C (nl) 1982-03-16

Family

ID=24439760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE6800382,A NL168369C (nl) 1967-01-13 1968-01-11 Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleiderlichaam.

Country Status (8)

Country Link
JP (2) JPS4945627B1 (it)
BE (1) BE706603A (it)
CH (1) CH487506A (it)
DE (1) DE1621272C3 (it)
FR (1) FR1548847A (it)
GB (1) GB1173097A (it)
NL (1) NL168369C (it)
SE (1) SE365651B (it)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1255995A (en) * 1968-03-04 1971-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor device and method of making same
JPS5356729U (it) * 1976-10-18 1978-05-15
JPS53129436U (it) * 1977-03-18 1978-10-14
JPS5477639U (it) * 1977-11-14 1979-06-02
DE3330864A1 (de) * 1983-08-26 1985-03-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum aufbringen von siliziumoxidschichten auf halbleitersubstrate unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik
DE3330865A1 (de) * 1983-08-26 1985-03-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum aufbringen von siliziumoxidschichten auf halbleitersubstraten unter anwendung einer cvd-beschichtungstechnik
GB2268327A (en) * 1992-06-30 1994-01-05 Texas Instruments Ltd Passivated gallium arsenide device

Also Published As

Publication number Publication date
NL168369B (nl) 1981-10-16
FR1548847A (it) 1968-12-06
DE1621272C3 (de) 1979-08-23
SE365651B (it) 1974-03-25
DE1621272B2 (de) 1977-03-31
DE1621272A1 (de) 1971-04-29
CH487506A (de) 1970-03-15
JPS4945628B1 (it) 1974-12-05
NL6800382A (it) 1968-07-15
JPS4945627B1 (it) 1974-12-05
BE706603A (it) 1968-04-01
GB1173097A (en) 1969-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153374B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL141329B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL161305B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL161616C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL161591B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een vlakdrukvorm.
NL159124B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een hydrofiel polysiloxan.
NL172710B (nl) Halfgeleiderlaser en werkwijze voor het vervaardigen van deze laser.
FR1519780A (fr) Dispositifs semi-conducteurs intégrés et leurs procédés de fabrication
NL144779B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderelement met een passiverende siliciumoxydelaag en halfgeleiderelement volgens die werkwijze.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL161300C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting met een zenerdiode en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van deze werkwijze.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL168369B (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleider- lichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleider- lichaam.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL163673B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde half- geleiderinrichting met een veldeffecttransistor van het overgangstype.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL144471B (nl) Luminescerende halfgeleiderinrichting met een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een iii-v-verbinding.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee